Aplicaciones de los diodos

>Rectificador

Se pueden utilizar para rectificar señales de corriente alterna, y transformarla a corrientes

positivas o negativas de corriente continua.

>Multiplicador de tensión

Esta hecho con diodos y con capacitores, Sirve para aumentar el voltaje de entrada de forma
multiplicativa.

>Limitador de voltaje

Permite transformar una señal manuplandola para variar su tipo (cuadrada o triangular) o sus
valores de voltaje pico o pico pico, también conocido como circuito recortador.

>Compuertas lógicas

Sirve para orecer una respuesta lógica booleana de salida de acuerdo a un tipo de señal de
entrada.

>Regulador e voltaje o corriente

En un regulador de voltaje la salida se mantiene constante esto gracias a la característica del diodo
zener que al usarse polarizado inversamente mantiene una corriente o tensión constante.

>Circuito fijador

Consiste en manipular la señal de entrada y desplazarla de forma vertical por la variación de

incrementación del tiempo con respecto al periodo que producen en conjunto un capacitor, un
resistor y un diodo.

Transistor BJT de potencia.

Existen 4 tipos de polarización posibles, dependiendo del sentido o signo de los voltajes de
polarización en cada una de las uniones del transistor. Imagen aquí

Las cuales son

Región activa directa: corresponde a una polarización directa de la unión emisor-base

Región activa inversa: corresponde a una polarización inversa de la unión emisor-base
Región de corte: corte a una polarización inversa de ambas uniones
Región de saturación: corresponde a una polarización directa en ambas uniones

Especificaciones importantes de los BJT de potencia

Icmax: intensidad máxima de colector
BVceo: tensión de ruptura de colector-emisor
Pmax: Potencia máxima disipable en régimen continuo

Transistor MOSFET
Las aplicacione mas típicas de los transistores de potencia MOSFET se encuentran en la
conmutación a altas frecuencias, chopeado, sistemas inversores para controlar motores,
generadores de altas frecuencias para inducción de calor etc.
La gran diferencia entre los transistores BJT y MOSFET es que los últimos son controlados
por tensión aplicada en la puerta G, mientras que los BJT por una corriente aplicada en la
base.
Características de los MOSFET

-La velocidad de conmutación en los MOSFET es mayor, por lo que son mas utilizados en
convertidores de pequeña y alta frecuencia
-Los MOSFET no tienen problema de segunda ruptura
-Mayor área de funcionamiento
-Mayores ganancias
Circuito de mando simple
-Alta impedancia de entrada
-Son muy sensibles a descargas electrostáticas
-Mala protección
-Son mas costosos que los BJT

Transistor IGTB
Los transistores IGTB (Insulate Gate Bipolar Transistor) combina las ventajas de los BJT y
los MOSFET. Tienen una impedancia de entada elevada, como los MOSFET y bajas
perdidas en conmutación, como los BJT, pero sin problema de segunda ruptura, por lo que
puede trabajar a elevada frecuencia y con grandes intensidades
Características de IGTB
-Se fabrican desde una tensión de 1400V
-se fabrican desde una corriente de 300A
-Control por tensión rápida