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03/09/2016

Le transistor bipolaire
1. Introduction
Un transistor bipolaire est un tripôle réalisé par deux jonctions PN, placées
en opposition : on peut ainsi réaliser 2 types de transistors N-P-N ou P-N-P.

Le transistor bipolaire est un composant électronique utilisé comme :


interrupteur commandé, amplificateur, stabilisateur de tension,
modulateur de signal …

Voici les principaux boîtiers :

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2. Principe de fonctionnement

C’est l’effet transistor

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Le courant le l’émetteur est noté IE , celui de la base est


noté IB et celui du collecteur est noté IC. Ces trois
courants obéissent aux relations suivantes :

α est voisin de l’unité (0.95 à 0.99) ce qui permet


souvent de considérer IC = IE, par contre, le rapport β
entre le courant du collecteur et celui de la base est
important, il varie entre quelques dizaines à quelques
centaines, c’est le gain en courant du transistor.

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Modes de fonctionnement d’un transistor bipolaire


VBC

Inverse Saturation

0 VBE

Blocage Normal

 Le transistor est bloqué lorsque les deux jonctions BE et BC sont en


polarisation inverse.

 Le transistor est en fonctionnement normal lorsque la jonction de commande


BE est en polarisation directe et que la jonction BC est en polarisation inverse.

 Le transistor est en fonctionnement inverse lorsque la jonction de


commande BE est en polarisation inverse et que la jonction BC est en
polarisation directe.

 Le transistor est saturé lorsque les deux jonctions BE et BC sont polarisées en


directe.

3. Caractéristiques statiques
3.1 caractéristique statique d’entrée

 Pour débloquer le transistor NPN, il faut que la


jonction base-émetteur soit polarisée en direct avec
une tension supérieure à la tension de seuil, VS, de
cette jonction : VBE > VS.

 La caractéristique IB(VBE) est celle de la diode base-


émetteur.

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 Pour débloquer le transistor PNP, il faut que la jonction


base-émetteur soit polarisée en direct avec une tension
supérieure (en valeur absolue) à la tension de seuil, VS,
de cette diode soit : VBE < −VS.

 La caractéristique IB(VBE) est celle de la diode base-


émetteur

3.2 Influence de la température

 La tension seuil d’une jonction PN varie en fonction de la


température :
VBE
  2 mV / C
T

 Le courant de saturation varie


avec la température :

I s( T 7C )  2I s( T ) cas du Si

I s( T 10C )  2I s( T ) cas du Ge

Risque d’emballement thermique : T  IC   Puissance dissipée   T  

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3.3 caractéristique statique de sortie IC(VCE)

 C’est un réseau de courbes qui décrit l’évolution du courant du


collecteur IC en fonction de la tension VCE et ceci pour différentes
valeurs du courant de base IB.

 Le gain en courant β n’est pas réellement une constante mais varie


avec IC et dépend de la température. La variation de β avec le
courant IC n’est pas très importante.

T2

T1

T2 > T1

IC

Pour les valeurs importantes de IC, les courbes ne sont plus tout à
fait horizontales mais légèrement inclinées. Dans ce cas la relation
IC = βIB devrait être remplacée par IC = βIB + VCE /ρ. ρ est la
résistance interne de sortie du transistor, elle varie d’un transistor
à l’autre.
D’une manière générale sa valeur est suffisamment importante
pour qu’on puisse négliger le terme VCE /ρ devant βIB.
Dans les ouvrages anglophones, 1/ρ est souvent noté h 22 ou hoe.

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3.4 Valeurs limites des transistors


 Tout transistor est limité en puissance et en tensions maximales de
polarisations.
 Les courants en mode bloqué ne sont pas non plus rigoureusement
nuls et dépendent fortement de la température. Ceci doit être prise
en compte lorsque l’on choisit un transistor pour une application
donnée.
 La puissance maximale supportée par le transistor doit être
inférieure à celle estimée à partir du schéma électrique …

ICVCE =Pmax

4. Transistor bipolaire en statique


4.1 Circuits de polarisation du transistor

 Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de


fonctionnement statique) du transistor.

 Le choix du point de repos dépend de l’application du circuit.

 Il doit être à l’intérieur du domaine de fonctionnement du transisor


IC(B) < Imax , VCE (BE) <Vmax, ...

 Les principales caractéristiques d’un circuit de polarisation sont :

 Sensibilité par rapport à la dispersion de fabrication du


transistor (incertitude sur les paramètres hybrides ,… )

 Stabilité thermique.

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 Circuit de polarisation de base (à courant IB constant)


IC
Dispersion de fabrication:
Vcc
hFE mal défini
Rc
RC Q1 2
IC1 même IB transistors
RB Q2
VCC IC2 différents

VCE
VCE1 VCE2 Vcc
V  VBE Vcc  0.7
I B  cc 
RB RB

Q : I c  hFE I B et VCE  Vcc  Rc I c

Conséquence :  hFE   Ic   VCE


 Le point de repos dépend fortement de hFE = inconvénient majeur
 Circuit de polarisation peu utilisé.

 Polarisation par réaction de collecteur

+VCC VCC  0.7


 IC 
RC  RB
hFE
RC
RB
Le point de fonctionnement reste sensible à hFE
Propriété intéressante du montage :
Le transistor ne peut rentrer en saturation
puisque VCE ne peut être inférieur à 0.7V

VCC  0.7
Cas particulier : RB=0  I C  VCE  0.7V
RC
 Le transistor se comporte comme une diode.

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 Polarisation par diviseur de tension à courant IE constant


+VCC Vth  Vo
IC  I E 
RE  Rth / hFE
Rc

Rth VCE  VCC  RC  RE IC

R2
Vth avec Vth  VCC
RE R1  R2
et Rth  R1 // R2

 Peu sensible à hFE : si Rth V  Vo


 RE  IC  th
hFE RE
 Bonne stabilité thermique de IC à condition que Vth >>Vo
Règles « d’or » pour la conception du montage :

• IR2  10 IB
• VE ~ VCC/3

4.2 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit

 Droites de charges :
Le point de fonctionnement est déterminé par les caractéristiques du
transistor et par les lois de Kirchhoff appliquées au circuit.

 Comment déterminer IB , IC , VBE , VCE ?


+VCC
Droites de charges :
Rc
Vth  VBE
Vth  Rth I B  VBE  I B 
Rth Rth

Vth VCC  VCE


RE VCC  ( RC  RE )I C  VCE  I C 
RC  RE

Graphiquement, les droites de charges permettent de localiser le point


de fonctionnement sur les caractéristiques du transistor.

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4.3 Point de fonctionnement


IB Ic(mA)
V  VBE
 I B  th Q
Rth
ICQ  IBQ
Q VCC  VCE
IBQ IC 
RC  RE

VBE (V) ICO


0.1 0.2 0.3
VBEQ VCEsat VCEQ VCE (V)

 VBEQ 0.6-0.7V, dès que Vth> 0.7V  VCE sat  VCEQ  VCC
(diode passante : transistor actif ou saturé)
VCC VCC  VCE
I CO  I C 
 sat

RC  RE RC  RE
On constate ainsi que le choix des paramètres du circuit de polarisation (RC, RE,
Rth, VCC, Vth) est déterminant pour le mode de fonctionnement du transistor
inséré dans le circuit.
 Q fixe le mode de fonctionnement du transistor

Exemple : Calcul du point de fonctionnement

Pour estimer le point de fonctionnement du transistor, on peut partir de l’hypothèse


qu’il est en mode actif. La jonction BE conductrice et BC en inverse.

Rc=3kW VCC=10V
Rc Vcc
Rth I
Rth=30kW B

hFE =100 hFE IB


Vth 0.7V
Vth =1V

 I BQ  10µA
 IC Q  1mA  On a bien : 0.2 <VCEQ < VCC
 VCEQ  7V Résultat cohérent avec le mode actif du transistor.

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4.4 Source de courant :


Le courant dans la charge (Rc) ne dépend pas de la valeur de la
charge.
V  0.7V
VCC  I  BB
RE
charge “quelque soit” Rc …
Rc tant que le transistor est en mode actif

I
Domaine de fonctionnement : VBB  0.7V 
•E 0.2  VCE  VCC  RC  RE I C  VCC
VBB RE
Vcc
 Rcmax   RE
I
Source de courant pour Rc supérieure à Rcmax  transitor saturé

 Rcmin  0

5. Transistor bipolaire en dynamique


5.1 Paramètres hybrides :
En petits signaux basses fréquences le transistor bipolaire peut être remplacé,
autour d’un point de repos M0, par un quadripôle équivalent caractérisé par ces
paramètres hybrides [ hij ].

ic

ib  vbe  h11 h12   ib 


vce       
 ic  h21 h22   vce 
vbe

En notation anglo-saxonne on trouve : h11 = hi , h12 = hr , h21 = hf et h22 = ho

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En montage émetteur commun, les paramètres hij autour d’un point de


fonctionnement donné, sont donnés par :

 VBE 
 h11E =   V  cte  tg () ; ce paramètre a les dimensions d’une résistance (W)
 I B 
CE

 VBE 
 h12E =   I cte  tg() ;
 B ce facteur de faible valeur (10-4 à 10-5) représente
 VCE 
l’interaction sortie – entrée, il est lié à la variation de la largeur de la base (effet
Early).
 IC 
 h21E =   V tg()  b gain en courantà vce 0
 cte
 I B 
CE

 I C 
 h22E =   I cte  tg() (W 1 ) ; h 221E représente la résistance de sortie du
 V  B
 CE 
transistor lorsque l’entrée est en l’air en alternative.

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5.2 Schéma électrique équivalent en petits signaux B.F

Lorsque VCE =cte ( v ce  0) : v be  h11E i b et i c  h 21E i b b i b

On définit la pente (ou transconductance) du transistor par la quantité suivante :


ic
gm =  h 21E / h11E
v be
IC
En première approximation : gm  pour T  25 C et   1 on a g m  40I C
U T

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L’effet de la résistance entre base et collecteur est très souvent négligé


ainsi que celle entre collecteur et émetteur. Les modèles couramment
utilisés sont donc les suivants :
ib ic

vbe b. ib vce

ib ic

vbe gm .vbe vce

5.3 Montage émetteur commun

 Les résistances R1 et R2 constituent le pont de base : polarisation de la


base.
 Le condensateur C ne laisse passer que la variation de Ve et non la
composante continue : évite de modifier la polarisation de la base.
 CL est aussi un condensateur de liaison qui permet à la charge RL
(résistance d’entrée de l’étage suivant) de ne pas modifier la polarisation
du transistor.

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 Le point de repos correspond aux valeurs des tensions et


des courants lorsqu’on ne considère que le régime statique
(ne dépend pas du temps).
 En courant continu les capacités C et CL se comportent
comme des interrupteurs ouverts.

 On peut aussi faire le calcul de IB avec :

 Calcul avec le générateur de Thévenin :

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 En petits signaux BF, pour ce schéma, on ne considère que


les signaux qui varient. Les tensions continues sont
équivalentes à la masse.
 Aux fréquences considérées, les capacités de liaison sont
considérées comme des court-circuits.
 hre.vce << hie.ib
 1/hoe >> RC

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5.4 Caractéristiques de l’amplificateur

5.5 Schéma électrique équivalent en petits signaux H.F

A haute fréquence on doit tenir compte les effets des capacités


parasites associées au transistor. La capacité parasite principale
est CBC.

le schéma de Giacoletto d’un transistor bipolaire n’est


valable que pour des fréquences inférieures à fT / 2

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la capacité entre la base et le collecteur CBC peut être


ramenée en entrée et en sortie du transistor avec le
théorème de MILLER :

5.7 Fréquence de transition


 Le paramètre h21 n’est pas constant avec la fréquence. A
partir de la fréquence de coupure Fb, ce paramètre décroit
de 20 dB/dec.
 FT est inversement proportionnel au temps de transit des
porteurs entre les contacts émetteur et collecteur.
 FT est obtenue lorsque b =1 (0 dB).

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