UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - UFC

CENTRO DE TECNOLOGIA - CT
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA - DEE

Relatório da Prática 04
CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR TBJ

Bancada: 04
Equipe: Breno Bezerra Chaves - 336649
Tiago Pereira Dos Santos - 337968

Professor: Sérgio Daher

Turma: 01C (Quinta-Feira, 10h-12h)

Fortaleza
(16/04/2015)
 SUMÁRIO

1. INTRODUÇÃO _____________________________________________ 3
2. OBJETIVOS _______________________________________________ 5
3. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO ___ 5
4. ANÁLISE COMPUTACIONAL _________________________________ 5
5. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL ____________________________ 7
6. QUESTIONÁRIO ___________________________________________ 8
7. CONCLUSÃO _____________________________________________ 11
8. REFERÊNCIAS ____________________________________________ 12

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1. INTRODUÇÃO

O Transistor Bipolar de Junção, TBJ , é um dispositivo Semicondutor, composto por três

Regiões de Semicondutores dopados (Base, Coletor e Emissor), separadas por duas Junções p-n.
A Junção p-n entre a Base e o Emissor tem uma Tensão de Barreira (V0) de 0,6 V, que é um
parâmetro importante do TBJ. No TBJ a Corrente é produzida por ambos os tipos de Portadores
de Cargas (Elétrons e Lacunas), daí a origem do nome Bipolar. Existem dois Tipos de TBJ: NPN
e PNP.
O Tipo PNP consiste em duas Regiões p separadas por uma Região n. As Figuras 1 e 2
representam os seus respectivos símbolos esquemáticos.
Figura 1: Representação e Esquematização de Transistor PNP

Fonte: Própria
O Tipo NPN consiste em duas Regiões n separadas por uma Região p.

Figura 2: Representação e Esquematização de Transistor NPN

Fonte: Própria
O TBJ constitui-se de 3 regiões semicondutoras: o emissor (E), a base (B) e o coletor (C),
cada um ligado a um terminal metálico para acesso externo. No transistor NPN a base é do tipo p
e as outras regiões são do tipo n. No transistor PNP, a base é do tipo n e as outras regiões são do
tipo p.
Já se sabe que o transistor consiste em duas junções pn, a junção emissor-base (JEB) e a
junção coletor-base (JCB). Dependendo da condição de polarização de cada junção, são obtidos
diferentes modos de operação para o transistor.

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 Tabela 1 - Modos de operação do TBJ

O TJB (BJT) opera em três modos diferentes: modo de Corte, modo de Amplificação
Linear e modo de Saturação.
Figura 3 - Curvas Características IC-VCE de um TBJ NPN

Fonte: Manual de Prática

A operação do transistor segue uma lógica simples: a corrente do coletor é diretamente

proporcional à corrente na base do mesmo. Utilizando a Lei dos Nós, temos que:
IE = IC + IB (1)
Quando operando no regime ativo (junção base-emissor diretamente polarizada e junção
base-coletor reversamente polarizada), a corrente de coletor pode ser calculada por:
IC = β.IB (2)
Entretanto, essa característica é ideal, sendo as curvas reais também dependentes da
tensão coletor-emissor do transistor, devido ao efeito Early, que explica que, quanto maior tal
tensão, maior será a zona de depleção na junção base-coletor, e, portanto, maior será a derivada
de concentração dos portadores na base, aumentando a corrente de coletor.

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2. OBJETIVOS

Este procedimento prático tem como objetivo apresentar ao aluno as curvas

características do transistor bipolar de junção (TBJ) bem como, através de experimentação e
simulação computacional, relacionar o comportamento deste dispositivo aos parâmetros
fornecidos pelo fabricante na folha de dados (datasheet).

3. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO

 Vcc = 0 a 15 [V] [Tensão contínua aplicada ao circuito de saída];

 Ibb = 20 a 80 [uA] [Corrente de base contínua aplicada a o circuito de entrada];
 Q1 BC547A [Transistor NPN utilizado].
 Voltímetro (1);
 Amperímetro (2); e
 Fonte de tensão CC (2).

4. ANÁLISE COMPUTACIONAL

Figura 4 – Circuito montado em laboratório.

- +
Icc A
0...0.2 A
Rc
100

Ibb Rb + +
Q1
+ A - V 0...20 V Vcc
Vbb 100k - -
0...2 mA

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Fonte: OLIVEIRA, D.S; BASCOPÉ, R. P. T. Roteiro de Aulas Práticas Nº 04 – Curvas Característica do Transistor
TBJ. Fortaleza: DEE-UFC, 2015.

Simulou-se no Orcad o circuito da Figura 4. Os valores de IC (corrente de coletor) em função

de VCE (tensão entre coletor e emissor) e dado um IB (corrente de base) constante foi verificado
na simulação e os resultados apresentados na Tabela 1.
Para garantir corrente de base entre 20 e 80 µA, variou-se Vbb de 2 a 8,7 V na simulação, ao
passo que Vcc foi variado de 0 a 15 V como especificado no manual de práticas de laboratório.

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 Figura 5 – Circuito simulado no Orcad

Fonte: O próprio Autor..

Figura 6 – Curvas pertinentes: Ic =f(Vce) dado Ib constante.

Fonte: o próprio autor

Na Figura 6 tem-se a forma de onda pertinente à simulação do circuito.

Tabela 1 – Valores simulados de Ic em função de Vce dado Ib constante.

Corrente no coletor medida Ic (mA)

Ibb (µA)
20 40 60 80
0,5 3,9409 7,7788 11,3790 14,756
1 3,9569 7,8090 11,4260 14,816
Vce (V) 3 4,0193 7,9320 11,6060 15,049
5 4,0792 8,0527 11,7830 15,278
10 4,2356 8,3637 12,2310 15,855
15 4,3896 8,6631 12,6760 16,436
Fonte: O próprio autor

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 O ganho pode ser calculado pela relação mostrada na equação (2).
Utilizando-se essa relação para os dados da Tabela 1, conclui-se que o ganho simulado está
na faixa de 110 a 220 como indicado pelo fabricante no datasheet.

5. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL

Montou-se na bancada do laboratório o circuito da Figura 4 e com o auxílio de

três multímetros, efetuou-se as medições pertinentes. Os resultados são mostrados na
Tabela 2.
Tabela 2 – Valores experimentais de Ic em função de Vce dado Ib constante.

Corrente no coletor medida Ic (mA)

Ibb (µA)
20 40 60 80
0,5 4,04 7,31 11,42 14,70
1 4,08 7,46 11,72 15,61
Vce (V) 3 4,14 7,60 11,98 16,30
5 4,2 7,72 12,32 16,82
10 4,3 8,83 13,01 18,21
15 4,45 9,10 13,60 19,50
Fonte: O próprio autor

Esperava-se que houvesse uma certa diferença nos resultados obtidos devido a variação
dos valores nominais dos componentes envolvidos. No entanto, utilizando-se a equação (2),
percebe-se que o valores calculados para o ganho com certa parte dos dados da Tabela 2 resultam
num ganho que extrapola, em até 11%, o limite de ganho de 220 sugerido pelo fabricante.

Porém, verificou-se que os instrumentos de medida utilizados não eram confiáveis visto
que não estavam bem calibrados e/ou com baterias de carga duvidosa. Assim, a diferença nos
resultados obtidos pode estar ligada a não fiabilidade dos equipamentos de medida.

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6. QUESTIONÁRIO
a) Traçar a curva de saída Ic = f(Vce) de um TBJ: experimentalmente e
simulada.

b) Determine o ganho de corrente (β) para as curvas traçadas em (a)

Escolheu-se um ponto de operação onde Vce = 8V e Ib = 40 µA.
1. Experimental
Para 𝐼𝐶 = 8,6 𝑚𝐴,
tem-se 𝛽 = 𝐼𝑐 𝑥 𝐼𝑏 = 𝟐𝟏𝟓
1. Simulado
Para 𝐼𝐶 = 8 𝑚𝐴,
tem-se 𝛽 = 𝐼𝑐 𝑥 𝐼𝑏 = 𝟐𝟎𝟎

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 c) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas em (a)
explorando os seguintes tópicos: funcionamento na configuração emissor-
comum, curvas de característica de entrada e saída, ganho de corrente e
limites de operação.
A configuração de emissor comum (também chamada de polarização fixa) é a
polarização utilizada na prática, onde o terminal emissor está diretamente conectado ao terra.
É possível, utilizando as formas de onda geradas na prática, determinar o ponto de operação do
TBJ. Podemos relacionar o ponto de operação sobrepondo a reta de carga com as curvas do
TBJ.

A partir dai, podemos mostrar que

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐𝑅𝑐
Essa equação determina a reta de carga, sobrepondo os gráficos podem ser
determinados o ponto de operação do TBJ (interseções da reta de carga com a curva
característica).

Os limites de operação do TBJ são determinados pela curva da potência, valor máximo
de Ic e valor máximo de Vce. Como mostrado na imagem abaixo.

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 Todos os dados (inclusive para gerar a curva da potência) são encontrados no datasheet
como indicado no item d.

d) Consultando a folha de dados do TBJ adotado durante a prática, comente

a respeito das principais características de operação, bem como as
limitações de operação.
A partir do datasheet é importante observar os valores de Ic (corrente de coletor –
contínua), Vce (tensão coletor-emissor) e Pd (dissipação total do dispositivo em 25°C) esses
valores determinam os limites de operação do TBJ.

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 Para trabalhar com o TBJ em determinada região de operação deve-se utilizar as
características elétricas como ganho hfe (β), Vcesat (tensão de saturação coletor-emissor), ICBO
(corrente de corte) .

e) Pesquise a respeito de transistores de carboneto de silício e suas

aplicações.
Os transistores de carboneto de silício, chamados de transistores SiC, são substitutos
para os transistores de silício. Eles se destacam por possuírem maior eficiência, ao mesmo
tempo que reduzem tamanho e peso. Também chama atenção pela sua capacidade de funcionar
a altas frequências e pela sua principal característica que está no fato de resistir a altíssimas
temperaturas. Ele possui muitas utilidades nos mais variados ramos como, por exemplo, na
área de energias renováveis, onde ele aumenta significativamente a eficiência de sistemas
solares, ou na melhoria da energia geotermal, ao possibilitar que os equipamentos funcionem
à profundidades maiores.

7. CONCLUSÃO

Todos os valores de corrente medidos e simulados tanto dos valores simulados quanto
dos valores teóricos foram discrepantes. Isso pode ter ocorrido devido algum erro de escala
tanto no multímetro quanto na simulação.
As curvas características do TBJ foram simuladas e obtidas com os valores
experimentalmente pelo EXCEL. Observou-se uma maior inclinação das curvas traçadas com
valores experimentais que pode ser atribuída ao efeito Early na região ativa do TBJ.
Embora alguns valores medidos apontem um ganho acima de 220, ganho máximo para o
BC547A especificamente, a família de transistores ao qual o transistor utilizado pertence
possui uma faixa de ganho de 110 a 800 de acordo com o datasheet da Philips (referência
[2]).

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8. REFERÊNCIAS

[1] OLIVEIRA, D.S; BASCOPÉ, R. P. T. Roteiro de Aulas Práticas Nº 04 – Curvas

Característica do Transistor TBJ. Fortaleza: DEE-UFC, 2015.

[2] PHILIPS Semiconductors. BC546; BC547 - NPN general purpose transistors.

Disponível em: <http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/16102/PHILIPS/BC546A.html>. Acesso em: 18/04/2015

[3] BOYLESTAD, R. L; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de

Circuitos. Editora: Pearson-Prentice Hall, 2004. 8ª Edição.

[4] MALVINO, A.P. Principios de Electrónica (Livro em Espanhol). Madrid:

Esmeralda Mora, 1999. 6ª Edição.

[5] PETRY, A. C. Ensino em Eletrônica de Potência – Semicondutores II. Disponível

em : <http://www.professorpetry.com.br/Ensino/Eletronica_Potencia/Capitulo_3.pdf >
Acesso em 19/04/2015.

[6] IEEE Xplore Digital Library. SiC BJT minimizes losses in alternative energy
applications. Disponível em :
<http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=6645352&url=http%3A%2F%
2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpls%2Fabs_all.jsp%3Farnumber%3D6645352> Acesso em
19/04/2015.

[7] FAIRCHILD Semiconductor. Datasheet BC546/547/548/549/550. Disponível em:

< http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/50730/FAIRCHILD/BC547.html>-
Acesso em: 19/04/2015

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