Plantilla

Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
Facultad Seccional Sogamoso

Escuela de Ingeniería Electrónica
Laboratorio de Señales
CARACTERÍSTICAS Y POLARIZACIONES DEL TRANSISTOR BJT
1. OBJETIVOS Las redes de polarización son circuitos

encargados de aplicar energía al transistor para
 Determinar prácticamente el punto de
Operación dentro de la recta de carga en establecer ciertos niveles fijos de voltajes y
DC, de cada polarización del transistor. corrientes en aras de determinar un punto de
 Observar el comportamiento de cada red trabajo. Con dicha polarización se pretende
de Polarización, su estabilidad Térmica y garantizar un adecuado comportamiento a la hora
variación del parámetro β. de usar este dispositivo como amplificador de
2. MATERIALES señales, para lo cual es un referente, las zonas de
 Osciloscopio operación que señala la figura 1. El objetivo es,
 Generador de Señales sin exceder la potencia máxima que puede
 Protoboard. manejar el transistor, diseñar algunas redes de
 Diodos y resistencias. polarización que permitirán establecer el
 Multímetros funcionamiento del dispositivo en cualquier
 Transistores 2N3904 y 2N3906 (baja punto dentro de la región lineal.
Potencia)
 Fuente Dc
 Cautín
 Tres a Dos.
RESUMEN
En la siguiente practica se comprobó
experimentalmente las polaridades de los
transistores como lo son: polarización fija, Figura 1. Regiones usuales de operación del
polarización estabilizada en emisor y BJT.
polarización por división de tensión. Se analizó
teóricamente, prácticamente y mediante
simulaciones cada circuito, comparando los
valores de voltaje y corriente entregados por el
multímetro y por Orcad.
PALABRAS CLAVES: Transistores, 4.Descripcion de la Practica y Requerimientos
polarización, punto de trabajo, colector, emisor y de Diseño:
base.
INTRODUCCIÓN Elija dos Transistores, tanto NPN, como PNP a

utilizar y márquelos para que sea el mismo
. Primer Semestre de 2018 1

durante toda la prueba. Utilice por lo menos tres Β1 Β2 Β3

Marca: TM 145 93 47
multímetros diferentes y mida el beta de los Ref:109
transistores escogidos. Repita las mediciones Marca: GOLD 141 86 26
STAR
para otros dos transistores de la misma referencia Ref:DM-332
Marca: 32 48 11
y reporte las mediciones en la siguiente tabla: ZUINSAI
Ref:DT850L
REF TRANSISTOR: Tabla 3. Valores de β obtenidos con multímetro
2N3904 para un TIP 31.
BETA HOJA TECNICA: REF TRANSISTOR:
MULTÍMETRO 30 - 300 TIP 32c
Β1 Β2 Β3 BETA HOJA TÉCNICA:
Marca: TM 246 225 197 MULTÍMETRO 10 – 50
Ref:109 Β1 Β2 Β3
Marca: GOLD 229 183 198 Marca: TM 135 147 239
STAR Ref:109
Ref:DM-332 Marca: GOLD 85 83 190
Marca: 252 288 185 STAR
ZUINSAI Ref:DM-332
Ref:DT850L Marca: 141 195 199
Tabla 1. Valores de β obtenidos con multímetro ZUINSAI
para un 2N3904 Ref:DT850L
REF Tabla 4. Valores de β obtenidos con multímetro
TRANSISTOR:2N3906 para un TIP 32.
MULTÍMETRO BETA HOJA TECNICA: I. ¿Qué puede observar de los datos
30 - 300
obtenidos?
Β1 Β2 Β3
Marca: TM 143 208 202
Ref:109 Se observa que las ganancias obtenidas son
Marca: GOLD 239 238 237 casi iguales para algunos transistores. En
STAR algunos casos, la ganancia sobrepasaba el
Ref:DM-332 valor del datasheet. Esto posiblemente a
Marca: 254 261 284 desperfectos en los multímetros y a los
ZUINSAI valores de la corriente colector y corriente
Ref:DT850L base de cada transistor.
Tabla 2. Valores de β obtenidos con multímetro
para un 2N3906. II. ¿El beta es el mismo para los diferentes
transistores? Justifique.
REF TRANSISTOR: TIP 31c
En ninguno de los transistores fue
BETA HOJA TÉCNICA: 10 - exactamente el mismo, pero la mayor parte
MULTÍMETRO 50 de los valores diferían en una pequeña

cantidad. Esto debido a la utilización de

diferentes multimetros y de transistores.
4.1 Polarización Fija

Diseñe el circuito de tal forma que el punto de
Operación en DC, sea de 0.5. Simule el circuito de la
figura y verifique los valores de voltaje y de corriente
estimados. Luego realice la implementación física del
circuito y mida las variables. Posteriormente acérquele
un cautín caliente y concluya acerca de las mediciones
obtenidas con el multímetro con y sin cautín.
Figura 1. Análisis polarización fija.

Figura 2. Simulación polarización fija
SIMULACIÓN PRACTICA PRACTICA

CON
CAUTÍN
VCC(v) 6 6 6
VCE(v) 7.61 5.97 6,28
VBE(mv) 716.966 829.27 829.27
VBC(v) -6.95 -4,24 -4,29
IC(mA) 7.21 9.8 9.8
IB(uA) 41.66 43.6 44.7

Tabla 1. Valores medidos para el circuito4.1.
4.2 Polarización Fija con resistencia en el
Emisor
Diseñe el circuito de tal forma que el punto de

operación en DC, sea de 0,85. Repita los pasos
anteriores de la polarización fija.
Figura 3. Análisis polarización fija con

resistencia en el emisor.

Figura 6. Simulación de voltaje de polarización

Figura 4. Simulación polarización fija con fija con resistencia en el emisor.
resistencia en el emisor.
SIMULACIÓN PRACTICA PRACTICA

CON
CAUTÍN
VCC(v) -12 -12 -11.90
VCE(v) -10 -10.5 -9.85
VBE(mv) -758.702 -729.27 -729.27
VBC(v) 9.4959 9.54 9.51
IC(mA) -10.20 -11.5 -13.4
IB(uA) 41.11 43.6 44.7
Tabla 2. Valores medidos para el circuito 4.2.

4.3 Polarización con Realimentación de
Colector
Figura 5. Simulación de corrientes de polarización Se diseñó el circuito de tal forma que el punto de
fija con resistencia en el emisor.
Operación en DC, sea de 0.5. Se simulo el
circuito de la figura y verifique los valores de
voltaje y de corriente estimados esto por medio
de un transistor NPN. A continuación, se realizó
la implementación física está dispuesta para para

la medición de sus respectivos parámetros de

funcionamiento.
Figura 7. Simulación polarización con

retroalimentación de colector.
Figura 8. Análisis polarización con

retroalimentación de colector

Figura 8. Simulación de corrientes de

polarización con retroalimentación de colector. Figura 10. Simulación de voltaje presente entre el
colector y el emisor del circuito de polarización con
retroalimentación de colector.
SIMULAC PRACTI PRACTI

IÓN CA CA CON
CAUTÍN
VCC(v 15 15 14.90
)
VCE(v 7.8193 6.92 6.85
)
VBE( 725.472 660.46 662.3
mv)
VBC(v -7.0938 -6.85 -6.58
Figura 9. Simulación de voltaje de polarización
con retroalimentación de colector. )
IC(mA 9.745 11.4 12.6
)
IB(uA) -55.420 -56.47 -58.25

4.4 Polarización por Divisor de Voltaje

Se diseñó el circuito de tal forma que el punto de
Operación en DC, sea de 0.5 ya que se sugirió
usarlo para un transistor PNP por el código del
estudiante. Se simulo el circuito de la figura y
verifique los valores de voltaje y de corriente
estimados. Así como también se realizó la
implementación física está dispuesta para para la
medición de sus respectivos parámetros de
funcionamiento.
Figura 11. Simulación polarización por divisor de

voltaje.

Figura 13. Simulación de voltajes de polarización

por divisor de voltaje.
Figura 11. Análisis polarización por divisor de

voltaje
Figura 14. Simulación de Vce de polarización por

divisor de voltaje.
Figura 12. Simulación de corrientes de

polarización por divisor de voltaje.

SIMULACI PRACTIC PRACTIC

ÓN A A CON
CAUTÍN
VCC(v) 15 15 15
VCE(v) -7.7803 -6.85 -7.45
VBE(m -779.176 -710.12 -742.3
v)
VBC(v) 7.0011 6.85 -6.58
IC(mA) -19.250 -21.5 -22.6
IB(uA) -91.273 -72.15 -88.25 Figura 16. Simulación del Vce Circuito de
pruebas para un BJT.
4.6 Curva característica del BJT.

Se simulo e implemento el circuito de pruebas
para un transistor BJT donde por medio un
barrido de voltaje se procedió a identificar los
diferentes valores tanto del Vce como de IB e IC
organizados respectivamente en una tabla y con
Figura 17. Simulación del Ic Circuito de
los cuales se crea una gráfica perteneciente a IC pruebas para un BJT.
VS Vce.
Figura 18. Simulación del Ib Circuito de pruebas

Figura 15. Circuito de pruebas para un BJT. para un BJT.

CIRCUITO DE PRUEBAS BJT

V2 (V) Vce(mV) Ic(nA) Ib(µA)
0,1 0,0019 0 0
0,2 0,076 0,0209 0
0,3 3,0087 0,803 0
0,4 18,943 4,3589 0,0223
0,5 22,008 4,9749 0,306
0,6 22,189 5,1278 0,991
0,7 22,228 5,2791 1,825
Figura 19. Grafica IC VS VCE Circuito de
1 22,259 5,7423 4,5585 pruebas para un BJT.
2 22,28 7,1738 14,167
4.7 Diseño Propuesto:
3 22,289 8,3767 24,02
4 22,296 9,345 33,744 Diseñe la red de polarización del circuito de la
figura 7 para que el transistor Q3 tenga un QDC
5 22,302 10,201 43,568
=0,3 y disipe una potencia de 180mW, seleccione
6 22,307 10,884 53,386 los elementos de acuerdo a los cálculos y demás
elementos que crea convenientes. Realice el
7 22,312 11,488 63,223 mismo diseño alimentando con 2 fuentes.
8 22,317 11,915 73,125 Asegure además que en Q1 y Q2, QDC = 0.5;
realice el diseño más conveniente, asumiendo los
9 22,322 12,298 82,963 valores que considere, justificando su elección
10 22,326 12,615 92,854 propuesta. Realice la Recta de carga en DC para
el transistor Q3.Implemente su Diseño y compare
Tabla 5. Valores medidos para el circuito 4.5. los resultados obtenidos.

Figura 21. Análisis matemático del diseño

propuesto

Figura 24. Resultado Simulación voltaje del

diseño propuesto
5. PREGUNTAS DE INVESTIGACIÓN:
Figura 22. Simulación del diseño propuesto 1. ¿La resistencia en un dispositivo
semiconductor aumenta o disminuye con
el aumento de la temperatura? Explique a
que se debe y de un ejemplo.
La resistividad de un material metálico

crece al aumentar la temperatura, esto se
debe a que los iones del conductor vibran
con mayor amplitud, lo cual hace más
probable que un electrón en movimiento
choque con un ión, esto impide el arrastre
de los electrones por el conductor y, por
Figura 23. Resultado Simulación corriente del tanto, también la corriente. La
diseño propuesto
resistividad de las aleaciones es
prácticamente independiente de la
temperatura. La resistividad de los no
metales disminuye al aumentar la
temperatura puesto que, a temperaturas
mayores, más electrones son “arrancados

“de los átomos y adquieren movilidad. 3. Tipos de polarizaciones más usados en

amplificadores.
Este mismo comportamiento se presenta
en los semiconductores. La resistividad es  Colector común
directamente proporcional a la resistencia
del material, la relación entre ambos esta
dad por: R = ρ L / A
2. Tipos de encapsulados para transistores

en BJT’S y sus principales características
 Cápsula TO-3. Se utiliza para
transistores de gran potencia, que
siempre suelen llevar un radiador
de aluminio que ayuda a disipar la
No es necesaria RC para la polarización del
potencia que se genera en él.
 Cápsula TO-220. Se utiliza para transistor ni para el buen funcionamiento del
transistores de menos potencia, amplificador.
para reguladores de tensión en
fuentes de alimentación y para
tiristores y triacs de baja potencia.
Generalmente necesitan un
radiador de aluminio, aunque a
veces no es necesario, si la
potencia que van a disipar es
reducida.
 Cápsula TO-126. Se utiliza en
transistores de potencia reducida,
a los que no resulta generalmente
necesario colocarles radiador.
 Cápsula TO-92. Es muy utilizada
en transistores de pequeña señal.
 Cápsula TO-18. Se utiliza en
transistores de pequeña señal. Su
cuerpo está formado por una
carcasa metálica que tiene un
saliente que indica el terminal Punto de máxima excursión simétrica
del Emisor.

Base común
CONCLUSIONES
 Para asegurar una operación en el modo
Activo, el voltaje del colector de un
transistor NPN debe mantenerse más alto
que el voltaje de base; mientras que, para
un transistor PNP, el voltaje del colector
debe ser menor que el de la base.
 Se observó que, en un transistor con
polarización fija, con polarización
estabilizada en emisor y con polarización
por divisor de tensión el punto Q es
inversamente proporcional a la corriente
C3 desacopla R1 y R2 en pequeña señal, del de colector.
 Para asegurar una operación en el modo
mismo modo que lo hace CE con RE en el
Activo, el voltaje del colector de un
amplificador en emisor común. transistor NPN debe mantenerse más alto
que el voltaje de base; mientras que, para
un transistor PNP, el voltaje del colector
debe ser menor que el de la base.
BIBLIOGRAFÍA
 BOYLESTAD, Robert L. Electrónica:

Teoría de Circuitos. Editorial Prentice
Hall, 1995.
 GUTIÉRREZ, Humberto. Electrónica
análoga: teoría y laboratorio. Ed.
Humberto Gutiérrez. 1996
 MALVINO, Albert Paul. Principios de
electrónica. Editorial McGraw-Hill, 1991.
Punto de máxima excursión simétrica:
 MILLMAN, Jacob. Electrónica integrada.
Editorial Hispano Americano, 1986.


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CARACTERÍSTICAS Y POLARIZACIONES DEL TRANSISTOR BJT

1. OBJETIVOS Las redes de polarización son circuitos

INTRODUCCIÓN Elija dos Transistores, tanto NPN, como PNP a

. Primer Semestre de 2018 1

durante toda la prueba. Utilice por lo menos tres Β1 Β2 Β3

. Primer Semestre de 2018 2

cantidad. Esto debido a la utilización de

4.1 Polarización Fija

Figura 1. Análisis polarización fija.

. Primer Semestre de 2018 3

Figura 2. Simulación polarización fija

SIMULACIÓN PRACTICA PRACTICA

VCE(v) 7.61 5.97 6,28

VBE(mv) 716.966 829.27 829.27

VBC(v) -6.95 -4,24 -4,29

IC(mA) 7.21 9.8 9.8

IB(uA) 41.66 43.6 44.7

Diseñe el circuito de tal forma que el punto de

Figura 3. Análisis polarización fija con

. Primer Semestre de 2018 4

Figura 6. Simulación de voltaje de polarización

SIMULACIÓN PRACTICA PRACTICA

Tabla 2. Valores medidos para el circuito 4.2.

. Primer Semestre de 2018 5

la medición de sus respectivos parámetros de

Figura 7. Simulación polarización con

Figura 8. Análisis polarización con

. Primer Semestre de 2018 6

Figura 8. Simulación de corrientes de

SIMULAC PRACTI PRACTI

Tabla 3. Valores medidos para el circuito 4.3.

. Primer Semestre de 2018 7

4.4 Polarización por Divisor de Voltaje

Figura 11. Simulación polarización por divisor de

. Primer Semestre de 2018 8

Figura 13. Simulación de voltajes de polarización

Figura 11. Análisis polarización por divisor de

Figura 14. Simulación de Vce de polarización por

Figura 12. Simulación de corrientes de

. Primer Semestre de 2018 9

SIMULACI PRACTIC PRACTIC

Tabla 4. Valores medidos para el circuito 4.4.

4.6 Curva característica del BJT.

Figura 18. Simulación del Ib Circuito de pruebas

. Primer Semestre de 2018 10

CIRCUITO DE PRUEBAS BJT

. Primer Semestre de 2018 11

Figura 21. Análisis matemático del diseño

. Primer Semestre de 2018 12

Figura 24. Resultado Simulación voltaje del

La resistividad de un material metálico

. Primer Semestre de 2018 13

“de los átomos y adquieren movilidad. 3. Tipos de polarizaciones más usados en

2. Tipos de encapsulados para transistores

. Primer Semestre de 2018 14

 BOYLESTAD, Robert L. Electrónica:

. Primer Semestre de 2018 15

. Primer Semestre de 2018 16

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