PRACTICA Nº 3

AMPLIFICADORES

1. Para cada una de las siguientes configuraciones elementales que se

muestran en las figuras 1 y 2 calcule: Z in, Zout, Av y Ai. Una vez obtenidas las
expresiones genéricas en todos los casos, calcular estos asumiendo los
siguientes parámetros: RB=100KΩ, RC=5KΩ, RE=500Ω, RA=100KΩ,
RD=10KΩ, β=100, gm=1/1K, hie=3K.

Rb Rc Rb Rc Rb

1kHz 1kHz 1kHz

Re Re

Ra Rc

Rd
Re 1kHz

Figura 1.

Rc Rc
Ra

1kHz 1kHz
Rb Rb Rd
Re Re Re 1kHz

Figura 2.

2. Para un transistor bipolar BC548 determine a partir de las curvas

provistas por el fabricante, los parámetros h ie, hfe, hoe y hre. Para una
IC=0.2mA, IC=4mA, IC=25mA.
3. Si un transistor tiene los parámetros h de EC : hie=1100Ω , hfe= 50 , 1/
hoe = 40KΩ, hre=2.5*10-4. Determinar los Parámetros h de BC y CC.

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4. Un transistor de Silicio PNP, tiene un =hfe=150. Calcular un amplificador
con el que se consiga una ganancia de Tensión de 50. El resistor de carga es
de 2.2KΩ y este acoplado capacitivamente al colector. La tensión de la
fuente de alimentación disponible es de 20V y la impedancia de la fuente de
señal de entrada es de 10KΩ.
Se precisa una tensión sobre la carga de 500 mVpp.
a) Mostrar el circuito básico y su configuración.
b) Mostrar los componentes externos calculados y del Transistor. Indicar
el valor de sus impedancias de entrada y salida.
c) Dibujar las rectas de carga de cc y ca mostrando el punto de operación
y su factor SICB0.
5. En un circuito seguidor de surtidor se fija el punto de operación en
IDQ=3mA, VDSQ=15V y VGSQ=-1.2V. Si se dispone de una fuente de
alimentación de 20Vdc y se conocen los parámetros del transistor JFET canal
P Vpo=-4V, Ipo=4.4mA y rds=82KΩ.
a) Mostrar el circuito básico y el modelo incremental del circuito.
b) Determinar los componentes externos al transistor y las Ganancias de
tensión y las impedancias de entrada y salida.
c) Dibujar las rectas de carga de cc y ca, mostrando el punto de
operación estático.
6. Para el circuito de la figura siguiente se pide:
a) Punto de trabajo.
b) AV, AVS, AI, AIS, Zi y Zo. (Nota: hre~0 y hoe~0).
c) Determinar la amplitud máxima de v s para que no se produzca un
recorte en la tensión de salida.
d) Determinar la frecuencia de corte en bajas frecuencias si
CS=0.01uF, CE=10uF y CC=0.1uF. (Nota: CC es el condensador para
acoplar una resistencia de carga RL=2KΩ)
d) Determinar la frecuencia de corte en altas frecuencias si
Cµ=2pF, fT=100MHz, r∏=hie.
c) Si CE esta abierto calcule AV, AVS, AI, AIS, Zi y Zo.

7. Determinar el valor de C s para que la frecuencia de corte inferior del

circuito de la figura sea de 100Hz. Nota: hre=0.

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8. Para el amplificador basado en un FET de la figura, se pide:
a) Punto de trabajo del transistor.
b) Frecuencia de corte inferior.
c) Frecuencia de corte superior.
Dato: utilizar características de transistor: VGS(off)=-3.5 V.

- NOTA .-

Se tomara en cuenta, en la calificación los siguientes puntos:

 La presentación de las prácticas

 El procedimiento de los ejercicios
 La puntualidad en la entrega de las prácticas
 La “similitud” entre las prácticas de los estudiantes.