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NUCLEAR
RELATÓRIO AULA PRÁTICA
ESPECTROMETRIA GAMA
2005
SUMÁRIO:
INTRODUÇÃO 3
CAPÍTULO 7 – CONCLUSÕES 26
CAPÍTULO 8 - BIBLIOGRAFIA 28
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INTRODUÇÃO
3
1 - DETECTORES UTILIZANDO MATERIAIS SEMICONDUTORES
poliestireno
σ [ 1/Ω m]
polietileno
concreto
(seco)
grafite
NaCl SiO2 mica
porcelana Mn Fe
Si dopado Ag
madeira Cu
borracha vidro
quartzo seca Ge
GaAs Si
isolantes semicondutores
condutores
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Para que um material conduza eletricidade, é necessário que os elétrons de
valência, sob ação de um potencial elétrico aplicado, saltem do nível de valência para
um nível ou banda de condução.
Conforme a figura 1, em um material condutor a banda de condução é
parcialmente ocupada por elétrons e estes, para se movimentarem não necessitam de
grande incremento de energia e isto resulta numa alta condutividade.
Já um material isolante tem uma larga banda proibida entre a valência e
condução. A energia do gap entre as bandas de valência e condução é da ordem de 5eV
ou mais, sendo sua condutividade praticamente nula em qualquer temperatura.
Os semicondutores possuem bandas proibidas com larguras intermediárias.
Nesses materiais a energia do gap é da ordem de 1eV ou menos, fazendo com que a
baixas temperaturas, sua condutividade seja muito pequena. Sua condução será melhor
que os isolantes, porém, pior que os condutores.
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gás. O grande número de pares criados propicia duas vantagens aos detectores
semicondutores sob o ponto de vista de resolução levando uma melhor relação sinal-
ruído: a diminuição da flutuação estatística e a diminuição da influência do ruído
eletrônico.
Da mesma forma que o aumento da temperatura, a interação da radiação nuclear
com um semicondutor também é capaz de ceder energia aos elétrons produzindo pares
elétron-buracos que acarretam um fluxo de corrente elétrica através do semicondutor e,
a única dificuldade a ser transposta é a coleta apropriada dessas cargas para se obter
informações sobre a radiação.
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Figura 3 – Estrutura cristalina do silício
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Em aplicações práticas a junção p-n é feita através da adição de um excesso de
impurezas doadoras a uma região de um semicondutor do tipo p ou de impurezas
receptoras a uma região de um semicondutor do tipo n. O processo de injetar impurezas
no semicondutor é chamado dopagem.
Como existe uma diferença de concentração de portadores de ambos os lados da
junção, inicialmente haverá uma difusão de elétrons livres do lado N indo para o lado P
e ao mesmo tempo buracos se difundirão do lado P para o lado N. A conseqüência disso
é que do lado N aparecerão íons positivos não neutralizados e do lado P íons negativos
não neutralizados dando origem a uma região que não possui cargas livres, e que é
chamada de região de depleção.
Essa distribuição de cargas cria uma barreira a qual se oporá à difusão de mais
portadores majoritários, buracos no lado P e elétrons livres no lado N. Essa corrente é
representada por V na figura 6. Caso algum portador minoritário (aqueles gerados pela
temperatura), elétron livre do lado P ou buraco do lado N, se aproxime desta região,
será acelerado pelo campo nela existente e passará para a outra região. Esse fluxo é
representado na figura 6 por V1. Na figura 6, após o equilíbrio, a soma das correntes
através da junção é zero.(V= V1) .
V1
Figura 6 – Junção p-n
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os quais dependem unicamente da temperatura, desta forma esta corrente também
chamada de corrente reversa de saturação V2.
V2
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detector de germânio 25% tem 25% da eficiência de um detector de NaI tamanho de
cristal 3x3 polegadas, para uma fonte de Co na energia de 1332 Kev medidas a 25 cm
de distância do centro do cristal e assim por diante.
O sistema de coleta de cargas para um detector de Ge (Li) utiliza uma junção p-
i-n. O processo consiste em partindo-se de um semicondutor de germânio do tipo p,
difundir-se um excesso de lítio, que é uma impureza doadora, em uma superfície do
semicondutor, O processo de difusão, sob valores apropriados de campo elétrico e
temperatura, produz em determinada região um balanço das cargas positivas originais e
das negativas dos átomos de lítio que a tornam uma região intríseca. A superfície com
excesso de lítio permanece como uma camada tipo n e a parte de semicondutor em que a
difusão não ocorreu permanece do tipo p, formando-se então uma junção do tipo p-i-n.
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3 - BLINDAGEM DOS DETECTORES DE GE:
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4 - ESPECTROSCOPIA GAMA:
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4.2 - Volume ativo do detector:
O volume ativo do detector HPGe, é o cristal de germânio hiper puro que pode
ter dois revestimentos para fazer contato elétrico: o co-axial e o planar. O revestimento
observado em aula foi o co-axial, que tem o seu campo elétrico na forma de um cilindro.
O cristal co-axial trabalha tanto com raios gama quanto com raios-X (GMX).
Essa versatilidade deve-se a presença de uma janela de berílio que oferece uma
resistência, ou seja, uma blindagem, bem menor que o alumínio. Se por alguma
eventualidade houver o rompimento dessa janela, ocorrerá a perda do vácuo e
conseqüentemente a perda do detector. Normalmente os detectores GMX vêm com uma
proteção de plástico. Esse plástico distancia mais a fonte/amostra do detector
diminuindo assim a sua eficiência. Para aumentar a eficiência tira-se o plástico e mede-
se diretamente sobre o detector. Ao aproximarmos muito uma fonte do detector poderá
ocorrer efeito soma que é a detecção simultânea de dois ou mais fótons originários de
uma desintegração nuclear simples e que resulta somente em um pulso observado.
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4.3 - Descrição do sistema de espectroscopia gama:
Conversor
Memória
ADC
Fonte de
Alta Tensão
Micro
Pré- Placa
DETECTOR Amplificador Amplificador ACE Impressora
Fonte de
Radiação
Figura 12: Diagrama de blocos para o sistema de espectroscopia gama com detector de
germânio.
Ao ocorrer à interação da radiação com a matéria produz-se certo número de
elétrons no cristal e estes são coletados pelo pré-amplificador (figura 11), que é
responsável pelo resultado final do que sai do detector, porém não faz nenhuma
conformação de pulso. Para a coleta do sinal, os sistemas de medição necessitam
normalmente de uma fonte de alta-tensão, cuja faixa de operação irá variar em função
do tipo de sistema que está sendo utilizado.
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desliga a alta tensão. Não se deve confiar totalmente no inibidor, pois se ele estiver com
algum defeito e não fizer o controle da temperatura, o detector será danificado.
Os pulsos gerados, além de serem muito pequenos, têm uma proporção de razão
de pulso /ruído um pouco alta. Se você deixar o pré-amplificador ficar muito longe do
detector, o pulso gerado se perderia nesse caminho. Possui um tempo de coleta de pulso
muito longo para garantir que todos os pulsos serão coletados. O pulso tem uma subida
grande e alta e depois vem caindo gradativamente.
Através de um cabo, conecta-se o pré-amplificador ao amplificador. O
amplificador faz o tratamento do sinal, através de uma conformação de pulso. Ele pega
o pulso de cauda muito longa e a encurta evitando a sobreposição de um pico na cauda
do outro pico.
Esse empilhamento de pulsos acontece quando há a ocorrência de dois pulsos
próximos no tempo e sucessivos, mas originários de decaimentos separados, de forma
que se contribuem mutuamente no espectro em altura e forma. O sistema processa as
duas entradas normalmente como um único pulso composto, onde é armazenado em um
canal no espectro, diferente daqueles em que os pulsos componentes deveriam ser
depositados. O empilhamento varia com a largura de pulso do amplificador e é função
do quadrado das taxas de contagens.
Saindo do amplificador, o pulso vai para o conversor analógico digital (ADC),
que é responsável por traduzir a altura de pulso em um número. Esse número vai
corresponder ao canal que essa altura de pulso equivaleria, ou seja, ao chegar um pulso
com uma determinada energia, o ADC converterá o mesmo para o respectivo canal
adicionando uma contagem para o determinado canal.
Através do osciloscópio tem-se a capacidade de congelar o pulso (ou pico) de
maior intensidade.
Então, essa informação vai para o analisador de altura de pulso – MCA que
registra e armazena pulsos de acordo com as suas alturas. Consiste de três funções
distintas: um ADC para realizar as medições de amplitude de pulso; registros de
memória (um para cada canal no espectro) para computar o número de pulsos que
possuem amplitudes dentro de um dado incremento de voltagem; e uma parte relativa à
entrada e saída que permite transferir as informações do espectro para um outro
equipamento como impressora, computador, osciloscópio ou disquetes.
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Figura 14 - Visualização de um espectro de 226Ra obtido através de um Detector de Ge
coaxial.
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5 - MATERIAIS E MÉTODOS:
Am-241
Co-60
Cs-137
Equipamentos:
Geometria de utilizada:
Pote (1cm)
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6 - RESULTADOS E DISCUSSÃO:
Foram colocadas as três fontes no detector HPGe 40% para que fossem gerados
os dados de canal (tabela 2) e energia necessários para a construção da curva de
calibração (gráfico 1). Selecionou-se a energia mais intensa para medição do padrão e
do radionuclídeo a ser calibrado na região de interesse do espectro.
1400
1200
y = 0,2519x + 0,4648
1000 R2 = 1
Energia (KeV)
800
600
400
200
0
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000
Canal
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Determinação da resolução do Detector HPGe 25 e 40%:
Através da interpolação dos valores à esquerda pela equação 1 podemos obter o limite
esquerdo y2. Da mesma forma, obtemos y1 pela equação 2.
x3 − x4 y −x Equação 1 x2 − x1 y −x Equação 2
= 2 4 = 1 1
C3 − C 4 h 1 − C 4 C2 − C1 h1 − C1
2 2
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Foram fornecidos, para fins de comparação com os resultados experimentais, os valores
de resolução provenientes do certificado de calibração para os detectores de germânio
25% e 40%.
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Para cada fonte padrão, deve-se se obter o espectro gama, e determinar o pico
com maior intensidade, neste pico deve-se saber qual é a sua energia de emissão. Logo,
pode-se determinar a eficiência correspondente a cada energia de emissão.
Os dados de atividade foram fornecidos pelo professor e os valores de tempo de
meia-vida, energia e porcentagem de emissão foram obtidos através do site da Internet
(http://www.nndc.bnl.gov/nudat2/dec_seach.jps).
Como houve um intervalo de tempo até o padrão ser lido, fez-se necessário a
correção de decaimento.
S
ε=
T .i. A.κ
ln 2
Onde: κ = e − λt e λ=
t1 / 2
κ = exp(-λt) e λ= ln(2)
S = área do fotopico (contagem)
T = tempo de contagem (dias)
i = porcentagem de emissão
A = atividade da amostra em uma determinada data X (Bq)
κ = correção de decaimento
λ = constante de decaimento
t = tempo de contagem da data X até a data que a amostra foi lida.
t1/2 = tempo de meia-vida
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T (s) Área (S) Incerteza(%) cps λ t κ ε
60.000 1110438 0,11 18,5073 6,32E-05 6 0,999620771 0,028452552
60.000 1355510 0,1 22,59183333 0,006499 6 0,96175492 0,019184265
60.000 793986 0,12 13,2331 0,006499 6 0,96175492 0,011021899
60.000 739629 0,15 12,32715 0,014871 6 0,914641181 0,058314636
Curva de eficiência
-1,2
Log Eficiência
-1,4
y = -0,8956x + 0,9574
R2 = 0,9947
-1,6
-1,8
-2
Log Energia (KeV)
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Cálculo da atividade dos radionuclídeos (K-40, Co-60 e Cs-137), contidos de
uma determinada amostra acondicionada em uma geometria de pote de 1cm:
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Através da equação abaixo calculou-se a atividade da amostra.
S
A=
T ×i ×ε
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7 - CONCLUSÕES:
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Determinação da curva de calibração para o cálculo da eficiência do
detector de Germânio:
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8 - BIBLIOGRAFIA:
Tauhata, L.; Salati I.P.A.; Prinzio R Di.; Prinzio M.A. R.R. Di. Radioproteção e
Dosimetria: Fundamentos – 5ª revisão – Agosto de 2003 – Rio de Janeiro – IRD/CNEN
Site: http://www.nndc.bnl.gov/nudat2/dec_seach.jps
Site: http://myspace.eng.br/eng/semic/semic1.asp
Site: http://www.ird.gov.br
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