UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS - EXPERIENCIA N°5

MERJILDO ALANIA LUÍS DAVID 17190122

DAVILA ESPINOZA PEDRO YEREMI 15190006

EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN: CARACTERISTICOAS BASICAS

RESUMEN La prueba estática de un transmisor se realiza

En este informe se presenta el desarrollo de la
experiencia n°4 el transistor bipolar npn:
características básicas, se muestra los resultados
obtenidos en el laboratorio mediante la medición
de diversos circuitos respecto al tema , se analizas
resultados , se muestran simulaciones de los
circuitos experimentados ,gráficos errores
porcentuales etc., los instrumentos más usados
son el osciloscopio multímetro conectores diodos
etc. Así cuyos objetivos planteados al desarrollar
son:
Verificación de las condiciones del transistor PNP
y características de funcionamiento
mediante el uso del ohmímetro
Con los reconocimientos siguientes:
Polarización directa:
La resistencia entre BE debe ser ligeramente
mayor respecto a la BC
La resistencia entre CE ya sea directa o inversa
debe ser muy grande.
1.
Determina qué plomos son la base, el emisor
y el colector. Los plomos son cables redondos o
planos que se extienden desde el fondo del
transistor. En algunos transistores, están

I. INTRODUCCIÓN etiquetados o sino podrías analizar el diagrama

del circuito para averiguar cuál de los plomos es
El uso del osciloscopio y el generador de señales
la base.
son vitales para este informe
Prueba estática del transistor

2
Sujeta la sonda negra a la base del transistor.

5
Retira la sonda negra y ahora sujeta la base
con la sonda roja.

3
Toca el emisor con la sonda roja. Lee la
pantalla del multímetro y fíjate si la resistencia es
alta o baja.

6
Toca el emisor y el colector con la sonda
negra. Compara la medición del multímetro con
las mediciones que obtuviste anteriormente.

 Si ambas mediciones previas eran altas y ahora

ambas mediciones son bajas, el transistor está
en buenas condiciones.
 Si las mediciones previas eran bajas, y las
4 mediciones actuales son altas, el transistor está
en buenas condiciones.
Ahora toca el colector con la sonda roja. La
 Si ambas mediciones que obtienes con la sonda
pantalla debería dar la misma medición que
roja no son iguales, ambas mediciones con la
cuando tocaste el emisor con la sonda roja.
sonda negra no son iguales o las mediciones no
cambian cuando cambias de sonda, el transistor
está dañado.

II. MATERIALES Y MÉTODOS

A. EQUIPOS MATERIALES Y
HERRAMIENTAS UTILIZADOS

 Osciloscopio
 Multímetro
 Generador de señales
  Fuente de poder DC
 Punta de prueba de osciloscopio
 Transformador de 220V/12V
 Resistores
 Potenciómetros
 Capacitor
Todos estos materiales se muestran en el diseño
del circuito con sus respectivas medidas.

B. ESQUEMAS
Figura 5.1

C. Procedimientos
1. Considerando los valores
nominales de los componentes
utilizados, realizar la simulación del
circuito mostrado en la figura 5.1.
Considere todos los casos indicados
en el paso 3. Llenar los valores
correspondientes en las tablas 5.2,
5.3, 5.4 y 5.5
2. Verificar el estado operativo del
transistor, usando la función
ohmímetro del multímetro. Llene la
tabla 5.1
3. Implementar el circuito de la figura
5.1
a. Medir las corrientes que
circulan por el colector (Ic),
el emisor (Ie) y la base (Ib)
cuando el potenciómetro
P1 está ajustado para tener
una resistencia de 0Ω.
b. Medir las tensiones entre el
colector–emisor (Vce),
entre base–emisor (Vbe) y
entre emisor–tierra (Ve).
c. Colocar los datos obtenidos
en la tabla 5.2
 d. Cambiar R1 a 68KΩ, repetir
los pasos (a) y (b), y anotar
los datos en la tabla 5.3
e. Aumentar las resistencias
de P1 a 100KΩ, 250KΩ,
Tabla 5.4
500KΩ, 1MΩ. Observar lo
que sucede con las
corrientes Ib y con la
tensión Vc (usar Re=0)
llenar la tabla 5.4.
f. Ajustar el generador de

Ve

0
0.314 0
11.2 0

0
0
0

0
0
0
señales a 50mVpp, 1KHz,

0.735
0.446

0.735
onda sinusoidal. Observarla

0.71
0.682

0.1
Vbe

0.7
salida Vo con el
osciloscopio. Anotar en la

0.163
0.163
0.86mA 0.88mA 31.5nA 11.9
11.2

11.9
11.6

0.37
10.2
9.48
Vce
tabla 5.5.

51.2nA

132uA
132uA
137uA
0.52mA 0.5mA 2uA

114
12.9

9uA
Ib
III. RESULTADOS

11.9mA
9.56mA
11.9mA
1.27uA
2.19mA

9.20
Tabla 5.1 2.07
Ie

resistencia directa Inversa

11.8mA
9.70mA
11.8mA
1.09uA
Base - emisor 567Ω Muy alta
2.25mA

9.31
2.06

Base – colector 565Ω

Ic

Base – emisor

Simulados
Simulados

Simulados

Simulados
medidos

medidos

medidos

medidos
Teóricos

Teóricos
teóricos

teóricos

Tabal 5.2
valores

100kΩ

250kΩ

500kΩ

1MΩ
R1(56kΩ) Ic(mA Ie(mA Ib(uA Vce Vbe Ve
) ) )
P1

P1

P1

P1

Teóricos 8.34 8.39 51.6 1.81 0.72 1.8

6 3 5
Simulado 8.34 8.39 51.6 1.81 0.72 1.8
s 6 3 5
Medidos 9.7 9.8 36 1.38 0.71 2.1

Tabla 5.3
R1(68kΩ) Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve
Teóricos 6.87 6.91 41.8 3.6 0.717 1.52
Simulados 6.87 6.91 41.8 3.6 0.717 1.52
Medidos 6.2 7.3 38.3 3.8 0.7 1.45
Tabla 5.5
IV. ANÁLISIS DE RESULTADOS
CUESTIONARIO
1. Explicar el comportamiento del transistor
al hacer su verificación operativa con el
multímetro en función ohmímetro.
Av(sinCe)

Observamos que en un transistor de tipo NPN la

resistencia de base - emisor es ligeramente mayor
4.34

4.32 que la base – colector, la resistencia de colector

emisor es muy alta.
Ai

16.
Av

2. Representar la recta de carga en un gráfico

96

17

Ic vs Vce del circuito del experimento.

848mV

848mV

850mV
850mV

Ubicar los puntos correspondientes a las

tablas 5.2, 5.3 y 5.4.
Vo

Para las tablas 5.2 y 5.3 tememos Q1 y Q2

50mV

50mV

50mV
50mV

respectivamente
Vi

Simulados

Simulados
medidos

medidos
teóricos

teóricos

Q1
R1(56KΩ)

R2(68KΩ)

Q2

3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran

los puntos de la tabla 5.2 y 5.3?

Los puntos de trabajo son:

𝐼𝑐𝑄 = 8.34𝑚𝐴
𝑄1 = {
𝑉𝑐𝑒 = 1.8𝑉

𝐼𝑐𝑄 = 6.87𝑚𝐴
𝑄2 = {
𝑉𝑐𝑒 = 3.6𝑉
4. ¿Qué sucedería con el punto de operación
si cambiamos R1 a 150KΩ? Explicarlos
valores e indicar el valor simulados.
 Obteniendo asi:

Antes de hablar de las diferencias entre NPN y PNP

transistores, primero vamos a discutir lo que son y sus
similitudes.

Ambos NPN y PNP son transistores de unión bipolar (BJTs).

Los BJT son transistores controlados por corriente que
R1(150kΩ) Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve
permiten la amplificación de corriente.
Teóricos 2.5 2.5 15.4 9 0.7 252mV
Simulados 2.49 2.51 15.4 8.957 0.687 252mV Una corriente en la base del transistor permite una
Medidos corriente mucho mayor a través de los cables del emisor y
del colector. NPN y PNPs son exactamente iguales en su
función: proporcionan la capacidad de la amplificación y / o
𝐼𝑐𝑄 = 2.49𝑚𝐴 de la conmutación.
𝑄3 = {
𝑉𝑐𝑒 = 8.9𝑉
Tan técnicamente, alcanzan y hacen la misma cosa exacta.

Cómo difieren es cómo la energía se debe asignar a los

pernos terminales para que proporcionen esta
amplificación o traspuesta. Dado que se construyen
internamente de manera muy diferente, corriente y voltaje
deben ser asignados de manera diferente para que puedan
trabajar. Un transistor NPN recibe voltaje positivo al
terminal de colector y voltaje positivo al terminal de base
para un funcionamiento correcto. Un PNP transistor recibe
un voltaje positivo al terminal emisor y un voltaje negativo
en el terminal base (o, más bien, un voltaje más negativo o
más bajo que el suministrado en el terminal del emisor).

Dado que la asignación de tensión es diferente, la forma en

5. Indicar las diferencias más importantes
entre el circuito este experimento
(transistor NPN) con respecto al anterior
(transistor PNP).
Diferencia Entre Los Transistores NPN y PNP
que funciona el flujo de corriente para activarlos es
diferente. Un transistor NPN está alimentado cuando se
suministra una corriente suficiente a la base del transistor.
Por lo tanto, la base de un transistor NPN debe estar
conectada a una tensión positiva para corriente a flujo en la
base. Un transistor PNP es lo opuesto. En un transistor PNP,
la corriente fluye fuera de la base (corriente negativa a la
base) dando a la terminal de base una más negativa (una
inferior) tensión que lo que es suministrado al terminal
emisor. Mientras el voltaje en el terminal base es menor
que en el terminal emisor en un transistor PNP, la
polarización correcta y la corriente negativa efecto se
logrará.
Así que sabiendo esto, con un transistor NPN, la corriente Polarización De Voltaje y Corriente
necesita ser originada a la base del transistor para su
funcionamiento. Esto significa que las necesidades actuales
deben fluir hacia la base. En un transistor PNP, la corriente
se obtiene o se hunde desde la base del transistor a tierra Transistor NPN
para el funcionamiento. Esto significa que la corriente
deben salir de la base. Así que un enfoque simple de pensar
en ello es un transistor NPN requiere una corriente positiva
a la base, mientras que un PNP requiere corriente negativa
a la base (la corriente debe salir de la base a tierra). Así que
sabiendo esto, con un transistor NPN, la corriente necesita
ser originada a la base del transistor para su
funcionamiento. Esto significa que la corriente deben fluir
hacia la base. En un transistor PNP, la corriente se obtiene o
se hunde de la base del transistor a tierra para su
funcionamiento. Esto significa que la corriente deben salir
de la base. Así que un enfoque simple de pensar en ello es
que un transistor NPN requiere una corriente positiva a la
base, mientras que un PNP requiere una corriente negativa
a la base (la corriente debe fluir desde la base a tierra).

Otro concepto que diferencia los transistores NPN y PNP es

que dado que el voltaje se asigna de manera diferente,
tienen corrientes de corriente opuestas en la salida. En un
transistor NPN, la corriente de salida fluye desde el colector
Un transistor NPN recibe tensión positiva en el terminal del
al emisor. En un transistor PNP, la corriente de salida fluye
colector. Este voltaje positivo al colector permite que la
desde el emisor al colector.
corriente fluya a través del colector al emisor, dado que hay
A continuación se revisan los conceptos explicados una suficiente corriente base para encender el transistor.
anteriormente con más detalle, con diagramas, para ilustrar
mejor las diferencias entre los transistores NPN y PNP.
Transistor PNP

La Asignación De Tensión Y El flujo De Corriente

Se Conmutan

Dado que los transistores PNP y NPN están compuestos de

diferentes materiales, la forma en que el voltaje está
sesgado a ellos para producir el flujo de corriente es
diferente, y su flujo de corriente es opuesto también.

Los transistores PNP están formados por dos capas de

material P intercalando una capa de material N, mientras
que los transistores NPN están formados por dos capas de
material N que emparedan una capa de material P.
Realmente opuestos.

Por lo tanto, para producir flujo de corriente en un

Un transistor PNP recibe tensión positiva en el terminal
transistor NPN, se da una tensión positiva al terminal de
emisor. El voltaje positivo al emisor permite que la
colector y la corriente fluye desde el colector al emisor.
corriente fluya desde el emisor al colector, dado que hay
Para un transistor PNP, se da un voltaje positivo al terminal
una corriente negativa a la base (corriente que fluye desde
del emisor y la corriente fluye desde el emisor al colector.
la base a tierra).
Esto se resume a continuación.

Cómo funcionan (Encender y Apagar)

 VI. REFERENCIA BIBLIOGRÁFICAS
Transistor NPN
 https://www.equiposylaboratorio.com
/sitio/contenidos_mo.php?it=1484
Así es como funciona un transistor NPN:
 https://www.ecured.cu/Rectificadores
 https://hetpro-
A medida que aumenta la corriente a la base de un
store.com/TUTORIALES/transistor-bjt/
transistor NPN, el transistor se activa cada vez más hasta
que se conduce completamente desde el colector al emisor.  https://es.scribd.com/document/3817
62589/Circuitos-Electronicos-I-
Y a medida que disminuye la corriente a la base de un
Informe-FINAL-5-FIEE-UNMSM
transistor NPN, el transistor se enciende cada vez menos,
hasta que la corriente es tan baja, el transistor ya no  https://www.millerwelds.com/files/o
conduce a través del colector al emisor y se apaga. wners-manuals/o150853_spa.pdf

Transistor PNP

Un transistor PNP funciona de manera totalmente opuesta.

A medida que la corriente se hunde desde la base (fluye

desde la base hasta la tierra), el transistor está encendido y
conduce a través de la alimentación en la carga de salida.

La diferencia está en el tipo de resistor que usamos

al momento de polarizar al transistor
Buscar o ver cuál es el caso donde el transistor
entra al estado de amplificación esto se explica
mejor en la parte de conclusiones.
(Transistor NPN) con respecto al anterior
(transistor PNP).
V. CONCLUSIONES
 Según las gráficas mostradas obtenemos
distintos resultados donde el transistor
muestra distintas operación y observamos
que la mejor zona de trabajo se encuentra
en Q1 con una mayor amplificación de
corriente.

 Se puedo verificar experimentalmente

y de forma simulada las formas de onda
que cada circuito proporcionaba.
 Siempre es recomendable colocar de
buena forma las puntas de prueba del
osciloscopio para evitar distorsiones en
la obtención de las ondas.