Electrónica de Potencia

CARACTERIZACION DE DIODOS DE POTENCIA

CARLOS MARIO BARROS ARIZA
E-mail: cmariobarros@gmail.com

JAMKEL JULIAN ORDOÑEZ

E-mail:jamkjuli@gmail.com

RAFAEL MANJARREZ MERCADO

E-mail: rafamanajerrez1@hotmail.com

EDUARDO PRETEL

RAFAEL RICARDO CAICEDO PACHECO

E-mail: wallacer111@hotmail.com

sencillo y se puede encontrar prácticamente en cualquier

RESUMEN: Este documento se realizara el análisis de
la identificación y comportamiento de los diodos de potencia al
aplicarles una señal de voltaje.
I. INTRODUCCIÓN
circuito electrónico.
Constan de la unión de dos tipos de material
semiconductor, uno tipo N y otro tipo P, separados por
una juntura llamada barrera o unión.

En esta práctica se pretende, en primer lugar, medir la
característica estática de los diodos de potencia, obtenida
punto a punto en un circuito rectificador simple (R-D). Se
comparan los resultados obtenidos con medidas
realizadas con diodos de red, potencia y Schottky
respectivamente. En segundo lugar, se mide el
comportamiento dinámico de los diferentes diodos
ensayados, sometiéndolos a conmutaciones rápidas,
resaltando los problemas en el corte asociados a la
recuperación inversa para aquellos componentes con
respuesta temporal lenta.
II. OBJETIVOS
En esta práctica se caracteriza el comportamiento estático
y dinámico de diferentes diodos de potencia.
Comparando los resultados se podrán obtener
conclusiones en cuanto a los rangos de funcionamiento
para polarizaciones directa e inversa, así como del tiempo
de respuesta de cada uno de los dispositivos.
Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la más
utilizada) y de germanio. Esta barrera o unión es de 0.3
voltios en el germanio y de 0.6 voltios aproximadamente
en el diodo de silicio.
El diodo se puede hacer funcionar de 2 maneras
diferentes:
Polarización directa:
Cuando la corriente circula en sentido directo, es decir del
ánodo A al cátodo K, siguiendo la ruta de la flecha (la del
diodo). En este caso la corriente atraviesa el diodo con
mucha facilidad comportándose prácticamente como un
corto circuito. El diodo conduce.

III. MARCO TEORICO

EL DIODO Polarización inversa:

Componente electrónico que permite el paso de la
corriente en un solo sentido. La flecha de la
representación simbólica muestra la dirección en la que
fluye la corriente. Es el dispositivo semiconductor más
Cuando una tensión negativa en bornes del diodo tiende
a hacer pasar la corriente en sentido inverso, opuesto a la
flecha (la flecha del diodo), o sea del cátodo al ánodo. En
este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta

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Electrónica de Potencia
prácticamente como un circuito abierto. El diodo está
bloqueado.
IV. MATERIALES
 Voltímetro digital
 Fuente de alimentación regulada
 Osciloscopio digital
 Resistencias: 100Ω, 1K, 100K, 1MEG
 Diodo de red: 1N4007 o similar
 Diodo Schottky de potencia: MBR735 o
similar
 Diodo de potencia: BYW29-200 o similar
V. PROCEDIMIENTO
1. Caracterización estática
1.1. Polarización directa
Montar el circuito de la figura 1, con los diodos
polarizados directamente. Variando la tensión de
alimentación Vi de 0 a 10V, en incrementos de 0.5V,
anotar en cada caso el punto de trabajo (Id, Vd.) que
permitirá trazar la característica estática para cada tipo de
diodo. El valor de R1 ha de ser 100Ω.
Adicionalmente, si dispone de tiempo, puede obtener la
característica estática también para el diodo de potencia
siguiendo el mismo procedimiento.
2
1.2. Polarización inversa: corriente inversa de
saturación
Determinar la resistencia interna equivalente para
polarización inversa para cada uno de los diodos
midiendo la corriente en inversa para dos tensiones de
10V y 20V en el esquema de la figura 1. Debido al
reducido valor de Io (corriente inversa de saturación),
realizar la medida ensayando con resistencias serie de alto
valor (100K, 1M). Anotar también el valor de Io.
Comprobar la variación de Io con la temperatura
calentando el diodo con un dedo.
2. Caracterización dinámica: tiempo de
recuperación inversa
Utilizando el generador de señal, seleccionar forma de
onda cuadrada de amplitud 10Vpp y montar el circuito de
conmutación de la figura 2. Representar las formas de
onda de la tensión en la resistencia para los diferentes
diodos para frecuencias de 10 kHz y 100 kHz. Determinar
el tiempo de recuperación inversa de los diferentes diodos
en la forma indicada en la figura 3.
VI. ANÁLISIS DE RESULTADOS
1. Caracterización estática: Polarización
Directa
A. Dibujar la curva 𝐼𝑑 − 𝑉𝑑 (característica estática)
para el diodo de red proporcionado. Incluir en
una tabla los valores que se utilizan para poder
construir la curva gráfica tal y como se describe
en la memoria de la práctica.
Electrónica de Potencia

- Diodo de propósito general 1N4007 4.5 0.51 3.94

5.0 0.52 4.33
5.5 0.52 4.99
𝑉1 𝑉𝑑 𝑉𝑟 𝐼𝑑 6.0 0.525 5.47
0.0 0 0 0 6.5 0.53 5.96
0.5 0.49 0.01 0.1 7.0 0.53 6.22
1.0 0.643 0.35 3.25 7.5 0.54 6.90
1.5 0.68 0.80 6.77 8.0 0.54 7.45
2.0 0.70 1.27 12.08 8.5 0.54 7.86
2.5 0.71 1.72 16.72 9.0 0.54 8.46
3.0 0.72 2.22 21.68 9.5 0.55 8.96
3.5 0.73 2.70 25.51 10.0 0.55 9.37
4.0 0.74 3.16 31.07 Tabla 2
4.5 0.75 3.66 35.73
5.0 0.75 4.14 40.1 B. Dibujar la curva 𝐼𝑑 − 𝑉𝑑 (característica estática)
5.5 0.75 4.60 44.9 para el diodo Schottky proporcionado. Incluir en
6.0 0.76 5.08 50.3 una tabla los valores que se utilizan para poder
6.5 0.77 5.49 55.3 construir la curva gráfica. No es necesario medir
7.0 0.77 6.03 60.3 todos los puntos indicados en la memoria, sino
7.5 0.77 6.49 65.4 que es decisión del alumno elegir los puntos más
8.0 0.77 6.97 70.6
relevantes (con 4-5 puntos puede bastar).
8.5 0.78 7.42 75.1
9.0 0.78 7.83 79.8
9.5 0.78 8.28 85.7
10.0 0.79 8.36 99.6 𝑉1 𝑉𝑑 𝑉𝑟 𝐼𝑑
Tabla 1
0.0 0.15 0.342 0.32m
1.5 0.19 1.29 1.3m
120
3.0 0.21 2.78 2.72m
100 6.0 0.23 5.77 5.86m
99,6
8.0 0.24 7.75 7.88m
85,7 10.0 0.24 9.74 9.95m
80
75,1 Tabla 3
70,6
65,4
60
55,3
44,9
40 12
35,73
31,07
20 21,68 10 9,95
12,08
6,77
3,25
0 00,1 8
0,6…

7,88
0,78
0,7
0,72
0,74
0,75
0,76
0,77
0,77

0,79
0

6 5,86
Curva Característica
4
2,72
- Diodo de potencia FR607 2
1,3
0 0,32
𝑉1 𝑉𝑑 𝑉𝑟
0.0 0 0 0,15 0,19 0,21 0,23 0,24 0,24
0.5 0.39 0.11
Curva Característica
1.0 0.44 0.56
1.5 0.46 1.05
2.0 0.47 1.53
2.5 0.48 2.01
3.0 0.49 2.51
3.5 0.50 3.00
4.0 0.507 3.37

3
Electrónica de Potencia

2. Caracterización estática: Polarización Calcular la corriente inversa de polarización y la

Inversa resistencia en inversa.

Determinar la resistencia interna equivalente para Vi Vd(V) Id(uA)

polarización inversa para cada uno de los diodos 0 0 0
midiendo la corriente en inversa para dos tensiones de 1 995m 44.21
10V y 20V en el esquema de la figura 1. 1.5 1.49 44.21
2 1.99 44.216
2.5 2.49 44.216
3 2.99 44.216
Diodo V A R
3.5 3.49 44.216
10V 2.5uA 4MΩ 4 3.99 44.216
Schottky 20V 4uA 5MΩ 4.5 4.48 44.216
Tabla 4 5 4.99 44.22

Nota: Para el Diodo de Potencia fue tan pequeña la

corriente que el multímetro no alcanzaba a tomar la
medida y por eso no se puso realizar el Vd / Vi
procedimiento.
5
4
a. Dibujar la recta que describe el funcionamiento 3
del diodo de red en polarización inversa. Indicar 2
los valores de tensión que caen en el diodo y en 1
la resistencia en ambos casos. Calcular la 0
corriente inversa de polarización y la resistencia 0 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
en inversa.

Vi Vd Id(nA) c. Dibujar la recta que describe el funcionamiento

0 0 0 del diodo de potencia en polarización inversa.
1 991m 8.029 Indicar los valores de tensión que caen en el
1.5 1.49 8.529 diodo y en la resistencia en ambos casos.
2 1.99 9.03
2.5 2.49 9.53 Calcular la corriente inversa de polarización y la
3 2.99 10 resistencia en inversa.
3.5 3.48 10.531
4 3.98 11
4.5 4.48 11.5
5 4.98 12
3. Caracterización Dinámica en Conmutación
Vd / Vi Utilizando el generador de señal, seleccionar forma de
5 onda cuadrada de amplitud 10Vpp y montar el circuito de
conmutación de la figura 2.
4
3
2
1
0
0 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5

b. Dibujar la recta que describe el funcionamiento

del diodo Schottky en polarización inversa. Representar las formas de onda de la tensión en la
Indicar los valores de tensión que caen en el resistencia para los diferentes diodos para frecuencias de
diodo y en la resistencia en ambos casos. 10 kHz y 100 kHz. Determinar el tiempo de recuperación

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Electrónica de Potencia

inversa de los diferentes diodos en la forma indicada en Para esta frecuencia se pudo observar que el tiempo
la figura 3. de recuperación que obtuvimos fue: 77.433nSeg

Para una frecuencia de 100KHz

a. Esbozar las gráficas en conmutación del diodo

de red proporcionado para las frecuencias
descritas en la memoria de la práctica.
Determinar el tiempo de recuperación inversa en
ambos casos. ¿Qué conclusiones se pueden
sacar en cuanto a la velocidad de respuesta?

- Datos Prácticos

Diodo Fre Trr

10KHz 10uSeg
1N4007 100KHz 4.32uSeg
Tabla 5

- Datos obtenidos mediante simulación

Para una frecuencia de 10KHz

Para esta frecuencia se pudo observar que el tiempo

de recuperación que obtuvimos fue: 77.326nSeg

En este diodo mediante las simulaciones se pudo

observar que a medida se aumentaba la frecuencia
del generador su tiempo de respuesta se hacía menos,
con esto se puede decir que son inversamente
proporcionales, aunque cabe anotar que el diodo
trabajado en la simulación es 1N4007G ya que en el
simulador no se encontraba el trabajado en la
práctica, pero este cumple con las mismas
condiciones en cuestión de voltaje máximo y
corriente.

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Electrónica de Potencia

b. Esbozar las gráficas en conmutación del diodo

de potencia proporcionado para las frecuencias
descritas en la memoria de la práctica.
Determinar el tiempo de recuperación inversa en
ambos casos. ¿Cuál de los dos diodos tiene una
respuesta más rápida?

- Datos Prácticos

Diodo Fre Trr

10KHz 3.6uSeg
FR607 100KHz 2.8uSeg
Tabla 6

La parte de la simulación no pudimos realizarla ya

que el diodo en cuestión no se encontraba entre la
base de datos del simulador y no encontramos un
diodo similar en condiciones de voltaje y corriente
para realizar su análisis.
Teniendo en cuenta una comparación entre los
valores prácticos del diodo anterior y de este diodo, Para esta frecuencia se pudo observar que el tiempo de
podemos concluir que el diodo de potencia FR607 recuperación que obtuvimos fue: 202.139nSeg
tiene una mejor respuesta de recuperación, ya que
según su fabricación está destinado a ser un diodo de
rectificación rápida y eso lo pudimos observar Para una frecuencia de 100KHz
mediante los tiempos tomados con el osciloscopio.

c. Esbozar las gráficas en conmutación del diodo

shottky proporcionado para las frecuencias
descritas en la memoria de la práctica.
Determinar el tiempo de recuperación inversa en
ambos casos. ¿Cuál de los dos diodos tiene una
respuesta más rápida?

- Datos Prácticos

Diodo Fre Trr

10KHz
1N5322 100KHz
Tabla 7

- Datos obtenidos mediante simulación

Para una frecuencia de 10KHz

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Electrónica de Potencia

Para esta frecuencia se pudo observar que el tiempo de

recuperación que obtuvimos fue: 203.209nSeg

Mediante el análisis realizado a los distintos tipos de

diodos podemos observar que el diodo de potencia FR607
es el que tiene una más rápida respuesta frente a cualquier
perturbación que le apliquemos.
Cabe recalcar que los diodos utilizamos en la simulación
han sido unos diodos similares en condiciones como
voltajes y corrientes a los diodos utilizados en la práctica,
por lo cual al comparar los resultados de simulación con
los prácticos estos se pueden alejar un poco debido a las
condiciones del medio en el cual estamos trabajando,
debido a que no son exactamente los mismos diodos
utilizados en la simulación, entre otros factores.