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UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER
PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
ELECTRÓNICA II
Informe de laboratorio Nº1
“INTRODUCCION A LA SIMULACION CON
ORCAD PSPICE”
Freiber Becerra – 1161252
Jeisson Peñaloza – 1160982
INTRODUCCIÓN
Después de la segunda guerra mundial, inicio la
revolución de las maquinas y los componentes
electrónicos, y actualmente en el área de la
electrónica va creciendo exponencialmente y su
demanda cada vez es mayor según sus necesidades.
Antes de realizar un dispositivo electrónico, primero
se implementa diferentes análisis el cual
identificamos el comportamiento de las mismas, ya
sean realizando operaciones teóricas o acudiendo a
las simulaciones en herramientas, unas de las
utilizadas es el programa Orcad Pspice, donde
introduciendo los parámetros de cada circuito, ella
nos arroja unos resultados y simulación, así a la hora
del montaje, solo comparamos resultados.
La finalidad de este trabajo es realizar las diferentes
simulaciones, analizar el comportamiento, comparar
los resultados de la forma matemática, experimental,
siguiendo los postulados de corriente continua,
alterna, dominio de la frecuencia, en circuitos con
amplificadores BJT en Orcad Pspice.
I. OBJETIVOS
1.1 Objetivo general
 Analizar el comportamiento del amplificador
de Emisor Común (EC) mono- etapa
utilizando los diferentes tipos de análisis
disponibles con la herramienta de simulación
ORCAD PSPICE.
1.2 Objeticos específicos.
 Familiarizar al estudiante con el uso de la
herramienta de simulación ORCAD PSPICE
como complemento al proceso de diseño y
análisis de circuitos amplificadores.
Versión: 1.0
 Identificar los principales tipos de
simulación que presenta la herramienta
ORCAD PSPICE para utilizarlos como
soporte al análisis y diseño de circuitos con
transistores.
 Obtener los parámetros de voltaje de
polarización VCEQ, corriente de operación
ICQ, Beta de operación del transistor Bf y las
diferentes corrientes y voltajes del circuito
de prueba a partir del modelo de pequeña
señal del transistor con la herramienta de
simulación.
 Determinar los parámetros que pueden
modificarse en el modelo utilizado por
ORCAD con la herramienta PSPICE
MODEL.
 Utilizar la herramienta PROBE de ORCAD
para visualizar los diferentes resultados que
se pretenden obtener con la simulación.
II. PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA
Los transistores BJT tienen diferentes tipos de
configuración, en nuestro caso es emisor común, de
una sola etapa, al realizar los diferentes análisis
matemáticos se debe tener en cuenta dos datos
importantes, el beta y voltaje base emisor (Vbe),
aplicando los diferentes tipos de análisis, de lo
anterior se generó una inquietud.
¿Cómo analizar los diferentes transistores según su
configuración?
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Versión: 1.0
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III. HERRAMIENTAS UTILIZADAS TABLA I

VARIABLES
ORCAD Pspice Capture es una de las soluciones de
diseño de esquemas más utilizados para la creación VARIABLE VALOR
y documentación de los circuitos eléctricos. Junto Beta 100
con el producto CIS ORCAD opcional (sistema de
información de componentes), ORCAD Capture es Voff 0V
uno de los más poderosos entornos de diseño para Vampl 20mV
llevar la creación de productos de hoy en día, desde
F 10KHz
el concepto hasta la producción. [1]

4.3 Después de haber montado el circuito y

IV. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA asignarle los valores asignado se modificó los
parámetros de beca y Vtr=25mv, teniendo en cuanta
4.1 Durante las simulaciones en Orcad Pspice se las precauciones de asignarle otro nombre, para no
utilizó el área de trabajo, para diseñar el circuito de alterar el modelo de las librerías de OrCAd Pspice.
la ilustración 1, en él se declararon los valores de las
resistencias, de los capacitores, la fuente de voltaje 3.497mA
V5 0V
0
alterno y su frecuencia como se ilustra en la -5.000V
5

siguiente ilustración 1. 670.4uA

R1
6k
2.827mA
R2
1k

. Q1
-7.827V
C2

1u
0V
C1 2.827mA
V
0V -9.022V 18.68uA
1u
V5 Q2N3904 R5
R6 -2.846mA 1k
0 10
651.7uA 0A
0A
V4 R3 -9.716V
5 VOFF = 0 1.5k
VAMPL = 2m
R1 R2 FREQ = 10k 2.846mA
6k 1k AC = 1 R4
C2 100 0V

Q1 1u 0V
C1
V 3.497mA-10.00V
1u V6
Q2N3904 R5
R6 1k 0 0
10
10 0
V4 R3
VOFF = 0 1.5k
VAMPL = 2m
FREQ = 10k
AC = 1 R4
100

Ilustración 2Circuito, Fuente: Laboratorio 1 de Electrónica

V6
0 0
simulación (UFPS)
10 0

4.4 Se utilizó las respectivas ecuaciones que rigen el

Ilustración 1Circuito, Fuente: Laboratorio 1 de Electrónica comportamiento de los amplificadores operaciones
(UFPS)
y así realizar el análisis teórico- matemático. En la
ilustración 2, anexo procedimientos matemáticos.
4.2 Para realizar el análisis en corriente directa
(CD) para circuito usando el modo de (bias point),
para ello se asignó los valores del beta del transistor
y el voltaje early. Arrojando datos necesarios para la
realización de este laboratorio son los establecidos
en la tabla I.
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TABLA III
CONTRASTE ORCAD / MATEMÁTICO

ANÁLISIS
EN CD
Variable Valor Valor
teórico simulación
IC 26.5mA 26.78mA
VCE 2.082V 2.184V
VBE 0.7V 0.646V
Ilustración 2 Ecuaciones, Fuente: Laboratorio 1 de Electrónica, (UFPS)
Beta 100 100

V5
0 4.5 Se realizó el análisis en el dominio del
5
tiempo, teniendo en cuenta los parámetros en el
R1 R2
6k 1k
C2
editor del perfil de simulación cambiando el
C1
Q1 1u funcionamiento del transistor a corriente alterna.
V
1u
V Q2N3904 R5
R6 1k
10
V4 R3
VOFF = 0 1.5k
VAMPL = 2m
FREQ = 10k
AC = 1 R4
100

V6
0 0
10 0

Ilustración 3 Circuito en OrCAD

Ilustración 4 Parámetros para la señal en el dominio del tiempo

Ib = 26,5 uA

Ic = (þ)Ib = 2,65 mA

Ie = (þ + 1) = 2,67 mA

Vce = 5 – 1.1K(Ic + Ie)

Vce = 2,082 V

Ilustración 5 Señal de Voltaje Salida vs Voltaje de Entrada


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4.6 Para finalizar el análisis en el dominio de la
frecuencia, cambiando los parámetros en el editor del
perfil de simulación ha barrido en frecuencia AC
Sweep.
TABLA V
DOMINIO DE LA FRECUENCIA
Variable Valor simulación
FL(inferior) 187.481Hz
FH(superior) 28.8731MHz
BW(ancho banda) 28.8034MHz
Ilustración 2 Señal en el dominio de la frecuencia
V. RECOMENDACIONES
 Para hallar el voltaje en un elemento en
específico, asegurarse de que las puntas de
voltaje las utilice después de crear el perfil de
lo contrario no le graficara las señales.
 Para identificar con mayor rapidez y facilidad
los voltajes de cualquier elemento, es
recomendable nombrar los nodos o mirar cómo
se llaman cuando los monta al Orcad.
 Al cambiar el transistor del 2n2222a por el
2n3904 los valores de la beta, deben considerar
q entre más grande sea el beta más pequeña va
hacer el Vce y también su ganancia van a
cambiar por sus corrientes máximas .
VI. CONCLUSIONES
 Al mirar los datos arrojados tanto
matemáticamente como en simulación, se
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puede concluir que son cercanos, debido a que
la diferencia entre ellas es muy pequeña.
 A la hora de activar de medir el voltaje y
encontrar sus desfases, debe tener en cuenta en
la ubicación donde desee medir, se debe poner
en toda la práctica del elemento.
 Aparte de su amplificación, el circuito puede
invertir la señal con 180° quedando con una
ganancia negativa.
 Cuando se cambió el transistor del Q2n2222a
por el Q2n3904 hubo una pequeño cambio en
la gráfica de dominio de la frecuencia, la
ganancia y su ancho de banda aumentaron
debido a su encapsulado metálico soporta
mayor temperatura y tiene una mayor
corriente[2].
REFERENCIAS
 [1] OrCAD, [Online], 2016. Disponible en:
http://www.orcad.com/products/orcad-
capture/overview
 [2] Electronic Components Datasheet Search,
[Online]; 2013-2018. Disponible en:
http://www.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/pdf/15067/PHILIPS/2N2222.html
 [3] NEAMEN, Donald A. Análisis y Diseño de
Circuitos Electrónicos, Tomo I. México D.F.
McGraw-Hill, 1999.