TALLER DE ELECTRÓNICA 18205

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA MECATRÓNICA Periodo 2018-2

TALLER PRIMER CORTE: DIODOS Y POLARIZACIÓN DE

TRANSISTORES
Profesor: Sergio Andrés Chaparro Moreno

1. Dibujar la caracterı́stica I-V del diodo ideal, del modelo de tensión constante y del modelo
exponencial sin considerar la región de ruptura. Explicar la utilidad de cada modelo.

2. Para el circuito de la figura, si T=300 K, D1 =D2 y VR =3 V, determinar el valor de R y VX de

forma que ID2 =1 mA.

R
a) Asumir los diodos como ideales.
+ VR -
D1 D2 b) Asumir que los diodos poseen VD,on =0.7 V.
VX
R 2R c) Asumir que en el datasheet de los diodos indica que
Is =1x10−15 A.

+3V +3V

12KΩ 6KΩ

Para cada uno de los circuitos de la figura,

3. I D1 D2 I D1 D2 calcular las corrientes y tensiones marcadas
V V si los diodos son ideales.
6KΩ 12KΩ

-3V -3V
a) b)

4. Para el circuito de la figura, si R1 =100 Ω, VBDZ =-6 V, rDZ =10 Ω:

a) Calcular la regulación de linea, y estimar el valor de

R1
Vin Vout R1 que permite disminuir la regulación de lı́nea a 0.01
[V/V].
DZ RL
b) Calcular la regulación de carga. Si la resistencia de car-
ga varia entre 50 Ω y 100 Ω, estimar la variación en la
tensión de salida.

5. Se tiene un circuito el cual a partir de una señal senoidal de entrada de valor pico Vp y frecuencia
de 60Hz, genera una señal de salida casi DC, cuyo máximo es 4.6V y mı́nimo 4.5V. Si la corriente
máxima permitida a través de la carga de este circuito es de 920µA:
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a) Determinar y representar el esquemático del circuito que realiza esta conversión de señales si
se dispone de diodos con VD,on =0.7V, y condensadores con los cuales como máximo puede
implementarse un valor de 100µF.
b) ¿Cuál es el mı́nimo valor de la resistencia de carga a la cual puede conectarse el circuito
representado?
c) ¿Cuál es el valor de Vp ?
d) Diseñar y verificar mediante simulación que el circuito representado posee las caracterı́sticas
descritas. Usar un modelo custom para los diodos con VD,on =0.7V

6. Un rectificador de onda completa tiene una señal de entrada vin (t)=Vo ·cos(ω·t), donde Vo =3 Vp
y ω=377 rad/s. Asumiendo VD,on =0.8 V:

a) Determinar la amplitud del rizo si el capacitor es de 1000 µF y la carga de 30 Ω, y representar

gráficamente las señales de entrada y salida.
b) ¿Cuál serı́a la amplitud del rizo si se implementa un rectificador fuera de media onda?
c) Simular el rectificador de onda completa y observar los gráficos de las tensiones de entrada y
salida usando modelos custom para los diodos.

7. Para las señales de corriente (gráfica superior) y tensión (gráficas parte inferior) representadas
en la figura:

a) Representar y diseñar el circuito que permite obtener estas señales, considerando los diodos
con VDon =0.7V.
b) Simular el circuito diseñado usando modelos custom para el diodo y verificar que las señales
corresponden con las señales de la figura.
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8. Dibujar las caracterı́sticas tensión-corriente para todos los transistores estudiados señalando las
regiones de operación, y reportar en tablas las diferentes condiciones de polarización de estos
dispositivos.

VEE

D1 Para el circuito de la figura, calcular R1 , todas las corrientes, las

D2 RE tensiones en los terminales del transistor, el consumo de potencia y
9. D3 determinar en que región de operación se encuentra Q1 , si RE =200
Ω, RC =180 Ω, VEE =3.5 V e IR1 =2IB . Asumir que D1 =D2 =D3
Q1
con VD,on =0.7 V y que Q1 posee β=100 y VEB,on =0.7 V.
IR1 R1 RC

10. Para el circuito de la figura VOU T =3 V, VCC =8 V, RC =400 Ω, y el datasheet de Q1 indica que
β=100 e Is =3x10−15 A:

VCC a) Determinar los valores de RE , VBE y VB para que el tran-

sistor se encuentre al borde de saturación.
RC b) Diseñar la polarización del circuito mediante polarización
VOUT simple y divisor resistivo. Para el caso del divisor resistivo
VB asumir que la resistencia ubicada entre la alimentación y la
Q1
base tiene una corriente igual a diez veces la corriente de
base.
RE C
c) Simular el punto de operación para los circuitos obtenidos
en los numerales a) y b).

11. En el circuito de la figura VDD =6V, R1 = R2 =30KΩ, RD =70Ω, RC =225Ω, RG =10KΩ, y las hojas
de datos de los transistores indican que β=200 para Q1 y M1 posee ID(on) =50mA, VGS(on) =3.5V,
y VT H =1.8V. Si Q1 se encuentra operando 0.8V dentro de la zona de región activa:

VDD
a) Determinar los valores de las corrientes en el circuito y
RD el consumo de potencia.
R1
Q1 b) Estimar el valor de RS y la región de operación del MOS-
RG
M1 FET.
RC c) Simular el circuito para verificar los resultados mediante
R2 RS el punto de operación.
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VDD Para el circuito de la figura la hoja de datos (datasheet)

de los transistores muestra que ID(on) =5 mA, VGS(on) =2 V,
ID RD VGS(T H) =1 V, IDSS =8 mA y VGS(T H) =-4 V. Si VDD =8 V,
R2 Vo RX =50 Ω, RD =500 Ω, RS =50 Ω, VRs =0.1 V e IY = I50D
:
M2
12. IY a) Calcular las corrientes presentes en el circuito, las tensio-
RX Vx nes Vo y Vx , y las resistencias R1 y R2 .
M1
b) ¿Cuál es la caı́da de tensión en la resistencia RX ?
R1 +
VRs RS
- c) ¿En qué región de operación se encuentran M1 y M2 ?

13. Para el circuito de la figura VDD =6 V y el datasheet del transistor muestra que ID(on) =5 mA,
VGS(on) =2 V y VGS(T H) =1 V:

a) Calcular el valor de RD que coloca a M1 al borde de triodo

si por el transistor circula una corriente de 10 mA.
VDD
b) Polarizar el circuito utilizando divisor resistivo con degenera-
RD ción de surtidor, y calcular la nueva resistencia de drenador
que mantiene a M1 en el borde de triodo con ID =10 mA. Con-
VG siderar que en la resistencia de degeneración hay una caı́da de
M1
tensión de 0.1 V y que la corriente de la rama de polarización
es un décimo de la corriente de polarización del transistor.

c) Simular el punto de operación de los circuitos obtenidos en

a) y b).
14. Para cada uno de los circuitos de la figura estimar las tensiones en azul si los transistores tienen
|VT H |=1 V y K=4 mA/V2 .

+5V +5V +5V +5V

2mA 2KΩ 2mA M5

V1 V4 V6
V3
M2 M3
M4
M1 V2 V5
V7
2mA 1.5KΩ
2mA

-5V -5V