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CHAPITRE I

THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS


JONCTION PN / DIODES

Intermédiaires entre isolants et conducteurs, les semi-conducteurs ont des


propriétés d'importance considérable mises à profit dans les composants
électroniques. En effet, ils offrent la possibilité de contrôler, à la fois la quantité
et la direction du courant électrique. Ils sont à la base de plusieurs composants
fondamentaux de l'électronique et de l'optoélectronique utilisés dans les
dispositifs informatiques, de télécommunications, de télévision, dans
l'automobile, dans les appareils électroménagers, ... etc : les diodes, les
transistors, les photodiodes, les phototransistors, les photodétecteurs, les circuits
logiques, les amplificateurs, diodes laser, … .

Sommaire

I. RAPPELS SUR LA STRUCTURE DE LA MATIÈRE

II. LES SEMI-CONDUCTEURS


II.1 DÉFINITION
II.2 SEMI-CONDUCTEUR INTRINSÈQUE
II.3 SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSÈQUE
A. SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSÈQUE DE TYPE N
B. SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSÈQUE DE TYPE P

III. JONCTION PN
III.1 DÉFINITION
III.2 POLARISATION D'UNE JONCTION

IV. LA DIODE

V. DIFFÉRENTS TYPES DE DIODES

VI. APPLICATIONS : CIRCUITS À DIODES

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CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES

I. RAPPELS SUR LA STRUCTURE DE LA MATIÈRE


La matière constitue tout ce qui possède une masse et occupe de l'espace. Outre la
matière, notre univers est composé d'énergie (lumière, chaleur, électricité, ...). C'est
l'énergie qui cause les changements que subit la matière.
La matière est un assemblage d'atomes.
L’atome (du grec "atomos" : insécable) est la plus petite partie (particule) de la
matière qui puisse exister. Il peut être assimilé à une sphère extrêmement petite
( ∅ ≈ 10−7 mm ). Il est formé
d’un noyau dense
(∅ ≈ 10−12 mm) , portant la
totalité de la charge positive
de l'atome, autour duquel
gravitent des électrons
portant une charge négative,
dans un espace très grand par
rapport au volume du noyau.
Le noyau est formé de
nucléons : des neutrons qui
ne sont pas chargés et des
protons qui portent une charge électrique positive.
 L'électron a été découvert par le physicien britannique Joseph John Thompson (1856-1940) en
1897. Sa masse est très petite : 9.1094 × 10−31 kg . Il porte une charge négative : −1.602 × 10−19 C .
Un atome contient Z électrons.
 Le proton est une particule de charge positive identifiée par le physicien et chimiste néo-zélando-
britannique Ernest Rutherford (1871-1937) en 1919. Sa charge est +1.602 ×10−19 C . Sa masse est de
1.6726 ×10−27 kg . Un atome contient Z protons (Z : numéro atomique de l'atome permettant d'en
identifier l'élément de matière (Tableau périodique de Mendeleïev)).
 Le neutron est une particule sans charge découverte par le physicien britannique James Chadwick
(1871-1974) en 1932. Situés dans le noyau avec les protons, les neutrons ont une masse à peine plus
élevée que celle des protons soit 1.6749 × 10−27 kg. Un atome contient N neutrons.
À noter qu'il y a autant de protons que d'électrons (Z protons & Z électrons), d'où,
la neutralité électrique de l'atome et que le nombre de nucléons : A=Z+N s'appelle
nombre de masse.
Les électrons constituant "le nuage électronique" de l'atome, gravitent à très grande
vitesse autour du noyau sur des orbites appelées couches électroniques.
Ces couches ont pour caractéristiques d'avoir chacune un nombre défini d'électrons.
Lorsqu'une couche est remplie, elle est saturée. Le nombre de couches électroniques
croit avec le numéro atomique (Z).
Les électrons n’existent pas entre les couches. Pour les faire déplacer d’une couche
à une autre, il faut une certaine quantité d’énergie bien définie (discrète) appelée
quantum exprimée en eV ( 1 eV = 1.6 × 10−19 Joules ).
La notion de couche électronique correspond, donc, physiquement à l'énergie des
électrons qui s’y trouvent : à chaque couche correspond un niveau d'énergie En . En
d'autres termes, les électrons sur une même couche ont besoin d’une même énergie
compensatrice pour s’en faire éjecter. On dit alors que les électrons d'un atome isolé
(sans interaction avec d'autres atomes) ont des niveaux d'énergie discrets (distincts).

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Les couches électroniques sont symbolisées par des lettres, suivant l'alphabet de
façon croissante à partir de la lettre K, en partant de la plus proche du noyau (Kernel
signifie "noyau" en anglais, d'où l'utilisation de K)) à la plus éloignée. Il existe une
formule pour connaître la capacité d'une couche : si n est le numéro d'ordre de la
couche visée (K = 1, L = 2 , M = 3, ... etc.), le nombre d'électrons qu'elle peut contenir
jusqu'à saturation est 2n 2 : K  2 , L  8 , M  18 , ... etc. (Principe de Pauli).
Exemples : Oxygène (Z=8): (K)2(L)6 ; Aluminium (Z=13): (K)2(L)8(M)3 ; Argon (Z=18): (K)2(L)8(M)8.
Lorsque les électrons sont placés sur les couches électroniques en suivant ces
règles, l’atome est dans son état de plus basse énergie (état stable) : l’état fondamental.
La répartition des électrons sur les différentes couches électroniques de l'atome porte le
nom de configuration électronique de l’atome.

Notions importantes
 Les électrons des couches internes sont fortement liés au noyau.
 Les électrons de valence se trouvent sur la couche la plus externe (couche de valence
ou couche périphérique) : ils sont faiblement liés au noyau.
 Pour s’assurer une configuration électronique stable, les atomes tendent à avoir un
octet d’électrons sur la dernière couche.
 Les atomes existent très rarement à l’état isolé. En
général, ils s’unissent entre eux en mettant en commun
des doublets d’électrons de valence : liaisons covalentes
et cela pour compléter leurs couches périphériques et
former des molécules stables : cohésion des atomes
(homogénéité ou assemblage régulier des atomes) de la
matière (structure cristalline).
 Alors que dans un atome isolé, les
électrons n'existent qu'à des niveaux
d'énergie discrets, dans un solide
(cristal) qui est constitué de
l'assemblage (interaction) d'un très
grand nombre d'atomes, les niveaux
d'énergie se transforment en bandes
d'énergie :
 deux bandes dites permises : la bande de valence et la bande de conduction.
 Une bande dite interdite : la bande interdite.
• Bande de valence (BV) : occupée
par les électrons attachés à l'atome
(niveau d'énergie le plus bas).
• Bande interdite (BI) : ne contient
aucun électron (niveau d'énergie
intermédiaire). Elle est aussi
appelée "Gap".
• Bande de conduction (BC) : occupée
par les électrons libres circulant entre les
atomes (niveau d'énergie le plus haut).

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Chaque matériau présente une largeur (distance énergétique) de bande interdite
(séparant les bandes de conduction et de valence) qui lui est propre : EG [ e.V ]
("forbidden energy gap"). Cette différence d’énergie (valeur de la distance énergétique)
détermine la plus ou moins bonne conductivité du matériau : plus le "Gap" est faible,
plus le matériau est conducteur. Elle joue, donc, un rôle important : elle permet de
distinguer les matériaux en isolants, semi-conducteurs, conducteurs.
∗ Pour les conducteurs, les bandes de valence et de conduction se chevauchent (pas
de EG ). Une faible source d'énergie suffit pour faire passer un grand nombre
d'électrons libres de la BV vers la BC.
∗ Pour les isolants, la BI est large ( EG de l'ordre de 7 e.V ). La BC ne contient
aucun électron. Même sous haute température ou haute tension (f.é.m), ces
matériaux ne conduisent pas.
∗ Pour les semi-conducteurs, la BI est relativement petite ( EG de l'ordre de 1 e.V ).
Les électrons occupent les niveaux d'énergie qui sont dans la BV.

II. LES SEMI-CONDUCTEURS


II.1 Définition d'un semi-conducteur :
Comme son nom l’indique, un "semi-conducteur" (S-C) est un matériau
pourvu d’une conductivité se situant entre celle d’un isolant et celle d’un conducteur. Il
a des propriétés spécifiques mises à profit dans la fabrication des composants
électroniques.
Le S-C possède une résistivité intermédiaire entre celle des isolants
( 1012 Ω ⋅ cm : valeur typique du verre) et celle des conducteurs ( 10−6 Ω ⋅ cm : valeur
typique du cuivre). Les valeurs typiques de la résistivité d’un matériau semi-conducteur
se situent entre 1 Ω ⋅ cm et 102 Ω ⋅ cm .
 Le S-C se comporte comme un isolant aux basses températures (agitation thermique
faible) et comme un conducteur aux températures élevées.

 La résistivité d’un S-C diminue quand la


température augmente (en contraste avec un
conducteur : voir figure ).

 Exemples de S-Cs :
Carbone (Diamant) (C : Z=6), Silicium (Si : Z=14), Germanium (Ge : Z=32), certains
alliages tels que le Carbure de Silicium (SiC), l'Arséniure de Gallium (GaAs), ... .

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 Les S-Cs les plus utilisés sont le Si et le Ge qui appartiennent à la 4ème colonne du
tableau périodique de Mendeleïev.
Il est évident que les meilleurs semi-conducteurs ont quatre électrons de valence
et une mince BI (écartement d'une énergie EG ). On les appelle des corps tétravalents.
En effet, chacun de leurs atomes est lié à quatre voisins placés aux sommets d’un
tétraèdre par une liaison covalente.
Exemples : EG = 1,12 eV ; EG = 0,76 eV.
Silicium Germanium

Remarque : Dans un S-C, EG est assez faible pour autoriser, à température ambiante, le
passage d’un petit nombre d’électrons de la BV vers la BC. Si on apporte une énergie
thermique ou lumineuse suffisante à un électron, il peut passer de la BV à la BC avec une
certaine probabilité P proportionnelle à e ( G ) avec :
− E kT

EG : écart en énergie séparant les deux bandes BV et BC.


T : température absolue (en ° K) ayant comme origine le zéro absolu T = 0 °K .
k 1.38 × 10−23 J ⋅ K -1 : constante de Boltzmann.
=
T 300° K  kT = 0,0025 eV  e ( G )
− E kT − ( EG 0.0025 )
Exemple : Pour = =e .

À T = 0° K (zéro absolu), la structure atomique du S-C est stable (liaisons


covalentes maintenues) : pas d’électrons libres  c'est un isolant parfait. Lorsque T
augmente, l'énergie thermique forcera progressivement les atomes à vibrer (agitation
thermique) et certaines liaisons covalentes pourront être rompues. Des électrons seront,
donc, arrachés et deviendront libres de se mouvoir aléatoirement avec assez d'énergie
cinétique pour occuper des orbites plus grandes : ils passeront ainsi de la BV à la BC.
Ce phénomène est analogue au mouvement des électrons dans un conducteur sous l'effet
d'un champ électrique à la différence que, dans ce cas, le mouvement est bien défini
(imposé par le sens du champ).
Le vide que laisse un électron qui a rompu sa liaison covalente est appelé
"trou". Ce dernier se comporte comme une charge positive. En effet, l'électron libéré
laisse dernière lui un atome de charge positive appelé "ion" (ion positif  "cation").
L'atome ionisé présentera un déséquilibre de charge car n'étant plus électriquement
neutre. Il sera, donc, dans un état instable et aura tendance à chercher à se stabiliser en
comblant son trou par l'attraction et la capture d'un électron d'un atome voisin qui en s'y
libérant créera un nouveau trou lequel à son tour sera occupé par un électron voisin ...
etc.
Le mouvement des électrons (charges négatives) s’accompagne, donc,
nécessairement d’un mouvement des trous (charges positives) dans le sens inverse. Un
phénomène de "double conduction" s'établit alors : celle des trous et celle des électrons.
En d'autres termes, on dira que la conduction est assurée par deux types de "porteurs" :
les électrons et les trous. Ils sont dits porteurs car, en se déplaçant, ils transportent une
charge d'un endroit à un autre (électron  charge négative / trou  charge positive).

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II.2 Semi-conducteur intrinsèque :
Un S-C est dit intrinsèque lorsqu'il est pur : il est constitué des mêmes atomes.
Il ne comporte, donc, aucune impureté et son comportement électrique ne dépend que de
la structure du matériau. Ce comportement correspond à un S-C parfait.
Dans les S-Cs intrinsèques, le nombre d'électrons est égal au nombre de trous :

n= p= n i e- /cm 3  : concentration intrinsèque.

À température ambiante, les S-Cs intrinsèques se comportent comme des


isolants car ils ne comportent que très peu d'électrons libres (donc très peu de trous).
Leur conductibilité électrique (conductivité) est donc trop faible pour qu'on puisse les
utiliser dans des circuits électriques à température ambiante.

Afin d'améliorer leur conductivité, on leur ajoute, de façon contrôlée (dosage


bien précis), des impuretés appelées "dopants", ce qui permet d'obtenir des "S-Cs
extrinsèques".
Tout dopage servira à modifier l'équilibre entre les électrons et les trous,
pour favoriser la conduction électrique par l'un des deux types de porteurs.

II.3 Semi-conducteur extrinsèque :


Un S-C extrinsèque ou dopé est une structure cristalline pure (S-C intrinsèque),
dans laquelle, on a introduit des atomes étrangers (impuretés) de valence 3 ou 5 appelés
"dopants" (♣). Ainsi, l’état électronique et les propriétés électriques s’en trouvent
modifiées. Ce dopage accroîtra la conductibilité du cristal tout en le maintenant entre
l’isolant et le conducteur.

(♣) Les dopants sont des éléments :

♦ de valence 3 : les "trivalents" (3 électrons sur la couche de valence). Ils


appartiennent à la 3éme colonne du tableau périodique.
Exemples : Bore (B : Z=5) (le plus utilisé) - Aluminium (Al) - Gallium (Ga).

ou bien

♦ de valence 5 : les "pentavalents" (5 électrons sur la couche de valence). Ils


appartiennent à la 5éme colonne du tableau périodique.
Exemples : Phosphore (P : Z=15) - Arsenic (As : Z=33) - Antimoine (Sb : Z=51).

Remarque :
La quantité de dopage est infime  1 atome de dopant pour 108 atomes de Si ou de Ge.

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A. S-C extrinsèque N : B. S-C extrinsèque P :
On confère le type "N" à un S-C en le L'introduction d'une impureté composée
dopant avec une impureté composée d'atomes trivalents dans le réseau cristallin
d'atomes pentavalents. Cela permet la d'un S-C lui confère le type "P".
libération d'un des 5 électrons appartenant Comme leurs bandes de valence ne
à leurs couches de valence, les 4 autres possèdent que 3 électrons pour assurer les
assurant les liaisons avec les 4 électrons de liaisons avec les atomes du S-C, ils
valence du S-C. s'ionisent négativement  ⊝ en captant
Ces atomes dopeurs sont dits (chacun) un électron provenant de la BV
"donneurs" (d'électrons). des atomes du S-C.
Ces atomes dopeurs sont dits
"accepteurs" (d'électrons).

Sous l'effet de l'agitation thermique (à


température ambiante), l'atome dopeur La capture de cet électron va créer un
perd facilement son cinquième électron et trou (charge positive) dans la BV des
s'ionise, ainsi, positivement  ⊕ . atomes du S-C.
L'électron cédé est donc orphelin : il ne Tout se passe alors comme si la
peut être partagé et il ne peut occuper la conduction se faisait avec des charges
BV (elle est remplie). Il passe donc dans la positives. On a donc une conduction par
BC et devient un électron libre, capable de trous.
conduire le courant. Le dopage de type "P" consiste donc à
Le dopage de type "N" a pour but, donc, produire un déficit d'électrons, donc un
de produire un excès d'électrons libres qui excès de trous, considérés comme
seront donc beaucoup plus nombreux positivement chargés. Les trous seront,
("porteurs majoritaires") que les trous cette fois-ci, plus nombreux ("porteurs
("porteurs minoritaires") lesquels ne majoritaires") que les électrons libres
sont autres que ceux qui existaient dans le ("porteurs minoritaires") qui ne sont que
S-C avant qu'il soit dopé. ceux qui existaient dans le S-C avant qu'il
Remarque : "N" pour Négatif. soit dopé.
Remarque : "P" pour Positif.

Une structure qui possède des électrons en excès, une autre à il en manque... . Et si on
les mettait en contact, cela donnerait quoi ?

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III. JONCTION PN
III.1 Définition :
Une "jonction PN" est formée

par la mise en contact d'une zone d'un

cristal de S-C dopé "P" avec une zone

de cristal de S-C dopé "N".

À la mise en contact, chaque zone est électriquement neutre puisque les


impuretés ionisées compensent exactement les porteurs de charge.

III.2 Jonction PN non polarisée :


Une jonction PN est dite non polarisée si on ne lui applique aucune source de
tension (d.d.p.) externe.
Les électrons (porteurs majoritaires) de la région
"N" étant en répulsion, certains d'entre eux (voisins
de la jonction) vont diffuser vers la région "P" (où
ils sont minoritaires), lorsque le contact est réalisé.
Ils y seront piégés par les trous (voisins de la
jonction) qui sont majoritaires dans cette région :
la recombinaison d'un électron libre avec un trou
entraine la disparition du trou et la transformation
de l'électron libre en électron de valence.
La disparition progressive de ces électrons et de
ces trous (disparition par paires) va provoquer
l'apparition, de part et d'autre de la jonction, de
deux zones non neutres : l'une comprenant des
impuretés ionisées positivement (Zone "N") et
l'autre comprenant des impuretés ionisées négativement
(Zone "P"). En effet, au voisinage de la jonction (un peu à
gauche et un peu à droite), les porteurs de charges, c'est-à-dire
les électrons et les trous, se sont recombinés (neutralisés) mutuellement. À l'équilibre, il
existera donc une zone intermédiaire (vidée de porteurs libres) appelée zone de
transition ou zone de déplétion ou zone désertée ou zone de charge d'espace (ZCE)
comportant des paires de charges fixes positives (ions positifs) et négatives (ions
négatifs) : des dipôles.
La jonction PN s'apparente à un condensateur dont le pôle (l'armature) - est la
zone "P" et le pôle + est la zone "N". La zone de transition ne contenant pas de porteurs
mobiles constitue le diélectrique du condensateur.
Ces paires de dipôles de polarités opposées donneront naissance à un champ

électrique interne E i dirigé de "N" vers "P" qui s'opposera, progressivement, à la
diffusion des porteurs majoritaires présents de part et d'autre de ZCE : les porteurs (e-)
 
sont soumis à une force F= q × E i . Seuls quelques-uns d'entre eux pourront franchir la
zone de transition et créer, ainsi, un courant très faible dit "courant de diffusion" : I d .
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
D'autre part, les porteurs minoritaires sont accélérés par le champ E i . En effet,
les électrons de la région "P" qui arrivent à la zone de transition sont soumis à une force
 
F =− q × Ei qui favorisera leur passage à la région "N". Le déplacement de ces
électrons minoritaires crée un très faible courant appelé "courant de saturation": I s . Ce
dernier est en sens inverse avec le courant de diffusion. En l'absence de polarisation de
la jonction, un état d'équilibre s'établit avec l'égalité des deux courants : I d = I s .

 dV
Il est à noter qu'en raison de la relation champ-potentiel  E = − ou bien
 dx
a
 
V ab = − ∫ Edx  , la présence du champ électrique E i entre les ions de la zone de
b 
transition équivaut à la présence d'une différence de potentiel V=
0 V N − V P entre la
zone "N" et la zone "P", appelée potentiel de jonction ou (le plus souvent) barrière de
potentiel.
À température ambiante, cette barrière de potentiel (dite aussi potentiel seuil)
est de 0,7 V pour les jonctions PN à base de Silicium et de 0,3 V pour celles à base de
Germanium.

Remarque : Pour qu’un électron puisse traverser la barrière de potentiel, il lui faut une
énergie externe donnant lieu à un potentiel supérieur à V 0 . Il faudra donc appliquer une
d.d.p externe à la jonction PN  "Polarisation". C'est l'objet du paragraphe suivant.

III.1 Jonction PN polarisée :


La polarisation d'une jonction PN consiste à appliquer à ses deux extrémités une
tension continue. On distingue deux types de polarisation : en direct et en inverse.

III.3.1 Polarisation en direct :


Une jonction PN est dite "polarisée en direct" si la région "P" est reliée à un
potentiel supérieur à celui de la région "N" : V P > V N .
Il s'agit donc d'appliquer une source de tension
continue V aux bornes de la jonction (la borne
positive sur le côté "P" et la borne négative sur le
côté "N") ce qui revient donc à appliquer un champ
 
externe E ex dirigé dans le sens inverse de E i .
Dans cette situation, ce champ externe créé par le
générateur de f.é.m V s'oppose au champ interne.
  
= E i + Eex .
On a le champ total donné par E
Dès que le champ externe dépasse le champ interne, il y a une baisse
de la barrière de potentiel (V − V0 > 0 )  les porteurs libres (majoritaires) peuvent
facilement franchir la zone de transition. On dit alors que la jonction PN est "passante".
Le déplacement (flux) de ces majoritaires, à travers la jonction, crée un courant de
diffusion important appelé "courant direct" I d . Le courant I s reste faible.

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III.3.2 Polarisation en inverse :


Un jonction PN est dite "polarisée en inverse" si la région "P" est reliée à un
potentiel inférieur à celui de la région "N" : V P < V N .
Il s'agit donc d'appliquer une source de
tension continue V aux bornes de la jonction
(la borne positive sur le côté "N" et la borne
négative sur le côté "P") ce qui revient donc à

appliquer un champ externe E ex dirigé dans le

même sens que E i . Dans cette situation, le
champ externe créé par le générateur s'ajoute au champ interne de la jonction ce qui va
causer l'augmentation de la barrière de potentiel (l'élargissement de la zone de
transition)  les porteurs majoritaires ne pourront pas franchir la zone de transition. On
dit que la jonction PN est "bloquante". Seul un très faible courant de minoritaires (de
l'ordre de quelques µ A ) sera, alors, possible à travers la jonction : c'est le "courant
inverse" I s ou "courant de fuite".

IV. LA DIODE
IV.1 Définition :
L'application la plus immédiate de la jonction PN est la "diode" qui fut inventée
en 1942 par le physicien américain William Bradford Shockley (1910-1989).

L'encapsulation d'une simple jonction PN dans un boîtier


protecteur constitue le composant électronique appelé diode.
C'est un dipôle électrique unidirectionnel dont :
♦ la borne ⊝ est la cathode notée "K" : électrode Anneau de repérage
"K"
permettant l'accès à la zone S-C type "N".

♦ la borne ⊕ est l'anode notée "A" : électrode


permettant l'accès à la zone S-C type "P".

 Représentation symbolique :

 Diode en Si : V 0 ≈ 0.7 V
 Une diode est caractérisée par sa tension seuil V 0 :  .
 Diode en Ge : V 0 ≈ 0.3 V

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 Une diode polarisée en direct (V A > V K ⇔ V d > 0 ) est :

 passante ( I d > 0 ) si la tension appliquée entre


l’anode et la cathode est supérieure à la tension
seuil : V d > V 0 .

 bloquante ( I d = 0 ) si V d < V 0 .

 Le fonctionnement d'une diode peut être assimilé à celui d'un interrupteur :


 lorsqu'elle est passante  interrupteur fermé

 lorsqu'elle est bloquante (ou bloquée)  interrupteur ouvert.

IV.2 Caractéristique d'une diode :


La caractéristique d'une diode est la représentation graphique de la variation du
courant I d en fonction de la chute de tension V d .
Pour son obtention, on utilise le
circuit électrique schématisé ci-
contre et on réalise l'expérience
par variation de la tension
source E en polarisation directe
et en polarisation inverse.
Quatre cas distincts sont à considérer : diode réelle, diode théorique, diode
idéalisée et diode idéale.

IV.2.1 Diode réelle :


Pour ce cas, la caractéristique I d = f (V d ) est représentée ci-dessous.

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∗ En polarisation directe, la croissance du courant est d'abord exponentielle, puis, tend


à devenir linéaire (droite) à partir de la tension seuil V 0 . Ce seuil de tension sépare 2
états de la diode :
• l'état "diode bloquante" pour lequel I d est très faible : 0 ≤ V d ≤ V 0 .

• l'état "diode passante" : V d > V 0 .

V 0 est déterminée comme étant le point d'intersection de la partie rectiligne de la


caractéristique avec l'axe des abscisses (tension).

I d max est l'intensité maximale du courant supporté par la diode. Elle est fixée par le

constructeur et dépend de l'application.

∆V d et ∆I d sont respectivement un intervalle de tension et un de courant choisis


∆V d
pour la détermination de la résistance dynamique interne de la diode R d = (très
∆I d
faible).

La diode réelle peut être représentée (modélisée) par le schéma équivalent ci-dessous :

V d = V 0 + Rd ⋅ I d

∗ En polarisation inverse, le courant (en sens inverse) croît très lentement avec la

tension inverse : courant inverse. Pour une certaine valeur de la tension appelée

"tension Zener" V z , on observe une augmentation rapide de ce courant : c'est le

phénomène d'avalanche.

Ce phénomène peut provoquer la destruction du cristal ou "claquage". Cependant,

sous certaines conditions, une diode peut être utilisée dans la région d'avalanche : il

s'agit de la "diode Zener" à voir plus loin.

• Si V d < V z : la diode est bloquante. Elle est équivalente à une résistance très élevée :

"résistance inverse" R i ( Ri > 1 MΩ ) .

• Si V d ≥ V z : la diode est subitement conductrice et la courbe I d = f (V d ) est alors

pratiquement rectiligne verticalement.

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IV.2.2 Diode théorique (approximation de la diode réelle) :
Dans ce cas, on approxime la caractéristique

(courbe) réelle directe par une droite oblique passant

par V 0 pour V d > V 0 .

En polarisation directe :
Si V d > V 0  la diode est passante :

I d > 0 et V d = V 0 + R d ⋅ I d .

Schéma équivalent :

Si 0 ≤ V d ≤ V 0  la diode est bloquante : I d = 0 .

Schéma équivalent :

En polarisation inverse  V d < 0  la diode est bloquante : I d = 0 .

Schéma équivalent :

IV.2.3 Diode idéalisée :


La caractéristique d'une diode idéalisée est illustrée
par la figure ci-contre.

En polarisation directe :
Si V d ≥ V 0  la diode est passante : I d > 0 et V d = V 0 .

Schéma équivalent :

Si 0 ≤ V d < V 0  la diode est bloquante : I d = 0 .

Schéma équivalent :

En polarisation inverse  V d < 0  la diode est bloquante : I d = 0 .

Schéma équivalent :

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 13


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES
IV.2.4 Diode idéale :
La caractéristique d'une diode idéale est illustrée par la
figure ci-contre.

En polarisation directe :

Si V d > 0  la diode est passante : I d > 0

Schéma équivalent :

Si V d = 0  la diode est bloquante : I d = 0

Schéma équivalent :

Remarque importante : Dans un circuit électrique, une fois que la diode idéale est
fonctionnelle (passante), on adoptera : I d > 0 et V d =
0.

En polarisation inverse  V d < 0  la diode est bloquante : I d = 0 .

Schéma équivalent :

IV.3 Point de fonctionnement d'une diode :


IV.3.1 Droite de charge statique :
On appelle "droite de charge statique" la droite dont l'évolution est régie par :
I d = f (V d ) . C'est un outil pour déterminer la valeur exacte

du courant et de la tension sur une diode. Pour la déterminer,


on utilise le circuit ci-contre.
1 E
E = R × I d +V d → Id =
− ⋅Vd + .
R R
Tracé :
 0 
V =0 → I = → P  
E
1 E
 d d
R  
  R  → droite reliant les deux points extrêmes P1 et P2 .
 E
I d =0 → Vd =E → P2  
  0

P1 : Point de saturation (courant maximal)


P2 : Point de blocage (courant minimal).

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 14


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES
IV.3.2 Point de fonctionnement en régime statique :
Le point de fonctionnement statique (parfois appelé "point de repos") est le
point d'intersection entre la droite de charge statique d'une diode et sa courbe
caractéristique. Il est souvent symbolisé par la lettre Q (initiale du terme l'anglais

(
"Quiescent") : Q V d , I d .
Q Q )

V. DIFÉRENTS TYPES DE DIODES


En provoquant et exploitant différents phénomènes dans les semi-conducteurs, il
est possible de concevoir différents types de diodes avec des caractéristiques spécifiques
très utiles.

V.1 Diodes Classiques ou Normales (à simple jonction PN) :


C'est le type à simple jonction PN vu dans ce qui a précédé.
Domaines d’application : Protection des circuits - circuits logiques - redressement
- filtrage - écrêtage (ʺclippingʺ) - restauration (ʺclampingʺ) - …etc.

V.2 Diodes Électroluminescentes "LED" (Light Emitting Diode) :

Symbole :

Les diodes électroluminescentes sont des jonctions PN qui peuvent émettre


spontanément un rayonnement dans le domaine visible, dans l'infrarouge et dans l'ultra-
violet.
La longueur d'onde du rayonnement émis dépend essentiellement de la largeur du
Gap du matériau utilisé. Ceci ne peut être obtenu qu'avec des alliages S-Cs tels que
l'alliage GaAs1-yPy constitué d'Arséniure de Galium et de Phosphore. y est la proportion
de Phosphore introduite dans le réseau, elle permet de régler la largeur du Gap et par la
même la longueur d'onde du rayonnement émis.

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 15


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES
La LED émet de la lumière lorsqu'elle est polarisée en direct. Quand une tension
est appliquée aux bornes de la jonction pour la rendre polarisée en direct, un courant
circule comme dans le cas de toute jonction PN. Les trous de la région type P et les
électrons à partir de la région type N entrent dans la jonction et se recombinent comme
dans une diode normale afin de permettre au courant de circuler. Lorsque ceci se
produit, une énergie est libérée, dont une partie sous forme de photons lumineux.
Domaines d'application : Indicateurs lumineux (marche-arrêt, état de
fonctionnement, jeux de lumière, … ) - Afficheurs à 7 segments (7 LED) … etc.

V.3 Les Photodiodes :

Symbole :

Les photodiodes relèvent du domaine de l'optoélectronique. Ce sont des diodes à


jonction PN ayant la capacité de détection des rayonnements et de transformation de
leurs énergies en énergie électrique (signaux électriques).
Le principe de fonctionnement d'une photodiode repose
sur l'exploitation du phénomène du courant inverse dans une
jonction PN créé par les porteurs minoritaires produits suite à
l'arrachement d'électrons de valence recombinés en paires
"électron-trou" par énergie (agitation) thermique. L'énergie
lumineuse bombardant la jonction PN produit le même effet (l'arrachement d'électrons
de valence) et augmente ainsi l'intensité du courant inverse. D'après le schéma ci-contre,
la source et la résistance polarisent la diode en inverse. Plus la lumière incidente devient
forte, plus le courant inverse croît.

Domaines d'application : Dispositifs électroniques de large utilisation (lecteurs de


CD, ...) - Appareils électroniques télécommandés - Robotique - Détection (visible et
invisible) - Switching - Reconnaissance des caractères - Équipements de communication
optique - Électronique médicale, ... .

V.4 Diode Zener (Clarence Melvin Zener : physicien américain (1905–1993)) :

Symbole :

C'est une diode au Si qui, en polarisation


directe, se comporte d'une façon normale, mais,
qui, en polarisation inverse, a une caractéristique
très particulière et très utile.
Comme déjà vu, dans une diode ordinaire, la caractéristique inverse est parallèle à
l'axe des tensions inverses; puis, pour une certaine tension inverse (V z ici V z 0 ), le
courant inverse ( I s ici I z ) qui était, jusque là, très faible, croît très vite, ce qui amène à
la destruction de la diode, par claquage de la jonction, dû, d'abord, à l'ionisation des
atomes de la zone de jonction sous l'action du champs électrique intense créé par la
tension inverse, puis, à l'échauffement de la zone de jonction qui dissipe, en chaleur, une
puissance énorme, la tension et l'intensité ayant, simultanément, une grande valeur.

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 16


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES

Dans la diode Zener, l'avalanche se produit pour une tension inverse faible et n'est
pas destructive. En effet, par un important dopage et un rétrécissement de la zone de
transition on peut ajuster (diminuer) la valeur de la tension V z 0 . Ceci limitera la
puissance dissipée Pz et la température de fonctionnement même avec la croissance
brutale du courant inverse. L'effet sera réversible et non destructif. Le courant inverse
I z , faible jusqu'à la tension de claquage, augmente brutalement et la tension inverse se
maintient presque constante sur une grande plage de courants inverses : entre I z
min
(coude de la caractéristique inverse) jusqu'à la valeur maximale I z max que peut
supporter la diode (fixée par le constructeur).
Si, dans la zone d'avalanche, une variation ∆U z de la tension inverse produit une
variation ∆I z du courant inverse, la résistance "différentielle" ou "dynamique" de la
∆U z
diode est : R z = . R z caractérise le pouvoir régulateur de la diode Zener qui est
∆I z
d'autant meilleur qu'elle est plus faible.
Dans ce qui suit, on adoptera la notation suivante : Dz  Diode Zener.

V.4.1 Modélisation (schémas équivalents) de la diode Zener :


En polarisation directe :
Elle est caractérisée et modélisée comme une
diode normale.

En polarisation inverse :
Cas réel :
Elle est passante ( I z > 0 ) si la tension V z
appliquée à ses bornes est supérieure à la tension seuil de Zener
V z : V z > V z 0 . Par ailleurs, elle possède une résistance dynamique R z .
0

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 17


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES
 Dz passante : V z > V z 0 & I z > 0 .

Schéma équivalent :

 Dz bloquante : V z ≤ V z 0 & I z = 0 .

Schéma équivalent :

Illustration :
E = Vz + R ×Iz 3

Diode passante  V z = R z × I z +V z 0

E −V z 0
E = V z 0 + ( R + Rz ) × I z ⇒ I z =
R + Rz
I z >0 ⇒ E >V z0 :

E −V z 0
♦ Si E > V z 0  Dz passante  I z = ♦ Si E ≤ V z 0  Dz bloquante  I z = 0
R + Rz

Cas idéal :
Dans le cas d'une Dz idéale, on a R z = 0 .

 Dz passante : V z ≥ V z 0 & I z > 0 .

Schéma équivalent :

 Dz bloquante : V z < V z 0 & I z = 0 .

Schéma équivalent :

V.5 Autres Types de Diodes :


Il existe plusieurs autres types de diodes selon les domaines d'application. On peut citer :
Schottky - Shockley - Varicap ou Varactor - Diac - Transil ou Transzorb - Thyristor -
Triac - Gunn - Pin - Backward - Tunnel ou Esaki.

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 18


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES

VI. PRINCIPALES APPLICATIONS DES DIODES : CIRCUITS À


DIODES
VI.1 Circuits Redresseurs : ("Rectifier circuits")
Le but principal du redressement est la transformation du courant alternatif en
courant continu. On distingue : le redressement monoalternance ou simple alternance et
le redressement double alternance.
Par redressement, on dit qu'on a transformé un courant alternatif (une tension
alternative) en un courant unidirectionnel (une tension unidirectionnelle).
Contrairement au courant alternatif (à la tension alternative), un courant redressé
(une tension redressée) est un courant (une tension) qui conserve la même polarité en
cours du temps. La partie négative est supprimée.

VI.1.1 Redressement monoalternance ou simple alternance ("Half-wave rectifier") :


) V M ⋅ sin (ωt )
v e (t=
v e (t ) > 0 : alternance positive.
v e (t ) < 0 : alternance négative.
Hypothèse : La diode est supposée idéale.

1er cas : Conduction  v d = 0 & i d > 0 2ème cas : Blocage  v d < 0 & id = 0

) R ⋅ i d (t )
v e (t = v= v e (t ) < 0 → v e (t ) < 0
d

> 0 → v e (t ) > 0
v e (t )
i d (t=
) R i d (t ) =→
v s (t ) =⋅ 0 v s (t ) = 0 .
R
v e (t ) → v s (t ) = v e (t ) .
R i d (t ) =
v s (t ) =⋅

Autre démarche

Pendant l'alternance positive : v e (t ) > 0 , Pendant l'alternance négative : v e (t ) < 0 ,


la diode est polarisée en direct, donc, elle la diode est polarisée en inverse, donc, elle
est passante =
 v d 0 & id > 0 est bloquante  v d < 0 & i d =
0

v s (t =
) v e (t ) − v d= v e (t ) R ⋅ i d (t ) =
v s (t ) = 0
→ v s (t ) = v e (t ) . → v s (t ) = 0 .

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 19


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES

) V M ⋅ sin (ωt )
v e (t=

V ⋅ sin (ωt ) pour 0 < t < T 2


v s (t ) =  M
 0 pour T 2 < t < T
V M
 ⋅ sin (ωt ) pour 0 < t < T 2
i s (t ) =  R
 0 pour T 2 < t < T

1 1
T
VM v s moy (t ) V
=
v s moy =∫
T T
v s (t )dt
T ∫ 0
2
sin(ωt )dt
V M=
π
▌ =
i s moy =
R πR
M

 on constate que la valeur moyenne de la tension redressée et du courant redressé ont


augmenté.

1 1
T
VM v seff (t ) V M
∫ ∫ [V M=
sin(ωt )] dt
2
=v seff = v s 2 (t )dt 2
▌=
i seff =
T T T 0 2 R 2R

Remarque :
Si la diode est idéalisée ( V0 ≠ 0 ),

le résultat du redressement est


illustré par le graphe ci-contre.

VM V0
v s moy = − .
π 2

VI.1.2 Redressement double alternance ("Full-wave rectifier") :

But : Redressement avec amélioration (augmentation) de la valeur moyenne.

Circuit utilisés :

Montage 1 :
Pont à 4 diodes : "Pont de Graëtz"

t ) V M ⋅ sin (ωt )
v e (=
v e (t ) > 0 : alternance positive.

v e (t ) < 0 : alternance négative.


Hypothèse : Les diodes sont supposées idéales.
Principe de fonctionnement :
1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 20
CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES

( )
Pendant l'alternance positive 0 < t < T 2 : v e (t ) > 0

D1 et D2 sont passantes (court-circuits) & D3 et D4 sont bloquantes (circuits ouverts)

⇒ v s (t ) = v e (t ) .

(
Pendant l'alternance négative T 2 < t < T ) : v e (t ) < 0

D1 et D2 sont bloquantes (circuits ouverts) & D3 et D4 sont passantes (court-circuits)

⇒ v s (t ) = − v e (t ) .
Remarque : Le courant i s traversant la résistance R est unidirectionnel.

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 21


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES

1 1 T 2V M v s moy (t ) 2V M
T T∫ ∫
=
v s moy = v (t )dt sin(ωt )dt
V M= ▌ =
i s moy =
s
T 0 π R πR

 on constate que la valeur moyenne du courant redressé et de la tension redressée sont


le double de celles obtenues pour le cas du redressement monoalternance.

1 1 VM v seff (t ) VM
sin(ωt )] dt
∫0 [V M=
T

2
=v s eff = v s 2 (t )dt ▌=
is eff
=
T T T 2 R 2R

Remarque :
Si les diodes sont idéalisées ( V0 ≠ 0 ), le
résultat du redressement double
alternance est illustré par le graphe ci-
contre.

2V M
v s moy = −V0 .
π

Montage 2 : (Exercice d'application)


t ) VM ⋅ sin (ωt )
v e (=
D1 et D2 sont supposées idéales.
Il est demandé de :
1) Tracer les graphes de v e (t ) , v d1 (t ) , v d1 (t ) et v s (t ) .

2) Calculer v smoy et v seff .

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 22


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES
VI.2 Circuits Détecteurs de Crêtes - Filtrage :
VI.2.1 Détecteur de crête : ("Peak detector")
Soit le circuit ci-contre avec :
• t ) V M ⋅ sin (ωt )
v e (=
• La diode est supposée idéale
• C est initialement déchargé.
• On suppose que R → ∞ .

Diode idéale  Conduction=


: v d 0 & id > 0 ▌ Blocage : v d < 0 & id =
0.

 Pour 0 < t < T 4 : v e (t ) > 0


 la diode conduit et le
condensateur va se charger
jusqu'à la valeur maximale V M .

 Pour t > T 4 :

v e (t )  ⇒ v e (t ) < v s (t ) ⇒ la diode est polarisée en inverse  elle devient


bloquante. Le condensateur va conserver sa charge maximale (il ne peut se décharger
à travers R car R → ∞ ≈ circuit ouvert).

VI.2.2 Filtrage :
En considérant la résistance R (charge)
en parallèle avec le condensateur C ("filtre RC")
du circuit détecteur de crête précédent, le
condensateur va se décharger à
travers cette résistance selon
une dynamique dépendant de
la constante de temps τ :
si τ   décharge rapide.
si τ   décharge lente 
le circuit est pratiquement identique au détecteur de crête précédent. Pour un meilleur
filtrage, on choisit τ beaucoup plus grand que T .
Remarques :
 C’est ce circuit qui est utilisé en pratique, vu que le premier suppose R → ∞ .
 Le filtrage d’une tension redressée consiste à réduire au maximum l’ondulation donc à avoir
une tension aussi constante que possible. Cette fonction est réalisée par le condensateur.
Applications :
 Lissage (ʺsmoothingʺ) de la tension à la sortie du circuit de
redressement double alternance.
 Détection d’amplitude :
• Mesurer la valeur de crête d'un signal sans être synchronisé sur celui-ci, c'est-à-dire sans
savoir quand se produit le maximum (nombreuses applications en instrumentation).
• Détecter des impulsions très courtes (la capacité joue le rôle de "mémoire").
 Démodulation d'une porteuse modulée en amplitude (radio AM). On choisit la constante de
temps RC grande devant la période de porteuse, mais faible devant celle de la modulante.

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 23


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES
VI.3 Circuits écrêteurs ou limiteurs ("Clipping circuits") :
La fonction d’écrêtage est particulièrement utile pour la mise en forme des
signaux et la protection des circuits.
La principale vocation des circuits écrêteurs ou limiteurs est la suppression
(limitation) de tensions ou de courants plus grands ou plus petits qu'une valeur spécifiée.

VI.3.1 Écrêtage à un niveau :


L'écrêtage se fait à un seul niveau. Le circuit utilisé comporte principalement, en
série, une diode avec une pile ou une diode Zener.

D passante → i d > 0 & v d =


0 D bloquante → i=
d 0 & vd < 0

• v s (t ) = E . • v s (t ) = v e (t ) .

• v e (t ) − R ⋅ i d − E =
0 • v s (t ) = v d + E = v e (t )
v e (t ) − E ⇒ v d = v e (t ) − E.
⇒ id = .
R
Puisque i d > 0 ⇒ v e (t ) > E . Puisque v d < 0 ⇒ v e (t ) < E .

v e (t ) > E v e (t ) < E
⇒  . ⇒  .
 s
v (t ) = E v s (t ) = v e (t )

Caractéristique de transfert:

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 24


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES
VI.3.2 Écrêtage à deux niveaux :
Dans ce cas, l'écrêtage se fait à deux niveaux. Le circuit utilisé comporte 2
diodes, chacune d'elle étant en série avec une pile ou une diode Zener.

1) D1 passante et D 2 passante :

v s (t ) = E et v s (t ) = − E  cas impossible.

2) D1 passante et D 2 bloquante :

 id1 > 0 & v d1 = 0  id 2 = 0 & v d 2 < 0


• v s (t ) = E
v e (t ) − E
• v e (t ) − R ⋅ i d1 − E = 0 ⇒ i d1 = . Puisque i d1 > 0 ⇒ v e (t ) > E .
R
v e (t ) > E
⇒  .
v s (t ) = E

3) D1 bloquante et D 2 passante :

 id1 = 0 & v d1 < 0  id 2 > 0 & v d 2 = 0

• v s (t ) = − E
v e (t ) + E
• v e (t ) + R ⋅ i d 2 + E =0 ⇒ id2 =− . Puisque i d 2 > 0 ⇒ v e (t ) < − E .
R
v e (t ) < − E
⇒  .
v s (t ) = − E

4) D1 bloquante et D 2 bloquante :
 id 1 =0 & v d 1 < 0  id 2 =0 & v d 2 < 0

• v s (t ) = v e (t )

• v s (t ) = v d1 + E = v e (t ) ⇒ v d1 = v e (t ) − E . Puisque v d1 < 0 ⇒ v e (t ) < E .

• v s (t ) =− v d2 − E =v e (t ) ⇒ v d2 =− [v e (t ) + E ]. Puisque v d2 < 0 ⇒ v e (t ) > − E .

 − E < v e (t ) < E
⇒  .
 v s (t ) = v e (t )

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 25


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES

Caractéristique de transfert :

VI.4 Circuit régulateur à Diode Zener :


Le circuit régulateur à diode Zener, illustré par la
figure (A) ci-contre, est utilisé pour maintenir une
tension de sortie constante Vs = Vz0 vis-à-vis
d'éventuelles variations de la charge R L ou de la
source de tension V e ( V e > V z 0 ).
R e : résistance de limitation de courant de valeur appropriée garantissant le passage
d'un faible courant de valeur convenable à travers la diode Zener, suffisant pour
maintenir une chute de tension V s .

Le schéma du circuit régulateur

équivalent est représenté sur la figure (B).

Ve − V z0 Vz
On a : I=
e I z + I L → I z = Ie − I L = − 0 ; V=
s V=
z0 RL ⋅ I L .
Re RL
 Si V e est constante, I z variera avec la variation de la charge R L . On a aussi, dans
Ve − V z 0
ce cas, le courant I e = constant.
Re
 Si I L venait à croître, alors I z décroîtra et vice-versa.

 Une diode Zener est spécifiée par les valeurs limites basse ( I z min ) et haute ( I z max )

du courant I z .

• La limitation supérieure I z max est déterminée par la capacité de dissipation de la


diode, à savoir, la puissance maximale Pz max (fixée par le constructeur) :

Pz max
I z max = .
Vz0

• Si I z < I z min , la régulation n'est pas efficace et la tension de sortie s'écarte de la


tension de référence V z 0 .

 Pour une diode Zener donnée, les limites du courant I z limitent également les
valeurs minimale et maximale de la tension source V e .

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 26


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES
Pour bien étudier et cerner les différentes situations caractérisant l'analyse du
fonctionnement du régulateur de Zener, quatre cas sont à considérer :

V e et R L fixes :

L'analyse se réalise en deux étapes :


1. Détermination de l'état de la diode Zener en la
déconnectant du réseau et en calculant la
tension aux bornes du circuit ouvert résultant :
v e ⋅ RL
=
V V=
s
R L + Re
• Si V ≥ V z 0 , la diode Zener est passante → modèle équivalent,

• Si V < V z 0 , la diode Zener est bloquante → C.O.

2. Remplacement par le circuit équivalent approprié et résolution pour la


détermination des inconnues.

En remplaçant la diode par son modèle équivalent → Fig. B, on a :

Vs = Vz 0

Vs V Re V e − V s
I=
e I z + I L → I=
z I e − I L où I L = et =
Ie =
RL Re Re

La puissance dissipée dans la diode Zener est déterminée par =


Pz V z 0 ⋅ I z qui

doit être inférieure à la valeur Pz max spécifiée par le constructeur.

Exemple d'application :
Soit le circuit ci-contre avec :

a) Déterminer V s , V Re , I z et Pz .

b) Répéter a) pour R L= 3kΩ .

a) En suivant la démarche suggérée, on

adopte le schéma électrique du circuit

comme illustré ci-contre.

Ve ⋅ RL 16 ⋅ 1.2 ⋅ 103
= V=
V s = 
A.N
→ V = 8.73 V .
R L + Re 1.2 ⋅ 103 + 1 ⋅ 103
Puisque V = 8.73 V est inférieure à V z 0 = 10 V , la diode est bloquante.

On détermine alors :

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 27


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES

∗ V=
s V= 8.73 V ,

∗ V R=
e
V e − V s 
A.N
→ V=
Re 16 V − 8.73 V → V Re = 7.27 V ,

∗ Iz = 0A,

∗ Pz = 0 W .

b) On recalcule la tension V aux bornes de


la diode Zener sur la base de la nouvelle
valeur de R L :

Ve ⋅ RL 16 ⋅ 3 ⋅ 103
=
V V=
s =

A.N
→ V = 12 V .
R L + Re 3 ⋅ 103 + 1 ⋅ 103

Cette fois-ci V = 12 V est supérieure à


V z 0 = 10 V ⇒ la diode conduit → le
schéma électrique équivalent est donné
ci-contre. On a alors :
∗ =
V s V=
z 0 10 V .

∗ V=
Re V e − V s 
A.N
→ V R=e 16 − 10 → V Re = 6 V .

 V Re 6
= I e 
A.N
=→ Ie →
= I e 6 mA
 Re 1 ⋅ 103
∗ I=
z Ie − I L avec 
=I Vs

A.N

= IL
10

= I L 3.33mA
 L RL 3 ⋅ 103

→ I z = 2.67 mA .

∗ =
Pz V z 0 ⋅ I z 
A.N
→ P=
z 10 ⋅ 2.67 → Pz = 26.7 mW .

À noter que Pz < Pz max .

V e fixe et R L variable :
En raison de la tension seuil V z 0 , il existe une plage spécifique de valeurs de la
résistance de charge R L (et donc du courant de charge I L ) garantissant que la diode
Zener soit à l'état "actif" (passante). Une résistance de charge R L trop faible
entraînera une tension V s inférieure à V z 0 aux bornes de la résistance de charge et la
diode Zener sera à l'état "désactivé" (bloquante).
Pour déterminer la résistance de charge minimale R Lmin qui activera la diode Zener,
on calcule simplement la valeur de R L qui entraînera la tension de charge V s à être
Ve ⋅ R L V z 0 ⋅ Re
égale à V z 0 → =
V s V= ce qui donne R Lmin = .
z0
R L + Re Ve − V z 0

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 28


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES
Toute valeur de la résistance de charge R L > R Lmin ne fera qu'assurer la conduction

de la diode Zener qui peut alors être remplacée par son modèle équivalent V z 0 .

La condition définie par R Lmin établit la valeur minimale de R L , mais spécifie aussi

Vs Vz0
la valeur maximale du courant de charge I L comme étant : I L= = .
max
R L R Lmin

La diode étant passante, la tension aux bornes de R e reste fixée à V =


Re Ve − V z 0

V Re
et le courant I e reste aussi constant : I e = .
Re

I e étant constant, le courant de la diode Zener I=


z I e − I L résulte en un courant :
=
 minimal → I z min quand I L est maximal : I z min I e − I Lmax

=
 maximal → I z max quand I L est minimal : I z max I e − I Lmin

Puisque I z est limité (par le constructeur) à I z max , il affecte la plage de valeurs de

Vz0
=
I L et donc celle de R L : I Lmin I e − I z max → R Lmax = .
I Lmin

Résumé :
V z 0 ⋅ Re Vs Vz0
R Lmin = → I L= = =
ou I Lmax I e − I z min .
Ve − V z 0 max
R L R Lmin

Vz0
=
I Lmin I e − I z max → R Lmax = .
I Lmin

Exemple d'application :
Soit le circuit de la figure ci-contre.
a) Déterminez la plage des valeurs
de R L et I L qui permet de
maintenir la tension de sortie V s à 10 V.

b) Calculer la puissance maximale qui puisse être dissipée dans la diode.

a)
• En premier lieu, on détermine la valeur minimale de R L qui déclenchera la
conduction de la diode :
V z 0 ⋅ Re (10 V ) ⋅ (1 ⋅103 Ω )
RL = 
→ RL =
A.N
→ R L= 250 Ω .
min Ve − V z 0 min
( 50 V ) − (10 V ) min

• On détermine, ensuite, I Lmin par l'utilisation de l'équation : I Lmin


= I e − I z max .

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 29


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES
V Re
Pour cela, on doit calculer, au préalable, le courant I e : I e = .
Re
La chute tension V Re aux bornes de R e peut être déterminée comme suit :

V R=
e
Ve − V z 0 
A.N
→=
V Re ( 50 V ) − (10 V ) → V Re = 40 V , ce qui
( 40 V )
permet de trouver I e : I e = → I e = 40 mA .
(1⋅10 Ω )
3

On peut, alors, calculer I Lmin comme suit :

=
I Lmin I e − I z max 
A.N
→=
I Lmin ( 40 mA ) − ( 32 mA ) → I Lmin = 8 mA .

• Par suite, la valeur maximale de R L peut être directement trouvée en utilisant


Vz0 (10 V )
la règle : R Lmax = 
A.N
→ R Lmax = → R=
L max 1.25 kΩ .
I Lmin (8 mA )
Voici une illustration graphique de la dépendance de V s par rapport à R L et I L :

b) Pz =
max
V z 0 ⋅ I z max 
A.N
→ =
Pz max (10 V ) ⋅ ( 32 mA ) → Pz max = 320 mW .

V e variable et R L fixe :
Pour une résistance de charge R L de valeur fixe, la tension de la source
d'alimentation V e doit être suffisamment grande pour déclencher la conduction de la
diode Zener ce qui amène à l'égalité V s = V z 0 .
• Sa valeur minimale V e min se détermine comme suit :

Ve ⋅ R L V z 0 ⋅ ( Re + R L )
=
V s V=
z0 → V e min = .
R L + Re RL
• Sa valeur maximale V e max est limitée par le courant maximal de Zener I z max .

Puisque I=
z Ie − I L alors I=
z max I e max − I L ce qui donne
Vz0
I=
e max I z max + I L avec I z max spécifiée par le constructeur et I L = .
RL
On a la relation=
V e V Re + V z 0 ce qui donne =
V e max V Re + V z 0 . On établit alors :
max

V e max = Re ⋅ I e max + V z 0 .

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 30


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES
Exemple d'application :
Soit le circuit de la figure ci-contre.
Déterminer la plage des valeurs de
la tension d'alimentation V e pour
garantir la conduction de la diode.

V z 0 ⋅ ( Re + R L ) ( 20V ) ⋅ ( 220 Ω + 1.2 ⋅ 103 Ω )


• V e min = → V e min =
 A.N
RL (1.2 ⋅10 Ω )
3

→ V e min = 23.67 V .

Vs Vz0 20 V
• =
IL = 
A.N
→ IL = → I L = 16.67 mA .
RL RL 1.2 ⋅ 103 Ω

• =
I e max I z max + I L 
A.N
→=
I e max 60 mA + 16.67 mA → I e max = 76.67 mA .

V e max = R e ⋅ I e max + V z 0 


A.N
→ V e max= ( 76.67 mA ) ⋅ ( 0.22 kΩ ) + 20 V
→ V e max = 36.87 V .

Les résultats révèlent que, pour ce circuit à


résistance de charge fixe, la tension de sortie
restera égale à 20 V pour une plage de tension
d'entrée pouvant s'étendre de 23,67 V à 36,87 V.

V e et R L variables :
Hypothèses :
∗ la tension de la source d'alimentation V e varie entre V e min et V e max .

∗ valeurs limites du courant de la diode Zener I z : I z min et I z max .


Vz0
∗ le courant de charge I L varie entre I L et I Lmax avec I Lmin = et
min R Lmax
Vz0
I Lmax = .
R Lmin

Pour assurer la régulation de la tension de sortie → V s = V z 0 ; on doit garantir que :


 V e min > V z 0 ,

( ) (
 la plage I z max − I z min est plus grande que I Lmax − I Lmin , )
On a alors les relations suivantes :
V e max − V z 0 V e min − V z 0
= I z max + I L et = I z min + I Lmax
Re min Re
ce qui revient à établir l'expression (la valeur) de la résistance R e à utiliser :
V e min − V z 0 V e max − V z 0
=Re = .
I z min + I Lmax I z max + I L
min

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 31


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES
Exemple d'application :
Pour le circuit montré ci-
contre, trouver les valeurs
minimale et maximale du
courant de la diode Zener pour
qu'elle assure la régulation.

V e min − V z 0
 I e min =I z min + I Lmax ⇔ = I z min + I Lmax
Re

V e min − V z 0 Vz0
⇒=
I z min − I Lmax avec I Lmax =
Re R Lmin

120 V − 50 V 50 V

A.N
= → I z min − → I z min = 4 mA .
5 ⋅ 10 3 Ω 5 ⋅ 10 3 Ω

V e max − V z 0
 I e max = I z max + I L ⇔ = I z max + I L
min Re min

V e max − V z 0 Vz0
⇒ =
I z max − IL avec I Lmin =
Re min
R Lmax

170 V − 50 V 50 V

A.N
= → I z max − → I z max = 19mA .
5 ⋅ 10 Ω
3
10 ⋅ 10 3 Ω

Exercice d'application :
Soit le circuit de la figure ci-contre.
La caractéristique inverse de la diode en polarisation
inverse est assimilée à une droite passant par les points :
= (
i z 20
= V et i z 100
mA,Vz 6.2= = ) (
mA,Vz 7 V . )
On admettra que la diode fonctionne en stabilisateur de tension pour iz compris entre
5 mA et 100 mA .

1) Déterminer l'équation de la caractéristique Vz =f (i z ) =Vz 0 + R z ⋅ i z .

2) Étude à vide :
R 190 Ω .
a. Déterminer Vz et iz si Ve = 12 V et=

R 190 Ω ?
b. Entre quelles valeurs limites Ve peut-elle varier si=

3) Étude en charge :
R L 100 Ω .
R 100 Ω et =
Calculer iz , iL , i et Vz pour Ve = 18 V ,=

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 32


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES
VI.5 Circuits Logiques :
Les diodes permettent la matérialisation des opérateurs (portes) logiques de base
(OU, ET, …) grâce à leur possibilité de fonctionnement ʺen commutationʺ :
état bloquant  état passant

Les deux montages de base sont reproduits ci-dessous avec :


V e : entrées – Vs : sortie – S : somme – P : produit.
i

Les entrées V e sont soumises au niveau 0, correspondant à 0 V, ou au niveau 1 (V CC ),


i
correspondant à 5 V (logique positive). Considérons que la tension seuil des diodes est à
0.7 V.

 Circuit ʺOUʺ :
On constate que les diodes sont à
cathodes communes :
Règle générale : c'est la diode dont le
potentiel d’anode est le plus haut qui
devient l'unique diode passante.

• Lorsque les deux interrupteurs relatifs


aux entrées V e et V e sont ouverts
1 2

(niveau bas) : V e = 0 et V e = 0 ,
1 2

aucun courant ne circule à travers les


diodes et la sortie S, reliée à la masse
par la résistance R, n’est pas sous
tension : Vs = 0  S = 0 .

• Lorsque l’un des deux interrupteurs est


en position fermée (niveau haut) :
V e1 = 1 ou V e 2 = 1 , l’anode de la diode
correspondante est reliée à
l’alimentation (V CC = 5 V ) ce qui la
rend conductrice : le courant la
traversant traverse aussi R. Sa tension
seuil étant 0.7 V , la tension aux bornes
de la résistance (Vs ) est 5 − 0.7 =
4.3 V ce qui peut être assimilé à un 1 logique :
Vs = 1  S = 1 .

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 33


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES
• La sortie S est évidemment aussi sous tension (S = 1) lorsque les interrupteurs des
deux entrées V e et V e sont fermés : V e = 1 et V e = 1 .
1 2 1 2

Synthèse :
La sortie S (tension V s ) est au niveau haut 4,3 V, si l’une des entrées V e et V e est
1 2

portée à 5V; c’est donc un ʺOUʺ logique : le circuit obéit à la relation =


Vs Ve1 + Ve2
somme logique des deux entrées.

V e1 État Ve2 État D1 D2 Vs


État
associé associé associé
0V 0 0V 0 Bloquante Bloquante 0V 0
0V 0 5V 1 Bloquante Passante 4.3 V 1
5V 1 0V 0 Passante Bloquante 4.3 V 1
5V 1 5V 1 Passante Passante 4.3 V 1

 Circuit ʺETʺ :
On constate que les diodes sont à anodes
communes :
Règle générale : c'est la diode dont le
potentiel de cathode est le plus bas qui
devient l'unique diode passante.
Il est à noter qu’il y a trois différences
essentielles par rapport au circuit
précédent :
- les interrupteurs établissent le contact des diodes avec la masse (et non pas avec le
pôle ⊕ de la source).
- les diodes sont branchées en sens inverse par rapport au circuit précédent.
- la sortie P est reliée par la résistance R au pôle ⊕ de la source (et non pas à la
masse).
• Lorsque les deux interrupteurs sont
ouverts ⇔ les entrées sont mises au
potentiel de la masse : Ve = 0 et
1

Ve = 0  le courant passe par les 2


2

diodes (passantes)  la tension à leurs


bornes (c’est-à-dire Vs ) est la tension

seuil 0.7 V que l’on peut considérer

comme un niveau bas : Vs = 0  P = 0 . On peut dire aussi qu’il y a eu chute de

tension aux bornes de la résistance R : de 5 V à 0.7 V ( V R =5 − 0.7 =4.3V ).

1CP_ELECF_Section B Chapitre I_2018/2019 34


CHAPITRE I: THÉORIE DES SEMI-CONDUCTEURS / JONCTION PN / DIODES

• Lorsque l’interrupteur relatif à


l’entrée Ve ou celui relatif à l’entrée
1

Ve est ouvert et qu’en Ve ou Ve le


2 1 2

potentiel est porté au potentiel du pôle


⊕ de la source : Ve = 1 ou Ve = 1 , le
1 2

courant passe toujours par l’autre


diode. Cette dernière présente donc à
ses bornes (c’est-à-dire Vs ) la tension

seuil 0.7 V que l’on peut considérer comme un niveau bas : Vs = 0  P = 0 .

• Au cas où les deux interrupteurs sont fermés : Ve = 1 et Ve = 1 , le courant cesse


1 2

de passer par les diodes : aucun courant ne peut circuler à travers la résistance R .
La chute de tension aux borne de celle-ci est alors nulle ce qui amène la tension de
sortie Vs à être égale à V CC = 5 V : V s = 1  P = 1 .

Synthèse :
Si l’une des entrées Ve et Ve est au niveau bas, la diode correspondante est
1 2

conductrice et le point de sortie P (tension Vs ) se trouve au potentiel 0.7 V que l’on


peut considérer comme un niveau bas. Le circuit obéit, donc, à la relation
V=
s V e1 ⋅ V e 2 produit logique des deux entrées.

V e1 État Ve2 État D1 D2 Vs


État
associé associé associé
0V 0 0V 0 Passante Passante 0.7 V 0
0V 0 5V 1 Passante Bloquante 0.7 V 0
5V 1 0V 0 Bloquante Passante 0.7 V 0
5V 1 5V 1 Bloquante Bloquante 5V 1

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