TEMA 1

FÍSICA DE LOS
SEMICONDUCTORES

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1.1. Introducción.
Semiconductores: materiales que poseen una conductividad intermedia entre la baja
de los aislantes y la alta de los conductores.
Inicialmente, el Ge fue uno de los materiales semiconductores más utilizado.
Actualmente los más utilizados son el Silicio (Si) y el Arseniuro de Galio (AsGa).

Atomo de Silicio: 1s22s2p63s23p2 Atomo de Germanio: 1s22s2p63s23p63d104s24p2

Enlace covalente: se comparten pares de electrones entre dos átomos vecinos.
Para el caso de los materiales semiconductores, cada átomo es el centro de un
tetraedro que se encuentra unido por enlaces covalentes a otros cuatro átomos
situados en sus vértices. Cada enlace está formado por dos electrones y los cuatro
enlaces forman un octeto de electrones que rodean cada átomo.
•Para el caso del Ge y Si: cada átomo aporta 4 electrones compartidos para
formar 4 enlaces.
•Para el caso del AsGa: cada átomo de Ga aporta 3 electrones, en tanto que
cada átomo de As aporta 5. En total 8 electrones que forman 4 enlaces.

Estructura espacial de
los átomos en el Si:

Manuel García Teruel -Electrónica Industrial-

1.2. Estructura cristalina. - Amorfos
Por su organización estructural, los sólidos se clasifican en:
- Cristalinos
Excepto ciertos materiales (plásticos, vidrios...), todos los sólidos tienen estructura
cristalina: los componentes elementales (electrones, iones, átomos o moleculas) presentan
una ordenación espacial periódica que se extiende por todo el cristal.
La materia cristalina se Celda unidad: aquella que se repite en todo el
presenta en forma de: cristal. Se utiliza para describir la estructura de este.

- Monocristales - Policristales

Cristal en
representación plana

Si AsGa Celda unidad del Silicio.

1.3. Teoría de las bandas de energía.
Conductores, aislantes y semiconductores.
Niveles de energía para el Carbono en Diagrama de bandas de energía para un
función de la distancia interatómica: cristal semiconductor a 0ºK:

Clasificación de los sólidos, desde el

punto de vista de la conductividad,
atendiendo a su diagrama de bandas de
energía: Aislante Semiconductor Conductor
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1.4. Electrones y huecos en semiconductores.

Aumento de temperatura

Cristal de Silicio a 0ºK Cristal de Silicio a temperatura ambiente

Hueco: ausencia de carga en una posición del cristal en la que debería existir.

+ -
1.5. Tipos de semiconductores.
Intrínsecos
Tipo N
Semiconductores
Extrínsecos
Tipo P

1.5.1. Semiconductores intrínsecos.

Son los semiconductores sin impurezas ni defectos en su red cristalina.
A 0ºK son aislantes. Al aumentar la temperatura la agitación térmica rompe algunos
enlaces: cada enlace roto genera un par electrón-hueco y deja de ser aislante.

Como electrones y huecos se

generan por pares se cumple:
Ge Si AsGa
n=p=ni ni a 300ºK
2,5.10 13 1,5.1010 2.106
n: concentración de electrones. (cm-3)
p: concentración de huecos
ni: concentración intrínseca
1.5.2. Semiconductores extrínsecos.
Son los semiconductores que contienen en su red cristalina átomos de distinta
naturaleza a la suya (impurezas).
Estas se introducen en la red de forma controlada mediante el proceso de dopado.

Se trata de sustituir en la red un átomo del semiconductor intrínseco por otro de distinta
naturaleza que tenga:
• Un electrón de valencia más que el sustituido Æ se genera un e- móvil en la red.
• Un electrón de valencia menos que el sustituido Æ se genera un enlace incompleto.
 Tipo N.
El semiconductor intrínseco, en el caso del Si y Ge (4 electrones de valencia), se dopa con
impurezas pentavalentes (donadoras): Arsénico, Antimonio, Fósforo.
Cada átomo de impureza donadora genera un e- libre y se transforma en un ión positivo
fijo en la red.

Portadores mayoritarios: electrones

Portadores minoritarios: huecos

Para el caso del AsGa, una impureza donadora es el Se (valencia 6); cada átomo de
este sustituye a un átomo de As y genera un e- móvil.
 Tipo P.

El semiconductor intrínseco, en el caso del Si y Ge (4 electrones de valencia), se dopa

con impurezas trivalentes (aceptadoras): Boro, Galio, Indio.
Cada átomo de impureza aceptadora genera un hueco libre y se transforma en un ión
negativo fijo en la red.

Portadores mayoritarios: huecos

Portadores minoritarios: electrones

Para el caso del AsGa, una impureza aceptadora es el Cd (valencia 2); cada átomo de
este sustituye a un átomo de Ga y genera un enlace hueco.
1.6. Densidad de carga en un semiconductor.
Para calcular la concentración de portadores en un semiconductor se dispone de dos
expresiones:
• La ley de acción de masas.
• La ley de neutralidad eléctrica.

Ley de acción de masas: pn=ni2

Ley de neutralidad eléctrica: el semiconductor, independientemente del tipo que
sea, debe permanecer neutro en carga en su conjunto. Siendo ND y NA las
concentraciones de átomos donadores y aceptadores, respectivamente, se cumplirá:

Clase de partícula Carga

Electrones libres -ne carga negativa
ND+p = NA+n
Huecos +pe

=
carga positiva
Atomos donadores +ND+e
Atomos aceptadores -NA-e
A temperatura ambiente puede suponerse que todas las impurezas están
totalmente ionizadas, con lo que pueden obtenerse las siguientes relaciones:

Clase de semiconductor Concentraciones

ni 2
Tipo N (n>>p) n ≈ ND p≈
ND

ni 2
Tipo P (p>>n) p ≈ NA n≈
NA

Generación de un par electrón-hueco: un electrón abandona su enlace. Se generan dos

portadores de carga. Para que tenga lugar requiere un aporte de energía desde el exterior.
Recombinación de un par electrón-hueco: un electrón libre cae en un enlace covalente
vacío. Desparecen (dejan de estar libres) ambos portadores de carga. Se produce
liberación de energía hacia el exterior.
Vida media de electrones (τn) y de huecos (τp): es el tiempo medio de supervivencia de
cada uno de estos portadores antes de desaparecer por recombinación.
1.7. Mecanismos de transporte.
Los portadores de carga eléctrica (electrones libres y huecos) pueden desplazarse en el
interior de un semiconductor por dos mecanismos diferentes:
-Transporte por arrastre.
-Transporte por difusión.
Transporte por arrastre.
Es el movimiento de portadores debido a la influencia de un campo eléctrico.
Los portadores están en continuo movimiento, por agitación térmica, chocando entre sí y
con la red. Tras una colisión, la dirección es aleatoria. En ausencia de campo eléctrico
aplicado, su velocidad de traslación neta en cualquier dirección es nula.
Al aplicar un campo eléctrico, la velocidad
media adquiere una componente en la
E dirección del campo. El movimiento medio
de los portadores debido al campo eléctrico
aplicado se conoce como deriva.

e- e-
La velocidad media de deriva es proporcional al campo eléctrico E. La constante de
proporcionalidad entre ambos vectores se denomina movilidad (µ).
Pueden, por tanto, escribirse las
siguientes expresiones: Ge Si AsGa
v p = µp E v n = − µn E µn a 300ºK (cm2/Vs) 3800 1300 8500
µp a 300ºK (cm2/Vs) 1800 500 450
Las movilidades decrecen al aumentar
la temperatura o la concentración de ρ (1/σ) a 300ºK (Ωcm) 45 23.104 4.106
dopado.

De un sencillo análisis, puede obtenerse la siguiente expresión :

que proporciona una relación entre las concentraciones
σ = q ( pµ p σ+ ≈nqNµnµ)
D n

de portadores y la conductividad del material.

- La movilidad en un semiconductor es mayor que en un conductor (µCu=4,5. cm2/Vs). La
menor resistividad de estos es debida a su gran cantidad de portadores (nCu≈1022 cm-3).
- Para semiconductores extrínsecos:
+ Tipo N (n>>p, n≈ND): σ ≈ qN D µn
+ Tipo P (p>>n, p≈NA): σ ≈ qN A µ p
- Para semiconductores intrínsecos: σ = qni ( µ n + µ p )
A partir de la expresión de σ, y aplicando la ley de Ohm generalizada, se obtienen las
siguientes expresiones para la corriente (I) y densidad de corriente (J) por arrastre:

J a = σE = q ( pµ p + nµn ) E I a = J a s = sσE = sq ( pµ p + nµn ) E

Transporte por difusión.

Cuando en el material la concentración de portadores no es uniforme se altera el
equilibrio de la agitación térmica, lo que ocasiona que, aún en ausencia de campo
eléctrico, exista desplazamiento de portadores y, por tanto, densidad de corriente. Esta
será muy dependiente del gradiente de concentraciones.

Símil:
Las corrientes ocasionadas por movimientos de difusión vienen reguladas por la Ley de Fick:
J portador = − D∇ portador

(el signo menos proviene de que el flujo de partículas va de mayor a menor concentración)
D es el coef. de difusión:

Ge Si AsGa
Dn a 300ºK (cm2/s) 99 34 220
Dp a 300ºK (cm2/s) 47 13 11,6
d ( − qn) dn
J dn = − Dn = qDn
A partir de esta expresión pueden dx dx
obtenerse las densidades de corriente d (qp) dp
debidas a difusión de ambos tipos de J dp = − D p = − qD p
portadores :
dx dx

⎛ dn dp ⎞
J d = J dn + J dp = q ⎜ Dn − Dp ⎟
⎝ dx dx ⎠
Densidad de corriente total en un semiconductor:
Sumando las componentes de arrastre y difusión se obtiene la densidad de corriente total por
el semiconductor debido a cada tipo de portador:
J TOTAL = J a + J d

dn dp
J n = qnµn E + qDn J p = qpµ p E − qD p
dx dx
y aplicando la Relación de Einstein:

Dp Dn KT
= =
µp µn q
resulta:
⎛ dn ⎞ ⎛ dp ⎞
J n = µn ⎜ qnE + KT ⎟ J p = µ p ⎜ qpE − KT ⎟
⎝ dx ⎠ ⎝ dx ⎠