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03/09/2016

Le transistor à effet de champ

1. Introduction On distingue deux types fondamentaux des transistors à effet de champ ( FET)
1.
Introduction
On distingue deux types fondamentaux des transistors à effet de champ ( FET) :
Structure classique métal-oxyde-semiconducteur (MOS).
Structure réalisée au moyen d’une jonction PN (JFET) .
FET
JFET
MOS FET
à déplétion
Type P ou N
à enrichissement
Type P ou N
à déplétion
Type P ou N

MOSFET : Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

N MOSFET : Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor L : longueur du canal (length) en

L

: longueur du canal (length) en μm

W

: largeur du canal (width) en μm

Field Effect Transistor L : longueur du canal (length) en μm W : largeur du canal

03/09/2016

Symboles électriques d'un transistor MOS à canal n :

Symboles électriques d'un transistor MOS à canal n : 2. Principe de fonctionnement Fonctionnement a V
Symboles électriques d'un transistor MOS à canal n : 2. Principe de fonctionnement Fonctionnement a V
Symboles électriques d'un transistor MOS à canal n : 2. Principe de fonctionnement Fonctionnement a V

2. Principe de fonctionnement

Fonctionnement a V G = 0

: 2. Principe de fonctionnement Fonctionnement a V G = 0  Le substrat (body) est

Le substrat (body) est toujours connecté au potentiel le plus négatif

(la masse).

On considère le cas où la source est également à la masse.

Quelque soit le potentiel de V D aucun courant ne peut circuler entre

le drain et la source (jonctions PN tête-bêche).

V D pour V G = 0

I D est nul

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Création du canal

03/09/2016 Création du canal  V G > 0 repousse les trous libres de la zone

V G > 0 repousse les trous libres de la zone de canal vers le substrat.

V G > 0 attire les e - libres contenus dans le drain et la source (n+) dans

la zone du canal.

Quand les e - sont en nombre suffisant (au-delà d’un certain seuil

pour V G = V GS > Vtn , Vtn est la tension de seuil du NMOS) on considère qu’une région N a été créée.

Désormais si une tension est appliquée entre le drain et la source un

courant d’ e - va circuler dans le canal N.

Fonctionnement linéaire :

va circuler dans le canal N. Fonctionnement linéaire : Un courant I D circule entre le

Un courant I D circule entre le drain et la source. Son amplitude dépend de la quantité d’e - dans le canal et donc de V GS . Le courant I D est proportionnel à (V GS Vtn) et à V DS .

I D = G.V DS =

W

L

n

C

ox

.(V

GS

μ n : mobilité des e -

C ox = e ox / t ox capacité surfacique de grille

[cm 2 /Vs]

V

T

[F/cm 2 ]

).V

DS

t ox épaisseur d’oxyde de grille

[nm]

e ox permittivité de l’oxyde SiO 2

[F/m]

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Fonctionnement non linéaire :

03/09/2016 Fonctionnement non linéaire : L’épaisseur du canal dépend de la différence de potentiel entre la
03/09/2016 Fonctionnement non linéaire : L’épaisseur du canal dépend de la différence de potentiel entre la

L’épaisseur du canal dépend de la différence de potentiel entre la grille et le substrat :

au niveau de la source : V GS , au niveau du drain: V GS V DS ; du fait du potentiel appliqué entre drain et source, la chute de tension V DS étant répartie sur toute la longueur du canal. Le canal a une forme penchée, sa résistance augmente avec V DS .

I D = b [(V GS - V T ) V DS -

1 V

2

2 DS

]

Fonctionnement en saturation :

avec b=µ n C ox W/L

en saturation : avec b=µ n C o x W/L  La longueur du canal dépend

La longueur du canal dépend de la tension appliquée sur la grille en excès par rapport a la tension de seuil Vtn.

L’augmentation de V DS a pour effet de diminuer cette tension en excès au voisinage du drain, jusqu’au V DS = V GS Vtn elle s’annule. Le canal a alors une épaisseur nulle, on dit qu’il est pincé.

Le transistor est saturé, le courant I D reste constant malgré toute augmentation ultérieure de V DS .

I D sat = ½ b (V GS -V T ) 2

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3. Caractéristique statique de sortie 3. Caractéristique statique de transfert
3.
Caractéristique statique de sortie
3.
Caractéristique statique de transfert
03/09/2016 3. Caractéristique statique de sortie 3. Caractéristique statique de transfert 5

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4. Modes de fonctionnement du transistor

03/09/2016 4. Modes de fonctionnement du transistor  Mode saturé : V D S > V

Mode saturé : V DS > V Dsat

V DS > V GS - V Tn ou

Mode linéaire : V DS < V DSsat

V DS < V GS - V Tn ou

S < V D S s a t V DS < V GS - V Tn

V GS < V DS + V Tn

V GS < V DS + V Tn

Mode bloqué : V GS < V Tn MOS ne conduit aucun courant

5. Circuits de polarisation du transistor MOS

aucun courant 5. Circuits de polarisation du transistor MOS Polarisation automatique P o l a r

Polarisation automatique

de polarisation du transistor MOS Polarisation automatique P o l a r i s a t

Polarisation V DD et V GG

a r i s a t i o n V D D e t V G

Polarisation mixte

A - Polarisation automatique :

B - Polarisation avec V GG et V DD :

C - Polarisation mixte :

V DS = V DD - (R D +R S )I DS

V DS = V DD - R D I DS

V DS = V DD - (R D +R S )I DS

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5. Circuit équivalent en petits signaux

L’amplification d’un signal électrique nécessite l’utilisation d’un composant actif bien polarisé. Le transistor MOS peut être représenté par ses éléments physiques comme le montre le circuit suivant :

y GS =

y GD =

1

R GS

1

R

GD

j C

GS

j C

GD

;

y

DS

1

R

DS

j C

DS

i i g y d GD v v gs ds y y DS GS g
i
i g
y
d
GD
v
v
gs
ds
y
y
DS
GS
g m v gs

* La résistance du canal est équivalente à la résistance entre drain et source R DS :

R DS =

(VDS / IDS )VGScte

* La transconductance du transistor MOS est donnée par :

g m = (

IDS /VGS )VDScte

En première approximation on peut négliger l’effet de R GD , R GS et C DS , le circuit équivalent devient :

i g i s C GD C GS v gs v ds g m v
i
g
i
s
C GD
C GS
v gs
v ds
g m v gs
R DS
Schéma électrique simplifié d’un NMOS en petits signaux H.F.
Schéma électrique simplifié d’un NMOS en petits signaux H.F.

En première approximation et en basse fréquence on néglige l’effet de R GD , R GS , C GD , C GS et C DS , le circuit équivalent devient :

i d
i
d
v gs
v gs

g

m v gs

, le circuit équivalent devient : i d v gs g m v gs R DS

R

DS

v

ds

Schéma électrique simplifié d’un NMOS en petits signaux B.F.
Schéma électrique simplifié d’un NMOS en petits signaux B.F.

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6. Montage source commune

03/09/2016 6. Montage source commune C d e c : capacité de découplage (qqs 10aines μF

C dec : capacité de découplage (qqs 10aines μF)

C l1 , C l2 : capacités de liaison (qqs 10aines μF)

Schéma équivalent petits signaux BF:

μF ) C l 1 , C l 2 : capacités de liaison (qqs 10aines μF
μF ) C l 1 , C l 2 : capacités de liaison (qqs 10aines μF
μF ) C l 1 , C l 2 : capacités de liaison (qqs 10aines μF
μF ) C l 1 , C l 2 : capacités de liaison (qqs 10aines μF
μF ) C l 1 , C l 2 : capacités de liaison (qqs 10aines μF

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7. Transistor JFET

G S D Z N + l Zone de déplétion a W Substrat type P
G
S
D
Z
N
+
l
Zone de déplétion
a
W
Substrat type P

L

La jonction PN au dessous de la grille est polarisée en inverse, l’épaisseur l de la zone de déplétion (de transition) est grande quand la tension inverse de polarisation est importante, donc l’épaisseur du canal W est petite. Par conséquent on peut modifier la résistance du canal en agissant sur la tension V GS .

R 

L

Z W

Pour une certaine valeur de V GS , la zone de déplétion envahit toute l’épaisseur a = W + l ; dans ce cas la résistance du canal R tend vers l’infinie. Cette valeur particulière de V GS s’appelle tension de pincement V P .

R DS On peut montrer que la résistance du canal a pour expression : 
R
DS
On peut montrer que la résistance
du canal a pour expression :
V
1
 L 
R
1 
GS
DS
a Z 
V
P
R
0
V GS
 L’approximation quadratique du
courant I DS dans la zone de saturation
est la suivante :
V
P
V
2
V
I
I
GS
P
DS
DS0
1
avec
I
V
P
DS0
3R
0