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Quito, Ecuador
marco.ortega@epn.edu.ec
𝑅𝐶 //𝑅𝑙
𝐴𝑣 =
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1
̂
𝑽𝑪𝑬 ≥ 𝑽 ̂
𝒐𝒖𝒕 + 𝑽𝒊𝒏 + 𝑽𝒂𝒄𝒕
• No tiene ganancia de voltaje, alta ganancia de
𝑽𝑬 ≥ 𝑽̂
𝒊𝒏 + 𝟏
corriente.
Estas condiciones verifican que no exista
𝑅𝐸 //𝑅𝑙 recortes ni superposiciones de señales;
𝐴𝑣 = ≈1 siendo Vact (2 [V]) voltaje para que el
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 //𝑅𝑙
transistor actúe en la región activa lineal, en
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅1 //𝑅2 //(𝛽 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 //𝑅𝑙 ) el emisor se suma 1 [V] para tener holgura y
no se genere recortes si existe ligeros
cambios en la señal de entrada
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐸 //𝑅𝑙 //𝑟𝑒 ≈ 𝑟𝑒
Base Común:
𝑍𝑖𝑛 𝑍𝑖𝑛
𝐴𝑖 = 𝐴𝑣 = Para la estabilidad térmica es necesario que:
𝑍𝑜𝑢𝑡 𝑍𝑜𝑢𝑡
𝒓𝒆 ≪ 𝑹𝑬𝟏
Emisor Común:
̂
𝑽𝑪𝑬 ≥ 𝑽𝒐𝒖𝒕 + 𝑽𝒂𝒄𝒕
Para la estabilidad térmica es necesario que:
𝑽𝑹𝑬𝟐 ≥ 𝑽̂
𝒊𝒏 + 𝟏
𝒓𝒆 ≪ 𝑹𝑬𝟏
Al igual que en la configuración de emisor
común estas condiciones obtenidas de la
grafica aseguran que la señal no se recorte, en
este caso no puede haber superposición de
señales.
Colector Común: 𝑅𝑐 = 𝑅𝐿 = 2.2[𝐾Ω]
Para la estabilidad térmica es necesario que: 𝑃𝑜𝑟 𝑒𝑠𝑡𝑎𝑏𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑡𝑒𝑟𝑚𝑖𝑐𝑎:
𝒓𝒆 ≪ 𝑹𝑬𝟏 𝑅𝐶 //𝑅𝐿
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 = = 61.11 ; 𝑟𝑒 ≪ 𝑅𝐸1
| 𝐴𝑣 |
̂
𝑉𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛 + 1 → 𝑉𝐸 = 2 [𝑉 ] → 𝑉𝐵 = 2.7 [𝑉 ]
̂
𝑽𝑪𝑬 ≥ 𝑽𝒐𝒖𝒕 + 𝑽𝒂𝒄𝒕
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 → 𝑉𝐶𝐶 = 18 [𝑉 ]
𝑽𝑬 ≥ 𝑽̂
𝒊𝒏 + 𝟏
𝑉𝑅1 = 15.3 [𝑉 ]
Debido a la característica que la ganancia de
voltaje es casi 1, vin es ligeramente mayor a Vout, Resistencias:
al igual que en las otras configuraciones, para 𝑉𝐸
evitar cortes es necesario que se cumpla las 𝑅𝐸2 = − 𝑅𝐸1 = 330[Ω]
𝐼𝐶
condiciones antes mencionadas.
𝑉𝑅1 𝑉𝐵
𝑅1 = = 27[𝐾Ω] ; 𝑅2 = = 5.6[𝐾Ω]
𝐼1 𝐼2
3. Explicar, ¿Por qué en ciertos casos en un
Capacitores:
amplificador en Base Común, se coloca un
capacitor en la base cortocircuitando las 10
𝐶𝐵 = = 0.6[𝜇𝐹] ≈ 1 [𝜇𝐹]
resistencias, en otros casos no se cortocircuita 2𝜋𝑓 𝑍𝑖𝑛
dichas resistencias y en otros casos se divide la 10
resistencia de base con un capacitor? 𝐶𝐶 = = 0.72[𝜇𝐹] ≈ 1 [𝜇𝐹]
2𝜋𝑓 𝑅𝐿
• El cortocircuitar las resistencias de la base
facilita los cálculos en A.C., ya que estas 10
𝐶𝐵 = = 26.04[𝜇𝐹] ≈ 47 [𝜇𝐹]
resistencias dejan de afectar en la Zin, por otra 2𝜋𝑓 (𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 )
parte, mejora el acoplamiento de impedancias
ya que estas resistencias por lo general
reducen la Zin. 5. Diseñar un amplificador con TBJ en
• Dividir la resistencia en la base permite un configuración de Colector Común que cumpla
control mas preciso de las magnitudes D.C. y con las siguientes condiciones:
A.C. del circuito. 𝑹𝑳 = 𝟐. 𝟐[𝑲𝛀]; 𝒇 = 𝟏[𝑲𝑯𝒛]
𝑽𝒐𝒑 = 𝟐. 𝟓[𝒗]
4. Diseñar un amplificador con TBJ en
configuración Emisor Común que cumpla con 𝑅𝐸 = 𝑅𝐿 = 2.2[𝐾Ω]
las siguientes condiciones:
𝑅𝐸
𝑉𝑅𝐸 ≥ ̂ (𝑓. 𝑠) ∧ 𝑉𝑅𝐸 ≥ 𝑉
𝑉 ̂𝑂 +1
|𝑨𝒗 | = 𝟏𝟖 ; 𝑹𝑳 = 𝟐. 𝟐[𝑲𝛀]; 𝒇 = 𝟏[𝑲𝑯𝒛] 𝑅𝐸 //𝑅𝐿 𝑂
𝑽𝒊𝒏𝒑𝒑 = 𝟐𝟓𝟎[𝒎𝒗]
𝑉𝑅𝐸 = 6 [𝑉 ] → 𝐼𝐸 = 2.72[𝑚𝐴] → 𝑟𝑒 = 9.53[Ω] 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 → 𝑉𝐶𝐶 = 17 [𝑉 ]
𝑉𝑅1 = 14.8 [𝑉 ]
𝑅𝐸 //𝑅𝑙
𝐴𝑣 = = 0.9914
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 //𝑅𝑙 Resistencias:
𝑉𝑅𝐸2
𝑺𝒊 𝜷 = 𝟑𝟎𝟎 𝑅𝐸2 = = 220[Ω]
𝐼𝐶
𝐼𝐵 = 9.036[𝜇𝐴] → 𝐼1 = 99.396[𝜇𝐴]
𝐼2 = 90.36[𝜇𝐴] 𝑉𝑅1 𝑉𝐵
𝑅1 = = 82[𝐾Ω] ; 𝑅2 = = 13[𝐾Ω]
𝐼1 𝐼2
𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉̂𝑜 + 𝑉𝑎𝑐𝑡 → 𝑉𝑜 = 4.5 [𝑉] Capacitores:
𝑉𝐵 = 𝑉𝑅𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 = 6.7 [𝑉 ] → 𝑉𝐸 = 6 [𝑉]
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 → 𝑉𝐶𝐶 = 11.5 [𝑉 ] 10
𝐶𝐸 = = 33.27[𝜇𝐹] ≈ 47[𝜇𝐹]
𝑉𝑅1 = 4.8 [𝑉 ] 2𝜋𝑓 𝑍𝑖𝑛
Resistencias: 10
𝐶𝐶 = = 0.72[𝜇𝐹] ≈ 1 [𝜇𝐹]
2𝜋𝑓 𝑅𝐿
𝑉𝑅1 𝑉𝐵
𝑅1 = = 47[𝐾Ω] ; 𝑅2 = = 75[𝐾Ω] 10
𝐼1 𝐼2 𝐶𝐵 = = 0.141[𝜇𝐹] ≈ 220 [𝑛𝐹]
2𝜋𝑓 (𝑅1 //𝑅2 )
Capacitores:
𝑅𝐶 //𝑅𝐿
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 = = 61.11 ; 𝑟𝑒 ≪ 𝑅𝐸1
| 𝐴𝑣 |
𝑺𝒊 𝜷 = 𝟑𝟎𝟎
𝐼𝐵 = 16.93[𝜇𝐴] → 𝐼1 = 186.2[𝜇𝐴], 𝐼2 = 169.3[𝜇𝐴]
Por condiciones de diseño:
̂
𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛 + 𝑉𝑎𝑐𝑡 → 𝑉𝐶𝐸 = 4.25 [𝑉]
̂
𝑉𝑅𝐸2 ≥ 𝑉𝑖𝑛 + 1 → 𝑉𝑅𝐸2 = 1.125 [𝑉 ]
Colector Común:
Base Común:
Operating Point REFERENCIAS
V(c): 11,5 voltage
[1] “Amplificador Emisor común” [Online]. Disponible en:
V(b): 6,8124 voltage
https://unicrom.com/amplificador-emisor-comun/
V(e): 6,13137 voltage
V(n002): 1,35E-14 voltage [2] “Amplificador Base común” [Online]. Disponible en:
V(n001): 0 voltage https://unicrom.com/amplificador-de-base-comun/
Ic(Q1): 0,00277808 device_current
Ib(Q1): 8,90E-06 device_current [3] Electrónica teoría de circuitos y dispositivos electrónicos,
Boylestad Robert, Louis Nashelsky. Publicación: Pearson
Ie(Q1): -0,00278699 device_current
Educación, Décima Edición, 2009.
I(C2): 6,81E-19 device_current
I(C1): -6,13E-18 device_current [4] Apuntes Dispositivos Electrónicos, Diana Navarro, 2018
I(Rl): 6,13E-18 device_current B,EPN
Colector Común: