UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinación entre Energía e Intelecto

Transistors
Cristian Camilo Alfonso Rueda 2151451
Juan David Bohórquez Zafra 2154050

I. ABSTRACT Vce que varía desde 0 hasta 10 volts, una vez

In this laboratory practice were mounted the hecho esto se realizaron medidas de corriente
circuit for a BJT transistor connected with two de colector, y se varió el valor de la corriente
resistances in the collector and base pins, these base desde 0 hasta 100uA.
with the purpose of see the collector current
against the base current, and then two see the
collector current behavior for different base
currents and Vce voltages.

II. INDEX TERMS

IC
 Voltage Source IB
 Resistance
 Transistor FIGURA N°1
 Current
 Curve V. RESULTADOS
 Gain IB (µA) IC
 Base 0 0
 Collector 10 0.162 µA
20 0.343 µA
III. INTRODUCCION 30 0.544 µA
40 0.727 µA
50 0.930 µA
IV. METODOS 60 1.129 µA
70 1.341 mA
1. Tensión Vcc constante. 80 1.56 mA
Para esta práctica fue necesario realizar el 90 1.784 mA
montaje mostrado en la figura 1 usando un 100 1.971 mA
transistor BJT 2N2222 con resistencias de TABLA N°1
330Ω y 100kΩ. Una vez hecho esto se ajustó el
valor de tensión Vcc a 3 volts y se fue variando
el valor de Vbb para modificar la corriente base
y posteriormente observar el comportamiento
de la corriente del colector la cual debe ser β el
valor de la corriente de base para corrientes de
base de 0 a 100uA,

2. Comportamiento de I colector para

diferentes tensiones VCE.
En esta etapa del laboratorio se ajustó el valor
de tensión Vbb de modo que entregara una
corriente de base constante, posteriormente se
varió el valor de Vcc para obtener una tensión
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GRAFICA N°1 70 23.6 23. 24. 25.1

8 3
VCE 0 0.1 0.2 0.3 80 26.1 25. 27. 28.1
5 1
90 29 29. 30. 31.8
Ib 0 0 0 0 6 4
0 0 0 0 0 100 32.4 32. 33. 35.1
10 0.00 0.1 1.9 2.29 9 8
6 97 4 TABLA N°1
20 0.03 0.9 3.3 4.53 Se registraron solo una cantidad de datos debido a lo extensa
3 5 que es la tabla
30 0.05 1.0 5.3 6.9
1 4
40 0.01 1.3 7.5 9.21
2 3
50 0.10 3.1 14. 16.2
5 8
60 0.12 9.9 18. 19.1
3 6
70 0.14 13. 21. 22.4
4 2 3
80 0.16 14. 25. 25.8
3 5 1
90 0.18 15. 27. 28.7
3 7 8
100 0.80 17. 30. 32.1
3 1 9

0.4 0.5 1 2 3
GRAFICA N°2
VI. CONCLUSIONES
Ib 0 0.0 0.0 0.003
1 02 La segunda grafica se pudo elaborar gracias a
0 0 0.0 0.0 0.003 la relación tensión- corriente de la unión base-
01 02 emisor del transistor. La grafica muestra un
10 2.6 2.6 2.6 2.67 comportamiento de tipo exponencial pero
2 5 también unas zonas que tienden a ser de tipo
20 4.67 4.7 4.7 4.82 lineal y esto se debe a que la corriente del
6 colector puede ser aproximadamente B veces
30 6.99 7.0 7.1 7.22 la corriente de base.
5 3
40 9.38 9.4 9.5 9.78 VII. BIBLIOGRAFIA
7 8 [1]https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica
50 16.5 16. 17. 18 _de_Potencia/Transistor_Bipolar_de_Potencia/Par
7 7 %C3%A1metros_Caracter%C3%ADsticas_de_funcio
60 19.3 19. 20. 21.2 namiento?fbclid=IwAR1B6yR8svN3rf5IByEafGsbAdD
9 4 j2MIxewzOpedghuSjM6YoomPP8Os60Gk
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