CARACTERISTICAS FISICAS, ELECRONICAS Y

APLICACIONES DE LOS MOSFET DE BAJA SEÑAL,

LDMOS Y VDMOS
Gabriela Villacrés
Escuela Superior Politécnica de Chimborazo
Ingeniería en Electrónica Control y Redes Industriales
Electrónica de Potencia
Ecuador-Riobamba
0982229197
gabrielam.villacres@espoch.ed.ec

Abstract.- The power MOSFET of a long and thin practicado difusiones de material n, fuertemente
lateral channel, which produces a high resistance of dopado, ver figura1.
the drain to the door. The MOSFET works in its two
enrichment zones, and on which depends the number
of electrons and protons it has.
Keywords.- MOSFET, power, drainage, zones,
enrichment, electrons and protons.

Resumen.- Los MOSFET de potencia disponen de un

largo y delgado canal lateral, que produce una resistencia
relativamente alta del drenaje a puerta. El MOSFET
funciona en sus dos zonas de enriquecimiento n y p, en
las cuales depende el número de electrones y protones
que posee. Figura1. Estructura MOSFET de canal N
Palabras Clave.- MOSFET, potencia, drenaje, zonas, MOSFET de enriquecimiento de CANAL P
enriquecimiento, electrones y protones
Responde a una estructura que intercambian las
I. INTRODUCCION regiones dopadas n por regiones dopadas p
viceversa. En este caso el canal se forma gracias a
Su funcionamiento está basado en el transporte la existencia de cargas positivas libres (huecos, p+).
de carga asociado a un único tipo de portadores El funcionamiento es similar. [1]
(electrones y protones).

Los MOSFET poseen una zona de enriquecimiento

de CANAL N y otra zona de enriquecimiento de
CANAL P-

MOSFET de enriquecimiento de CANAL N

Posee cuatro terminales en el substrato

semiconductor de tipo p poco dopado. A ambos
lados de la interface Oxido-Semiconductor se han Figura2. Estructura MOSFET de canal P

II. DESARROLLO
Estructuras de MOSFET de potencia
Los MOSFET de enriquecimiento convencional
disponen de un largo y delgado canal lateral, como
se muestra en la vista estructural en la figura3. Esto
produce una resistencia relativamente alta del
drenaje a puerta y limita el E_MOSFET a
aplicaciones de baja potencia. Cuando la compuerta
es positiva, el canal se forma cerca de la compuerta
entre la fuente y el drenaje, como se muestra.
Figura3. Sección transversal dela estructura de un
E-MOSFET convencional. El canal como el área
blanca.
MOSFET lateralmente difundido
(LDMOSFET) Posee una estructura de canal
lateral y es un tipo de MOSFET de enriquecimiento
diseñado para aplicaciones de potencia. Este
dispositivo tiene un canal más corto entre el drenaje
y la fuente que el E-MOSFET convencional. El
canal más corto opone menos resistencia, lo que
permite una corriente y voltaje más alto.
La figura 4 muestra la estructura básica de un
LDMOSFET. Cuando la compuerta es positiva, se
induce un canal n muy corto en la capa p entre la
fuente levemente dopada y la región n. hay corriente
desde el drenaje, a través de las regiones n y el canal
inducido hasta la fuente, como se indica.
Figura4. Sección transversal de la estructura lateral del canal
de un LDMOSFET.
VMOSFET El MOSFET de ranura en V es otro
ejemplo del E-MOSFET convencional diseñado
para alcanzar una capacidad de potencia más alta,
creando una canal más corto y más ancho con
menos resistencia entre el drenaje en la parte
inferior, como muestra la figura5. El canal se induce
verticalmente a lo largo d ambos lados de la ranura
en forma de V entre el drenaje (sustrato 𝑛+ significa
un nivel de dopado más alto que n-) y las
conexiones de fuente. El espesor de las capas es
establecido por la longitud del canal, esto es
controlado mediante las densidades y el tiempo de
difusión del dopado en lugar de las dimensiones del
enmascaramiento.
Figura5. Sección transversal de la estructura vertical del
canal de un VMOSFET
TMOSFET
La estructura de canal vertical del TMOSFET se
observa en la figura 6. La compuerta esta incrustada
en una capa de bióxido de silicio y el contacto de
fuente es continuo sobre todo el área de superficie.
El drenaje se encuentra en la parte inferior. El
TMOSFET permite una mayor densidad de
encapsulado que el VMOSFET, a mismo tiempo
que retiene la ventaja del canal vertical corto.
Figura6. Sección transversal de la estructura vertical del
canal de un TMOSFET.
Características de transferencia dele-MOSFET motores, generadores de altas frecuencias para
inducción de calor, generadores de ultrasonido,
El E-MOSFET utiliza solo enriquecimiento del
amplificadores de audio y trasmisores de
canal. Por consiguiente, un dispositivo de canal
radiofrecuencia. [2]
requiere un voltaje positivo de compuerta a fuente
y un dispositivo de canal p requiere un voltaje III. BIBLIOGRAFÍA
negativo de compuerta fuente. La figura 7 muestra [1]Sedra. A, “Microelectronic Circuits”,
la curva característica de transferencia general para Saunders Callegue Publishing, Third Edition.
ambos tipos de E-MOSFET. Y D-MOSFET. [2] Floyd T., Dispositivos Electrónicos, Octava
Observe también que idealmente no hay corriente Edición, México, 2008.
en el drenaje hasta que 𝑉𝐺𝑆 alcanza un cierto valor
no cero llamado voltaje de umbral, 𝑉𝐺𝑆(𝑆𝐴𝑇𝑈𝑅𝐴𝐶𝐼𝑂𝑁)
[3]

Figura7. Curva de las características de trasferencia general

de un E-MOSFET.

Polarización de un E-MOSFET
El E-MOSFET debe poseer un 𝑉𝐺𝑆 mayor que el
valor del umbral. 𝑉𝐺𝑆(𝑈𝑀𝐵𝑅𝐴𝐿) , no utiliza
polarización en cero. La figura8 muestra dos formas
de polarizar un E-MOSFET. Se utiliza un
dispositivo de canal n para propósitos de
ilustración.

Figura 8. Configuraciones de polarización de un E-

MOSFET común.

Aplicaciones
Las aplicaciones más típicas de los MOSFET de
potencia se encuentran en la conmutación a altas
frecuencias, sistemas inversores para controlar