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CEM en électronique de puissance

Réduction des perturbations, simulation


par François COSTA
Agrégé de Génie électrique
Docteur en sciences physiques de l’Université d’Orsay Paris-Sud
Maître de conférences à l’École normale supérieure de Cachan
et Gérard ROJAT
Docteur de troisième cycle de l’Université Paul-Sabatier (Toulouse)
Docteur d’État en sciences physiques de l’Université Claude-Bernard (Lyon)
Professeur à l’Université Lyon-I

1. Principes de réduction des perturbations des convertisseurs


statiques...................................................................................................... D 3 292 - 2
1.1 Réduction à la source................................................................................... — 2
1.1.1 Perturbations et mode de commutation ........................................... — 2
1.1.2 Contrôle des gradients de commutation par la commande
rapprochée ........................................................................................... — 2
1.2 Réduction des couplages............................................................................. — 5
1.2.1 Couplages de mode commun et leur réduction ............................... — 5
1.2.2 Couplages en mode différentiel et leur réduction ............................ — 6
1.2.3 Couplages par champs et leur réduction .......................................... — 6
1.3 Filtrage........................................................................................................... — 7
2. Simulation de la CEM des convertisseurs statiques ...................... — 9
2.1 Objectifs et spécificités de la simulation en électronique de puissance
orientée CEM ................................................................................................ — 9
2.1.1 Modélisation orientée « circuit »........................................................ — 9
2.1.2 Simulation pour l’analyse des phénomènes..................................... — 9
2.1.3 Simulation dédiée à la conception..................................................... — 10
2.2 Méthodologie, principes de modélisation.................................................. — 10
2.3 Principaux modèles CEM des composants utilisés en électronique
de puissance ................................................................................................. — 10
2.3.1 Composants actifs ............................................................................... — 10
2.3.2 Composants passifs ............................................................................ — 11
2.4 Modélisation de la connectique .................................................................. — 13
2.5 Simulation des perturbations conduites dans des structures
complexes ..................................................................................................... — 14
2.6 Simulation des perturbations rayonnées ................................................... — 17
2.6.1 Mise en équations ............................................................................... — 17
2.6.2 Applications aux convertisseurs statiques........................................ — 18
2.6.3 Comparaison entre expérience et simulation en rayonnement ...... — 19
3. Conclusion .................................................................................................. — 20
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. D 3 292

et article s’attache à décrire les principes de réduction des perturbations


C électromagnétiques des convertisseurs statiques et introduit les méthodes
de simulation ; la prise en considération de la CEM dans la conception d’un
convertisseur statique est devenue une réalité plus ou moins bien maîtrisée. Elle
demande au concepteur une bonne pluridisciplinarité, tant pour ce qui est du
domaine de la conversion statique (connaissance des techniques pour accroître
le rendement, les performances statiques et dynamiques, la compacité) que

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pour ce qui est du domaine de la CEM (connaissance des phénomènes, optimi-


sation des formes d’onde, minimisation des couplages, respect des gabarits de
normes, susceptibilité électromagnétique), et enfin de la métrologie (haute fré-
quence et fort courant) associée à ces domaines.
Les outils de simulation ne permettent actuellement de traiter la CEM des
convertisseurs statiques que partiellement. Les logiciels utilisés sont de type
«circuit » en ce qui concerne les perturbations conduites et spécifiques pour les
perturbations rayonnées. Une tendance émergente est l’apparition de logiciels
de calculs des éléments parasites de câblage ou de phénomènes rayonnés.
Cependant, pour en faire de véritables outils de CAO (Conception assistée par
ordinateur), ces logiciels souffrent encore de limitations quant aux modèles dis-
ponibles, aux fonctionnalités et au temps de calculs. Enfin, ils n’ont pas encore
un aspect totalement intégré comme cela existe pour la CAO en électronique des
courants faibles. Cependant, les améliorations sont rapides et les puissances de
calcul s’accroissant, les logiciels de CAO en électronique de puissance intégrant
tous les aspects CEM seront bientôt une réalité.
Après avoir explicité les phénomènes de génération et de transmission des
perturbations dans les convertisseurs statiques dans l’article CEM : sources de
perturbations, couplages, SEM [34], cet article expose, dans une première partie,
quelques principes de réduction des parasites électromagnétiques, en agissant
à la source ou sur les couplages. La seconde partie est consacrée aux méthodes
de simulation des perturbations conduites et rayonnées ; les principes de
constitution des modèles des composants actifs, passifs et du câblage sont
abordés ; les principales techniques de simulation sont évoquées.

1. Principes de réduction 1.1.1 Perturbations et mode de commutation

des perturbations Des études menées au niveau de la cellule de commutation fonc-


des convertisseurs tionnant dans les trois modes de commutation ont nettement
montré l’intérêt de la commutation douce pour réduire les perturba-
statiques tions [1], [2]. En effet, comme nous l’avons déjà évoqué au
paragraphe 2.2.1 de [34], à contraintes électriques et de commande
égales, les formes d’onde rencontrées en commutation douce pré-
sentent des variations contrôlées et plus lentes. Il en résulte que
La réduction des perturbations émises par un convertisseur stati- leurs spectres décroissent rapidement ainsi que les perturbations
que passe par trois principes : émises. Cela est particulièrement intéressant en terme de normes :
le filtrage en est allégé ou facilité. À titre d’exemple, la figure 1 pré-
— la réduction à la source qui consiste à contrôler les gradients sente les spectres de perturbations conduites obtenus pour trois
de commutation, soit par le mode de commutation, soit par des cir- convertisseurs DC-DC de même puissance (3 kW) fonctionnant à
cuits d’assistance, soit par la commande ; même fréquence (100 kHz), pour lesquels l’intérêt de la commuta-
tion douce est évidente.
— la minimisation des couplages parasites qui consiste à agir sur
la topologie physique du convertisseur, ou à ajouter des dispositifs
réduisant les couplages ;
1.1.2 Contrôle des gradients de commutation
— le filtrage qui reste indispensable malgré la prise en considéra- par la commande rapprochée
tion des deux premiers points, il peut être optimisé en terme de
volume et d’efficacité.
■ Application en commutation douce
La figure 2 illustre le principe de contrôle des gradients par la
commande dans le cas de composants à grille isolée : la contre-
1.1 Réduction à la source réaction capacitive appliquée à l’entrée du « driver » permet de limi-
ter la valeur de dvds/dt, sans dissiper une énergie trop importante.
L’expression de Vds durant la commutation est donnée par :

Le principe de réduction des perturbations à la source consiste à I DS


agir sur la forme des grandeurs perturbantes afin de créer un spec- ( E g Ð V gsth ) Ð --------
S- t
V ds ≈ E Ð ----------------------------------------------
tre décroissant plus rapidement en fréquence et éviter ainsi d’exciter
les modes propres des mailles de commutation, ce qui revient à
R g · C rss
« adoucir » les formes d’onde. Ce résultat peut être obtenu par la
avec Crss capacité grille-drain,
structure et le mode de commutation du convertisseur ou par une
commande d’interrupteur capable de contrôler les formes d’onde. E tension d’alimentation du hacheur,

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E = 500 v V = 500 V Is = 20 A FORWARD FORCE A(dBµV)


Atten 30 dB 50Ω TG – 10.0 dBm
Niveau de perturbation (dbµA)

80,0 80.0
70.0
75,0
60.0 Non contrôlé
70,0
50.0
65,0 40.0
30.0
60,0 dv / dt contrôlé
20.0
55,0 10.0
50,0 0.0
– 10.0
45,0
– 20.0
105 106 107 108
40,0
Fréquence (Hz)
35,0 Eg
Cr
30,0
A Ref 10.00 MHz 2.00 MHz / div Res bw 10 kHz
Inc 2.00 MHz 5 s / div vid bw 170 Hz
a forward asymétrique
Q . RESO, E = 500 V, VS = 500 V, Is = 20 A, 100 kHz
Atten 20 dB 50Ω TG – 10.0 dBm
Niveau de perturbation (dbµA)

80,0

75,0

70,0 Driver
65,0

60,0 Cr capacité de réaction

55,0 Figure 2 – Principe de contrôle des gradients de tension et résultat


obtenu dans un hacheur quasi-résonnant
50,0

45,0
Eg tension d’alimentation de grille,
40,0
Ids courant drain-source,
35,0
Rg résistance de grille,
30,0 S transconductance,
Ref 10.00 MHz 2.00 MHz / div Res bw 10 kHz
A
Inc 2.00 MHz 5 s / div vid bw 170 Hz Vgsth tension de seuil du transistor.
b forward quasi résonnant Remarquons que l’on peut contrôler dvds/dt soit en augmentant
T . DUAL, E = 500 V, VS = 500 V, Is = 20 A, 110 kHz Rg (inconvénients : retard introduit dans la commande et traînage
Atten 20 dB 50Ω TG – 10 . 0 dBm de Vds), soit en ajoutant une capacité extérieure qui augmente Crss
Niveau de perturbation (dbµA)

80,0
[3], cette solution est intéressante car elle n’intervient que durant la
75,0 commutation de la tension Vds .

70,0 Dans le cas d’une cellule de commutation à zéro de courant, il est


tout à fait possible de ralentir considérablement le dv/dt à la mise en
65,0 conduction sans pertes supplémentaires ; le gain obtenu sur le spec-
tre peut être très conséquent (10 à 20dB sur la figure 2) dans une
60,0 plage de fréquence où le filtrage est difficile (3-30 MHz).
55,0 Un contrôle identique peut être obtenu sur le courant dans l’inter-
rupteur, par introduction d’une contre-réaction inductive, comme
50,0 indiqué sur la figure 3.
45,0 L’expression de dids/dt est donnée dans ce cas par :
40,0 d i ds E g Ð V gsth
----------- ≈ ---------------------------
35,0 dt Lr
30,0 avec Lr inductance de réaction.
Ref 10.00 MHz 2.00 MHz / div Res bw 10 kHz
A
Inc 2.00 MHz 5 s / div vid bw 170 Hz Ce principe est bien adapté pour obtenir une variation quasi-
c onduleur résonnant linéaire du courant sur une durée de l’ordre de quelques microse-
condes. Notons que ce contrôle permet également la réduction des
Figure 1 – Comparaison de spectres de perturbations conduites émissions en champs magnétiques, particulièrement gênantes pour
de convertisseurs DC-DC 3 kW fonctionnant à 100 kHz les dispositifs rapprochés.

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Eg Amplitude
des harmoniques

98 % de l'énergie résultant
Driver de la modulation du fondamental

fd

Lr
fm h.f d fm Fréquence
≈ 2∆f ≈ 2h∆f
Répartition des harmoniques Répartition des harmoniques
autour du fondamental autour du rang h
Figure 3 – Principe du contrôle de dids/dt
Figure 4 – Étalement du spectre par modulation de la fréquence
de découpage
■ Application en commutation commandée
L’utilisation de ces principes dans une structure fonctionnant en
commutation commandée est évidemment possible avec cepen- réduire ces modes propres. Actuellement, il est très difficile de
dant l’inconvénient de l’accroissement des pertes par commutation. concevoir autrement qu’empiriquement un composant magnétique
Par ailleurs, tous les gradients ne peuvent être contrôlés par la pour optimiser ces aspects. Des travaux ont été menés qui ont étu-
commande rapprochée. Deux effets limitent les possibilités de ces dié les effets électrostatiques dans les composants bobinés [4] [5].
techniques : Le concepteur doit rechercher le compromis entre une faible induc-
tance de fuite, ce qui accroît les effets électrostatiques, et de faibles
— dans les structures isolées à commutation commandée, l’évo- capacités réparties, ce qui détériore le couplage magnétique.
lution du courant dans les interrupteurs dépend assez largement L’usage de matériaux magnétiques plus performants (amorphes,
des inductances de fuite du transformateur et des dispositifs d’aide nanocristallins) permet de réduire certaines de ces contraintes.
à la commutation, ce qui conditionne le courant de mode différen-
tiel. Le contrôle par la commande de dvk /dt et dik /dt est alors sans
grand effet. Il est par contre possible de réduire la valeur de dvk /dt 1.1.2.2 Modulation de la commande
pour limiter le courant de mode commun, mais de façon modeste si
La réduction apparente des perturbations est possible en modu-
l’on souhaite conserver un niveau de pertes par commutation
lant la fréquence de commutation fd du convertisseur [6]. En terme
acceptable ;
spectral, la modulation distribue l’énergie du signal parasite sur une
— le recouvrement des diodes est très largement incontrôlable plage fréquentielle d’autant plus étendue que l’indice de modulation
dans les structures à commutation forcée, car très dépendant de la δ = ∆f/fm est important. Si l’on considère un signal sinusoïdal
technologie et du calibre du dispositif. modulé en fréquence du type :
On a indiqué au paragraphe 2.1.1.1 de l’article précédent [34] que
∆f
fm ( t ) = A sin  2π f d t + ------ · sin ( 2 π f m t )
le front de commutation détermine la pente de décroissance du
spectre. Ainsi, il est possible d’asservir une grandeur (courant ou f m
tension) dans l’interrupteur durant les transitoires de commutation
[12]. Cette technique est cependant délicate de mise en œuvre et deux paramètres définissent l’étalement du spectre : la profondeur
n’est actuellement bien adaptée que pour les dispositifs à faible fré- de modulation ∆f et la fréquence de modulation fm. La règle empiri-
quence de commutation (gamme 100 Hz-1 kHz) ; les performances que de Carson indique que 98 % de l’énergie du spectre s’étale
devraient s’améliorer grâce à l’intégration de la commande à l’inter- autour du fondamental fd. Les raies sont espacées de fm.
rupteur de puissance.
Un signal découpé (rectangulaire) peut être considéré comme une
somme infinie de fonctions sinusoïdales. Si ce signal est modulé en
1.1.2.1 Minimisation des composants parasites engendrant
des résonances fréquence, les remarques précédentes sont applicables à chacune
de ses harmoniques. L’énergie du signal se répartit dans une succes-
■ Cas des structures non isolées sion de bandes de fréquence valant 2h∆f. La figure 4 précise ces
Les modes propres des structures non isolées, de type bras notions.
d’onduleur, dépendent des capacités des semi-conducteurs et de Il en résulte que le spectre décroît et s’étale lorsque δ augmente,
l’inductance parasite existant dans la maille de commutation. La ce qui est intéressant vis-à-vis de mesures relatives à un gabarit nor-
réduction de sa surface implique celle des inductances de câblage. malisé. On pourrait alors faire croître ∆f et décroître fm, mais cette
L’intérêt est double : elle permet d’augmenter l’amortissement des technique trouve cependant ses limites :
modes propres de la cellule de commutation et elle réduit l’ampli-
tude des champs rayonnés. Le câblage de la cellule et la technologie — la variation de fréquence est limitée, en valeur inférieure, par le
des composants qui la constituent (condensateurs, semi-conduc- bruit acoustique du convertisseur, le dimensionnement des compo-
teurs, technologie bus-barre ou circuit imprimé minimisant les sants de filtrage du convertisseur, et, en valeur supérieure, par les
inductances parasites) sont les facteurs qui influent sur ce point. pertes en commutation ;
— les spectres, étalés autour de chaque harmonique du signal de
■ Cas des structures isolées découpage, peuvent se recouvrir, augmentant le niveau global ;
La commutation des semi-conducteurs provoque, au premier — la fréquence de modulation fm ne peut être rendue trop faible,
ordre, l’excitation des modes propres du transformateur ou des faute de quoi le filtre de résolution de l’analyseur de spectre effectue
inductances. C’est donc sur ces composants qu’il faut agir pour la mesure en bande large et le niveau affiché est alors surévalué.

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RSIL
Imc /2
Cmc Cp Cp Co

Ro Cp Cp
Imc
Vk
Vk
l l
Cmc Z tcharge Écran
Imc /2
l = quelques nH

Figure 5 – Blindage des conducteurs de sortie d’onduleur Figure 6 – Principe de l’écran de semi-conducteur

En pratique la valeur de δ = 10 donne une atténuation optimale de


l’ordre de 10 dB sur le spectre. Cette technique est intéressante pour Atténuation (dB)
des convertisseurs de faible puissance tolérant bien un fonctionne- 250
ment à fréquence de découpage variable.
200

1.2 Réduction des couplages 150

100
Les couplages apparaissent en mode commun, en mode différen-
tiel, en champs proches et en champs lointains.
50

0
1.2.1 Couplages de mode commun
et leur réduction
– 50
2 4 6 8 2 4 6 8 2 4 6 8 f 4 6 8
105 106 107 108 c 109
Les premiers sont essentiellement dus aux capacités parasites par Fréquence (Hz)
rapport au châssis (ou à la terre) ; citons plus précisément les capa- Cp = 20 pF l = 10 nH
cités des semi-conducteurs radiateurs, les capacités des compo-
sants inductifs volumineux du convertisseur (transformateurs, Figure 7 – Fonction d’atténuation représentant l’efficacité
inductances), les capacités des conducteurs soumis à des valeurs de V
de l’écran  --------
m
dv
------- , les capacités des alimentations auxiliaires de commande (voir V 
k
dt
figure 24 de [34]). La réduction passe donc par la limitation de toutes
ces capacités. Les méthodes principalement employées portent sur :
Ro Cp Ro , Cp
— le blindage des câbles : le blindage des câbles doit être porté à Vk 1 + p -------------- + 2 p 2 , C p + p 3 -----------------
un potentiel fixe (terre), notamment pour les câbles de sortie des 2 2 -
----------- = -------------------------------------------------------------------------------------------
onduleurs de tension ; la figure 5 présente ce principe ; le courant de V mc Ro , Cp
p 3 -----------------
mode commun se referme au plus près du convertisseur via deux 2
condensateurs de mode commun (classe y ) ; l’inconvénient réside
dans l’accroissement de la capacité câble/blindage qui génère des 1
surintensités dans les semiconducteurs [7] ; f c = --------------------------
2π 2, C p
— le câblage interne : le câblage interne des convertisseurs (cir-
cuits imprimés, bus-barres) doit être éloigné des masses et le plus — les dispositifs d’isolement galvaniques statique et
réduit possible. Le même principe peut être adopté pour les compo- dynamique : l’utilisation de transformateurs d’isolement à très fai-
sants magnétiques ; ble capacité primaire/secondaire (transformateurs à écran) pour les
— l’utilisation d’écrans pour l’isolation des semi-conducteurs : alimentations auxiliaires ainsi que pour les dispositifs de transmis-
cette méthode nécessite toutefois que la connexion d’écran soit sion des ordres de commande (optocoupleurs à tronçon de fibre
non-inductive (donc très courte) et portée à un potentiel rigoureuse- optique ou à écran) est impérative pour limiter la circulation des
ment constant. La figure 6 illustre le principe ainsi que le schéma courants de mode commun ;
équivalent. — l’insertion d’inductances de mode commun : cette technique,
qui permet d’augmenter l’impédance de fermeture du circuit de
On constate alors (figure 7) dans le cas d’une mesure avec un mode commun, consiste à insérer, en mode différentiel dans un cir-
RSIL, que l’efficacité d’écran décroît avec la fréquence et qu’au-delà cuit, une inductance couplée qui présente une forte inductance lors-
de la fréquence fc l’écran a totalement perdu son efficacité à cause que les enroulements sont parcourus par des courants de même
de l’inductance de connexion ; la fonction d’atténuation de l’écran et sens (cas du mode commun) ; par contre, l’impédance vue en mode
la fréquence fc sont définies par : différentiel est quasi nulle.

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L’application de ces différentes techniques doit cependant être


bien adaptée à chaque type de problème rencontré pour obtenir une Rs Ls Ls Rs
réduction significative et à coût optimal des perturbations de mode
commun. M12

1.2.2 Couplages en mode différentiel VCC' VGG'


et leur réduction
Figure 9 – Modèle physique du condensateur
En mode différentiel, le couplage le plus important est dû aux
connexions internes des condensateurs utilisés pour le filtrage et/ou
pour le découplage, en particulier, dans les cellules de commuta-
tions. L’utilisation de condensateur de découplage pourrait, en par- Zg = 50 Ω
tie, résoudre cet inconvénient, mais ce type de condensateur Câble Câble
et / ou et / ou
n’existant pas dans les valeurs adaptées aux besoins de l’électroni- Générateur atténuateur atténuateur
que de puissance, il devient alors nécessaire de réaliser des mises Ve V1 Z = 50 Ω
en parallèle qui ne donnent que des résultats partiellement satisfai-
sants du fait de l’encombrement et du coût. Rappelons ici que l’aug-
mentation de la fréquence de résonance d’un groupement de
condensateurs montés en parallèle augmente en raison de la racine
carrée du nombre de condensateurs ; en d’autres termes, il faut
Zg = 50 Ω
100 condensateurs pour avoir un gain fréquentiel d’une décade. Câble Câble
et / ou et / ou
Des recherches récentes [13] [14] [15], en partenariat avec le Générateur atténuateur atténuateur
Ve Vm Z = 50 Ω
Ministère de l’Industrie et du Commerce extérieur, ont permis de
mettre au point une connectique appropriée pour réduire d’une
façon drastique le couplage inductif dans les condensateurs à films
métallisés.

Sur un condensateur à films métallisés bobinés sur un noyau, les Figure 10 – Mesure des pertes d’insertion
connexions de révolution cylindrique sont effectuées comme le
représente la figure 8. Le composant ainsi réalisé devient alors un
quadripôle comprenant deux accès AD et EH. Les courants circulant
dans le bobinage du condensateur ne se répartissent pas d’une Le modèle physique de ce condensateur quadripôle est donné sur
manière homogène à mesure que leur fréquence augmente [16]. En la figure 9. Les grandeurs RS et LS représentent les résistances et
particulier, il a été démontré que les courants HF se propagent inductances des connexions, M12 la mutuelle inductance résiduelle
uniquement dans le centre du bobinage (région CC′) pour une entre les deux circuits de connexions et les sources VCC′ et VGG′ les
connexion ABFD et vers sa périphérie (région GG′) pour une différences de potentiel entre les points C et C′ d’une part et G et G′,
connexion EBFH ce qui contribue à un découplage HF quasi parfait d’autre part. Celles-ci sont fonction de la répartition de la densité de
entre les deux circuits. courant JS dans le condensateur et de la conductance surfacique
des films du bobinage GS. Le calcul de JS et GS , long et complexe,
dépend des paramètres géométriques et électriques du bobinage,
du film métallisé et de la fréquence [13].
I1 La caractérisation des condensateurs de découplage est décrite
Schoopage par ses pertes d’insertion (PI) en fonction de la fréquence. Cette
I1 A grandeur est définie de la façon suivante :
D
V1
PI ( dB ) = 20 lg --------
Vm
C' G'
F
avec V1 tension aux bornes d’une charge de 50 Ω sans le
condensateur,
Vm tension aux bornes de cette même charge avec le
Bobinage condensateur branché (figure 10).
Sur la figure 11, la comparaison entre les pertes d’insertion d’un
condensateur quadripôle et un condensateur dipôle montre qu’en
haute fréquence, le premier conserve ses caractéristiques capaci-
tives.
B
C G
1.2.3 Couplages par champs et leur réduction

H En champs proches, le rayonnement en champ H est dominant.


I2 E
Schoopage Cette remarque permet alors de définir deux principes de réduction
I2 de ce type de couplage :
— réduire la surface des boucles rayonnantes (cellules de com-
Figure 8 – Structure du condensateur quadripôle mutation) par un câblage de type bus-barre ou circuit imprimé ;

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Pertes RSIL Filtre mono-étage complet Convertisseur


d'insertion
(dB) Fréquence (MHz)
0,01 0,1 1 10 100 1 000 Ld /2
0 C0
Cmc /2 Ie Cp /2
– 20 50 Ω
Cd Vmc
– 40 Lmc
Ce
– 60 R0 Cmc /2
– 80 Cp /2
C0 Ld /2
–100

–120

condensateur quadripôle condensateur dipôle


Figure 12 – Structure symétrique de filtre CEM
Figure 11 – Pertes d’insertion pour des condensateurs de 10 µF

— réaliser les systèmes sensibles avec des dimensions réduites : Cellule de filtre Convertisseur
il en résulte une faible mutuelle avec les champs H incidents. Notons RSIL (mode différentiel) (mode différentiel)
que la technologie CMS (composants pour montage en surface)
Ie
associée à celle des circuits imprimés multicouches constituent un
excellent moyen de limitation des mutuelles. L’autre solution con- Ld
C0
siste à blinder les équipements sensibles (commandes, filtres, cap-
teurs). Vm
Cd
En champs lointains, la seule solution est le blindage de la source
de rayonnement : le convertisseur est contenu dans une enveloppe Ce
métallique qui confine les champs parasites. Toutefois, les nécessai- R0 = 50 Ω
res ouvertures pour la ventilation constituent des fuites. Enfin, les
câbles d’entrée ou de sortie du convertisseur peuvent rayonner. Le
C0
filtrage des signaux HF et le blindage des câbles sont alors néces-
saires.
a mode différentiel

1.3 Filtrage Cellule de filtre Convertisseur


RSIL (mode commun) (mode commun)
Cp
Le filtrage est nécessaire indépendamment des améliorations
Lmc + Ld/2
apportées par les principes précédemment développés qui ne con-
cernent que la partie haute du spectre de perturbation, déterminé
par les fronts de commutation. Le filtrage concerne les grandeurs 2C 0
d’entrée, de sortie, en mode commun et en mode différentiel. Cmc
Vm Vmc
Les considérations de filtrage ne peuvent se faire indépendam-
ment de l’impédance de la source. Classiquement, les normes CEM R0 / 2
concernant les émissions conduites dans les réseaux imposent la
caractérisation des perturbations par insertion d’un réseau stabilisé
d’impédance de ligne (RSIL) entre le réseau et le convertisseur testé.
Dans ce qui suit, il sera supposé que l’impédance présentée par la
source est donc celle du RSIL (de façon simplifiée, une impédance
b mode commun
de 50 Ω entre une ligne et la terre). Les mesures d’efficacité d’un fil-
tre sont caractérisées par l’atténuation ou pertes d’insertion (inverse
de la fonction de transfert). La méthode expérimentale de détermi- Figure 13 – Schémas équivalents du filtre CEM pour les modes
nation de l’atténuation d’insertion d’un filtre est semblable à celle de communs et différentiels
la figure 10, le condensateur étant remplacé par le filtre.
La structure classique d’un filtre CEM en entrée de convertisseur
est représentée sur la figure 12 ; elle est symétrique pour éviter les Compte tenu de la nature des sources de perturbation du conver-
transferts entre mode commun et différentiel. tisseur (source de courant en mode différentiel et source de tension
en mode commun), il a été montré dans [33] que la structure repré-
La condition de symétrie étant assurée (on suppose que la moitié sentée sur la figure 12 est la plus performante en terme de compro-
du courant de mode commun circule dans chaque ligne d’alimenta- mis volume/efficacité.
tion du convertisseur) et l’impédance de source étant supposée être
celle du RSIL, il est possible de définir un schéma équivalent asymé- L’efficacité des filtres CEM se trouve réduite à cause de leurs
trique du filtre, indépendamment pour chaque mode de propaga- composants parasites et des imperfections des matériaux les cons-
tion comme représenté sur la figure 13. tituant. Les facteurs de dégradations des performances sont :

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avec :
µ .f c (Hm–1.s–1)
1
f 1 ≈ -------------------------------
10 000 2π L eq C eq

1
8 000 f 2 = -------------------------------------
R0
2π 3 , C p C b ------
2
6 000

R 0 C eq
4 000 m = ------ ---------
4 L eq

2 000 C mc · 2 C 0
C eq = ---------------------------
-
C mc + 2 C 0
0
2 5 2 5 2 5 2 5 L md
105 106 107 108 109
L eq = L mc + ----------
Fréquence (Hz) 2
MnZn
NiZn
Cb capacité répartie de l’inductance Lmc ,
Figure 14 – Caractéristique fc(µ i) Cp capacité parasite de couplage de mode commun,
, inductance parasite de la capacité Cmc .
— la capacité répartie de bobinage Cb qui dépend du nombre de On constate, sur cet exemple, que l’efficacité du filtre ne dépasse
spires et de couches ainsi que de la nature plus ou moins conduc- pas deux décades après f 1, avec des composants parasites de
trice du circuit magnétique ; des techniques de bobinage appro- valeurs relativement faibles (Cb = 10pF, , = 50nH, Cp = 100pF). Le
priées [8] permettent de limiter sa valeur ; concepteur doit donc porter un grand soin à limiter ces effets para-
sites. Notons que les matériaux magnétiques récemment apparus
— les inductances parasites, constituées par les inductances sont très intéressants pour réaliser un bon compromis volume/effi-
parasites de connexion des composants entre eux ainsi que des cacité [10].
inductances parasites des condensateurs ; ces dernières dépendent
de leur technologie [9] ; Le dimensionnement d’un filtre CEM doit donc prendre en consi-
dération non seulement les contraintes d’atténuation attendues,
— les pertes du circuit magnétique qui sont exploitées dans le cas mais aussi les contraintes propres à leur situation dans le convertis-
du filtrage de mode commun pour constituer un terme d’accroisse- seur. En effet, la puissance qui les traverse constitue un facteur de
ment de la résistance équivalente série du filtre, n’intervenant que limitation aux performances d’atténuation (réduction de la perméa-
pour les composantes haute fréquence du signal à filtrer ; bilité, risque de saturation) et contribue à accroître leur volume. Par
ailleurs, les normes limitent les valeurs possibles de capacité de
— la variation de perméabilité initiale µi avec la fréquence et avec mode commun, d’où l’augmentation du volume des inductances de
une polarisation continue ; elle est définie par la composition du mode commun. Cependant, il est possible d’optimiser le dimension-
matériau magnétique ; la perméabilité initiale décroît avec la nement pour obtenir un filtre à volume minimal satisfaisant aux cri-
tères d’atténuation. Enfin, le filtre doit être généralement blindé
fréquence ; on appelle fc , la fréquence à partir de laquelle la perméa-
pour éviter que les champs proches internes au convertisseur ne
bilité µ i a décru de 70 % ; la courbe de la figure 14 présente les lieux dégradent ses performances.
des points µ i, fc pour différents types de matériaux ferrite.

On notera que les filtres CEM devant avoir une bonne atténuation
sur plusieurs dizaines de mégahertz, le choix des ferrites se portera Vm
sur ceux de faibles perméabilités (NiZn), ce qui tend à accroître le (dB)
Vmc
volume.
50
— la résistance des conducteurs qui varie avec la fréquence et
contribue également à l’amortissement du filtre. 0

Ces différents points peuvent donc limiter fortement les perfor- – 50


mances d’un filtre. Un exemple de dégradation des performances
est donné sur la figure 15. Il concerne le filtre de mode commun – 100
schématisé sur la figure 13. On constate que la fonction de transfert
– 150
du filtre tend asymptotiquement vers celle de ses composants para-
sites. La limite d’efficacité du filtre se situe donc à une fréquence flim – 200
correspondant à l’intersection des deux asymptotes soit : 103 104 105 106 f lim 107 108 109
Fréquence (Hz)
Cp
f lim = 3 f 1 · f 22 · --------- · 2m Figure 15 – Fonction de transfert d’un filtre de mode commun
C eq avec les composants parasites

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Dans le but de réduire le volume des filtres CEM, des études


s’orientent vers la mise au point de filtres HF actifs [11] ; cette voie Tension parasite (dBµV)
semble prometteuse mais il n’existe pas encore de réalisation indus- 120
trielle.

100

2. Simulation de la CEM
80
des convertisseurs
statiques 60

2.1 Objectifs et spécificités 40


de la simulation en électronique
de puissance orientée CEM 20
2 5 2 5 2 5 2 5
104 105 106 107 108
Fréquence (Hz)
Les objectifs assignés à la simulation CEM en électronique de a câblage non pris en compte
puissance sont de trois ordres : Tension parasite (dBµV)
— représenter l’évolution des grandeurs temporelles du conver- 120
tisseur afin de mettre en évidence soit des régimes parasites haute
fréquence donc aisément couplés, soit des surcontraintes dans les
composants de la structure (surtensions ou surintensités), l’objectif
100
étant de pouvoir les minimiser dès la conception ;
— représenter les courants parasites conduits dans un réseau et
les champs rayonnés dans l’environnement selon les protocoles
80
normalisés (réseau stabilisé d’impédance de ligne, antennes de
champs proches ou lointains) ; dans ce cas, la simulation doit abou-
tir à la représentation spectrale des perturbations, partant de la
connaissance de la structure et de son implantation physique ; 60
l’objectif est de type CAO avec a priori ;
— prévoir les dysfonctionnements possibles, notamment dans
les commandes rapprochées des interrupteurs ; l’objectif est orienté 40
vers l’analyse et la caractérisation des effets perturbateurs.

20 2 5 2 5 2 5 2 5
2.1.1 Modélisation orientée « circuit » 104 105 106 107 108
Fréquence (Hz)
b câblage simulé
La simulation en électronique de puissance fait appel à la modéli-
sation de type « circuit », pratique maintenant bien connue des élec-
Figure 16 – Exemple de mise en évidence d’un facteur influant
troniciens de puissance [17] [18]. La démarche consiste à
sur la CEM d’un hacheur par la simulation
représenter les phénomènes parasites tels les couplages et les
imperfections des composants, par des modèles de type « circuit »
[1]. Cette méthode donne, comme on le verra, de bons résultats
mais est limitative dès que les effets de géométrie deviennent pré- ples des composants actifs et passifs (inductances, capacités,
pondérants, soit à cause d’effets liés à la dimension géométrique mutuelles idéales, interrupteurs idéaux), à complexifier progressive-
(effets bi- ou tridimensionnels), soit à cause des effets propagatifs, ment ces modèles afin de faire apparaître les régimes parasites
ou encore lorsqu’apparaissent des effets non linéaires (cas des observés. Les modèles des couplages sont ensuite introduits pour
semi-conducteurs). traduire la transmission des perturbations à l’extérieur du dispositif.
Les modèles employés sont toujours issus de considérations phy- Un tel usage permet de confirmer certaines hypothèses d’analyse
siques, parfois simplifiées et rendues mono-dimensionnelles (semi- des phénomènes perturbatoires là où l’expérimentation trouve ses
conducteurs, câblage). La simulation « circuit » fait appel à deux limites. Les modèles utilisés avec cette méthodologie peuvent être
catégories de solveurs : topologie fixe ou variable. Dans le domaine de type a posteriori : on caractérise expérimentalement le modèle
de la CEM, la topologie fixe est préférable ; elle permet notamment d’un composant et on observe par simulation son impact sur le
la simulation des transitoires de commutation qui disparaissent, par
régime final.
le principe même en topologie variable. Les solveurs utilisent classi-
quement des méthodes de résolution type Euler ou RK4 à pas varia-
Un exemple d’utilisation de l’outil de simulation est donné à la
ble (SPICE) ou par exponentielles de matrices (SUCCESS).
figure 16. L’objectif est de déterminer l’influence du câblage sur le
spectre de perturbations conduites d’un hacheur. Une première
2.1.2 Simulation pour l’analyse des phénomènes simulation est effectuée en supposant le câblage idéal (figure 16 a )
puis en introduisant ses imperfections (figure 16 b ). On peut cons-
L’usage de l’outil de simulation se justifie lorsque l’on cherche à tater sa contribution par l’apparition d’un pic dans le spectre autour
valider certaines hypothèses concernant les mécanismes de généra- de 15 MHz. Ce type d’analyse ne peut évidemment pas être obtenu
tion des perturbations. La méthode employée consiste, à partir du par expérimentation et permet de quantifier les phénomènes CEM
schéma de principe de la structure, et en utilisant des modèles sim- dominants dans un système de conversion.

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2.1.3 Simulation dédiée à la conception


Structure Environnement
géométrique Niveau structure
Un second usage de la simulation concerne la conception. Afin de du convertisseur et topologique et environnement
minimiser les coûts de développement, il est souvent souhaitable
d’évaluer le comportement CEM d’un convertisseur pour en optimi-
ser la conception et réduire les frais de certification. Dans ce cas, le
Détermination des composants parasites
concepteur doit utiliser des modèles complexes, intégrant les – méthodes analytiques Niveau
défauts des composants actifs et passifs ainsi que les effets de cou- – méthodes numériques de constitution
plage. La précision des modèles doit être bonne pour que le résultat des modèles
– identification
soit fiable sur une large gamme de fréquence. La difficulté de cette
méthode réside dans la complexité des modèles à employer : des
modèles systématiquement trop précis génèrent des temps de cal-
cul longs, voire des non-convergences. Le concepteur doit donc Modèles " circuit"
savoir « doser » la complexité du modèle aux objectifs de la simula-
tion.
Si la constitution de bibliothèques de composants actifs ou pas- Solveur " circuit" Niveau de calcul
sifs standardisés ne pose pas trop de problèmes, il en va différem- calcul des tensions des grandeurs
ment des composants magnétiques qui sont généralement non et courants électriques et CEM
standardisés.
Enfin, la modélisation fine des couplages capacitifs de mode
commun ou inductifs de mode différentiel est particulièrement diffi-
cile à établir, car entièrement dépendante de l’environnement physi- Calcul des champs
que du convertisseur : présence de dissipateur, de châssis, rayonnés
éloignement des conducteurs entre eux ou au-dessus du châssis. De Modèles " circuit"
des couplages
plus, ces problèmes sont souvent tridimensionnels.
La modélisation a priori reste donc un point dur de la simulation
où des progrès restent à accomplir ; ils font appel à des méthodes
Solveur " circuit"
mixtes de simulation : méthodes analytiques, méthode « circuit »,
perturbations
éléments finis, différences finies, etc.
conduites

Figure 17 – Méthodologie de simulation


2.2 Méthodologie, principes
de modélisation
res. La représentation fréquentielle s’effectue ensuite par transfor-
mée de Fourrier.
Le schéma de simulation fait donc intervenir différents principes
de modélisation :
— les modèles électriques des composants parasites (L, C, R) qui
vont modifier le fonctionnement théorique d’une structure et faire
2.3 Principaux modèles CEM
apparaître ses régimes parasites (résonances, amortissements) ; ces des composants utilisés
modèles sont généralement de type « circuit » ; en électronique de puissance
— les modèles électriques des couplages qui expliquent la trans-
mission vers l’environnement extérieur du convertisseur : coupla-
ges capacitifs, mutuelles, etc. ; les modèles sont soit de type La spécificité des modèles utilisés peut être caractérisée par les
« circuit », soit analytiques résultant de la formulation des champs notions de « bande passante » et de « modularité » du modèle,
électromagnétiques E et H (formulation en magnétostatique ou élec- c’est-à-dire sa capacité à représenter plusieurs dynamiques de phé-
trostatique, méthode des moments, etc.), spécifiquement à la géo- nomènes électriques (aspect modularité) dans le composant sur une
métrie du problème ; large gamme de fréquence. Si l’on se situe dans la gamme fréquen-
— les modèles permettant le calcul des champs rayonnés, soit tielle des normes CEM (quelques kHz à 30 MHz), on constate donc la
purement analytiques dépendant, pour les cas simples, de la géo- nécessité d’avoir des modèles fins de composants actifs et passifs
métrie du problème, soit entièrement numériques (différences caractérisés au moins jusqu’à cette limite.
finies, intégrales de frontière, éléments finis, etc.) pour les géomé- La seconde spécificité du modèle est la modularité. Elle doit le
tries les plus complexes. rendre adaptable à la complexité du problème à traiter, donc à la
La méthodologie utilisée pour la simulation est représentée sur la dynamique des grandeurs auxquelles il est soumis. Tous les modè-
figure 17. les présentés dans la suite possèdent ces caractéristiques.
À partir du modèle « circuit », deux approches sont possibles :
calculer les grandeurs électriques soit en temporel, soit en fréquen-
tiel. Cette dernière possibilité permet d’obtenir directement le spec- 2.3.1 Composants actifs
tre de perturbations pour les phénomènes conduits ; elle est
avantageuse en coût de calculs. Cependant, cette méthode suppose Les bibliothèques de modèles disponibles auprès des fournis-
que toutes les sources de perturbations sont représentées par des seurs de logiciels de calcul ne prennent pas toujours suffisamment
générateurs (de courant et/ou de tension) connus a priori (courant/ en compte les applications CEM. Aussi, il est souvent préférable de
tension d’interrupteurs, résonances induites par les commutations, constituer des modèles spécifiques à ces aspects. Ils doivent notam-
etc.), ce qui n’est pas toujours possible. Seule la méthode tempo- ment traduire très précisément les transitions de commutation qui
relle, qui décrit le fonctionnement exact du convertisseur à chaque sont déterminantes en CEM. Toutefois, nous avons pu constater que
instant, permet la meilleure description des phénomènes transitoi- les modèles complexes des transistors à effet de champ et grille iso-

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Modélisation i
Modélisation de l'effet capacitif de la charge stockée
i
K
id
d K
k=1
dt Trainage de courant
+ α + β
q
R = 1Ω C – – charge stokée de D1
k=1 R=1 D1
C = f (u) ic Effet dynamique
k=1 – q
+u
C

ic = C (u ) du
dt
D2

Figure 18 – Modèle de la diode intégrant la représentation +



de la charge stockée et la capacité de transition non linéaire

Commande +
lée (MOSFET) sont relativement satisfaisants pour la modélisation Σ
CEM et, de ce fait, il est possible d’avoir recours aux bibliothèques C = f (u) –
de type SPICE.
d
Par contre, les modèles standards des composants à jonctions dt
(diode, IGBT) sont insuffisants pour représenter les effets de varia-
tion dynamique de capacité, de traînage du courant ou de recouvre-
ment lors des commutations.
Variation de la capacité émetteur-collecteur
Nous présentons plusieurs modèles de composants à jonction
dérivant de [18] et [33]. Le principe adopté consiste à représenter les Figure 19 – Modèle de l’IGBT
phénomènes de charge d’espace, supposés monodimensionnels,
par des modèles électriques (circuits RC). Les deux phénomènes
principaux, à savoir la charge stockée et la capacité de transition non
linéaire en tension, sont intégrés sous forme de modules dans le 2.3.2 Composants passifs
modèle représenté sur la figure 18.
On peut remarquer que la charge stockée est assimilée à un Les composants passifs concernés par la modélisation sont les
condensateur et que l’effet non linéaire de variation de la capacité condensateurs et les composants magnétiques. Des travaux impor-
de transition avec la tension est représenté par un opérateur multi- tants ont été menés sur ces aspects [4] [5] [13].
plieur associé à la loi de variation non linéaire C (U ) de cette capa- Le modèle électrique du condensateur est complexe du fait de la
cité. Les paramètres du modèle ont été obtenus par identification complexité des phénomènes électromagnétiques en son sein ;
d’un composant réel. citons les problèmes liés à la répartition de la densité de courant
Le modèle spécifique de l’IGBT est présenté sur la figure 19, il a dans les armatures [19] et les conséquences sur sa topologie, la
été établi dans [33]. Il consiste à représenter la partie bipolaire de représentation de la résistance série [20], les inductances internes et
l’IGBT par deux diodes et le canal par une résistance variable. La de connexions [14]. Le modèle, de type CLR, est relativement facile
charge stockée responsable du traînage en courant au blocage est à constituer car il correspond à des phénomènes physiques facile-
ajustée par le paramètre α (réglage de la proportion de courant ment identifiables : inductance et résistance de connexion, résis-
bipolaire dans le courant commuté total) et la constante de tance de pertes (cf. § 2.2.2 de [34]). La standardisation de ces
temps RC (on a posé R = 1 Ω). On retrouve également l’effet capacitif composants permet éventuellement d’envisager la constitution de
non-linéaire. Celui-ci a été complexifié en introduisant un effet de bibliothèques de modèles pour les familles des condensateurs secs
variation dynamique de cette capacité lié à la charge stockée, il est (film plastique). Des modèles sophistiqués existent également pour
réglé par le facteur β. les condensateurs électrolytiques [20].

Les paramètres de ces modèles sont facilement obtenus expéri- Le condensateur de découplage demande quant à lui une modéli-
mentalement par des tests ; il est ensuite aisé de constituer des sation particulière. Comme nous l’avons démontré au paragraphe
bibliothèques. Un exemple de simulation de commutation d’un précédent, son modèle physique est difficilement exploitable et il
IGBT (calibre 500 V/50 A) associé à une diode de même calibre est est préférable d’établir un modèle comportemental électrique utili-
donné sur la figure 20 ; notons la bonne représentation des gra- sable dans toute simulation comme le représente la figure 21.
dients de commutation autorisée par ces modèles. Dans ce schéma électrique en forme de quadripôle, C désigne la
Dans certains cas, les modèles « circuits » restent insuffisants capacité du condensateur, RS et LS les résistances et inductances
pour représenter finement des mécanismes de transfert de charge parasites des connexions du condensateur dues aux fils et aux sou-
dans les semiconducteurs, notamment pour les composants de dures, R3 et C3 les pertes dans le condensateur et leur variation fré-
grandes dimensions et forts calibres. Les modèles doivent, par quentielle et C2, L2 et R2 le couplage magnétique dans le bobinage
ailleurs, représenter correctement les pertes qui déterminent et sa variation fréquentielle. Les impédances du quadripôle sont
l’amortissement des régimes oscillatoires. Ces phénomènes sont données par les expressions suivantes :
difficiles à modéliser finement, compte tenu du nombre de paramè- — impédances d’entrée et de sortie :
tres qui les caractérisent. La conséquence est une imprécision sur le
calcul des spectres. Ces erreurs sont sensibles lors de la simulation 1 1 1
de structures simples non-isolées (hacheurs, onduleurs) où le Z 11 = Z 22 = R S + L s p + ------------------------ + ----------------------------------------- + --------
1 1 1 Cp
comportement CEM est entièrement dépendant de la précision des ------ + C 3 p ------ + ---------- + C 2 p
modèles des composants actifs et du câblage. R3 R2 L2 p

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Courant dans l'IGBT (A) 20 lg Z11


12 40

20
10
0
8
– 20
6
– 40

4 – 60 2 5 2 5 2 5 2 5 2 5 2 5
102 103 104 105 106 107 108
2 Fréquence (Hz)

0 Figure 22 – Module de Z11

–2
0 0,05 0,1 0,15 0,20 0,25 0,30 0,35 0,40 0,45 0,5
Temps (µs) 20 lg Z12
a courant dans l'IGBT au blocage
40
Tension dans l'IGBT (V) 20
250 0
– 20
200 – 40
– 60
150
– 80 2 5 2 5 2 5 2 5 2 5 2 5
102 103 104 105 106 107 108
100 Fréquence (Hz)

50 Figure 23 – Module de Z12

0
Les figures 22 et 23 représentent les modules des impédances
– 50 Z11 et Z12 d’un prototype de condensateur quadripôle de 10 µF,
0 0,05 0,1 0,15 0,20 0,25 0,30 0,35 0,40 0,45 0,5 250 V. La première de ces courbes permet de retrouver le comporte-
Temps (µs) ment capacitif en BF et inductif en HF, caractéristique des condensa-
b tension aux bornes de l'IGBT au blocage teurs « dipôles » traditionnels.

résultats expérimentaux La fréquence de résonance où intervient le changement de


comportement est :
résultats simulés

1
Figure 20 – Grandeurs de commutation au blocage d’un IGBT f 1 = ----------------------
2π L S C

et elle est égale à 400 kHz.


Rs Ls Ls Rs
La deuxième fréquence de résonance :

1
f 2 = ------------------------- (soit 2,6 MHz)
R3 C3 2π L 2 C 2

apparaît très légèrement. Sur la seconde courbe, il existe en BF la


même décroissance à 20 dB par décade, mais la résonance à la fré-
quence f1 disparaît. La résonance f2 du circuit bouchon L2, C2 est ici
R2 L2 C3 prépondérante et impose à l’impédance de transfert une décrois-
sance pour les fréquences supérieures à la résonance f1, d’où en HF
Z12 << Z11. Le comportement de ce condensateur devient alors très
différent de celui d’un condensateur classique pour lequel
Figure 21 – Modèle comportemental Z12 = Z11. La qualité de découplage d’un tel condensateur est
remarquable. Comparée à celle d’un condensateur normal, l’atté-
nuation des perturbations se situe entre 20 et 30 dB en HF jusqu’à
— impédances de transfert : des valeurs de 100 MHz. Pour illustrer ce propos [14], sur un hacheur
abaisseur d’une puissance de 2 kW (200 V, 10 A), la figure 24 donne
1 1 1 les perturbations conduites en mode différentiel pour un condensa-
Z 12 = Z 21 = ------------------------ + ----------------------------------------- + -------- teur (2,5 µF, 400 V) de découplage de la cellule de commutation
1 1 1 Cp
------ + C 3 p ------ + ---------- + C 2 p monté en dipôle et la figure 25 les mêmes perturbations pour un
R3 R2 L2 p même bobinage de condensateur monté en quadripôle.

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Perturbations conduites i3 i2
VRSIL1
(dBµV) 4 4
120 ic3 ic2 v2
v3
100 3

2
80
4
60 ic5
i1
40
v5

20
2 4 6 8 2 4 6 8
1 10 102 4 v1
Fréquence (MHz) ic1
3
Figure 24 – Perturbations conduites en mode différentiel
avec un condensateur dipôle 1

ic4 4
Perturbations conduites v4
VRSIL1
(dBµV) Figure 26 – Modèle d’un transformateur à trois enroulements
120

100 complexe où les effets de propagation dans les conducteurs


seraient pris en considération.
80

60 2.4 Modélisation de la connectique

40 Un point important de la modélisation concerne la connectique et


le câblage interne des convertisseurs. Celui-ci est réalisé soit sous
20 forme de circuits imprimés, soit sous forme de barres ou de bus-bar-
2 4 6 8 2 4 6 8 res.
1 10 102
Fréquence (MHz) Le câblage ne peut être considéré comme neutre compte tenu des
variations rapides des grandeurs auxquelles il est soumis : rappe-
Figure 25 – Perturbations conduites en mode différentiel lons qu’un tronçon de 1 cm de conducteur soumis à un d i/d t de
avec un condensateur quadripôle 1 kA/µs présente une chute de tension de l’ordre de 10 V. Les effets
inductifs et capacitifs ne peuvent plus être ignorés. Le câblage con-
tribue à la création de perturbations de mode différentiel du fait de
Il en va tout différemment des composants bobinés non standar- son inductance non nulle et constitue une voie de couplage en mode
disés, pour lesquels les effets de géométrie et la nature des maté- commun de par sa capacité répartie vis-à-vis de la terre. La modéli-
riaux magnétiques et diélectriques conditionnent le comportement sation doit être capable de rendre compte de tous les phénomènes :
fréquentiel. Le modèle proposé dans [33] (figure 26) a été établi à — effets d’inductance et de mutuelle ;
partir de considérations physiques : — effet capacitif ;
— représentation des couplages magnétiques entre enroule- — effets résistifs variant avec la fréquence : effet de peau et de
ments ➀ ; proximité.
— représentation des caractéristiques des matériaux magnéti- Des travaux nombreux et importants existent sur ce thème,
ques ➁ (la variation de la perméabilité et des pertes avec la fré- depuis longtemps en électronique rapide [21] [22], et plus récem-
quence a été introduite) ; ment en électronique de puissance [23] [24]. Les méthodes utilisées
— représentation des fuites et des effets résistifs variant avec la pour modéliser le câblage sont toutes basées sur sa discrétisation
fréquence ➂ ; en éléments simples à 1, 2 ou 3 dimensions. Les principales métho-
des utilisées sont décrites ci-après.
— représentation des effets électrostatiques liés aux potentiels
appliqués aux extrémités des enroulements ➃. ■ La méthode des éléments partiels (PEEC (Partial Element Equiva-
lent Curent)) [23] [24] qui consiste à décomposer le conducteur en
Les paramètres de ce modèle sont obtenus expérimentalement
segments élémentaires. Les équations de Maxwell sont écrites rela-
par identification. Un exemple de la précision obtenue est présenté
tivement à ces éléments et traduites localement sous forme d’un
à la figure 27. Elle représente l’impédance d’entrée d’un transforma-
schéma électrique (R, L, C) équivalent. Il est ensuite possible de
teur à trois enroulements, mesurée à vide en fonction de la fré-
déterminer la contribution totale de chacun de ces tronçons à
quence.
l’impédance présentée par le conducteur. L’intérêt de cette méthode
Notons la validité du modèle pour des fréquences atteignant envi- est de pouvoir traiter des conducteurs de forme quelconque en une
ron 20 MHz. Au-delà, il est nécessaire d’élaborer un modèle plus ou deux dimensions et de fournir directement la valeur de l’impé-

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Impédance (Ω)
106

105
I
104
a conducteur b modèle de calcul

103

102

10 C3

1 R2 L2
5 105 2 5 106 2 5 107 2
R1 L1 L2
Fréquence (Hz)
a simulation
Impédance (Ω) Effet de peau
C1 C2
106

105 c schéma électrique

Figure 28 – Illustration de la méthode des fils fins


104

103 Toutes ces méthodes permettent de déterminer la répartition des


courants dans les conducteurs et leur impédance. Il est ensuite pos-
102 sible de l’identifier à un modèle « circuit » de type RLC. Un exemple
d’application de la méthode des fils fins est donné sur la figure 29
pour un conducteur imprimé rectiligne au-dessus d’un plan de
10
masse. Le modèle permet de calculer la répartition du courant dans
le conducteur (noter la plus forte densité sur les bords) et l’impé-
1 dance lorsque son extrémité est en court-circuit ; les éléments R, L,
5 105 2 5 106 2 5 107 2 C s’en déduisent ensuite.
Fréquence (Hz)
b mesure Ces méthodes sont toutefois assez lourdes de mise en œuvre. En
effet, le logiciel doit disposer d’un éditeur graphique permettant la
Figure 27 – Impédance d’entrée d’un transformateur simulée saisie du câblage (en deux ou trois dimensions), puis d’assurer sa
et mesurée décomposition optimale et réaliste en motifs élémentaires adaptés à
la méthode de résolution. Enfin, le système doit interpréter les résul-
tats de simulation et générer une Netlist injectable dans un solveur
« circuit », définissant les éléments équivalents R, L, C, correspon-
dance en fonction de la fréquence. Les temps de calcul sont beau- dant au câblage. Selon la précision recherchée, ces opérations peu-
coup plus faibles qu’avec la méthode des éléments finis. La vent être coûteuses en temps de calcul, surtout dans le cas de la
méthode est bien adaptée au câblage en électronique de puissance. méthode par éléments finis. On peut cependant supposer que, la
■ La méthode des éléments finis qui consiste à discrétiser le puissance des systèmes informatiques s’accroissant, ces traite-
volume ou la surface du conducteur et l’espace environnant en ments puissent être significativement accélérés pour être réelle-
triangles ou éléments volumiques élémentaires (opération de ment utilisables en phase de conception.
maillage). Le calcul permet de trouver une fonction, relative aux
nœuds de chaque élément, qui soit solution des équations de
Maxwell. La solution du problème passe par la résolution d’un sys-
tème de matrices généralement très creuses. On déduit alors la
2.5 Simulation des perturbations
valeur des champs E, H à tous les nœuds du réseau. Par calcul de conduites dans des structures
l’énergie, il est ensuite possible de déterminer une valeur d’induc- complexes
tance ou de capacité équivalente à la portion de conducteur qui a été
maillée. Le principe s’adapte à tout type de milieux et à tout type de
conducteur ; cependant les temps de calculs sont très longs La simulation CEM complète d’un convertisseur consiste à assem-
puisqu’il faut les réitérer à chaque pas de fréquence. bler tous les composants de la structure et la connectique avec les
modèles précédemment décrits, en adaptant la complexité du
■ La méthode des fils fins [26], méthode mono-dimensionnelle
modèle à la dynamique des grandeurs électriques auxquelles il est
issue de la théorie des lignes qui consiste à remplacer un conduc-
soumis ; sachant qu’il est inutile d’utiliser un modèle quadripolaire
teur par un faisceau de fils fins équivalents. Elle est bien adaptée à
R, L, C pour un conducteur soumis à une tension constante.
la modélisation du circuit imprimé si les conducteurs sont plus
longs que larges. L’application de la théorie des lignes permet de Un exemple d’application de la simulation pour déterminer l’évo-
calculer les courants dans chaque fil élémentaire puis d’obtenir lution du spectre des perturbations conduites d’une structure isolée
l’impédance globale et de définir un schéma équivalent comme est présenté ci-après, afin d’identifier les contributions des diffé-
représenté sur la figure 28. rents éléments de la structure aux perturbations conduites, et met-

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Densité de courant M23


(A/mm2) M13 M12
l RSIL iD2 Ls Is
14
12 CRSIL uD2 iD4
10 uD4 Cs Vs
8 RRSIL L3 L1 L2
6 E C
4 iD3 iT
RRSIL
2
0 uD3 uT
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 CRSIL
Largeur de la ligne (mm)
fils fins éléments finis

a répartition de courant pour une ligne de 5 mm, imc


à la fréquence de 1 Mhz
Ze (Ω) Figure 30 – Modèle de base du convertisseur forward
104

103
Tension parasite
102 (dBµV)
120
10
100
1
80
10–2
60
10–3
40
104
104 105 106 107 108 109 20

calcul mesure Fréquence (Hz) 0

b impédance de la piste – 20

C – 40 2 5 2 5 2 5 2 5
104 105 106 107 108
Fréquence (Hz)
Rn
Figure 31 – Spectre de perturbations conduites (mode différentiel
R2
seul)
I1 R1 L1 Ln I2
L2
V1 C1 C2 V2
Puis le modèle complet du transformateur est introduit sur la
figure 32. Le spectre se modifie essentiellement en haute fréquence
comme on peut le constater sur la figure 33. En effet, les modes pro-
Longueur du conducteur imprimé : 10 cm pres (résonances) du transformateur se situent au-delà du méga-
Largeur : 5 mm hertz.
Hauteur par rapport à la masse : 1,5 mm L’étape suivante consiste alors à ajouter les imperfections du
condensateur d’entrée et du câblage, le modèle modifié est repré-
c schéma électrique
senté sur la figure 34.
Figure 29 – Exemple de modélisation obtenue par la méthode des fils On peut constater (figure 35) une très forte modification du spec-
fins tre. La cause principale réside dans l’inductance parasite du conden-
sateur d’entrée qui, au-delà de la fréquence f, augmente le niveau
du spectre à cause de son effet dérivateur (donc proportionnel à la
fréquence).
tre ainsi en évidence les effets majeurs. Une alimentation forward
(150 V-10 A-20 kHz) a été étudiée selon cette procédure [33]. La dernière étape consiste à ajouter les couplages capacitifs de
mode commun dus aux semiconducteurs. Ils ont été ajoutés à tous
La simulation débute avec le modèle idéal de la structure repré- les points à potentiel variable, comme l’indique la figure 36.
sentée sur la figure 30, le réseau stabilisé d’impédance de ligne a Le spectre obtenu (figure 37) montre un effet dominant des per-
été introduit dans le schéma. Le modèle complet de l’IGBT, précé- turbations de mode commun dans une gamme de fréquence s’éten-
demment décrit a été utilisé. Notons que les couplages de mode dant au-delà de quelques centaines de kilohertz.
commun n’ayant pas été introduits, les perturbations apparaissent La simulation finale est ensuite comparée au relevé expérimental
seulement en mode différentiel. de la figure 38. On peut constater le bon accord entre simulation et
mesures dans une plage de fréquence allant jusqu’à 20 MHz qui
Le spectre obtenu (figure 31) est déterminé par la seule forme du constitue la limite fréquentielle supérieure du modèle du transfor-
courant absorbé en entrée. mateur.

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M23 Tension parasite (dBµV)


120
M13 M12
100
l RSIL iD2 Ls Is
80
f f'
uD2
CRSIL iD4 60
L3
uD4 Cs Vs 40
RRSIL L1 L2
20
E C
0
– 20
RRSIL
iD3 iT
uD3 – 40 2 5 2 5 2 5 2 5
uT 104 105 106 107 108
CRSIL
Fréquence (Hz)

Figure 35 – Effet des imperfections de câblage et du condensateur


imc d’entrée

Figure 32 – Introduction du modèle complet du transformateur

M23
M13 M12
Tension parasite
(dBµV) l RSIL uD2 Ls
iD2 Is
120
iD4
100 CRSIL L3 Cs
uD4 Vs
80
RRSIL L1 L2
60 C
E
40 iD3
20 RRSIL
uD3
0 uT
CRSIL
– 20 iT
– 40 2 5 2 5 2 5 2 5
104 105 106 107 108
Fréquence (Hz)
imc
Figure 33 – Spectre avec prise en compte des imperfections
du transformateur Figure 36 – Modèle complet du convertisseur

M23 Tension parasite (dBµV)

M13 M12 120

l RSIL uD2 100


Ls Is
iD2 i 80
D4
CRSIL L3
uD4 Cs Vs 60

RRSIL L1 L2
40
C
E
iD3 20
RRSIL
uD3 0
uT
CRSIL – 20
iT
– 40
104 105 106 107 108
imc
Fréquence (Hz)

Figure 34 – Ajout des imperfections de câblage Figure 37 – Spectre du modèle complet

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rentes sortes de problèmes. Dans le cas de l’électronique de puis-


Tension parasite (dBµV) sance, la difficulté réside dans la prise en compte simultanée des
120 grandeurs conduites et rayonnées, de tous les couplages et, surtout,
des composants présentant un fonctionnement non-linéaire dans le
100 temps (cas des interrupteurs). La méthode qui semble actuellement
la mieux adaptée à ce type de problème reste la méthode des
80 moments [27].
60 Historiquement, la méthode des moments a été utilisée pour
l’étude des antennes et leurs applications. Elle est basée sur la réso-
40 lution des équations intégrales linéaires pour les grandeurs spatia-
les à fréquence donnée. Elle permet, entre autres, de déterminer
20
directement et de manière précise la distribution du courant dans
0
les structures linéaires étudiées et de calculer ensuite le champ
rayonné en tous points de l’espace.
– 20

– 40 2.6.1 Mise en équations


2 5 2 5 2 5 2 5
104 105 106 107 108
Fréquence (Hz)
a simulation La résolution de problèmes de structures constituées de conduc-
teurs fins est réalisée à partir de l’équation intégrale du champ élec-
Tension parasite (dBµV)
trique, tandis que celle de problème de structures volumineuses
120 l’est par l’équation intégrale du champ magnétique. Pour des struc-
tures utilisants les deux types de géométries, les deux équations
100
peuvent être couplées. Dans notre application, l’hypothèse simplifi-
80 catrice des fils fins (structure filaire) s’impose par le fait que le
rayonnement est essentiellement dû aux connexions des éléments
60 du circuit électrique, ce qui limite l’étude à l’équation du champ élec-
trique.
40
Considérons une surface S d’un conducteur parfait dans un
20 espace libre. La condition aux limites, due à la continuité de la com-
posante tangentielle du champ électrique tangent E à la surface du
0 conducteur au point M1(r1), s’écrit :
– 20 n × ET = 0 (1)
– 40
2 5 2 5 2 5 2 5
104 105 106 107 108 avec n vecteur normal à la surface du conducteur en M1,
Fréquence (Hz)
b mesure ET champ électrique total.

Figure 38 – Spectres simulés et mesurés de perturbations conduites


Le champ total E T se décompose en une composante incidente
E i et une composante diffracté E d (figure 39). La composante E d
est définie comme le champ produit par tous les courants et charges
La démarche présentée a permis de mettre en évidence les fac- présents dans le conducteur. La condition exprimée par (1) s’écrit
teurs de sensibilité qui conditionnent le comportement CEM de ce alors :
type de convertisseur. Il appartient ensuite au concepteur de faire
varier tel ou tel paramètre (nature et topologie du câblage, type de n × Ed = Ð n × Ei
semi-conducteur, technologie de condensateur, etc.) pour optimiser
les perturbations émises. Par ailleurs, la modélisation « circuit » per-
met de connaître toutes les grandeurs électriques, ce qui constitue
les sources des perturbations rayonnées.
Ei
z
n
2.6 Simulation des perturbations ds
rayonnées
M1
M
La recherche du rayonnement électromagnétique d’un convertis- r1 S Ed Point
seur statique passe par la connaissance de sa topologie, de la nature d'observation
de ses éléments actifs, passifs et de ses connexions et de son fonc-
tionnement en incluant sa commande. Vu les géométries plus ou o
y
moins complexes de son circuit électrique, il devient indispensable
d’utiliser une méthode numérique pour prévoir ce rayonnement. Le
calcul de ces grandeurs électromagnétiques a déjà fait appel à tou-
tes les techniques du calcul numérique que sont les méthodes des x
différences finies, des éléments finis, des lignes de transmission,
des équations intégrales de frontières et des moments, pour diffé- Figure 39 – Condition limite à la surface du conducteur

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Or, d’après la jauge de Lorentz, pour une pulsation ω donnée, L’équation (6) devient alors :

E d = Ð j ωA Ð ∇Φ (2) t ( , ) · E i = j ωµ

fil
t ( , ) · t ( , 1 ) · I ( , 1 ) · g ( R ) · d, 1

d I ( ,1 )

A étant le potentiel vecteur magnétique défini par : 1 d
Ð --------- ------- ------------------ · g ( R ) d, 1 = L [ I ( , ) ] (7)
j ωε d, fil d, 1

∫J
1 exp ( Ð j kR )
A = ------- ( r 1 ) -------------------------------- d S (3) où g est la fonction de Green définie dans l’espace comme suit :
4π R
S


1 exp ( Ð j kR )
g ( R ) = -------------- -------------------------------- d,
Φ est le potentiel scalaire électrique défini par : 2π a 1 c 4π R
avec t( , ) vecteur tangentiel,


1 exp ( Ð j kR )
Φ = ---------- ρ -------------------------------- dS (4) , variable le long de l’axe du conducteur
4π ε S R
(figure 40),
La grandeur J (r1 ) est la distribution de courant sur le conducteur, C circonférence,
R est la distance entre le point source et le point d’observation où le L opérateur intégro-différentiel linéaire [28] [29].

champ est évalué, S est la surface du conducteur, k = ------- est le fac-
teur d’onde et ρ est la densité de charge définie par : λ
La méthode des moments permet de résoudre l’équation (7)
appliquée à une structure filaire décomposée en segments élémen-
taires. La solution se met alors sous la forme suivante :
1
ρ = Ð ------ div s ( J ( r 1 ) ) (5)
jω [ I ] = [ Z Ð1 ] [ V ] (8)

En substituant les équations (2) (3) (4) et (5), on obtient : avec I courant inconnu sur chaque segment de la
structure de fils fins,

∫Jr
exp ( Ð j kR ) Z impédance de l’ensemble des éléments
n ( r ) × E i ( r ) = j ωµn ( 1 ) ------------------------------- dS
S 4π R constituant les connexions, fonction uniquement
de la géométrie de la structure,

∫ρ
1 exp ( Ð j kR )
+ --- n × ∇ ----------------------------- dS (6) V sources de tensions d’excitation [29] [30].
ε S 4π R
À partir de la connaissance de la distribution du courant dans la
Dans le cas où le conducteur S est un fil fin de rayon a1 et si les structure, le champ électromagnétique rayonné se calcule en utili-
hypothèses suivantes sont adoptées : sant les équations (2), (3) et (4).
La mise en équation resterait incomplète s’il n’était pas évoqué ici
— le courant transversal est négligeable vis-à-vis du courant axial l’existence d’un plan de masse et/ou de sol. Tous les montages,
dans le fil ; quels qu’ils soient, possèdent un plan de masse ou sont posés sur le
— la variation circonférentielle du courant axial est inexistante ; sol. Ce fait modifie la distribution des courants dans la structure, son
illumination s’il y a lieu et le champ rayonné. La prise en compte de
— le courant peut être représenté par un filament de courant situé la présence de ce plan de terre peut se faire par trois méthodes :
sur l’axe du fil,
— la méthode de la théorie des images ;
alors, la condition de conservation du champ électrique est vérifiée — la méthode des coefficients de réflexion [31] ;
seulement dans la direction axiale. Ainsi, en un point M1 situé sur la — la méthode de Sommerfeld-Norton [32].
structure et de coordonnée curviligne l1, le courant surfacique peut La méthode la plus simple à mettre en œuvre et la plus restrictive
être remplacé par un courant filamentaire I tel que : est la première et c’est celle qui est la plus utilisée. Son application
suppose que le plan de masse est parfait (conductivité infinie) et que
I( , 1) = 2πaJ (r1) ses dimensions sont très grandes vis-à-vis des dimensions de la
structure. Ce plan se comporte alors comme un miroir électroma-
gnétique parfait. La méthode consiste à rajouter une topologie et
des sources symétriques par rapport au plan de masse.
z
n
t ( l1) 2.6.2 Applications aux convertisseurs statiques
M1
Pour simuler le fonctionnement d’un convertisseur statique, il faut
M prendre en compte tous les composants discrets qui le constituent.
2a1
En ce qui concerne les composants passifs (résistances, condensa-
teurs et inductances) leur insertion dans la matrice impédance de la
structure du circuit ne pose aucune difficulté. Pour ce faire, il suffit
t ( l)
o
que le découpage de la structure coïncide avec un composant dis-
y cret. L’impédance de celui-ci est alors ajoutée à l’impédance de cou-
plage du segment considéré.
En ce qui concerne les sources d’excitation, elles doivent être
séparées en deux types :
x — champ incident ou source extérieure au système (c’est le cas
d’étude de la susceptibilité électromagnétique, incidence d’un
Figure 40 – Condition aux limites (fil fin) rayonnement électromagnétique sur un convertisseur) ;

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Circuit
de convertisseur
statique

Σ
v (f )

Composant Résolution
temporelle Prototype
actif
f avec un simulateur expérimental
1/f
de circuits

Méthode
des moments
Différence de potentiel
Figure 41 – Linéarisation de la source de perturbation aux bornes des composants
non linéaires
(domaine temporel)

— source d’excitation interne au circuit (c’est le cas d’étude du


rayonnement du convertisseur). Vecteur tension
Dans le premier cas, l’expression de l’excitation est réalisé direc- d'excitation
pour chaque fréquence
tement sous la forme de champ électrique par projection sur la
structure. Dans le second cas, du point de vue de la modélisation, la
source doit être adaptée aux liaisons électriques de la structure afin Figure 42 – Étapes de la résolution
d’écarter tout rayonnement parasite dû à la géométrie de la source
et de ses connexions. De nombreux modèles de source ont alors été
développés. Nous avons opté pour celui de Andreasen et Harris
basé sur la discontinuité de la dérivée du courant aux bornes de
source [31]. Dans ce modèle, la région de la source apparaît comme DRL I0
une ligne de transmission biconique avec un point d’alimentation en
son centre. R2
+ Ce
Les composants actifs (diodes, transistors de puissance, MOS, L R1
IGBT...) dans les convertisseurs statiques ont un fonctionnement E
D2 D1
répétitif de type interrupteur. Du point de vue de la simulation, la
description du fonctionnement de l’interrupteur est identique à celle
d’un générateur de tension ayant la même différence de potentiel. C2 C1
La décomposition de cette tension en série de Fourier conduit à un
nouveau modèle d’interrupteur composé d’une somme de généra-
teurs de tension sinusoïdales de fréquence multiple de la fréquence
de récurrence de la commande du convertisseur (figure 41). Cette Figure 43 – Schéma électrique de la maquette expérimentale
décomposition en termes de sources de perturbations sinusoïdales
lève toute ambiguïté quant à l’application de la méthode des
moments à un circuit non linéaire, puisque le problème équivalent à
résoudre n’est autre qu’une somme théoriquement infinie de pro- Champ électrique (dBµV/m)
blèmes linéaires. 110
La résolution du problème global se fait selon les étapes illustrées
par la figure 42. Tout d’abord, il faut déterminer à l’aide d’un simu- 100
lateur de circuits (voir § 2.5) la variation temporelle de la différence
de potentiel aux bornes des composants actifs (ou interrupteurs). La 90
décomposition en série de Fourier de chacune de ces grandeurs
détermine les vecteurs fréquentiels d’excitation. Pour chaque fré- 80
quence, la résolution est faite par la méthode des moments appli-
70
quée à la structure en fils fins du circuit composé par les éléments
passifs et alimenté par les générateurs équivalents des interrup-
60
teurs. La connaissance expérimentale des tensions aux bornes des
interrupteurs peut être utilisée directement pour calculer le rayonne- 50
ment du système.
40

2.6.3 Comparaison entre expérience et simulation 30


5 10–1 2 5 2 5
en rayonnement 1 10
Fréquence (MHz)
La maquette expérimentale est un hacheur à commutation forcée
Figure 44 – Champ électrique mesuré à 1 m du circuit
présenté à la figure 43. Son circuit est posé sur un radiateur afin
d’assurer le refroidissement des composants de puissance (le tran-
sistor MOSFET et la diode de roue libre). Le radiateur est porté au
potentiel de la masse de la cage. La fréquence de découpage est de une cage de Faraday non anéchoïque pour des fréquences inférieu-
100 kHz, le courant de charge de 8 A, la tension d’alimentation de res à 200 MHz. La mesure du champ électrique est effectuée à un
100 V et le rapport cyclique de 0,5. L’expérience est réalisée dans mètre du circuit et est présenté en figure 44.

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Cependant, cette discipline souffre du fait qu’elle n’est pas créatrice


Champ électrique (dBµV/m) et qu’elle se contente d’étudier les effets indésirables et marginaux
110 produits par le système principal et ses interactions avec d’autres
systèmes. Elle apparaît donc peu attractive pour les ingénieurs et les
100 chercheurs et très coûteuse pour les décideurs et donneurs
d’ordres. Dans cet article, nous avons cherché d’une part, à rendre
90 cette discipline plus attrayante en la démystifiant et en expliquant
les phénomènes qui la régissent et, d’autre part, à montrer que la
80 CEM est devenue un outil d’amélioration de la conception et des
performances des convertisseurs statiques.
70
Dans le contexte de la conversion statique de l’énergie électrique,
60 la CEM reste une technique basée sur l’expérimentation car la diffi-
culté de rendre compte de l’ensemble des phénomènes physiques
50 subsiste. Le développement d’une instrumentation particulière et
spécifique aux mesures des grandeurs électriques et électromagné-
40 tiques à forte amplitude et haute fréquence est une nécessité. Sa
panoplie de capteurs s’étoffe et une nouvelle génération de capteurs
30
5 10–1 2 5 1 2 5 10
de courant à très large bande passante est donnée en exemple pour
Fréquence (MHz) souligner cet état de fait.
Les perturbations générées par les convertisseurs prennent nais-
Figure 45 – Champ électrique calculé à 1 m du circuit sance au sein des cellules de commutation. Dues aux fortes varia-
tions temporelles des grandeurs électriques créées par le
changement d’état des composants de puissance, elles excitent les
La simulation a été réalisée par la méthode des moments décrite éléments parasites des circuits des convertisseurs et se propagent
dans ce chapitre. Afin d’éviter les erreurs dues à l’utilisation du en modes conduits et rayonnés, là où l’impédance présente la
simulateur de circuits, les différences de potentiel ont été prélevées valeur la mieux adaptée à leur propagation. L’analyse fine et systé-
aux bornes des composants non linéaires et injectées directement matique des transitoires pour les différents types de commutations
dans le code de calcul. Les pistes de circuit imprimé sont modélisées et pour des technologies différentes des composants actifs et pas-
par un seul fil fin équivalent. sifs a mis en évidence le rôle des éléments parasites de type circuit
et topologique. De même, cette analyse a permis de quantifier leurs
La comparaison du spectre calculé (figure 45) et des résultats
énergies dans la création de ces perturbations. Ce travail a été com-
expérimentaux montre une bonne concordance dans les différentes
plété par l’action de la commande du convertisseur sur sa faculté à
gammes de fréquences. Plus précisément, la concomitance au
modifier la génération spectrale des perturbations.
niveau des raies et amplitudes relatives au découpage (fréquences
de 100 kHz à quelques MHz) démontre que la simulation du fonc- L’ensemble de ces connaissances conduit naturellement à une
tionnement du convertisseur est correcte. Pour des fréquences plus démarche logique de la réduction des perturbations en agissant sur
élevées, on retrouve la même allure du spectre avec des raies repré- les sources, sur leurs couplages et sur le filtrage en dernier recours,
sentant les mêmes fréquences de résonance mais des amplitudes les efforts devant se porter chronologiquement des sources vers
légèrement différentes ; ces écarts sont essentiellement dûs d’une l’extérieur. Dans ce cadre, un accent tout particulier a été mis sur les
part à la mauvaise absorption des ondes électromagnétiques par les composants passifs et plus particulièrement sur leurs connexions
parois de la cage et à tous les phénomènes de couplages qui en internes.
découlent et, d’autre part, aux hypothèses simplificatrices faites sur
la représentation des connexions et de la non-prise en compte des Les logiciels de simulation des circuits électriques et électroni-
diélectriques qui composent les circuits imprimés. ques sont des outils couramment utilisés pour la conception des
convertisseurs. L’introduction dans ces logiciels de différents modè-
les comportementaux de composants (semiconducteurs de puis-
sance en commutation, composants passifs) et à constantes
3. Conclusion localisées des connexions en fait aussi de remarquables outils de
simulation des perturbations électromagnétiques. En ce qui con-
cerne les perturbations rayonnées, le calcul ne peut s’effectuer
directement et il faut passer obligatoirement par la connaissance
La compatibilité électromagnétique a été tout d’abord pour le des perturbations conduites.
monde de l’électronique de puissance, une simple préoccupation ;
elle est devenue rapidement une nécessité, pour être actuellement Les tendances actuelles des travaux en électronique de puissance
une obligation. Les causes concrètes de cette évolution sont parfai- se dirigent vers l’optimisation des convertisseurs en prenant en
tement connues et dues, d’une part à l’accroissement des perfor- compte des critères de CEM, par l’utilisation de modèles plus sim-
mances des composants actifs et, d’autre part, à la prolifération des ples et moins généraux, spécialisés pour un domaine donné de fré-
convertisseurs statiques dans l’ensemble des activités humaines. quence ou d’application.

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