Guia de Problemas Resueltos

Diodos Ing.
David Molina
Etn503
GUIA DE EJERCICOS RESUELTOS
DIODOS
1. Para las características de la figura 1.1
a) Determine la resistencia de ca para la región 1

b) Determine la resistencia de ca para la región 2
c) Compare los resultados del inciso a) y b)
Figura 1.1
Solución
a) Para la región 1
Vd  0.72  0.57  0.15V Id  (6  2) m A = 4 m A
V 0.15v
rd1 =   37.5
I 4mA
b) Para la región 2
Vd  0.8  0.78  0.02V Id  (30  20) m A = 10 m A

Diodos Ing. David Molina
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V 0.02V
rd2 =   2
I 10mA
c) Relación de las resistencias
37.5
rd1 / rd2 =  18.75
2
2. Dada la red de la figura 2.1
a) Determine cual el modelo para e diodo de silicio parece ser el más apropiado
para el nivel de los parámetros del circuito.
b) Calcule la corriente y el voltaje resultantes para el resistor R
Figura 2.1
Solución
a) Puesto que R es mucho mayor de la rprom. Del diodo, esta última puede despreciarse
considerando un planteamiento aproximado, VT, sin embargo, corresponde al 14%
de V y , en consecuencia , debe incluirse. El modelo elegido se presenta la figura
2.2
Figura 2.2
b) El voltaje aplicado ha establecido un voltaje a través del diodo que sitúa a este
último en el estado de corto circuito. Sustituyendo el diodo por el equivalente en
corto circuito se obtendrá la red de la figura 2.3, de donde es claro que
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Figura 2.3
VR = V –VT = 5  0.7  4.3 V

4.3V
ID = I R = V R / R =  2.15 mA
2 K
3. Determine V0 e ID para el circuito de la figura 3.1
Figura 3.1 Figura 3.2
Solución
Se puede determinar que la corriente resultante tiene la misma dirección que la de los
símbolos de las flechas de ambos diodos, y que resulta la red de la figura siguiente,
debido a que E = 12 V > (0.7 + 0.3) = 1 V. Nótese la fuente de alimentación de 12 V
vuelta a dibujar y la polariad de V0 en el resistor de 5.6 K. el voltaje resultante
V0 = E – VT1 - VT2 = 12 – 0.7 – 0.3 = 11 V
11V
ID = IR = VR / R = V0 / R 
5.6 K
 1.96 mA
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4. Determine ID , VD2 y V0 para el circuito de la figura 4.1
Figura 4.1
Solución
Eliminando los diodos y determinando la dirección e la corriente resultante I se

producirá el circuito de la figura 4.2. Hay igualdad en la dirección de la corriente para
el diodo de silicio, pero no para el de germanio. La combinación de un corto circuito
en serie con un circuito abierto siempre da como resultado un circuito abierto e ID =
0A como se muestra en la figura 4.3
Figura 4.2
Figura 4.3
Persiste la pregunta en cuanto a para que sustituir el diodo de silicio. Reacuérdese

simplemente para el diodo práctico real que cuando VD = 0 V, id = 0 A (y viceversa) .
Las condiciones descritas por VD1 = 0 V e ID = 0A se indican en la figura 4.4
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Figura 4.4
La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj

produce
E – VD1 – VD2 – V0 = 0
VD2 = E – VD1 – V0 = 12 V – 0 – 0 = 12 V
V0 = 0 V
5. Determine I, V1 , V2 y V0 para la configuración cd en serie de la figura 5.1
Figura 5.1
Solución
Se dibuja las fuentes y se determina la dirección de la corriente como se indica en la

figura 5.2 los diodos están en el estado “de conducción” y el modelo aproximado se
sustituye en la figura 5.3
E1  E2 - VD 10  5  0.7 14.3
I    2.1mA
R1  R2 4.6 K  2.2 K 6.8K
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V1 = I R1 = (2.1mA)(4.6K) = 9.66 V
V2 = I R2 = (2.1mA)(2.2K) = 4.62 V
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a la sección de la salida en el sentido de las

manecillas del reloj, tenemos
- E2 + V2 – V0 = 0
V0 = V2 – E2 = 4.62- 5 = - 0.38 V
El signo negativo indica que V0 tiene una polaridad opuesta a la que aparece en la
figura 5.3
6. Determine V0, I1, ID1 e ID2 para la configuración de diodo en paralelo de la figura 6.1
Solución
Para el voltaje aplicado, la “presión” de la fuente persigue establecer una corriente a

través de cada diodo en la misma dirección que se muestra en la figura 6.2. Como la
dirección de la corriente resultante corresponde con la flecha en cada símbolo de
diodo y el voltaje aplicado es mayor a 0.7 , ambos diodos están en estado de
“conducción”. El voltaje de elementos en paralelo siempre es el mismo
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V0 = 0.7 V
La corriente
VR E - VD 10  0.7
I1=    28.18 m A
R R 0.33K
Suponiendo que los diodos tienen características similares, tenemos
I1 28.18
ID1 = ID2 =   14.09 m A
2 2
7. Determine la corriente I para la red de la figura 7.1
Figura 7.1
Solución
Volviendo a dibujar la red como se muestra en la figura 7.2 revela que la dirección de
la corriente resultante es tal que activa el diodo de silicio y desactiva el de germanio.
La corriente resultante I es consecuentemente
Figura 7.2
E1 - E2 - VD 20  4  0.7
I   6.95mA
R 2.2 K
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8.
a. Dibuje la salida v0 y determine el nivel de cd de la salida para la red de la figura 8.1
b. Repita el inciso a) si el diodo ideal se sustituye por un diodo de silicio
Figura 8.1
Solución
a) En esta situación el diodo conducirá durante la parte negativa de la entrada, como

se ilustra en la figura 8.2 y v0 aparecerá como se muestra en la misma figura. Para el
periodo completo, el nivel de cd es
Vcd = - 0.318 Vp =  0.318( 20)   6.36 V
El signo negativo indica que la polaridad de la salida es opuesta a la polaridad

definida de la figura 8.1
b) Al emplear un diodo de silicio, la salida tiene la apariencia de la figura 8.3 y
Vcd =  0.318(Vp - 0.7)  0.318(19.3)   6.14 V

la caída resultante en el nivel de cd es de 0.22 V o de aproximadamente 3.5%
Figura 8.2
el voltaje pico inverso (VPI) nominal del diodo es de fundamental importancia en el

diseño de sistemas de rectificación. Recuérdese que este valor nominal de voltaje no
debe excederse en la región de polaridad inversa o el diodo entrará en la región de
avalancha del Zener. El valor VPI nominal requerido para el rectificador de media
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onda puede determinarse a partir de la figura 8.4 que despliega el diodo polarizado
inversamente con el voltaje pico aplicado. Haciendo uso de la ley de voltajes de
Kirchhoff, es bastante evidente que el VPI nominal del diodo debe igualar o superar
el valor pico del voltaje nominal aplicado. En consecuencia,
VPI nominal = Vp rectificador de media onda
Figura 8.3
9. Determine la forma de la onda de salida para la red de la figura 9.1 y calcule el nivel
de salida de cd y el VPI requerido para cada diodo.
Figura 9.1
Solución
La red aparecerá como se presenta en la figura 2.53 para la región positiva del voltaje
de entrada. Al redibujar la red de obtendrá la configuración de la figura 9.2, donde v0
= vi o V0(max) = Vi(max) = 5 V, como se muestra en la figura 9.2. En la parte negativa de
la entrada se intercambian los papeles de los diodos y v0 aparecerá cono se indica en
la figura 9.3
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Figura 9.2
El efectote eliminar los dos diodos de la configuración puente consistió, por tanto, en
reducción del nivel cd disponible al valor siguiente:
Vcd = 0.636(5) = 3.18 V
o al nivel disponible de un rectificador de media onda con la misma entrada. Sin

embargo, el VPI determinado de acuerdo con la figura 9.4 es igual al voltaje máximo
en R, que es de 5 V o la mitad que se requiere para el rectificador de media onda con
a misma entrada
10. Determine la forma de la onda de salida para la red de la figura 10.1
Figura 10.1
Solución
Para Vi = 20 V (0 T/2) se produce la red de la figura 10.2 El diodo se encuentra en

estado de corto circuito y V0 = 20 + 5 = 25 V. Cuando vi =  10 V resulta la red de la
figura 10.3, poniendo el diodo en el estado “de corte” y
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v0 = iRR = (0)R = 0 V
Figura 10.4
El voltaje de salida resultante aparece en la figura 10.4
11. Determine v0 para la red de la figura 11.1
Figura 11.1
Solución
La polaridad de la fuente de cd y la dirección del diodo sugieren fuertemente que el

diodo se encontrará en estado de conducción en la región negativa de la señal de
entrada. En esta región la red aparecerá como se muestra en la figura 11.2, donde las
terminales definidas para v0 = V = 4 V
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El estado de transición puede determinarse a partir de la figura 11.3, donde se ha

impuesto la condición id = 0A en vd = 0 V. El resultado es vi (transición) = V = 4V
Puesto que es evidente que la alimentación cd “fuerza” al diodo para que permanezca
en estado de corto circuito, el voltaje de entrada debe ser mayor de 4V para que el
diodo se encuentre en estado de “corte”. Cualquier voltaje de entrada menor que 4V
dará como resultado un diodo en corte circuito.
En el estado de circuito abierto, la red será como se muestra en la figura 11.4, donde
v0 = vi. Al completar la gráfica de v0 se obtiene la forma de onda de la figura 11.5
Figura 11.4
Figura 11.5
12. Repita el ejemplo 11 empleando un diodo de silicio con VT = 0.7 V
Solución
El voltaje de transición puede determinarse primero aplicando la condición id = 0A en

vd = VD = 0.7 V y obtener así la red de la figura 12.1. Al aplicar la ley de voltajes de
Kirchhoff alrededor de la malla de salida en la dirección de las manecillas del reloj,
encontramos
vi +VT – V = 0
vi = V- VT = 4 – 0.7 = 3.3 V
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para voltajes de entrada mayores de 3.3 V, el diodo se encontrará en circuito abierto y

v0 = vi. En el caso de voltajes de entrada menores que 3.3 V, el diodo entrará en
estado de “conducción” y se obtiene de la red de la figura 12.2, donde
la forma de onda de salida resultante aparece en la figura 12.3. note que el único
efecto de VT fue reducir el nivel de estado “de conducción” de 4 a 3.3 V
Figura 12.3
13. Determine v0 en la red de la figura 13.1 para la entrada indicada
Figura 13.1
Solución
Nótese que la frecuencia es de 1000Hz, lo que produce un periodo de 1ms y un

intervalo de 0.5ms entre niveles. El análisis se iniciará con el periodo t1t2 de la señal
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de entrada por que el diodo se encuentra en estado de corto circuito. En este intervalo,
la red aparecerá como se indica en la figura 13.2
Figura 13.2
La salida es a través de R, pero se encuentra también directamente a través de la

batería de 5 V si seguimos la conexión directa entre las terminales definidas para v0 y
las correspondientes a la batería. El resultado es v0= 5V para éste intervalo.
Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff alrededor de la malla de entrada se
obt6endrá como resultado
 20  Vc  5  0
Vc =25 V
El capacitor se cargará, por lo tanto, hasta 25V. en este caso el resistor R no se pone
en corto por el diodo , pero un corto circuito equivalente de Thevenin de esa parte de
la red, que incluye la batería y el resistor, dará lugar a RTH = 0  con ETH = V = 5 V.
En el periodo t2  t3 la red aparecerá como se indica en la figura 13.3
Figura 13.3
El equivalente en circuito abierto para el diodo hará que la batería de 5 V no tenga

ningún efecto sobre v0, y la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en torno a la
malla exterior de la red dará como resultado
 10  25  V0 = 0
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V0 = 35 V
La constante de tiempo de descarga de la figura 13.3 se determina mediante el

producto RC y su magnitud es
 = RC = (100K) (0.1f) = 0.01s = 10ms
El tiempo de descarga total es, por lo tanto, 5 = 5 (10ms ) = 50ms
Figura 13.4
Como el intervalo t2t3 durará tan solo 0.5 ms, es sin duda una buena aproximación
suponer que el capacitor sostendrá su voltaje durante el periodo de descarga entre
pulsos de la señal de entrada. Obsérvese que la excursión de salida de 30V equivale a
la excursión de entrada.
14. Repita el ejemplo 13 empleando un diodo de silicio con VT = 0. 7 V
Solución
En el estado de corto circuito la red se observa como se muestra en la figura 14.1 y v0

puede determinarse mediante la ley de voltaje de Kirchhoff en la sección de la salida
 5  0.7  V0 = 0
V0 = 5 – 0.7 = 4.3 V
Figura 14.1
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En la sección de entrada la ley de voltajes de Kirchhoff dará como resultado
 20  Vc  0.7  5  0
Vc = 25 – 0.7 = 24.3 V
Durante el periodo t2  t3 la red aparecerá en este caso como se muestra en la figura

14.2, con un único cambio de que el voltaje está en el capacitor. La aplicación de la
ley d voltaje de Kirchhoff produce
 10  24.3  V0 = 0
V0 = 34.3 V
La salida resultante se presenta de la figura 14.3, donde se verifica que las

excursiones de entrada y de salida son las mismas
15.
a. Para la red de la figura 15.1 determinar el rango de RL e IL que dará como
resultado a VRL manteniendo a 10 V
b. Determinar el wataje nominal máximo del diodo como regulador
Figura 15.1
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Solución
a) Para determinar el valor de RL que rezagará al diodo Zener al estado de

conducción.
RSVZ (1K)(10) 10K

RLmin =    250 
Vi - VZ 50  10 40
El voltaje del resistor Rs se determina entonces mediante la ecuación:
VRS = Vi – VZ = 50 – 10 = 40 V
Se pude determinar la magnitud de IRS
VRS 40
IR S    40 Ma
RS 1K
El mínimo de IL se determina por:
ILmin = IRS – IZM = 40 -32 = 8 mA
y RL máximo se determina con:
VZ 10
RLmax =   1.25 K
ILmax 8mA
b) Pmax = VZ-IZM
= (10)(32mA) = 320 mW
En la figura 15.2a se presenta una gráfica de VL versus RL y en la 15.2b para VL

versus IL
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Figura 15.2
16. Determinar el intervalo de valores de Vi que mantendrán en el estado de conducción

al diodo Zener de la figura 16.1
Figura 16.1
Solución
(RL  RS)VZ (1200  220)( 20)

Vi min =   23.67 V
RL 1200
VL VZ 20
IL =    16.67 mA
RL RL 1.2K
IRmaz = IZM + IL = (60 + 16.67) mA = 76.67 mA
Vi maz = IR max RS + VZ = (76.67 mA)(0.22K) + 20

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Vi maz =16.87 + 20 = 36.87 V
En la figura 16.2 se presenta una gráfica VL versus Vi
Figura 16.2
17. Una de las principales aplicaciones del diodo es a producción de una tensión continua
a partir de una fuente de alimentación de corriente alterna, proceso llamado
rectificación. Un subproducto a veces útil de la rectificación, consiste en señales de
frecuencia que son múltiplos integrales de la rectificación de alimentación. La figura
17.1 muestra un circuito rectificador de media onda
a) La tensión de la fuente senosoidal , vi = Vim cos 0t, donde Vim = 10 V. Hallar y

dibujar la forma de onda de la tensión de carga. Hallar su valor medio (c.c.)
b) repetir el problema a) si vi =  5  10 cos0t
Solución
a) La ley de Kirchhoff de las tensiones aplicada al circuito de a figura 17.1 da
vi = iDri + vD + iDRL
vi - vD
iD = ri  RL
Esta ecuación contiene dos incógnitas vD e iD, las cuales, a su ves, están relacionadas
par la característica del diodo. La solución para iD o vD requiere por lo tanto la
“sustitución” de la curva característica vi en la ecuación. Esto puede realizarse del
siguiente modo: La característica del diodo indica que solo puede circular corriente
positiva en el sentido de referencia. Ello requiere que vi > vD. Sin embargo, cuando el
diodo está conduciendo vD = 0, o sea que la corriente circula en el sentido positivo
solo cuando vi > 0.
Cuando vi es negativa, la circulación de corriente debería ser opuesta al sentido de

referencia ; pero el diodo no puede conducir en este sentido; así iD = 0 cuando vi <
0
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Figura 17.1
Figura 17.2
Esta explicación puede resumirse dibujando dos circuitos, uno de los cuales es válido
para vi > 0 y el otro para vi < 0, tal como se indica en la figura 17.2. Utilizando los
circuitos de la figura, pueden hallarse las incógnitas vD y iD. Así la corriente iD del
diodo es
 Vim  
  cos  0t cuando vi  0 
iD   ri  RL  
0 cuando vi  0 

y la tensión en la carga vL y la tensión de la señal vi están representadas en la figura

17.3. Obsérvese que la forma de la onda de la corriente es igual a la de tensión de
carga vL. Es una onda senoidal rectificada en media onda. Su valor medio se obtiene
dividiendo el área por el periodo, 2
 /2
 1  VLm 9
VL, DC =    (VLm cos 0t )d( 0t )    2.86 V
 2   / 2  
El desarrollo en serie de Fourier de vL(t) es
1 1 2 2 
vL(t) = VLm   cos  0t  cos 2 0t  cos 4 0t  ... 
  2 3 15 
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Figura 17.3
Figura 17.4
esta expresión muestra que el diodo además de generar el término de corriente

continua y otro de igual frecuencia que la fuente también ha generado términos de
frecuencia armónicas no incluidas en la tensión de la fuente.
Si el circuito debe producir una tensión continua, la componente de c.c. debe separase
de los armónicos filtrando vL(t)., Ello se hace por medio de un filtro simple pasivo tal
como los de la figura 17.4. el circuito de la figura 17.4a , representa un filtro simple
100
RC de paso bajo. Si por ejemplo, R y C se ajustan de modo que RC = y si
0
R>>RL, entonces la amplitud de la tensión de salida de von, a la frecuencia n0 es
VLn VLn
  cuando n  1
1   n 0 RC 
2 100
von
donde VLn es la amplitud de la tensión de carga a la frecuencia n0 (por ejemplo, VL2
= 2 VLm / 3 )
Utilizando el principio de superposición, la tensión de salida será

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 
 1 1 1 
v0(t)  VLm 


 

200
sen  0t 
300
sen 2 0t  ...  ...


Luego la tensión de salida consiste en una tensión continua VLm /  y una pequeña
tensión de ondulación vr, donde
 
 1 1 
 VLm  sen  0t  sen 2 0t  ...
vr 
 200 300 

La relación entre el valor eficaz de la tensión de ondulación y la tensión continua es

una medida de eficacia del filtro en la separación de la tensión continua de los
armónicos. Para el filtro RC del ejemplo
2 2

 1 
 
  vT( 0t )  d( 0t )
 2  0
(vr) rms
 VLm  1 1 VLm
     ... 
 2  200 2
(300 ) 2
280

  0.011
280
Así el valor eficaz de la tensión de ondulación es aproximadamente el 1% de la
tensión continua en la salida
Filtros mas complicados como los filtros LC y CLC que se muestran en la figura
17.4b, dan una tensión de ondulación mucho menor, que puede calcularse
aproximadamente utilizando el método anterior. El análisis exacto de los circuitos
rectificadores con filtro debe tenerse en cuanta la característica no ideal de los
diodos utilizados, y no se explicarán aquí
Figura 17.5
b) La forma de onda de vi se ha representado en la figura 17.5. en este caso se ha

añadido una polarización negativa a la señal . La forma de onda de vL se ha obtenido
considerando que la corriente circulará sólo cuando vi sea positiva. El tiempo exacto
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 t 1, en el cual empieza y termina la circulación de corriente se halla haciendo vi = 0 ;

entonces
 5  10 cos  0t 1  0
cos  0t 1  0.5
y

 0t 1  
3
De la simetría de la función coseno, se ve que el diodo conduce cuando
 
2 n    0t  2n 
3 3
así la tensión de carga es
  
- 4.5  9 cos  0t 2n -
3
  0t  2n  
3
vL   
0  5 
2n    0t  2n 
 3 3 
El valor medio de vL se encuentra como anteriormente
 /3
 1 
   ( 4.5  9 cos  0t ) d( 0t )
VL,dc  2   / 3
 1   9  
 (4.5)     sen 
 3     3
9  3 
  1 .5     0.98 V
  2 
18. La tensión de ondulación en el rectificador de medio onda se debe principalmente a la

componente de la señal de frecuencia fundamental 0. El rectificador de onda
completa da una tensión en la carga que tiene una ondulación cuya frecuencia menor
de 2 0, y además la componente de c.c. es el doble. Este tipo de circuito, una forma
del cual se indica en la figura 18.1, es por tanto más eficiente para la producción de
tensión continua con pequeña ondulación y se encuentra en la mayor parte de los
aparatos de radio y televisión. Es también el circuito rectificador básico de la mayor
parte de las fuentes de alimentación de corriente continua.
Etn503
Figura 18.1
El funcionamiento del circuito puede explicarse cualitativamente si el transformador

ideal se elimina trazando de nuevo la figura 18.1 tal como se indica en la figura 18.2a.
En esta figura se considera el transformador como una fuente de alimentación alterna
reflejada del primario en el circuito secundario, como toma central. Cuando vi es
positiva D1 es un cortocircuito. En cada caso la corriente de carga iL tiene el mismo
sentido positivo como se muestra en la figura 18.2a, y como uno u otro diodo de los
diodos D1 o D2, es cortocircuito en cada semiciclo alterno, la tensión en la carga puede
escribirse vL = v , las formas de onda de corriente y tensión se muestran en la figura
i
18.2b.
Figura 18.2
Etn503
El desarrollo en serie de Fourier para vL es

 
 2 4 4 
VL  VLm 

 

3
cos 2 0t
15
cos 4 0t ...


2
La componente de c.c. es VLm, que es dos veces mayor que el valor obtenido

utilizando el rectificador de media onda. Si vL pasa a través del filtro RC , con 0RC
= 100 como antes, la tensión de ondulación de salida se convierte en
 4 VLm  1 1 
vT    sen 2t - sen 4t  ...
 3  200 200 
y el valor eficaz (rms) de la tensión de ondulación
VLm
(vT)rms 
210
La relación entre la tensión de ondulación y la tensión continua es
(vT)rms 1
  0.0024
VL, dc 420
que es considerablemente menor que la obtenida utilizando un rectificador de media

onda.
19. Considérese el circuito de la figura 19.1a, con la señas de entrada de forma cuadrada
vi, tal como se muestra en la figura 19.2b. Para simplificar los cálculos, supóngase
para el diodo una característica de asimilación lineal vi dada por las ecuaciones:
0 vD  0

iD  vD 0  vD  1
2vD - 1 1  vD

esta característica se ha trazado en la figura 19.1c
Determinar la corriente de régimen iD del diodo
Solución
Aplicando la ley de Kirchhoff de las tensiones
Vdc + vi = 2 + vi = vD + iDZT
Etn503
Como que el valor para corriente continua de ZT es R1 y el valor para corriente

alterna es R1 R2
iD ZT = R1ID +  R1 RL  id = 2ID + id
donde ID es el valor medio de id y no es el mismo que IDQ debido a la distorsión. Sin

embargo, como por definición:
id = iD - ID
Figura 19.1
entonces
2 + vi = vD + I D + i D
La ecuación anterior tiene tres incógnitas vD, ID e iD. La característica vi del diodo es
de la forma iD = f(vD), y por tanto puede ser utilizada para eliminar una de las
incógnitas. Para eliminar la otra incógnita utilizaremos la siguiente relación
T /2
1
ID     id (t) dt
 T  T / 2
El problema consiste en resolver simultáneamente las tres ecuaciones
2 + vi = vD + I D + i D
iD = f(vD)
T /2
1
ID     id (t) dt
 T  T / 2
Es difícil obtener una solución incluso para las condiciones simplificadas de circuito
y señal de este ejemplo. Para resolver el problema se usa un método gráfico. Los
pasos utilizados para obtener la solución son los siguientes:
Etn503
1. suponer ID1 = IDQ (corresponde a la ausencia de distorsión, y se encuentra

fácilmente)
2. Utilizando el valor de ID, hallar la forma de onda de iD1 a partir de la
característica vi
3. Realizar la integración indicada en la última ecuación de la forma de onda de iD1,
para determinar iD2, si este valor es suficientemente aproximado para ID1, la
solución es la iD1 hallada en 2. Sin embargo, no será la solución cuando se
aparece alguna distorsión
4. Utilizando ID2 la primera ecuación, hallar iD2 como en el paso 2
5. Hallar el valor medio de iD2 para determinar ID3
6. Continuar el proceso hasta que IDn+1 sea suficientemente parecida a IDn
1. Hallar ID1 = IDQ para v =0 y tracemos la recta de carga de corriente continua en a

2
figura 19.2. De la figura IDQ = A; luego:
3
2
ID1 = A
3
Figura 19.2
Figura 19.2
2. Y obtenemos la siguiente ecuación
2
vD1 + iD1 = 2  + vi
3
esta ecuación pertenece a una familia de rectas de carga de corriente alterna de
pendiente -1, que corresponde a los diferentes valores de vi. La solución gráfica
de iD1 se muestra en la figura 19.3.
3. La integración es especialmente fácil para la onda cuadrada:

T /2
1 1.88
ID     id (t) dt =  0.94A
 T  T / 2 2
Este valor no es lo suficientemente parecido a ID1 = 0.6: así pues, deberemos

continuar las aproximaciones
Etn503
Figura 19.3
4. Utilizando ID2 = 0.94

vD2 + iD2 = 2 – 0.94 + vi
Como en el caso anterior, esta es la expresión de una familia de rectas de carga
de corriente alterna como se indica en la figura 19.4. El punto desplazado Q en
1.06
el cual vi = 0 (punto a en el diagrama) es iD(vi = 0) =  0.53 A, y el valor
2
de cresta de iD2(t) es 1.71 A
1.71
5. De la figura 19.4 ID3 =  0.855 A
2
Resumiendo hemos encontrado
ID1 = 0.67 A ID2 = 0.94 A ID3 = 0.85 A
El resultado tiende hacia ID  0.9 A (una nueva aproximación da como resultado

ID4 = 0.88 A ). Así la corriente del diodo en el circuito de la figura 19.1a tiene la
forma de onda de iD2(t) mostrada en la figura 19.4
Etn503
Figura 19.4
20. Un diodo Zener de 7.2 V se utiliza en el circuito de la figura 20.1 y la corriente de

carga puede variar entre 12 y 100 mA. Hallar el valor de ri necesario para mantener
esta corriente de carga si la tensión de la fuente de alimentación de de Vdc = 12 V
Solución
Para mantener un regulador shunt tal como este, se utiliza como valor mínimo de la
corriente en el diodo Zener, un factor empírico del 10% de la corriente máxima de
carga. Así la corriente mínima del diodo Zener para las condiciones específicas deberá
ser por lo menos de 10 mA
Aplicando la ley Ohm en el circuito,
Vdc - VL
ri =
Iz - IL
La tensión de los terminales de ri debe permanecer en el valor de 12 -7.2 = 4.8 V a lo

largo de todo el margen de regulación. La corriente mínima en el diodo Zener se
presentará cuando la corriente de carga sea máxima de modo que,
Vdc - VL Vdc - VL 4.8

ri =    43.5 
Iz, min - IL, max (1  0.1)IL, max 0.11
Etn503
Cuando la corriente de carga disminuya teniendo ri el valor fijo calculado antes, la

corriente del diodo Zener aumentará, permaneciendo la suma de las dos corrientes
constante e igual a 110 mA. Nótese que el diodo Zener debe ser capaz de disipar,
P = (7.2)(110 x 10-3)  0.8 W

Para evitar su destrucción en caso que la resistencia de carga quede en circuito
abierto (IL = 0, IZ = 110mA)
Escojamos un diodo Zener de 1W que tiene una tensión de 7.2 V cuando circula por el
una corriente de 10 mA, y una resistencia dinámica rd = 20 . Calcularemos las
variaciones de tensión de salida aplicada a la carga utilizando métodos gráficos.
La característica de vi de este diodo se muestra en la figura 20.2, también se ve la

curva para potencia máxima
T /2
1
Pz     vziz dt = VZQIZQ = 1 W
 T  T / 2
Esta es la ecuación de la hipérbola trazada en la figura 20.2. su intersección con la
característica vi da la corriente y la tensión máxima que puede resistir el diodo. Las
ecuaciones de las rectas de carga de corriente continua pueden hallarse dibujando de
nuevo la figura 20.1 tal como se indica en la figura 20.3. A partir del circuito en
cuestión se pude hallar la ecuación de la recta de carga,
Vz = 12 – 43.5(IL + iz)
Así
11.5 IL  12 mA
Vz + iz(43.5) 
7.65 IL  100 mA
Las dos rectas de carga del circuito se han presentado en la figura 20.2: A partir del
gráfico es evidente que la tensión inversa del diodo vz, y por lo tanto la tensión en la
carga vL, variarán de 7.2 V cuando IL = 100 mA a 11.5 V cuando IL = 12 mA. Nótese
que si el diodo Zener no estuviera presente, la tensión de carga variaría (manteniendo
ri = 43.5 ) de 7.7 V cuando IL = 100 mA a 11.5 V cuando IL = 12mA.
Luego veremos que el diodo Zener regula la tensión de los dos cambios de corriente
de carga. Eso sucede porque la impedancia es pequeña (2 ) comparada con la
7.2 V
resistencia de carga RL >  72
100 mA
Etn503
Figura 20.1
21. El diodo Zener de 7.2 V se utiliza en un circuito similar al de la figura 20.1, con una
tensión de ondulación de corriente alterna añadida a la tensión continua sin regular.
Tal como fue establecido anteriormente, estas tensiones son típicas de la salida de una
fuente de alimentación de corriente continua. La carga absorbe una corriente de
100mA.
Figura 21.1
La salida de la fuente alimentación sin regular puede representar con la ecuación
VT = 12 + cos t
Hallar la resistencia ri de la fuente de alimentación para un funcionamiento adecuado

y el valor de cresta de la tensión de ondulación presente en bornes de la carga
Etn503
Figura 21.2
Solución
La ecuación de la recta de carga de este problema se obtiene fácilmente si dibujamos

de nuevo la figura 20.1 tal como se indica en la figura 21.1. Así
vz = 12 + cos t - ri(0.1 + iz)
vz + riiz = 12 – 0.1ri + cos t
El problema pude resolverse gráficamente o analíticamente utilizando la característica

lineal del diodo de la figura 21.2. Utilizaremos el método gráfico por que da una
visión más clara del problema.
La gama de los posibles valores de la resistencia de la fuente de alimentación ri será

elevada debido a las corriente máxima y mínima admitidas en el diodo Zener.
Luego si iz, min = 10 mA, (que es el 10% de la corriente máxima), entones vz, min = 7.2
V, y
 12  7.2  cos t  3.8

ri      34.5
 0.1  0.01  min 0.11
Esta gama de valores se reducirá utilizando las tensiones y corriente máximas,
iz, max = 135 mA vz, max  7.4 V

El resistor ri de la fuente será,
 12  7.4  cos t  5.6

ri >     24 
 0.1  0 .135  max 0.235
Etn503
Figura 21.3
Escojamos ahora precisamente ri = 32 . La ecuación de la recta de carga, puede

trazarse en la figura 21.2, y puede determinarse la tensión de ondulación de salida.
Como se ve en la figura, la tensión de cresta de ondulación aplicada a la carga es de
7.33 -7.22 = 0.11 V compara con 2 V de tensión de ondulación de cresta de entrada.
22. Determinar un circuito equivalente para obtener una aproximación lineal de la función
Y = ln x en el margen de 0 < Y < 3.
Solución
En la figura 22.1 se tiene x   y para 0 < x < 3, será suficiente aproximación de los
tres segmentos, que concurren en los puntos,
Etn503
0 vT  1
i= 
1.61 vT  5
y el segmento 3 pasa por el punto i = 3, vT = 20.
Refiriéndose ala curva de asimilación lineal de la figura 22.1, para vT menor que 1V,
la corriente i es cero, mientras que 1 y 5 V la pendiente es la resistencia de 2.5. estas
condiciones se cumplen en circuito de la figura 22.2. Por encima de 5V la resistencia
aumenta a 10.8 .
Este segundo circuito debe ser un corto circuito para tensiones menores de 5 V
(corrientes menores de 1.61 A). Una configuración posible se muestra en la figura
22.3. Obsérvese que para i < 1.61 A, D2, es cortocircuito y los 1.61 A de la fuente de
corriente circulan a través de D2, Cuando i = 1.61 A, la corriente de D2, iD2, se hace
cero D1 es un cortocircuito, la ley de Kirchhoff de las tensiones da,
vT = (i – 1.61)(8.3) + 2.5i + 1 i > 1.61 A, vT >5 V
Figura 22.1
La pendiente de la curva de asimilación lineal de esta región es,
vT
 8.3  2.5  10.8 
i
tal como se requiere.

Cuando se intenta construir el circuito de la figura 22.3, utilizando resistencias y
diodos reales, aparecen ciertos problemas prácticos, ya que un diodo real tiene una
tensión de ruptura y una resistencia serie equivalente. Además la resistencia
equivalente se reduce con la corriente, lo cual produce una característica con
curvatura opuesta a la deseada.
Para solucionar estos problemas, generalmente se adoptan en las escalas de los
gráficos las unidades adecuadas para las variables (se realizan cambios de escala), de
Etn503
modo que en el circuito circulen miliamperios en vez de amperios. Para ver cómo se
hace esta transformación volvamos a la ecuación lineal y escalémosla
xy
Sustituyamos
x = avT
y = bi
Obtendremos
1
VT   
bi
a
Si b = 103, la corriente estará en miliamperios. Ajustando de un modo semejante al
valor de a, la tensión puede cambiar de escala independientemente. Evidentemente,
todos los valores de las resistencias también cambian. Si a = 1
Figura 22.2
Figura 22.3
y b = 103, todas las resistencias del circuito de la figura 22.3 quedarán multiplicadas
por 103, y las corrientes del nuevo circuito serán 103 las del original. Las tensiones en
el nuevo circuito serán las mismas que en el original. En general, los valores de las
tensiones deben escogerse bastante elevados para que la caída de tensión en el diodo
no cause grandes errores.
Una versión con cambio de escala del circuito de la figura 22.3 e muestra en la figura
22.4. En este caso la fuente de alimentación de 1 V se ha eliminado y D1, se ha
reemplazado por un diodo de silicio y uno de germanio en serie. La suma de las
tensiones de ruptura de estos diodos es aproximadamente iguala 1 V, y su resistencia
interna conjunta es mucho menor que 2.5 K para las corrientes consideradas de
modo que entre 1 y 1.61 mA se obtendrá una característica aproximada a la línea
recta.
Etn503
La fuente de corriente se ha reemplazado se ha reemplazado por una batería de 13.5 V

en serie con el resistor de 8.3 K
Figura 22.4
23. Hállese utilizando circuitos lineales por tramos, la solución simultanea a las
ecuaciones,
y  x2 0<x<2
yx 0<x<2
La solución es, por supuesto, x = 1. Véase como puede obtenerse esta solución
electrónicamente.
Solución
Representemos primero la ecuación y  x 2 por medio de tres segmentos de recta tal

como se ve en la figura 23.1. Un método rápido para escoger los segmentos lineales
es dividir el intervalo en partes iguales tal como se indica. Empecemos con los
segmentos 1 y 2, siendo sus pendientes en los puntos considerados (en este caso x =
0 x = 2). Si el error entre la curva de asimilación lineal y la ecuación verdadera no
lineal es demasiado grande, añádase un tercer segmento como se indica. La
pendiente del segmento 3 es la pendiente en el punto x = 1.
Etn503
Figura 23.1
Si el error es todavía demasiado elevado, podrían añadirse los segmentos en los

puntos x = ½ y x = 3/2, etc. Nótese que incluso con tres segmentos el error puede
reducirse simplemente colocando el segmento 3 como cuerda en vez de tangente a
la curva. (Como los cálculos se simplifican utilizando una tangente, no tendremos
en cuenta la posible reducción del error )
Figura 23.2
Hagamos ahora
y = i en mA
x = v en voltios
Así el circuito de y  x 2 puede construirse como se indica en la figura 23.2.

Etn503
El circuito de y  x es simplemente una resistencia de 1 K. Para hallar la

solución simultanea de las ecuaciones de las ecuaciones hacemos que x sea la
misma en los dos circuitos conectándolos en paralelo, como se muestra en la figura
23.3
La tensión v = V1 se hace variar hasta que i = i1. En este punto v = V1 e i = i1
representan la solución simultanea de las ecuaciones. Para este caso sencillo v=
V1 = 1 V e i = i1 = 1 mA dan la solución
Figura 23.3
Un método alternativo consiste en conectar la resistencia de 1 K en serie con la

red y  x 2 , haciendo entonces la corriente y sea la misma en los dos circuitos. La
tensión de entrada se hace variar hasta que la tensión (x) aplicada a cada circuito sea
la misma.
24. Utilizar el resultado del ejercicio 23 para resolver la ecuación diferencial no lineal
dx
 x 2  f (t )
dt
con x(0) = 0 y f (t )  4
Solución
Como en el ejemplo anterior, hagamos x análogo a v, de modo que el circuito de la

figura 23.2 pueda ser utilizado como segundo término de la ecuación. Esto da una
corriente en mA igual a v2. el primer término puede representarse como un
condensador de 1000F, en el cual la corriente es,
dv
i=C
dt
Etn503
Figura 24.1
De este modo tenemos corrientes análogas a los dos términos variables de la

ecuación diferencial. Esto sugiere que se puede utilizar la ley de Kirchhoff de las
corrientes para sumar las corrientes de los 4 mA de la fuente de corriente constante,
como se indica en la figura 24.1
Si el interruptor está abierto en t = 0, con el condensador descargado de modo que v

(0) = 0, un osciloscopio conectado al circuito registrará la solución v(t)
El alumno observará que puede tomarse una condición inicial distinta de cero con el
condensador cargado. Una f (t ) diferente requeriría simplemente una fuente de
corriente con la misma forma de onda de f (t )
Etn503
TRANSISTORES
1.-
a) Encuentre la beta de cd en un punto de operación de VCE= 10 V e Ic=
3 mA sobre las características de la figura1.1.
b) Encuentre el valor de  correspondiente a este punto de operación.
c) A VCE= 10 V encuentre el valor correspondiente de Iceo.
d) Calcule el valor aproximado de Icbo empleando la cd obtenida en el
inciso a)
Fig. 1.1
Solución:
Etn503
a) En la intersección de Vce=10 V e Ic= 3 mA , IB= 25 A por lo que:
= Ic/Ib= 3mA/25A= 120
b) =  = 120  0.992
+1 121
c)Iceq= 0.3 mA en la intersección de Vce = 10 V e Ib= 0 mA.
d) Icbo Iceo/ = 0.3mA/120 = 2.5A
2.- Calcule los voltajes y corrientes de polarización de cd para el circuito de la figura2.1.
Fig 2.1
Solución:
Ib = Vcc – Vbe = (12 – 0.7) V = 47.08 A
Rb 240 k
Ic= Ib= 50 (47.08 A) = 2.35 mA
Vce= Vcc – IcRc= 12 V- (2.35mA)(2.2 k)= 6.83 V
3.- Calcule el voltaje y la corriente de colector para el circuito de la figura3.1.
Fig 3.1
Solución :
Ib= Vcc- Vbe = (22- 0.7) V = 31.32 A
Etn503
Rb 680k
Ic= Ib = 120(31.32A) = 3.76mA
Vc= - (Vcc- IcRc) = - (22V- (3.76mA)(3.3k))= - 9.6 V

4.- Calcule el voltaje de polarización de cd , Vce , y la corriente Ic en el circuito de la
figura 4.1:
Fig4.1
Solución:
Ib= Vcc – Vbe = 20V – 0.7 V = 19.3 = 36.35 A

Rb +(+1)Re 430k+101(1k) 531 k
Ic= Ib = 100(36.35)A= 3.635 mA = Ie
Vce= Vcc- IcRc – IeRe= 20 V – 3.635mA(2k ) – 3.635mA(1k) =9.1 V
5.- Calcule el valor de la resistencia de colector Rc, necesaria para obtener Vc = 10 V ,

utilizando el circuito de la figura 4.1
Solucion:
Ib= Vcc - Vbe = 20 V – 0.7 V = 36.35 A

Rb+ (+1)Re 430+101(1k)
Ic= Ib = 100(36.35)A= 3.635 mA = Ie
Nótese que Ib e Ic siguen siendo los mismos valores que se calcularon en el ejemplo 4
Entonces tendriamos:
Vc= Vcc – IcRc
10 = 20 – (3.635 x 10e-3) Rc
que se puede resolver para Rc según:
Rc= 20 – 10 = 2.75 k
Etn503
3.635x10e-3
6.- Calcule el voltaje de polarización de cd Vce y la corriente Ic para el circuito de la figura

6.1. =140
Solucion:
Vbb = Rb2 Vcc = 3.9 k (22V) = 2 V

Rb1 + Rb2 39K + 3.9 k
Rbb= Rb1· Rb2 = 39 k· 3.9 k = 3.55 k

Rb1 + Rb2 39k+ 3.9 k
Ib= Vbb – Vbe = 2 V – 0.7 V = 6.05 A

Rbb+ (+1)Re 3.55k + 141(1.5k)
Ic = Ib = 140(6.05A)= 0.85 mA = Ie
Vce= Vcc – Ic(Rc+Re) = 22 V – 0.85 mA(10k+1.5 k)

= 22 V – 9.8 V = 12 .2 V
Etn503
7.- Calcule la corriente de polarización de cd , Ie , y el voltaje de polarización de cd , Vce,

para el circuito de la figura 7.1 empleando retroalimentación de voltaje.
Fig. 7.1
Solución:
La resistencia de retroalimentación Rb es la suma de las resistencias entre el colector y
la base (el capacitor en la trayectoria de retroalimentación de ca se encarga de atenuar o
bloquear la señal de retroalimentación de ca y no tiene efecto sobre el calculo de la
polarización de cd )
Ib = Vcc – Vbe = (10 – 0.7 ) V = 20.03 A

Rb + (+1)(Rc+Re) 250k +(51)(3k+1.2K)
Ie = (+1) I b= 51 ( 20.03A) = 1.02 mA

Vce= Vcc – Ie(Rc + Re) = 10 V – (1.02mA)(3k+ 1.2 k )
= 10 - 4.28 = 5.72 V
8.- Calcule la corriente Ic y el voltaje Vc de colector de cd para el circuito de la figura8.1:
Fig 8.1
Solución:
Etn503
Ib = Vcc – Vbe = (18 – 0.7 ) V = 20.03 A

Rb + (+1)(Rc+Re) 300k +(76)(2.4k+510)
Ic = (+1) I b= 76( 33.2A) = 2.49 mA

Vc= Vcc – Ic(Rc ) = 18 V – (2.49mA)( 2.4 k )
= 12.02 V
9.- Calcule el voltaje de polarización Ve y la corriente Ic para el circuito de la figura9.1:
Fig. 9.1
Solución:
Vee- IeRe – Vbe – IbRb= 0

Ib = Vee – Vbe = (20 – 0.7 ) V = 48.01 A
Rb + (+1)(Re) 240k +(81)(2k)
Ic = () I b= 80( 48.01A) = 3.84 mA= Ie

Ve= Vee– Ie(Re) = 20 V – (3.48mA)( 2 k)
= 12.32 V
10.- Calcule el voltaje de colector Vc para el circuito de la figura10.1 . Emplee el método
aproximado del divisor de voltaje.
Fig. 10.1
Solución:
Vb= Rb1 Vee = 43 k (10V) = 8.11 V

Etn503
Rb1+ Rb2 43k+10k
Ve= Vb + Vbe = 8.11 V + 0.7 V = 8.81 V
Ie= Vee – Ve = 10 V – 8.81 V = 0.595 mA = Ic

Re 2k
Vc= IcRc= (0.595mA)(6.2 k) = 3.69 V
11. Calcule los valores de las resistencias Re, Rc y Rb en un circuito de amplificador de
transistor que tenga estabilización por resistencia en emisor . La ganancia de corriente de
un transistor npn 2N4401 por lo común es de 90 a una corriente de colector de 5mA .
Utilice un voltaje de alimentación de 20 V.
Solución:
El punto de operación elegido a partir de la información del voltaje de alimentación y el

transistor es Icq= 5 mA y Vceq= 10 V.
Ve q= 1/10 (Vcc) = 1/10 (20 V) = 2 V
La resistencia del emisor es entonces
Re= Ve = 2V = 400 
Icq 5mA
El cálculo de la resistencia del colector produce :
Rc = Vcc – Vceq - Veq = (20 – 10 –2 ) V = 8 V = 1.6 k

Icq 5m A 5 mA
Al calcular la corriente de base utilizando
Ibq= Icq/  = 5mA/ 90 = 55.56  A
Observamos que la resistencia de la base se calcula como :

Rb = Vcc – Vbe - Veq = ( 20 – 0.7 – 2) V = 17. 3 V
Ibq 55.56 A 55.56 A
Etn503
= 311 k
12.- En un circuito en el que se utiliza un transistor tipificado por los parámetro de la

Tabla 5.1, calcule cambio en Ic de 25ºC a 100ºC para
polarización fija (Rb/Re)
Rb/Re = 11
Rb/Re = 0.01
Solución:
DE 25ºC a 100ºC el cambio en Icq es
Ico= (20 – 0.1) nA = 20 nA

a) Para la polarización fija S= +1 = 51 . Usanso la definición de estabilidad , obtenemos
Ic = S (Ico) = 51(20nA) = 1A
b) Para Rb/Re = 11 S=51(1+11)/(51+11)= 10
Ic = 10Ico = 10(20nA) = 0.2A

c) Para Rb/Re = 0.01 , s= 51(1.01)/(51+0.1) = 1
Ic= 1(20nA) = 20nA

En tanto que el cambio en Ic es considerablemente diferente en un circuito que tiene una
estabilidad ideal (S=1) y en uno que tiene el factor de estabilidad máximo (S=51, en
este ejemplo) , el cambio en Ic no es significante . Por ejemplo , la cantidad de cambio
en ic a partir de una corriente de polarización de cd fijada en digamos 2 mA , sería
de 2 mA a 2.01 mA (solo 0.05 %) en el peor de los casos , valor que es evidentemente
lo bastante pequeño como para ignorarse . Algunos transistores de potencia presentan
corrientes de fuga más altas , aunque para la mayor parte de los circuitos
amplificadores , el efecto del cambio de Ico con la temperatura es pequeño.
13.- Determine la corriente de drenaje de un FET de canal n que tiene un voltaje de

oclusión Vp= - 4V y una corriente de saturación de drenaje-fuente Idss= 12 mA a los
siguientes voltajes de compuerta-fuente:
a) Vgs = 0 V b) Vgs= - 1.2 V c) – 2 V
Etn503
_Solución:
empleando la ecuación de Shockley obtenemos:
a) Id = Idss ( 1 – Vgs/Vp)2 = 12mA ( 1 – 0/-4)2 = 12 mA
b) Id= 12mA( 1 – -1.2/-4)2 = 5.88 mA
c) Id = ( 1 – -2/-4)2 = 3 mA
14.- Un MOSFET de vaciamiento tiene Idss= 12 mA y Vp = -4.5 V . Calcule la corriente

de drenaje para los voltajes compuerta-fuente de a) 0 V
b) –2 V c) –3 V
Solución: Empleando la ecuación de Shockley se obtiene:

a) Id = Idss( 1 – Vgs/Vp)2
= 12 m A
b) Id = 12 mA( 1 – -2 /-4.5)2
= 3.7 mA
c) Id = 12 mA( 1 – -3/-45)2
= 1.33 mA
15.- Determine los valores de Vgs e Id en el circuito de la figura15.1:
Fig . 15.1
Solución:
Para graficar la característica de transferencia del JFET :
Vgs (V) Id ( mA)
0 10
-1.2 5
-2.0 2.5
-4.0 0
Etn503
Para graficar la linea de autopolarización se tiene:

Id (mA) Vgs (V)
0 0
2.67 -4
La figura 15.2muestra la gráfica de las líneas de la características de transferencia y de

autopolarización con la polarización de cd resultante a:
Vgsq= -2.4 V y Idq = 1.6 mA
Fig 15.2
16.- Determine el intervalo de valores de Rs que haga posible una polarización de cd entre
Idss/2 e Idss/4 en el circuito de la figura 15.1
Solucion:
Empleando la característica de transferencia dibujada en el anterior grafíque la línea de
autopolarización a través de los puntos
Id= Idss/2 = 10mA/2 = 5mA
Id= Idss/4 = 10mA/4 = 2.5 mA
Estos puntos se marcan sobre las líneas de la característica de transferencia y de

autopolarización y después se unen desde el punto (0,0) sobre los ejes
,como se muestra en la figura 16.1.
Los valores de Rs se determinan entonces a partir de la pendiente de cada línea:
Rs( para Idss/2)= Vgs/Id = 1.2V/5mA= 240 

Rs ( para Idss/4)= Vgs/Id = 2V /2.5 ma= 800
Manteniendose los valores de Rs entre 240 y 800  se polariza el circuito para valoresde
Id entre 2.5 y 5 mA como se deseaba.
Etn503
Fig 16.1
17.- Determine la corriente de autopolarización de id en el circuito de la figura 17.1.
fig 17.1
Solución:
La característica de transferencia se dibuja en la figura 17.2:

Empleando:
Vgs Id
0 8
-1.2 4
-2 2
-4 0
El voltaje de compuerta Vg se calcula usando la ecuación:
Vg= 270 k (16 V) = 1.82 V
2.1M+270k
y la línea de autopolarización se obtine empleando la ecuación :
Vgs = 1.82 V – Id(1.5k)
Para Id = 0: Vgs= - 1.82 V
Para Vgs=0_ Id = -Vgs/Rs = 1.82V/1.5k= 1.21 mA

Id Vgs
0 1.82
1.21 0
Etn503
Fig 17.2
Esta línea de autopolarización de cd interseca la característica de transferencia del
dispositivo en
Vgsq= -1.8 V y Idq= 2.4 mA
18.- Dibuje la característica de transferencia para el MOSFET de vaciamiento de canal n
de la figura18.1.
Fig 18.1
Solución:
La grafica de la característica de transferencia puede obtenerse a partir de la ecuación de

Shockley empleando Vp=-3 V e Idss= 6mA
Id= 6mA( 1 – Vgs/-3 V)2

Además de los puntos tabulados que se mostraron antes también es posible utilizar Vgs
=0.4Vp , para el cual:
Id=Idss( 1 –0.4Vp/Vp)2
= 1.96 Idss = 2Idss
Vgs (V) Id (mA)

1.2 12
0 6
-0.9 3
-1.5 1.5
-3 0
La figura muestra la característica de trasferencia del dispositivo resultante.
Etn503
19.- Calcule los valores autopolarización de Id y Vds para el circuito de la figura19.1.
Fig. 19.1
Solución:
Empleando Vt = 3v y K= 0.3mA/V·V , es posible elaborar una gráfica de la característica
de drenaje del MOSFET de canal n aplicando la ecuación para calcular los datos que se
listan a continuación:
Vgs(V) Id (mA)
3 0
5 1.2
7 4.8
9 10.8
La línea de carga de la ecuación de Shockley se grafica en la figura 19. 2 empleando los

datos siguientes:
Vds= 12 V – Id (2k)
Id (mA) Vgs(V)
0 12
6 0
De la intersección de las dos curvas los valores de polarización resultantes son:
Id = 2.9 mA y Vds = 6.1 V
Etn503
Fig 19.2
20.-Determine Id y Vd para el circuito de la figura 20.1, empleando un FET de canal p
Fig 20.1
Solución:
En este JFET de canal p las ecuaciones que se usaran son:
Vgs= Id · Rs = Id (0.36k) (1)
Id= Idss ( 1 – Vgs/Vp)2

= 7.5 mA( 1 – Vgs/3.5V)2
Estas curvas se grafican en la figura20.2 empleando los datos siguientes:

ECUACION 1 ECUACION 2
Id mA Vgs V ID mA Vgs V
0 0 7.5 0
9.7 3.5 3.75 1.05
1.875 1.75
0 3.5
Etn503
Fig 20.2
DE la intersección de estas graficas en la figura:
Id= 3.3 mA Vgs = 1.2 V

El voltaje Vds es por tanto
Vd = Vdd + IdRd = -22 +(3.3mA)((2.7k)= -13.09 V

Vs= -IdRs= -(3.3mA)(360) = -1.19 V
Vds= Vd – Vs = -13.09 – (-1.19V) = -11.9 V
21.- Diseñe un circuito de autopolarización tal como el de la figura 21.1 para que opere un
JFET de silicio de canal n 2N5959 empleando un voltaje de alimentación de Vdd = 20 V
Fig 21.1
Solución:
De la hoja de especificaciones del dispositivo obtenemos los siguientes valores:
BVgss= - 30 V
Igss= - 200 nA
Vgs= -2.5 a –6V (usese Vp= -4 V)
Idss= 10 mA a 15 mA ( ususe Idss= 12 mA)
1.- Un voltaje de alimentacion Vdd = 20 V es satisfactorio respecto al voltaje de ruptura
de 30 V
2.- Eligiendo una caida de voltaje de 0.1 V como un valor que puede despreciarse en el
presente circuito tenemos IgssRg<0.1 V
Rg< 0.1V/200nA= 5x 10e5= 500k (usese 470k)
3.- Como Vp = -4 V e Id no esta especificada , la elección de cualquier voltaje , por
ejemplo , entre –0.5 V a-3 V , caería muy bien dentro del intervalo . En el presente
ejemplo la elección es :
Vgs= -1 V
Para el cual
Id= 12 mA( 1 – -1/-4)2
=6.75 mA
Como Vg = 0 V
Etn503
Vs = Vg – vgs = 0 – (-1V) = 1 V
De Vs = IdRs
Rs= Vs/ Id = 1V/6.75mA= 148  (usese 150 )

4.- Para el valor de Vd dentro del intervalo:
1V< Vd< 20 V
s elige Vd = 12 V en el punto de polarización . Puesto que Vd= Vdd- IdRd,
12 V= 20V – (6.75mA)Rd
Rd= 20V – 12V = 1.185 k (usese Rd = 1.2 k)

6.75mA
22.- Complete el diseño de un circuito de polarización por divisor de voltaje de JFET de

canal p empleando un 2N5462 y un voltaje de alimentación de Vdd = -30V, polarizado
como se muestra en la figura 22.1.
Fig 22.1
Solución:
De acuerdo con la hoja de especificaciones:
Idss= 4 mA a 16 mA (usese Idss= 10mA)

Vgs= 1.8 V a 9V (usese Vp = 6 V)
El punto de polarización deseado que se muestra en la figura es:
Vgs= 1 V e Id = 6.9 mA
Etn503
Para Vgs= Vg- Vs

1= -8- Vs
Vs= -9 V
Como: Vs= -IdRs
Rs= -Vs/Id= -(-9)/6.9mA= 1.3x10e3 (usese 1.3 k).
Para
Vg= Rg2 Vdd
Rg1+Rg2
-8 = Rg2 (-30V)
Rg1+Rg2
1+ Rg1/Rg2= -30V/-8V= 3.75

Rg1/Rg2=2.75
Eligiendo Rg2= 10M
Rg1= 2.75(10M)= 27.5 M (usese 27 M)
El voltaje de drenaje , Vd , debe encontrarse entre Vdd= -30 V y Vs= -9 V . Selección

Vd=-12 V , obteniendose
Vd= Vdd +IdRd
-12 V= -30V + (6.9mA) (Rd)
Rd= 30 V – 12 V = 2.61x10e3  (usese Rd =2.7 k)

6.9 mA
EL circuito resultante se muestra en la figura 22.2
Fig 22.2
23.-Determine la condición de polarización de cd en el circuito de la figura23.1:
Etn503
Fig 23.1
Solución:
En el circuito de polarización por divisor de voltaje de la figura primero calculamos:
M= Vp/(Idss·Rs) = 0.31
Vgg= Rg2 Vdd= 510 k (16V)= 1.6 V
Rg1+Rg2 4.7 M+510k
M´=M·Vgg/Vp= 0.31·1.6/3 =0.165

Para graficar la línea de polarización debemos unir una línea que tenga la misma pendiente
( mismos valores de Rs y del FET) que en ejemplo anterior , pasando por el punto M´=
0.165 . Esto se logra en forma sencilla uniendo una linea entre el punto M´= 0.165 a lo
largo del eje M´ y un punto a lo largo del eje M que es 0.31 más alto. De la figura 23.2
vemos que esta línea produce un punto de polarización
Vgs/Vp=-0.44 y Id/Idss= 0.3
Del cual calculamos Vgsq= -0.44(3)= -1.32 V

Idq= 0.3(6 mA) = 1.8 mA
Entonces podemos calcular Vdsq = Vdd – Id(Rd+Rs)
= 16 – 1.8mA(3.9k+ 1.6k) = 6.1 V
Fig 23.2
24.-Determine Zi , Zo , Ao y Ai en la red de la figura 24.1:
Etn503
Fig 24.1
Solución:
Parámetros hibridos (aproximado)

Zi :
Rb = 560 k >>hie =1300
Entonces:
Zi= hie=1300k
Zo:
Zo= Rc= 3 K
Av:
Av= - hfeRc = -100 · 3k

Hie 1.3k
Ai:
Ai hfe = 100
25.- Determine Zi, zo ,Av y Ai para la red de la figura 25.1 empleando el enfoque del
modelo re.
Fig 25.1
Solución:
Cd:
Vbb= Rb2 Vcc= 5.6k(22V) = 2V

Rb1+Rb2 56k+5.6k
Rbb= Rb1Rb2 = 56K5.6k= 5.09k 
Ib= vbb – Vbe = 2– 0.7

Rbb+(1+)Re 5.09k+(1+90)1.5k
= 9.18A
Etn503
Ic = Ib = 90(9.18A) = 0.826 mA= Ie
Re= 26mV/Ie= 26/0.826  31.5 
Zi:
Rbb= Rb1Rb2= 56k5.6= 5.09k
Zi= Rbbre= 5.09k90(31.5) = 5.09k2835

=1821 k
Zo:
Zo = Rc = 10 k
Av:
Av= -Rc/re = -10k/31.5= -317.5
Ai:
Ai= Rbb  = 5.09k(90) = 57.8
Rbb+re 5.09k+90(31.5)
26.- Determinese Zi , Zo, Ai , Av para la red de emisor-seguidor de la figura 26.1:
fig 26.1
Solución:
Zi:
Zb = hie + (1+ hfe)Re
= 1.275 k+(1+98) 3.3k
 327.98 k
y Zi = RbZb
= 220k327.98k
= 131.68 k
Zo:
Zo= Re hie/(1+hfe)

=3.3k1.275k/(1+98)
Etn503
= 3.3k12.9
 12.9 
Av:
Av= Re .
Re+(hie/(1+hfe))
= 3300
3300+12.9
=0.9961
Ai:
Ai= (1+hfe)Rb
Rb + Zb
= (1+98)220k
220k+327.98k
= 39.75
27.- Determine Zi, Zo, Av y Ai en la red de la figura 27.1 Nótese que no se han incluido
los parámetros híbridos.
Fig 27.1
Solución:
Ie= Vee – Vbe = 2- 0.7 = 13 = 1.3 mA
Re 1k 1k
.re = 26mV/Ie= 26/1.3= 20

Zi:
Zi= Rere= 1k20

= 19.6 
Zo:
Zo= Rc
= 5 k
Av:
Av= Rc/re = 5 k/20= 250
Ai:
Etn503
Ai=1
28.- Determine Zi, zo, Av, Ai para la red la figura 28.1 empleando el modelo re
Fig 28.1
Solución:
Análisis de cd (capacitor C3 en circuito a bierto):
Ib= Vcc- Vbe

Rf+ (+1) Rc
= 12 - 0.7
(120k+68k) +(140+1)3k
= 11.3/611k  18.5A
Ic= Ib = 140 (18.5A) = 2.59 mA = Ie

Y re= 26mV/Ie = 26/ 2.59  10.04 
Con re= 140 (10.04) 1.4 k
La red equivalente ca se presenta en la figura 28. 2
Fig. 28.2
Zi:
Zi= Rf1re = 120k 1.4 k
 1.38 k
Zo:
Zo= RcRf2 = 2.87k
Av:
Etn503
Av= -hfe·R´/hie = -R´/re = - R´/re

= -2.87k/10.04
= -285.86
Ai:
Ai= Rf1 Rf2
(Rf1+re)(Rf2+Rc)
= 140(120k) 68k .
(120k+1.4k)(68k+3k)
= 132.54
29.- Determine Zo, Zent, Zi , Av, Ai en el amplificador de dos etapas de la figura. 29.1
Fig. 29 .1
Solución:
Los capacitores de acoplamiento C1 y C2 aislan la polarización ca de cada etapas y la

carga de la segunda etapa es simplemente la resistencia de entrada Zi2= 15. k .El
equivalente ca aparece en la figura 29.2 con Rbb =Rb1Rb2= 39k9.1k= 7.378k.
Etn503
Fig 29.2
Zi:
Como antes encon la ecuacion:
Zi = Rbbhie= 7.378k2.125k
= 1.65 k
Zent:
Zent= Zi + Rs = 1 k+ 1.65 k

= 2.65 k
Zo:
Zo= Rc= 3.3 k
Av: Ecuaciñon modificada solo por el hecho de que Rc se sustituye por RcRL.
Av = Vo/Vi = -hfe(Rc RL) = -120(3.3k 1.5k ) = -120(1.03k)

Hie 2.215k
2.125k
Av= -58.16
Nótese que Rl tuvo el efecto de disminuir la ganancia total desde un nivel de –186 con la
sola presencia de Rc.
Avs=
De la ecuación
Avs= Vo = Vo Vi
Vs Vi Vs
Con Vi/ Vs = Zi/(Zi+Rs) = 0.623
Y Avs= Vo/Vs= (-58.16)(0.623)

= -36.23
reduciendo aún más la ganancia .
Ai:
De la ecuación:
Ai = ZiAv
RL
= 1.65k(58.16)/1.5k
= 63.98
Etn503
30.- Calcule los factores del circuito Av, Ri y Ro para el amplificador JFET de la figura
30.1 supongase que Rd puede ignorarse.
Fig 30.1
Solución:
La polarización cd considerada produce Vgsq= -0.94 V . En este punto de polarización ,

el valor de gm , empleando las ecuaciones es:
Gmo= 2Idss = 2(8mA) = 4 mS

Vp -4V
y gm = gmo( 1 – Vgsq/Vp) = 4mS(1 – (-0.94/-4))
= 3.06 mS
Utilizando las ecuaciones para el valor de la ganancia se obtiene:
Av= -gm Rd = -(3.06mS)(1.2k)= -3.67
Ri = Rg = 1 M
Ro= Rd= 1.2 k
La ganancia de voltaje de magnitud es común de los valores menores que se obtienen
utilizando un circuito FET en oposicion a un circuito BJT que utiliza circuitos discretos.
31.- Calcule la ganancia de voltaje y la resistencia de entrada y de salida del circuito en la

figura 31.1(ignore rd) Idss=8 mA , Vp = -4 V
Etn503
Fig 31.1
Solución:
En el ejemplo 17 ya se determino que la polarización correspondia a Vgsq= -1.8 V

En este punto de polarización
Gm= 2Idss(1- Vgsq/Vp) = 2(8mA) (1-(-1.8/-4)) = 2.2 mS

Vp -4V
La resistencia del dispositivo es entonces :
Rm= 1/gm = 1 = 454. 5 

2.2 mS
La ganancia de voltaje es:
Av = -Rd = -2.4k = -3.18

Rm+Rs1 454.5 + 300
La resistencia de entrada es =
R1 = Rg1Rg2 = 2.1M270 k = 239 k

La resistencia de salida es
Ro = Rd = 2.4 k
32.- Calcule la ganancia de voltaje y las resistencias de entrada y salida en el circuito de
la figura 32. 1 . La conductancia de salida del FET es ygs= 0.05 mS
Fig 32.1
Solución :
Partiendo de los calculos de polarización que se deja al alumno para comprobar Vgsq=-
0.15V Calculando gmo :
Gmo= 2Idss = 2(6mA) = 4 mS

Vp -3V
El gm del dispositivo en este condición de polarización es
Gm = gmo( 1 – Vgsq/Vp)= 4 mS (1- (-0.15/-3)) = 3.8mS

Etn503
Para la cual
Rm = 1/gm = 1/3.8mS= 263.2

LA resistencia de salida del MOSFET es
Rd = 1 /ygs = 1/ 0.05mS= 20k

La ganancia de voltaje ca es , por tanto:
Av= -Rd = -1.8k

Rm+Rs+rm/rd(Rd +Rs) 263.2+300+(263.2/300)(2.1k)
= -3.05
La impedancia de entrada es
Ri = Rg1// Rg2 = 100M 10M = 9.17M
LA impedancia de salida del c ircuito es:
Ro = Rd rd = 1.8k20k = 1.65k
33.- Calcule el voltaje de salida Vo y la resistencia de salida Ro para el circuito de la

figura 33.1 Idss= 6 mA , Vp= -6 V
Fig. 33.1
Solución:
De los cálculos de polarizacion cd, Vgs = -2.69 V . Con la gmo del dispositivo:
Gmo= 2Idss = 2(6mA) = 2.4 mS

Vp -5V
El valor de Gm a la condición de polarización es :

Gm= 1.11 mS
Para el cual
. rm = 1/gm = 900.9
El voltaje de entrada es :
Etn503
Vi = Ri Vs= 1.5M (100mVrms)

Rs+Ri 100k+ 1.5 M
La ganancia del amplificador es
Av= RsRL = 0.66

. rm +Rs//RL
Asi que el voltaje de salida es
Vo = Av Vi = (0.66)(93.75mV) = 61.9 mV
LA resistencia de salida es:
Ro = rm Rs = 900.9 2.1k = 630.4 
34.- Complete el diseño de un circuito amplificador como el que se muestra en la figura

34.1 para una ganancia de magnitud 8
Fig 34. 1
Solución :
Una tabulación semejante a la del ejemplo anterior muestra que la polarización
aceptable puede obtenerse en el intervalo completo de Vgs . La selección de Vgs = -3 V
produce
Vgs= - 3V
Id = 1.5 mA gm = 1mS rm = 1000 (comprobar)
Para una ganancia de Av –8 = Rd

. rm+Rs1
Etn503
Seleccionando Rd de manera que la caida del voltaje de polarización cd sea la mitad de

Vdd
IdRd = Vdd/2 = 12.5 V
Rd = Id Rd/Id = 12.5 V/1.5mA= 8.33 k(utilicese 9.1 k)

Para una ganancia de
Av –8 = Rd = - 9.1 k
. rm+Rs1 1000+Rs1
Rs1= 9.1 k/8 - 1000 = 137.5 (utlice 130k)
Puesto que Vgs = Vg – Vs
= 100M (25V) – 1.5mA(Rs1+Rs2=-3V

910M + 100 M
Rs1 +Rs2= 2.475 +3 = 3.65 k

1.5k
Rs2 = 3650- 130= 3520 (utilice 3.6 k)
El presente diseño produce los valores de las resistencia
Rd = 9.1 k
Rs1 = 130 
Rs2=3.6 K
35.- En el circuito de la figura 35.1 =1 , Icbo= 0, Vee=2 V, Re = 1k, Vcc= 50 V ,

Rc= 20k y se conecta en serie con Vee una fuente de tensión senoidal de un voltio de
cresta a cresta . Hallar iE y vCB
fig. 35.1
Solución :
Fig. 35.2
Etn503
El circuito equivalente completo tiene la forma indicada 35.2 en el circuitoe emisor

base , la union está polarizada en sentido directo mientras sea Vim<1.3 V , y
. iE= Vee –0.7-Vim coswt = 1.3 –1.0coswt mA
Re
Para el circuito colector base aplicando la ley de Kirchoff de tensiones tendremos
Vcb = - vcc + Ic Rc  -Vcc+IeRe

Entonces
Vcb = - Vcc + IeqRe+ (Rc/Re)Vimcost
Sustituyenodo los valores númericos
Vcb = -50+(1.3)30+(20/1)coswt
= -24 +20coswt V
La unión colector base esta siempre polarizada en sentido inverso de modo que es valido
el modelo lineal de la figura 35.2 . nótese que el transistor amplifica la entrada de corriente
alterna , y que la ganancia de tensión resultante Av es
Av = Vcbm/Vim= 20/1 =20
36.- El comportamiento del transitor en la región de saturación es importante en el

proyecto de circuitos de conmutación . como ejemplo de ello , consideremos el circuito
de la figura 36.1 con Vcc = 10 V, Rb = 10k, y Rc = 1k El transistor tiene un = 100
Vbbe= +0.7 V y una tensión de saturación Vce = 0.1 V . Hallar las condiciones de
funcionamiento cuando a) Vbb = 1.5 V b) 10.7 V
fig 36.1
Solución:
a) Para Vbb = 1.5 V aplicamos ley de Kirchhoff de las tensiones en el circuito emisor-
base da:
- Vbb + IbRb +Vbe= 0
Ib = Vbb- Vbe = 1.5- 0.7 = 0.08 mA

Rb 10k
Ic = Ib = (100) (0.08) = 8mA

Etn503
Ie=Ic) 8mA
Vce= Vcc- IcRc= 10-8= 2 V
Por tanto el transistor trabaja en la región activa
Vce>Vce(sat)
b) Para Vbb = 10.7 V
Ib= 10.7 – 0.7 = 1mA
10k
Si tuviera que cumplirse la relación Ic = Ib debería ser Ic = 100mA y Vce = 10-100=
-90 V , lo cual es imposible . Por tanto el transistor esta en la región de saturación , y
Vce = Vce(sat) = 0.1 V
La corriente de colector es :
Ic = Vcc – Vce (sat) = 10- 0.1  9.9 mA

Rc 1k
E Ie = Ic + Ib = 10.9 mA
Nótese que el valor efectivo de  en esta condición especial de saturación es Ic/Ib=9.9
37.- Hallar R1 y R2 en el circuito 37.1 sabiendo que el punto Q es Icq= 3.75 mA Vceq
= 4.5 V
Fig 37.1
Solución :
En la figura 37. 2 se muestra el equivalente de Thévenin de la red de polarización . La

tensión de reposo de emisor Veq es
Veq= Ieq(200) = (3.75mA)200
= 0.75V
LA tensión de reposo de base Vbq es por lo tanto
Vbq = Vbe + 0.75  0.7+0.75 =1.45 V

Obsérvese que si la caída de tensión en Rb es pequeña
Vbb = Vbe + veq

Etn503
Por lo tanto Vbb Vbq = 1.45 V
Fig 37.2
De acuerdo a la desigualdad Re>>(1-)Rb debe satisfacerse si la corriente de reposo debe
estabilizarse contra variaciones de  Así reagrupando términos , la desigualdad puede
escribirse
Rb<Re/(1-)
Pero 1/(1-) = + 1
Rb < (+1) Re Re= 100Re= 20 k
Y Rb se puede hacerse igual a 2 k
Conociendo Vbb, Rb , R1y R2 pueden determinarrse a partir de :

R1 = Rb = 2k = 2.4 k
1- Vbb/Vcc 1- 1.45/9
Y R2 = (Vcc/Vbb)Rb = (9/1.45)(2k) 12.4 k
En la practica se utilizaría resistores normalizados

R1= 2.2 k
R2= 12 k
Y esto valores normalizados de R1 y R2 a su vez dan
Vbb = 14 V
Y Rb = 1.9 k
La corriente de reposo resultante es entonces Icq = 3.5 mA
38.- Para el circuito de la figura 38.1 calcular la potencia suministrada por la fuente de
alimentación de colector , las potencias disipadas en los resistores de carga y de
emisor , la potencia disipada en el transistor , y el rendimiento de funcionamiento.
Etn503
Amplificadores Realimentados
Problema 1.
Determine la ganancia de voltaje y las impedancias de entrada y salida con realimentación
del tipo voltaje en serie, teniendo A=-100, Ri=10k, Ro=20k para retro alimentación de
(a)=-0.1 y (b)=-0.5.
Solución.
Usando las ecuaciones:
Vo A
Af  
Vs 1  A
Zi
Z if 
1  A
V
Z of   Z o 1  A
I
entonces obtenemos:
A  100  100
(a) Af     9.09
1  A 1    0.1  100 11
Z if  Z i 1  A  10k11  110 k
Zo 20  10 3
Z of    1.82k
1  A 11
A  100  100
(b) Af     1.96
1  A 1   0.5100 51
Etn503
Z if  Z i 1  A  10k 51  510k

Zo 20  10 3
Z of    392.16
1  A 51
Problema 2.
Calcule la ganancia con y sin realimentación en el circuito amplificador FET de la figura,
con los siguientes valores: R1 = 80 k, R2 = 20 k, Ro = 10 k, RD = 10 k y gm=4000s.
Solución.
R0 R D 10k  10k
RL    5k
R0  R D 10k  10k
 despreciando la resistencia de 100k de R1 y R2 en serie.

A   g m R L   4000  10 6
 5k   20
El factor de rea lim entación es
 R2  20
    0.2
R1  R 2 80  20
La ganancia con rea lim entación es
A  20  20
Af     4
1  A 1    0.2   0.2  5
Problema 3.
Calcule la ganancia del amplificador del circuito de la figura, para una ganancia del
amplificador operacional A = 100000 y resistencias R1 = 1.8 k y R2 = 200 .
Etn503
Solución.
R2 200
   0.1
R1  R 2 200  1.8k
A 100000 100000
Af     9.999
1  A 1   0.1100000 10001
Nótese que puesto que A1.
1 1
Af    10
 0.1
Problema 4.
Calcule la ganancia de voltaje del circuito de la figura

Etn503
Solución.
Sin rea lim entación
Io  h fe  120
A    0.085
Vi hie  R E 900  510
Vf
    R E  510
Io
El factor 1  A es entonces
1  A  1    0.085  510   43.35
La ganancia con rea lim entación es, por consiguiente
A  0.085
Af    1.96  10  3
1  A 43.35
y la ganancia de voltaje con rea lim entación Avf es
 
Avf  A f RC   1.96  10  3 2.2  10 3  4.3 
Sin rea lim entación  RE  0 la ganancia de voltaje es
 RC  2.2  10 3
Av    293.3
re 7.5
Problema 5.
Calcule la ganancia de voltaje con y sin realimentación en el circuito de la figura, con los
valores de gm = 5 ms, RD = 5.1 k, RS = 1 k y RF = 20 k.
Etn503
Solución.
Sin rea lim entación la ganancia de voltaje es
  
Av   g m R D   5  10  3 5.1 10 3  25.5
Con rea lim entación la ganancia se reduce a
RF
Avf    g m RD 
RF  g m RD RS
20  10 3
Avf    25.5  25.5 0.44  11 .2
  
20  10 3  5  10  3 5.1 10 3 1 10 3 
AMPLIFICADOR LINEAL NO INVERSOR.
El amplificador se puede utilizar también como amplificador no inversor.
Problema 6.
Ganancia. La ganancia total del amplificador no inversor se determina si suponemos que es
un operacional ideal. Entonces Ro=0, Ri es infinita y Ad también es infinita por lo que Vd0.
El circuito equivalente esta representado en la figura.
Etn503
(a)
(b)
Amplificador lineal no inversor: (a) circuito; (b)circuito con operacional ideal.
Solución.
Vi = v2 = v1
vi  R1
R1  R2 v0
de donde,
v 0 v 0 R1  R 2 R
Av     1 2
v i v1 R1 R1
Etn503
Problema 7.
Impedancia de entrada de un amplificador no inversor es ri = vi / ii. Puesto que ii = vd / Ri, ii
debe ser muy pequeña y por lo tanto, ri debe ser muy grande.
Solución.
Para determinar cuantitativamente ri escribimos
V
ii  d
Ri
Sin embargo, como vd = v0 /Ad, se convierte en
V
ii  0
Ad Ri
Observando que
 R 
V0  1  2 Vi
 R1 
Tenemos
1  R2 R1
ii  Vi
Ad Ri
Luego, la impedancia de entrad es
Vi Ad Ri
ri  
ii 1  R 2
R1
Por ejemplo, si Ad = 105, Ri = 100 k, R2 = 10 k y R1 = 1 k, entonces ri  1
G(=109).
Problema 8.
Para hallar la impedancia de salida r0, debemos sustituirla fuente te tensión de entrada vi por
un corto circuito, aplicar a la salida una fuente de tensión de prueba y medir la corriente
suministrada por esta fuente de prueba.
Solución.
El circuito equivalente resultante es entonces idéntico al utilizado para calcular la r0 del
amplificador inversor. Por tanto, r0 se puede hallar mediante
1 1  Ri Ad  R1  R2  1
 
r0 R0 R1  R2
Así en la mayoría de las aplicaciones, r0 se supondrá nula.
Problema 9.
En el rectificador de media onda con diodo, vimos que un diodo real se caracteriza por una
tensión umbral V(0.65V para el silicio), en la figura está representado por un circuito
rectificador con AO que solventa el efecto de la tensión umbral y que rectifica tensiones del
orden de los milivoltios. Mostrar que para cualquier rectificador con AO, VL=Vi con una
diferencia de unos pocos microvoltios.
Etn503
Solución.
En el circuito se ve que cuando V 0 es suficientemente positiva para conmutar el diodo en el
estado de conducción, el bucle de realimentación se cerrara a través del diodo en
conducción y la acción de realimentación hará que la tensión de entrada diferencial sea
muy pequeña. Cuando esto ocurre tendremos VL Vi. Sin embargo, si la tensión de salida
V0 es menor a la tensión umbral del diodo, no circulara corriente por el diodo y el bucle de
realimentación estará abierto. La salida del rectificador V L es ahora igual a 0V ya que no
fluye corriente por RL. Así VL=0 cuando V0  V. La tensión de entrada necesaria para
alcanzar esta tensión de salida es
V0 V
Vi = Vd +VL  Vd = 
Ad Ad
En un operacional practico Ad = 105, y con V =0.65V el punto de cambio de pendiente,
llamado codo, en la característica es Vi = 6.5V. La característica entrada-salida
resultante esta representada en la figura:
VL
Pendiente  1
Pendiente = 0
V Ad Vi
luego, cuando VL  V / Ad el amplificador operacional está trabajando en la zona de

conducción de la característica. La salida rectificada VL está ahora relacionada con Vi por
la ecuación
V0 V L  0.7
Vi – VL = Vd = 
Ad Ad
resolviendo para Vi se obtiene
 1  0.7
1  
Ad  Ad
Vi = VL 
Etn503
en la figura vemos que para cualquier rectificador con amplificadores operacionales,

VL=Vi con una diferencia de unos pocos microvoltios.
Vi
V
t
Ad
VL
t
Mostrando las formas de onda típicas cuando Vi es senoidal. Por ejemplo, el amplificador
operacional 709 no podría utilizarse para esta aplicación puesto que solo puede tener 5V,
mientras que el 101 o el 741 están diseñados para permitir grandes variaciones en Vd, del
orden de 30V y, por tanto puede usarse.
Problema 10.
En el circuito rectificador de la figura, hallar la tensión de entrada Vi, cuando el diodo esta
en corte.
Solución.
La operación del circuito se puede explicar observando que si el diodo esta funcionando
por debajo de la tensión umbral, la corriente del diodo es cero y la caída de tensión en R L
también es cero. Así pues , VL = Vref cuando el diodo esta bloqueado o en corte. Para hallar
el margen de tensiones de entrada en que esto ocurre observemos que se debe tener
Vd = V0 – VL < V
Cuando se sustituye V0 = (Vi – VL) / Ad, se puede obtener de
Etn503
V  V L
Vi <  VL
Ad
Puesto que, cuando el diodo esta en corte VL = Vref, la tensión de entrada en el codo es
V  Vref
Vi   Vref  Vref
Ad
Ahora cuando VL  Vi, cuando Vi >Vref. la característica estará representada en la figura y
también las formas de ondas típicas.
Vi
VL
Vref
VL=Vi
t
Vref
Vi VL
Vref
Vref
t
Problema 11.
Explique como actúa el rectificador de onda completa de la figura.
Solución.
La tensión de entrada Vr es la tensión de entrada Vi después de la rectificación de media
onda. Entonces cuando aumenta Vi por encima de 0V, D2 conduce y Vo se hace negativa,
haciendo que el D1 se bloquee, es decir pase al estado de corte. Entonces la corriente i 2 =
0 y Vr = V1. Sin embargo con D2 en conducción, Vo=V1 - 0.7. Como V1 = -Vd1 = -Vo / Ad1 = -
(V1 – 0.7) / Ad1, se tiene
Etn503
0 .7
Vr = V1 =  0V para Vi > 0
Ad  1
Cuando Vi es negativa, Vo es positiva y el diodo D 2 está en corte mientras que el diodo D 1

conduce. Ahora A1 está conectado como amplificador inversor y con i 2  i1 = -Vi / R y Vd1 
0 se tiene
Vr  Ri2 = Ri1 = -Vi para Vi < 0
Combinándolos, se ve que el circuito del operacional A1 actúa como rectificador de media

onda. Las formas de onda de Vi y Vr están representadas en la figura. El amplificador A 2 es
un sumador con una tensión de salida utilizando las formas de onda de Vi y Vr
representadas en la figura, se llega a la salida rectificada de onda completa representada.
Esta depende del grado de adaptación de las resistencias del circuito.
Vi
Vr
VL = - Vi – 2Vr
Problema 12.
Explicar el amplificador logarítmico de la figura.
Etn503
Solución.
Este circuito acepta dos entradas, V1 y V2 y la tensión de salida es proporcional al
logaritmo del cociente de estas tensiones de entrada. A menudo V 2 es una tensión de
referencia.
Los transistores T1 y T2 son la realimentación de los dos operacionales. Por tanto
suponiendo Vd1  0V y Vd2 0V, tenemos
V V
i1  1 e i2  2
R1 R2
Las corrientes del colector iC1 e iC2 vienen dadas por
V1
i1  iC1   I 0 VBE ! / Vt
R1
V
i 2  iC 2  2  I 0 VBE 2 / Vt
R2
Dividiéndolos y tomando el logaritmo del resultado se obtiene
R V 
V BE1  VBE 2  VT ln 2 1 
 R1 V2 
Sin embargo, con VE2 = VE1 = VE,
VBE1 = - VE
VBE2 = VB2 - VE
Luego, sustituyendo se tiene
R V 
 V B 2  VT ln 2 1 
 R1 V2 
R4
VB 2  V0
R3  R 4
Etn503
Finalmente combinando llegamos a la ecuación deseada

 R  R3   R2 V1 
V0   4 VT  ln 
 R4   R1 V2 
Obsérvese que aunque Vo no es ya función de Io, todavía es sensible a la temperatura
debido al término VT. Para minimizar la variación de temperatura debida a V T, se elige R3
mucho mayor que R4, es una resistencia con compensación de temperatura calculada para
que
VT R4  VT
T 
T R4
Típicamente R3 = 16k y R4 =1k.
Una de las tensiones de entrada suele ser una tensión de referencia, aunque sean función
del tiempo. Si Vo debe ser positiva, V1 es la tensión de referencia.
Problema 13.
En el amplificador logarítmico del anterior problema, en el que se utiliza el LM194 tiene
los siguientes valores paramétricos
R1 = R2 = 10 k R3 = 16.4 k  1%
R4 = 1 k (compensado en temperatura) VT = 25 mV
La tensión de entrada V1 varia de 1 mV a 10 V. Hallar el valor de la tensión de referencia V 2
por el cual Vo sea 0 V cuando V1 es 100 mV. Representar Vo en función de V1.
Solución.
16.4  1
V0   25  10 3  ln 1  0.434 ln 1
V V
2 V2 V2
puesto que log x  0.434 ln x, tenemos
V
V0   log 1
V2
como log 1 = 0, la tensión de referencia debe ser 100 mV para tener Vo = 0V cuando V1 =
100 mV. Finalmente,
V
V0   log 1   log10V1
0.1
Etn503
Amplificadores de Potencia
Problema 1.
Calcule la polarización de cd, la ganancia de voltaje, la impedancia de entrada y salida, y el
voltaje de salida resultante para el amplificador en cascada de la figura. Calcule el voltaje
en la carga de 10 k se conecta a través de la salida.
Solución.
Ambas etapas de amplificador tienen la misma polarización de cd. Haciendo uso de las
técnicas de polarización en cd obtenemos:
VGS Q = -1.9 v, ID Q =2.8 mA.
Ambos transistores tienen
2 I DSS 210mA
g m0  g m   5ms
Vp  4v
y el punto de operación en cd,
 VGS Q 
g m  g m 0 1     5ms  1   1.9v   2.6m
 VP    4v 
 
La ganancia de voltaje para cada etapa es entonces
AV1 = -gmRD = -(2.6ms)(2.4k) = 6.2
La ganancia de voltaje del amplificador en cascada es entonces
AV = AV1AV2 = (-6.2)(-6.2) = 38.4
El voltaje de salida será de
V0 = AVVi = (38.4)(10 mv) = 384 mv
Etn503
La impedancia de entrada del amplificador en cascada es

Zi = RG = 3.3 M
La impedancia de salida del amplificador en cascada (suponiendo que rd = ) es de
Z0 = RD = 2.4 k
El voltaje de salida a través de una carga de 10 k sería entonces
RL 10k
VL  V0   384mv   310mv
Z 0  RL 2.4k  10k
Problema 2.
Calcule la ganancia de voltaje para el amplificador cascode de la figura.
Solución.
El análisis de polarización de cd al emplear los procedimientos dan como resultado
VB1 = 4.9 v, VB2 = 10.8 v, IC1 = IC2 =3.8 mA.
La resistencia dinámica de cada uno de los transistores es, por consiguiente,
26 26
re    6.8
Ie 3.8
La ganancia de voltaje de la etapa 1(emisor común) es aproximadamente
RC r
Av1     e  1
re re
La ganancia de voltaje de la etapa 2 (base común) es
R 1.8k
AV 2  C   265
re 6.8
Lo que implica una ganancia total para el amplificador cascode de
AV = AV1AV2 =(-1)(265) = -265
Etn503
Problema 3.
¿Qué ganancia de corriente proporciona una conexión Darlington con dos transistores
idénticos, cada uno de ellos con una ganancia de corriente de  = 200?
Solución.
De la ecuación
D = 2 = (200)2 = 40000
Problema 4.
Calcule los voltajes de polarización de cd y corrientes en el circuito de la figura.
Solución.
La corriente de base es
Vcc VBE 18 v 16 v
IB 2.56  A
RB  R 3.3 M
D E
8000 ( 390  )
La corriente de emisor es entonces

IE  D B
I 8000 ( 2.56  A ) 20.48mA IC
El voltaje en cd de emisor es
VE IE RE 20.48mA ( 390  ) 8 V
Y el voltaje de base es
VB VE VBE 8 V 1.6 V 9.6 V
El voltaje de colector es el valor suministrado por la fuente:
VC 18 V
Etn503
Problema 5.
Calcule la impedancia de entrada del circuito de la figura, si ri=5 k.
Solución.
Zi= RB || (ri+DRE) = 3.3M || [5K+(8000)(390)] = 1.6 M
Problema 6.
Calcule la impedancia de salida para el anterior circuito.
Solución.
ri 5 K
Z0    0.625
 B 8000
Problema 7.
Calcule la ganancia de voltaje de ca Av para el circuito del problema 5.
Solución.
390   8000  390 
Av = = 0.998
5k   390   8000  390  
Etn503
Problema 8.
Calcule las corrientes y voltajes de polarización de cd para el circuito de la figura, para
proporcionar Vo con una magnitud de un medio del voltaje de la fuente(ICRC=9v).
Solución.
18V  0.7V 17.3V
I B1 = = = 4.45 A
2 M  140 180  75  3.89  10 6
La corriente de base Q2 es entonces
IB2= IC1= 1IB1 = 140(4.45A) = 0.623 mA
Lo que resulta en una corriente de colector Q2 de

IC2= 2IB2 = 180(0.623 mA) = 112.1 mA
Y la corriente a través de RC es por consiguiente

IC= IE1+IC2 = 0.623 mA + 112.1 mA = IC1 = 112.1 mA
Así, el voltaje de cd en la salida es
V0(dc) = Vcc – ICRC = 18 V – 112.1 mA(75) = 9.6 V
V1(dc) = V0(dc) –VBE = 9.6V – 0.7V = 8.9 V

Etn503
Problema 9.
En el circuito de la figura, sea utilizado un transistor de las siguientes características:
PC,max = 4 W (una vez aplicados los factores de reducción o degradación)
BVCEO = 40 V ; iC, máx =2 A
La resistencia de carga RL es de 10. Determinar el punto de reposo de modo que la carga
disipe la potencia máxima. Determinar también la tensión de alimentación VCC.
Solución.
El punto de reposo se obtiene trazando la ecuación
1 V
iC  VCE  CE
RL 10
El punto de reposo Q, se obtiene analíticamente,
4
I CQ   0.63 A y VCEQ  4  10  6.3V
10
La tensión de la fuente de alimentación VCC es igual VCEQ(se desprecia la caída de tensión
en Re). Luego
VCC = 6.3 V
Y el valor máximo de VCE es igual a 12.6 V y menor que la tensión de ruptura. La corriente
máxima de colector iC es igual a 1.26 A y menor que la corriente máxima admitida.
Etn503
La potencia máxima entregada a la carga será

I 2CQ RL  0.63 10
2
PL , máx    2W
2 2
Selección de Re, Rb y VBB. Re se toma pequeña de modo que su disipación de potencia sea
despreciable. Por ejemplo podemos escoger Re = 1 de modo que
1
Rb  Re
10
PRe =I2CQ (1) = 0.4 W << PC, máx = 4 W

Si  = 40,
Rb  4
La tensión de alimentación de la base es:
VBB  0.7 + (0.63)(1) = 1.33 V
Si el efecto de Re se incluye en el calculo, el punto Q se desplaza ligeramente y da lugar a

un incremento de la tensión VCC necesaria.
Consideremos el mismo problema con la corriente de colector máxima i C máx = 1.26 A, que
sobre pasa la nueva corriente máxima admitida, si el punto de reposo permanece
invariable, la amplitud de pico de ac admitida se reduce a 0.37 A. Si la señal es senoidal la
corriente máxima es
IC = 0.37 sen wt A
Y la potencia máxima disipada en la carga es
PL, máx = (0.5)(0.37)2(10)  0.69 W
Como la carga de 10 es fija, la pendiente de la recta de carga de corriente alterna es

fija. Sin embargo, si la recta de carga se desplaza cortando al eje i C entonces iC, máx = 1 A y
el punto de reposo se sitúa en las nuevas coordenadas
ICQ = 0.5 A VCEQ = VCC = 5 V
El valor máximo de la componente alterna de la corriente de colector es
IC = 0.5 sen wt A
Y la potencia máxima disipada en la carga es
PL, máx = (0.5)(0.5)2(10) = 1.25 W
En cualquier caso, la potencia suministrada está muy por debajo de la posible de 2 W. Esto
es debido a la incapacidad de compensar la reducción de la corriente máxima de colector
admitida.
Etn503
Problema 10.
El circuito de la figura, utiliza un transistor de silicio npn junto con una resistencia de carga
de 8. Las especificaciones máximas de este transistor son
PC,max = 24 W (después de aplicar los coeficientes de reducción)

BVCEO = 80 V ; VC,E sat =2 V
Determinar la amplitud máxima y la potencia máxima disipada por la carga.
Solución.
La carga disipa la potencia máxima cuando la amplitud de la corriente de colector es máxima. La ecuación de la recta de carga de
corriente alterna es
RL(iC – ICQ) = -(VCE – VVCQ)
Cuando iC es máxima, iC = 2ICQ y VCE, sat. Luego

RLICQ = VCEQ – VCE,sat
Para no sobrepasar la disipación media máxima en el colector, podemos establecer
ICQVCEQ = PC, mäx
Combinando las expresiones y resolviendo la ecuación resultante se obtienen los siguientes
valores de ICQ y VCEQ
2
VCE , sat PC .máx  VCE , sat 
I CQ      
2 RL RL  2 RL 
2
VCE , sat V 
Y VCEQ   PC , máx RL   CE , sat 
2  2 
Etn503
El punto de reposo resulta ser

ICQ  1.6 a y VCEQ  15 V
De este modo la tensión de alimentación del colector Vcc es 15V, despreciando la caída en
Re. El valor máximo de pico de la componente alterna de la corriente de colector es 1.6 A,
y la potencia media máxima disipada en la carga es
1 2
I CQ RL
1
2   1.6   8  10.2W
2
PL , máx 
2 2
Obsérvese que el rendimiento máximo, despreciado las perdidas en Re, es solamente
R 10.2
máx  L , máx   42 %
PCC 151.6
Problema 11.
Utilizando el transistor del problema 9 donde iC, máx = 1 A, con acoplamiento por
transformador a una carga de 10, diseñar de nuevo el amplificador para obtener una
transferencia máxima de potencia a la carga. Especificar la tensión necesaria, la potencia
disipada en la carga y la relación del número de espiras N del transformador.
Solución.
El punto de reposo que dará una transferencia máxima de potencia a la carga
PC , máx 0.4 0.63
I CQ  2
 2
 A
N RL N N
VCEQ  PC , máx N 2 RL  6.3 NV
Así, utilizando un transformador, el punto de reposo puede fijarse casi arbitrariamente,

siempre que
1.26
2ICQ  1  iC,máx
N
y 2Vceq = 12.6N < 40 = BVCE0
Etn503
Estas desigualdades fijan los límites de la relación de transformación, esto es,

1.26 < N < 3.17
Cuando se tiene el problema de escoger entre una amplia gama de puntos Q, deben tenerse
en cuenta otras consideraciones. Por ejemplo, es practico utilizar la menor corriente
posible ya que cuanto mayor es la corriente que debe suministra la fuente de alimentación
de corriente continua mayor es su tamaño y costo. A menudo debe utilizarse una tensión de
alimentación determinada VCC (y por tanto VCEQ). Una consideración muy importante es la
disponibilidad de un transformador con la relación de espiras adecuadas. Una relación de
espiras normal es N=2; si se escoge un transformador con esta relación,
ICQ  0.32 A Y VCEQ = 12.6 V  VCC

Luego
PL,máx = (0.5)(0.32)2(10) = 2 W
Problema 12.
Diseñar un amplificador push-pull de clase B, que proporcione una potencia máxima sobre
una carga de 10. Utilizar dos transistores con valores nominales iguales al del problema
9(iC, máx = 1 A). Determinar Vcc, N y la red de polarización para eliminar la distorsión de
cruce. Calcular la potencia de salida y rendimiento.
Solución.
La potencia máxima de salida viene dada por
V 2CC VCC I Cm
PL , máx  
2 R´L 2
Así, la potencia de salida puede aumentarse aumentando Vcc e Icm. Sin embargo, Vcc e
Icm no pueden aumentarse indefinidamente. Las características del transistor estableces
límites superiores para estos valores.
VCC  (0.5)BVCE0 = 20 V Icm  IC, máx = 1 A

Y utilizando
VCC I cm
PL , máx   5 PC , máx  20W
2
El punto de reposo se determina de modo que el transistor funcione con los valores
máximos de iC y BVCE0. luego
VCC = 20 V e Icm = 1 A
Luego PL, máx = 10 W
La relación del número de espiras N se halla del siguiente modo. Como

V
I cm  2CC
N RL
Tenemos
N2 = 2 y N = 1.414
Etn503
Obsérvese que los transistores en push-pull proporcionan cinco veces la potencia que un
solo transistor podría suministrar a una carga dada sin exceder los límites máximos.
Para completar el cálculo, debe elegirse una red de dolarización:
Amplificador push-pull polarizado por batería.
Es un amplificador con una fuente de polarización separada. VBB se toma igual a la tensión
de conducción del transistor que para el silicio es aproximadamente 0.7 V.
Amplificador push-pull polarizado por divisor resistivo.
En la práctica, en vez de una fuente de alimentación separada se utiliza la fuente de

alimentación Vcc con un divisor de tensión adecuado. R 1 y R2 se eligen de modo que la
caída de tensión base-emisor sea aproximadamente 0.7 V. A menudo se utiliza un diodo de
silicio en vez de R2, ya que la caída de tensión en el diodo de silicio funcionando por
Etn503
encima de su tensión de codo es similar a la tensión de reposo base-emisor necesaria para

hacer conducir al transistor.
Problema 13.
Un amplificador de simetría complementaria utiliza transistores que tienen las mismas
características que las del anterior problema.
Hallar Vcc y la potencia máxima que puede suministrar a una carga de 10.
Solución.
Cada transistor es esencialmente un seguidor de emisor de clase B. Consideremos T2: su
circuito equivalente durante la conducción, es la siguiente:
el valor pico de iC2 no puede exceder 1 A.

Etn503
VCC
 1A
RL
Por consiguiente Vcc = 10 V
Obsérvese que la excursión de 2Vcc es menor que la tensión de ruptura colector-emisor, tal
como se requiere. La corriente de carga es
iL = iC1 – iC2
Si Vi es senoidal, también lo será iL con un corriente de cresta máxima de
V
I Lm  CC
RL
Luego
V
iL  I Lm sen wt   CC senwt
RL
La potencia máxima en la carga es
V 2CC
PL , máx   5W
2 RL
Se puede tener alguna idea de la tensión de señal necesaria para excitar este amplificador
suponiendo que ri << R. Entones, a causa de que el circuito es esencialmente un seguidor
de emisor, la máxima señal Vi = Vim senwt, debe tener un valor pico de Vcc, es decir, Vim
= Vcc, para transferir totalmente los 5 W a la carga.
Etn503
Amplificadores Operacional
Problema 1.
Determine el voltaje de salida para circuito de la figura, para una entrada sinusoidal de 2.5
mV.
Solución.
Se utiliza un A.O. 741 para proporcionar una ganancia fija o constante, que se calcula por
medio de la ecuación siguiente:
Rf 200k
A=- =- = -100
R1 2k
El voltaje de salida es por lo tanto
Vo = Avi = -100(2.5m V) = -250 mV = -0.25 V
Problema 2.
Calcule el voltaje de salida del circuito de la figura, para una entrada de 120V.
Solución.
La ganancia del circuito amp-op se calcula mediante el uso de la siguiente ecuación
Rf 240k
A=1+ =1+ = 1+100 = 101
R1 2.4k
El voltaje de salida es entonces
Vo = Avi = 101(120V) = 12.12mV
Etn503
Problema 3.
Se ilustra la conexión de un amplificador operacional cuádruple LM124 como un
amplificador de tres etapas con ganancias de +10, -18 y –27. Haga uso de un resistor de
realimentación de 270 k para los tres circuitos. ¿Qué voltaje de salida resultará para una
entrada de 150V?.
Solución.
Para la ganancia de +10:
Rf
A=1+ = 10
R1
Rf
= 10 – 1 = 9
R1
Rf 270k
R1 = = = 10k
9 9
Para la ganancia de –18:
Rf
A2 = - = -18
R2
Rf 270k
R2 = = = 15k
18 18
Para la ganancia de –27:
Rf
A3 = - = -27
R3
Rf 270k
R2 = = = 10k
27 27
Para una entrada V1=150V, el voltaje de salida será de
V0 = A1A2A3V1 = (10)(-18)(-27)(150V) = 4860(150V) = 0.729V
Problema 4.
Etn503
Se ilustra la conexión de tres etapas de A.O. haciendo uso de un CI LM348 para

proporcionar salidas que son 10, 20 y 50 veces mayores que la entrada. Emplee un resistor
Rf=500k en todas las etapas.
Solución.
El componente de resistencia para cada una de las etapas se calcula como
Rf 500k
R1 = - =- = 50k
A1  10
Rf 500k
R2 = - =- = 25k
A2  20
Rf 500k
R3 = - =- = 10k
A3  50
El circuito resultante se dibuja en la figura siguiente
Problema 5.
Calcule el voltaje de salida para el circuito de la figura. Las entradas V1=50mVsen(1000t) y
V2=10mVsen(3000t).
Solución.
Etn503
El voltaje de la salida es
 330k 330k 
Vo = -  V1  V2  = -(10V1 + 33V2)
 33k 10k 
Vo = -[10(50mV)sen(1000t) + 33(10mV)sen(3000t)]
Vo = -[0.5sen(1000t) + 0.33sen(3000t)]
Problema 6.
Determine la salida para el circuito de la figura, con los componentes Rf=1M, R1=100k,
R2=50k y R3=500k.
Solución.
El voltaje de salida se calcula como
 1M 1M 1M 
Vo =  V2  V1  = 20V2 - 20V1 = 20(V2 – V1)
 50k 500k 100k 
Se observa que la salida es la diferencia de V2 y V1 multiplicada por un factor de ganancia

de 20.
Problema 7.
Ilustre la conexión de un 741 como un circuito de ganancia unitaria.
Solución.
La conexión es la siguiente
Problema 8.
Etn503
(a) Para la figura a, calcule IL.

(b) Para el circuito de la figura b, calcule Vo.
(a) (b)
Solución.
(a) Para el circuito de la figura a,
V1 8V
IL =  = 4mA
R1 2k
(b) Para el circuito de la figura b,
Vo = -I1R1 = -(10mA)(2k) = -20V
Problema 9.
Calcule la expresión del voltaje de salida para el circuito de la figura.
Solución.
El voltaje de salida puede, por tanto, expresarse empleando la ecuación
 2R   2 5000  
Vo = 1  V1  V2   1  V1  V2 
 R P   500 
Vo = 21(V1 – V2)
Problema 10.
Etn503
Calcule la frecuencia de corte de un filtro pasabajos de primer orden para R1=1.2k y

C1=0.02F.
Solución.
1 1
f OH    6.63kHz
2R1C1 2 1.2  10  0.02  10  6 
3
Problema 11.
Para el circuito de la figura, calcule la máxima potencia de entrada, la máxima potencia de
salida, el voltaje de entrada para la máxima potencia de operación y la potencia disipada
por los transistores de salida para este voltaje.
Solución.
La máxima potencia de entrada es
2V 2 CC 2 25V 
2
Pi(cd)máxima =  = 99.47 W
R L   4
La máxima potencia de salida es
V 2 CC  25V 
2
Po(ca)máxima =  = 78.125 W
2 RL 2  4
(nótese que se consigue la máxima eficiencia:)
P0 78.125W
%   100 % = 100 % = 78.54%
Pi 99.47W
para conseguir la máxima potencia de operación, el voltaje de salida debe ser de
VL (p) = VCC = 25V
y la potencia disipada por los transistores de salida es, por consiguiente,
P2Q = Pi –P0 = 99.47W – 78.125W = 21.3W
Etn503
Problema 12.
Para el circuito de la figura, determine la máxima potencia disipada por los transistores de
salida y el voltaje de entrada en que ocurre.
Solución.
La máxima potencia disipada en ambos transistores de salida es
2  25V 
2
2 V 2 CC
P2Qmáxima = 2  2 = 31.66 W
 RL  4
Esta disipación máxima se presenta para
VL = 0.636VL(p) = 0.636(25V) = 15.9V
(Adviértase que para VL =15.9V el circuito requiere de los transistores de salida para
disipar 31.66W, mientras que para VL =25V los mismos solo tienen que disipar 21.3W).
Problema 13.
Calcule los componentes de distorsión armónica para una señal de salida con una amplitud
fundamental 2.5V, una amplitud de segunda armónica de 0.25V, una amplitud de tercera
armónica de 0.1V y una amplitud de cuarta armónica de 0.05V.
Solución.
Empleando la siguiente ecuación se llega a
A2 0.25V
% D2   100 % =  100 % = 10%
A1 2.5V
A3 0.1V
% D3   100 % =  100 % = 4%
A1 2.5V
A4 0.05V
% D4   100 % =  100 % = 2%
A1 2.5V
Problema 14.
Etn503
Calcule la distorsión armónica total para las componentes de amplitud dadas en el problema
anterior.
Solución.
Haciendo uso de los valores calculados de D2=0.1, D3=0.04 y D4=0.02 en la ecuación:
%THD = D 2 2  D 2 3  D 2 4  100 %
%THD =  0.1 2   0.04    0.02 
2 2
 100 % = 0.1095 x 100%
%THD = 10.95%

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Diodos Ing.

GUIA DE EJERCICOS RESUELTOS

1. Para las características de la figura 1.1

a) Determine la resistencia de ca para la región 1

Vd  0.72  0.57  0.15V Id  (6  2) m A = 4 m A

Vd  0.8  0.78  0.02V Id  (30  20) m A = 10 m A

c) Relación de las resistencias

2. Dada la red de la figura 2.1

VR = V –VT = 5  0.7  4.3 V

3. Determine V0 e ID para el circuito de la figura 3.1

Figura 3.1 Figura 3.2

V0 = E – VT1 - VT2 = 12 – 0.7 – 0.3 = 11 V

4. Determine ID , VD2 y V0 para el circuito de la figura 4.1

Eliminando los diodos y determinando la dirección e la corriente resultante I se

Persiste la pregunta en cuanto a para que sustituir el diodo de silicio. Reacuérdese

La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj

5. Determine I, V1 , V2 y V0 para la configuración cd en serie de la figura 5.1

Se dibuja las fuentes y se determina la dirección de la corriente como se indica en la

Figura 5.2 Figura 5.3

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a la sección de la salida en el sentido de las

Figura 6.1 Figura 6.2

Para el voltaje aplicado, la “presión” de la fuente persigue establecer una corriente a

Suponiendo que los diodos tienen características similares, tenemos

7. Determine la corriente I para la red de la figura 7.1

a) En esta situación el diodo conducirá durante la parte negativa de la entrada, como

Vcd = - 0.318 Vp =  0.318( 20)   6.36 V

El signo negativo indica que la polaridad de la salida es opuesta a la polaridad

b) Al emplear un diodo de silicio, la salida tiene la apariencia de la figura 8.3 y

Vcd =  0.318(Vp - 0.7)  0.318(19.3)   6.14 V

el voltaje pico inverso (VPI) nominal del diodo es de fundamental importancia en el

VPI nominal = Vp rectificador de media onda

Figura 9.3 Figura 9.4

Vcd = 0.636(5) = 3.18 V

o al nivel disponible de un rectificador de media onda con la misma entrada. Sin

10. Determine la forma de la onda de salida para la red de la figura 10.1

Para Vi = 20 V (0 T/2) se produce la red de la figura 10.2 El diodo se encuentra en

Figura 10.2 Figura 10.3

El voltaje de salida resultante aparece en la figura 10.4

11. Determine v0 para la red de la figura 11.1

La polaridad de la fuente de cd y la dirección del diodo sugieren fuertemente que el

Figura 11.2 Figura 11.3

El estado de transición puede determinarse a partir de la figura 11.3, donde se ha

12. Repita el ejemplo 11 empleando un diodo de silicio con VT = 0.7 V

El voltaje de transición puede determinarse primero aplicando la condición id = 0A en

para voltajes de entrada mayores de 3.3 V, el diodo se encontrará en circuito abierto y

Figura 12.1 Figura 12.2

13. Determine v0 en la red de la figura 13.1 para la entrada indicada

Nótese que la frecuencia es de 1000Hz, lo que produce un periodo de 1ms y un

La salida es a través de R, pero se encuentra también directamente a través de la

El equivalente en circuito abierto para el diodo hará que la batería de 5 V no tenga

La constante de tiempo de descarga de la figura 13.3 se determina mediante el

 = RC = (100K) (0.1f) = 0.01s = 10ms

El tiempo de descarga total es, por lo tanto, 5 = 5 (10ms ) = 50ms

14. Repita el ejemplo 13 empleando un diodo de silicio con VT = 0. 7 V

En el estado de corto circuito la red se observa como se muestra en la figura 14.1 y v0

En la sección de entrada la ley de voltajes de Kirchhoff dará como resultado

Durante el periodo t2  t3 la red aparecerá en este caso como se muestra en la figura

La salida resultante se presenta de la figura 14.3, donde se verifica que las

Figura 14.2 Figura 14.3

a) Para determinar el valor de RL que rezagará al diodo Zener al estado de

RSVZ (1K)(10) 10K

El voltaje del resistor Rs se determina entonces mediante la ecuación:

Se pude determinar la magnitud de IRS