Introducción

El silicio es un semiconductor, una clase de materiales cuyas

propiedades eléctricas difieren de las de los metales y de los
aislantes. Una singularidad, entre otras, de los semiconductores es
que sus propiedades pueden modificarse drásticamente
incorporando átomos de otros elementos químicos en proporciones
muy reducidas.
Con silicio se fabrican los circuitos integrados que hacen funcionar
los equipos electrónicos que están presentes en nuestra vida
cotidiana vinculados a las tecnologías de la Información y las
Comunicaciones: los ordenadores, los teléfonos móviles,
Internet….También son de silicio más del 90% de las células solares
que hay instalados en los paneles y huertos solares que crecen sin
cesar en todo el mundo y que ya constituyen una nueva y verdadera
revolución verde en el campo energético. El economista Jeremy
Rifkin considera que la fusión de las tecnologías de las
comunicaciones con las energías renovables esta dando lugar a una
nueva y potente “Tercera Revolución Industrial”.
El silicio se encuentra de forma natural en la arena. Cuando usted
pasea por una playa o por el monte, está pisando silicio en unas
cantidades muy apreciables, tal y como muestra la siguiente figura,
que detalla la composición química de la corteza terrestre:

Composición química de la corteza terrestre, expresando la presencia

de los principales elementos en porcentaje sobre el total
El silicio es el segundo elemento más abundante en la corteza
terrestre, después del oxígeno. Ahora bien, el silicio que se utiliza en
los circuitos integrados y en las células solares es
extraordinariamente puro, pero en la naturaleza está mezclado con
otros elementos químicos que lo hacen inviable para esas
aplicaciones.
En este artículo describiré el proceso de purificación y obtención
posterior de cristales adecuados para la industria microelectrónica
(en lo que sigue ImE) y para la de fabricación de dispositivos
fotovoltaicos (en lo que sigue IFV).

Purificación del silicio

El silicio se encuentra en la naturaleza combinado con oxígeno en

forma de cuarcita que es en un 90% óxido de silicio, SiO2. El proceso
de extracción de la cuarcita y su posterior purificación es laborioso y
se realiza en varios pasos, en cada uno de los cuales se obtiene un
silicio con un grado de pureza creciente.
Primer paso: obtención de silicio metalúrgico. Para ello, se
separa del oxígeno mediante una reacción con carbono calentándolo
a 1500-2000 ° C en un horno de arco eléctrico. Allí se somete a
campos eléctricos muy elevados que rompen los enlaces químicos
que unen al silicio con el oxígeno. La reacción química que se
produce es la siguiente:
SiO2 + C → Si + CO2
El silicio resultante se denomina de grado metalúrgico y tiene una
pureza del orden del 99%, con una importante contaminación de
metales tales como Fe, Al, C, B, etc. Este silicio metalúrgico se
produce a un bajo coste económico (3-5 €/kg) y a un coste energético
moderado (~15 kWh/kg). En 2015 la producción total de silicio fue
de 8,1 millones de toneladas. De esa cantidad, el 3% se destinó a la
ImE y alrededor del 15% a la IFV.
El silicio metalúrgico se utiliza en la industria principalmente para
la fabricación de metales, aleaciones de aluminio, etc., pero no vale
para la ImE ni para la IFV, ya que, en ambos casos, se requiere un
grado de pureza mucho más elevado. En efecto, en el caso de la ImE,
se requiere un silicio con un grado de pureza superior a 1 p.p.m. (una
parte por millón) para cualquiera de sus impurezas habituales (C, Al,
B, P, Fe, etc.); esto quiere decir qué de cada millón de átomos de
silicio, como mucho uno puede ser una de las impurezas no
deseadas. Para el silicio destinado a la IFV, el requerimiento de
pureza es algo menos estricto de 10 p.p.m. (como máximo, un átomo
de impurezas por cada cien mil átomos de silicio). Por consiguiente,
es preciso someter al silicio metalúrgico a procesos de purificación
adicionales.

Segundo paso: obtención de silicio electrónico o de silicio solar.

Se alcanza en dos nuevos pasos: en el primero, el silicio metalúrgico

se convierte en gas en un proceso químico. Para ello, el silicio
metalúrgico sólido se hace reaccionar con HCl a 300 ° C en un reactor
para formar SiHCl3 mediante la reacción:
Si + 3HCl → SiHCl3 + H2
La clave del proceso es que, durante la reacción, las impurezas del
silicio tales como Fe, Al, y B reaccionan con el ClH formando haluros
(FeCl3, AlCl3, y BCl3). Estos se pueden separar del silicio realizando
un proceso de destilación fraccionada, que consiste en la separación
sucesiva de los líquidos de la mezcla del SiHCl3 y los diversos haluros
de impurezas, aprovechando la diferencia entre sus puntos de
ebullición.
Finalmente, el SiHCl3 ya purificado se hace reaccionar con hidrógeno
a 1100 ° C durante ~ 200 – 300 horas mediante la siguiente reacción:
SiHCl3 + H2 → Si + 3 HCl
El proceso tiene lugar en el interior de grandes cámaras de vacío, en
las que el silicio se condensa y se deposita sobre barras de polisilicio
para obtener sobre ellas el silicio ya purificado. La técnica fue
desarrollada por primera vez por Siemens en la década de los 60 y se
refiere a menudo como el proceso Siemens. La figura lo muestra:
 Izquierda: esquema de un horno Siemens; el SiHCl3 purificado entra en el reactor donde se deposita en las
barras de silicio (silicon rods). Derecha: barras de silicio purificado que se obtienen al finalizar la condensación
El proceso Siemens es muy costoso en términos energéticos, ya que
se consumen más de 100 kWh/kg Si, por lo que se han
desarrollado procesos alternativos que requieren menos energía
para obtenerlo.
Al final de la destilación, el SiHCl3 sigue teniendo impurezas, pero
en una proporción bajísima, por debajo de 0,001 p.p.m. es decir,
menos de un átomo de impureza por cada 1.000 millones de
átomos de silicio. Este silicio ya es adecuado para la ImE y la IFV y
las barras resultantes de silicio se muelen para obtener la materia
prima del proceso de fabricación de obleas, que detallaré en el
próximo punto.
Para algunas impurezas, como los metales de transición (Ti, V,
Cr,…) el requerimiento es todavía más estricto, ya que es necesario
que la presencia de dichos átomos este por debajo de 1 p.p.b. (una
parte en un billón, menos de un átomo de metal por cada billón de
átomos de silicio). Para ilustrar qué significa un grado de pureza
tan elevado, imagine el lector el siguiente ejemplo: la superficie de
EEUU, en números redondos, es de 10 millones de km2 (10 billones
de metros cuadrados, 1013). Supongamos que se plantan pinos en
toda esa superficie, a razón de uno por cada 10 m2, es decir, se
plantarían en total un billón de pinos (1012). Supongamos también
que entre las semillas de pino se “coló” inadvertidamente una
semilla de roble, de manera que al final de la siembra, se plantaron
un billón de pinos y un roble. Si aplicáramos a esta operación los
requerimientos de pureza de la ImE, ¡esa plantación se debería
considerar contaminada por robles!
Obtención del cristal de silicio

Una vez purificado el silicio, el siguiente paso es “ordenar” sus

átomos formando una oblea (wafer) en la que los átomos de silicio
se colocan en una estructura regular, formando un bloque con
propiedades adecuadas para hacer sobre él los pasos necesarios para
fabricar un circuito integrado o una célula solar. Esto se lleva a cabo
mediante un procedimiento ideado en 1916 por un científico
polaco, Jan Czorchalski.

La figura ilustra esquemáticamente el método:

Izquierda: Esquema de un sistema Czorchalski de obtención de obleas

de silicio. Derecha: lingote final y obleas una vez cortadas.
Fuente: Universidad de Kiel, Alemania
Los detalles del proceso de obtención de la oblea de semiconductor
son los siguientes:
1) El silicio purificado y molido se introduce en un crisol
(SiO2crucible) donde se calienta mediante el Heater y el Crucible
susceptor hasta licuarlo (Si-melt).
2) A continuación, la superficie del silicio líquido se pone en
contacto con una pequeña semilla (seed) sujeta con una pértiga (seed
holder). Esa semilla es un trozo de silicio de elevada calidad, cuya
función es hacer de guía durante el proceso de obtención del cristal
semiconductor.
3) Posteriormente, la pértiga con la semilla fijada en su extremo se
gira lentamente y se extrae del crisol, tal y como muestra la parte
superior de la figura; en el proceso, los átomos de silicio se van
situando en el bloque de semiconductor (Si single cristal) siguiendo
la orientación marcada por la semilla. Durante el proceso de
extracción, el silicio se enfría y solidifica.
4) Finalmente, se obtiene un lingote (Si single cristal, se ve en la
imagen de la derecha) de forma cilíndrica que se corta en
“rebanadas” (wafers, obleas). Este silicio se denomina en la industria
silicio CZ, por las primeras letras del apellido Czorchalski.
5) Las obleas se someten a diversos procesos adicionales que las
dejan preparadas para fabricar en ellas un CI o una célula solar.
En el caso de la IFV, hay procesos que permiten obtener las obleas
de forma más sencilla y económica que mediante el CZ descrito; en
esencia son similares pero sin semilla que oriente el crecimiento; se
obtiene así un multicristal (multi-Si), más imperfecto que el silicio
CZ y como consecuencia, las células solares fabricadas con él son
menos eficientes, pero notablemente más económicas.

¿Tiene sustituto(s) el silicio?

La conjunción de abundancia y elevada madurez tecnológica ha

hecho que el silicio ocupe un papel de casi monopolio en el campo
de las aplicaciones de los semiconductores durante medio siglo. A
mediados de los 80 se pensó en el GaAs como su sustituto en la ImE.
El GaAs ha tenido un desarrollo industrial notable en campos tales
como el radar, la electrónica de los aviones (aviónica), en
dispositivos emisores de radiación como LEDs y Láser, etc., pero no
ha substituido al silicio en la electrónica de gran consumo
(electrodomésticos, teléfonos móviles, ordenadores …). La industria
de los chips de silicio facturó en 2015 alrededor de 300.000 M€,
mientras que la de GaAs, no llegó a 7.000 M€, poco más del 2% de la
primera.