CIRCUITOS

ELECTRÓNICOS
Transistores
MsC. Luz Adanaqué Infante
 CONTENIDO DEL CURSO
1. Diodos y polarización.
Circuitos de polarización directa e inversa.
Ecuación del diodo, circuitos de funcionamiento.
Transistores, modelamiento de los efectos. 1. Diodos y
polarización
2. Amplificadores.
Amplificadores básicos y multietapa
Análisis en pequeña señal de un amplificador 2. Amplificadores

Amplificador Operacional 3. Filtros y Osciladores

3. Filtros y Osciladores.
4. Simulación y modelamiento de circuitos
Diseño de filtros activos
Osciladores.
4. Simulación y modelamiento de circuitos.
Montaje y verificación de circuitos electrónicos con componentes pasivos, transistores y amplificadores
operacionales
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 SUMARIO

1. Transistores.

2. Polarización.

3. Funcionamiento.

4. Curvas características.

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 CONCEPTOS PREVIOS

El principio de funcionamiento del diodo.

Modelos y su aplicación en circuitos de corriente directa y corriente alterna.

Amplificador de señales. Interruptor electrónico de señales.

PRINCIPALES
CARACTERÍSTICAS
DEL TRANSISTOR

Microprocesadores celulares

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 TRANSISTORES

FET y BJT
BJT (PNP)

Diferentes tipos y tamaños

Electrónica

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 TUBOS DE VACÍO

Robusto y frágil
Muy caro

A finales de los años 40s, un equipo de científicos de “Bell Laboratories”: William Schokley,
Walter Brattain y John Bardeen desarrollaron un dispositivo de estado sólido que reemplazó al
tubo de vacío, conocido como TRANSISTOR. Por este dispositivo, cada investigador recibió el
premio Nobel en 1956.

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 TIPOS DE TRANSISTORES

PNP
BJT NPN

Canal P
JFET Canal N
MESFET
FET Canal N Canal P
Acumulación
MOSFET Canal N

Deplexión Canal P
BJT: Transistores bipolares de unión.
Canal N
FET: Transistores de efecto de campo.
JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-semiconductor.

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 El TRANSISTOR BJT

Los transistores bipolares tienen una estructura de tres capas de semiconductores extrínsecos.

Las siglas BJT corresponden con su nomenclatura inglesa (bipolar junction transistor).

Las dos posibilidades de unir tres capas, con semiconductores tipo N y tipo P son: PNP y NPN.

La base está situada entre el emisor y el colector, los cuales tienen igual tipo de dopaje,
formando cada uno un diodo con la base, gracias a lo cual se puede encontrar dos tipos
de transistores:
- Uno en el que hay dos capas de tipo n y una capa de tipo p (denominado NPN),
- Y otro donde hay una capa de tipo n y dos capas de tipo p (denominado PNP).

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 El TRANSISTOR BJT

La pequeña región p-n que une la región de la base y la región del emisor se llama “unión base-
emisor” y la que une la región de la base y la región del colector se llama “unión base-colector”

Transistor NPN: Transistor PNP:

Colector (N) Colector (P)

Base (P) Base (N)

NPN Emisor (N) PNP Emisor (P)

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 El TRANSISTOR BJT

Transistor PNP:
Debido a su estructura,
en cualquier transistor
bipolar se forman
internamente dos
diodos enfrentados,
que tienen en común el
cátodo si el transistor es
PNP, o el ánodo si es
NPN.

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 POLARIZACIÓN

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 POLARIZACIÓN
Vamos a explicar su funcionamiento, en base a polarizar uno de los diodos en directo y el
otro en inverso, tal como se muestra en la figura ->

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 FUNCIONAMIENTO

En el hecho de que desde el emisor, los

electrones pasen hacia la base o hacia el
IC
colector, intervienen dos factores:
- Primero, los valores de la diferencia de IC
IB
potencial de las baterías.
- Segundo los tamaños de las zonas
implicadas.
IB
IE IE
Como la zona de la base es mucho menor
que la del emisor (se construye así con esa
intención), los huecos de la zona P no
pueden absorber todos los electrones que le Sentido convencional de la Movimiento de los
llegan del emisor. Intensidad de corriente electrones

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 FUNCIONAMIENTO

En la zona N, los portadores de carga son los

electrones libres, y el sentido de
movimiento de los electrones es el contrario
que el de la intensidad (convencional).

La intensidad de emisor (IE), inyecta

electrones en el transistor, y como la unión
base-emisor está polarizada en directo, los
electrones pueden circular por la zona P,
donde unos pocos son atraídos hacia el polo
positivo de la batería VBB, constituyendo la
intensidad de base (IB), y la mayoría son
atraídos, a través de la zona N del colector, Sentido convencional de la Movimiento de los
al positivo de la batería VCC, formando la Intensidad de corriente electrones
intensidad de colector (IC).

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 FUNCIONAMIENTO

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 CURVA CARACTERÍSITCA DEL BJT

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 CORRIENTES DEL TRANSISTOR

Se observa que la corriente de

emisor (IE) es la suma de la
corriente de colector (IC) y la
corriente de base (IB), expresada
de la siguiente manera:

IB+IC=IE
Sin embargo la corriente IB es
demasiado pequeña comparada
con las corrientes IC; IE

IE ≈ I C

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