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Seminario de Dispositivos Semiconductores

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2do Cuatrimestre de 2008

Guía de Ejercicios Nº2 – Juntura PN


15 -3
1) Considere una juntura PN de silicio a 300ºK con ni = 1.5x10 cm .
18 -3 15 -3
a) Para NA = 10 cm y ND = 10 cm calcule el potencial de juntura (“Built in
potencial”).
16 -3 15 -3
b) Repita para NA = 10 cm y ND = 10 cm .
c) Entre los puntos a) y b) el valor de NA se ha reducido en cien veces. ¿En que
porcentaje varió el potencial de juntura? ¿Qué conclusión puede obtener?
15 -3 16 -3 15
2) Considere una juntura PN de silicio a 300ºK con ni = 1.5x10 cm , NA = 10 cm y ND = 10
-3
cm . Calcule:
a) El ancho de la zona de carga espacial (“space charge region”).
b) El valor del campo eléctrico máximo.

3) Considere la juntura PN de silicio a 300ºK del problema 2) pero ahora con una polarización
inversa de VR = 5 Volts. Calcule:
a) El ancho de la zona de carga espacial
b) El valor del campo eléctrico máximo.
c) Compare estos resultados con los del problema 2)
15 -3 19 -3 17
4) Considere una juntura PN de silicio a 300ºK con ni = 1.5x10 cm , NA = 10 cm y ND = 10
-3
cm .
a) Para la condición de equilibrio térmico (VR = 0 Volts), y bajo la aproximación de
vaciamiento (“Depletion approximation”), realice los diagramas de i) concentración de
dopantes NA y ND, ii) concentración de portadores libres no y po, iii) densidad de carga
neta ρ, iv) campo eléctrico, v) potencial electrostático
b) Repita el puntos 4.a) para VR = 5 y 10 Volts.
5
c) Si el campo eléctrico máximo admitido es EMAX = 5x10 V/cm, ¿Cuál es el máximo
valor de VR admisible?
18 -3
5) Considere una juntura PN de silicio a 300ºK con una concentración de NA = 10 cm .
a) Determine la concentración ND tal que para VR = 25 Volts el campo eléctrico máximo
5
sea EMAX = 3x10 V/cm.
5
b) Si se desea que el campo eléctrico máximo no supere el valor EMAX = 3x10 V/cm,
18 -3
conservando NA = 10 cm , ¿el valor de ND hallado en el punto 5.a) es una cota
máxima o una cota mínima de concentración de dopantes donores?
-4 -2
6) Suponga que la juntura PN del problema 2) tiene un área de A = 10 cm . Calcule la
capacidad de la juntura para una polarización inversa de VR = 5 Volts.
+ 15 -3
7) Dada una juntura P N de silicio a 300ºK con ni = 1.5x10 cm . Asuma que la intersección de
la curva de la Fig. 1 con el eje horizontal corresponde a un potencial de juntura de 0.855 Volts y
15 -2 -2
que la pendiente de la recta es 10 (F/cm ) /Volt. Calcule la concentración de impurezas NA y
ND de la juntura.
1.
Cj2

V
Fig. 1
+ -4 -2
8) Diseñe una juntura P N de silicio con un área de A = 5.5x10 cm tal que a 300ºK y para
una polarización inversa de VR = 1.2 Volts verifique que el 10% del total de la zona de carga
-12
espacial esté en la región N, y que su capacidad de juntura sea 3.5x10 F.
a) Determine las concentraciones ND y NA necesarias.
b) Determine el potencial de juntura resultante.

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