Diseño amplificador multietapa (cascode y

darlington)
Vargas Calo Néstor David
Escuela Politécnica Nacional
nestor.vargas@epn.edu.ec

Objetivos: C. Diseñar un amplificador que utilice la configuración

Darlington, para que cumpla con las siguientes
• Diseñar, analizar e implementar un amplificador en condiciones:
configuración Darlington.
• Diseñar y analizar un amplificador en configuración
Cascode.
Día Ganancia de VinP RL
Voltaje
Lunes 15 300 [mV] 4.7 [KΩ]
I. PREPARATORIO Frecuencia = 1 [KHz]
A. Describir las principales características y aplicaciones de
la configuración Darlington. Base-Común con Darlington
1. Se asume el valor de RC, teniendo en cuenta el valor de la
Configuración Darlington carga. RL=2.7KΩ
Características: RC=4.7KΩ
• La característica principal de la conexión
Darlington es que el transistor compuesto actúa 2. Se calcula el 𝑉𝑅𝐶 de acuerdo con la condición.
como una sola unidad con una ganancia de 𝑅𝑐
𝑉𝑅𝐶 ≥ ∗ 𝑉 ∗ 𝑓𝑐
corriente que es el producto de las ganancias de 𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 𝑖𝑛
corriente de los transistores individuales. 𝑉𝑅𝐶 ≥ 10.8V
𝛽𝐷 = 𝛽1 𝛽2
• Una conexión Darlington proporciona un 3. Cálculo de IC ≅ 𝐼𝐸.
𝑉 10.8𝑉
transistor con una ganancia de corriente muy IC= 𝑅𝑅𝐶=4.7𝐾𝛺=2.29mA=𝐼𝐸𝐷
𝐶
grande, por lo general de unos miles.
• Un par Darlington aporta multiplicación beta 26𝑚𝑉
para incrementar la resistencia de entrada. 4. re=2.29𝑚𝐴=11.35𝛺

• La resistencia dinámica Darlington será la suma

de las resistencias dinámicas 𝑟𝑒𝐷 = 𝑟𝑒1 + 𝑟𝑒2. 𝑅𝐸1 :
4.7𝐾𝛺||4.7𝐾𝛺
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 = = 156.66𝛺
Aplicaciones: 15
• En las aplicaciones domésticas y recreativas 𝑹𝑬𝟏 = 𝟏𝟓𝟎𝜴
podemos usar tales transistores en sustitución de 𝑟𝑒 = 6.66𝛺
etapas enteras de amplificación, em circuitos de 𝑟𝑒𝐷 = 13.62𝛺
alarmas, llaves electrónicas, sistemas de aviso, 𝑹𝑬𝟏 ≫ 𝑟𝑒𝐷 ✓
intercomunicadores, accionamiento de relés
para abertura y cierre de puertas de garajes, etc.
Recalculo;
• En las aplicaciones industriales podemos usar 26𝑚𝑉
estos transistores en la excitación directa de 𝑰𝑪 = = 𝟑. 𝟗𝒎𝑨 = 𝑰𝑬
6.66 𝛺
solenoides, contactores, relés y otros 𝑽𝑹𝑪 = 𝟏𝟖. 𝟑𝟑𝑽
dispositivos electromecánicos directamente a
partir de sensores o interfaces usando lógica 5. Corrientes
TTL o CMOS. 3.9𝑚𝐴
𝑰𝑩𝑫 = 1002 = 𝟎. 𝟑𝟗𝝁𝑨
I2=100 ∗ 0.39𝜇𝐴 = 𝟑𝟗𝝁𝑨
B. Especificar las principales consideraciones de diseño de I1= 𝟑𝟗. 𝟑𝟗𝝁𝑨
un amplificador Darlington.
𝑰𝑪𝑫 = 𝑰𝑪𝑸𝟐 +𝑰𝑪𝑸𝟏 6. Voltajes
𝑰𝑬𝑫 = 𝑰𝑬𝑸𝟐 𝑽𝑹𝑪 = 𝟏𝟖. 𝟑𝟑𝑽
𝑰𝑩𝑫 = 𝑰𝑩𝑸𝟏 𝑽𝑪𝑬 = 4.5V + 2V = 𝟔. 𝟓𝑽
𝑰𝑬𝑸𝟏 = 𝑰𝑩𝑸𝟐 𝑽𝑹𝑬𝟏 = 3.9𝑚𝐴 ∗ 150𝛺 = 0.585𝑉
𝜷𝑫 = 𝜷𝟏 𝜷𝟐 𝑽𝑹𝑬𝟐 ≥ 1𝑉 + 0.3𝑉 = 1.3𝑉
𝒓𝒆𝑫 = 𝒓𝒆𝑸𝟏 + 𝒓𝒆𝑸𝟐 𝑽𝑬 = 𝑽𝑹𝑬𝟏 + 𝑽𝑹𝑬𝟐 = 𝟐𝑽
𝑽𝑩𝑬𝑫 = 𝑽𝑩𝑬𝑸𝟏 + 𝑽𝑩𝑬𝑸𝟐 𝑽𝑩 = 𝟑. 𝟏𝑽 = 𝑽𝑹𝟐
𝑽𝒄𝒄 = 18.33𝑉 + 6.5𝑉 + 2𝑉 = 26.83𝑉 = 𝟐𝟕𝑽
𝑽𝑹𝟏 = 26.83𝑉 − 3.1𝑉 = 𝟐𝟑. 𝟕𝟑𝑽
 II. ANEXOS
7. Resistencias
23.73𝑉 ANEXO 1.
• R1= = 602437.16𝛺 ≅ 𝟓𝟔𝟎𝑲𝜴 Graficas en papel milimetrado del literal C
39.39𝜇𝐴
3.1𝑉
• R2= = 79487.18𝛺 ≅ 𝟖𝟐𝑲𝜴
39𝜇𝐴
2𝑉
• 𝑹𝑬𝟐 = = 512.82 ≅ 𝟓𝟏𝟎𝜴
3.9𝑚𝐴

8. Capacitores
8.1 De base:
𝑍𝑖𝑛 = 109.25 𝛺
RL=4.7K𝛺
𝑟𝑒𝐷 + 𝑅𝐸1 = 163.62𝛺
𝑓 = 1𝐾𝐻𝑧
1
• CB>>
2∗𝜋∗1𝐾𝐻𝑧∗𝑍𝑖𝑛
CB>>1.45𝜇𝐹
CB=𝟏𝟎𝟎𝝁𝑭

8.2 De colector:
1
• CC>>
2𝜋𝑓⋅𝑅𝐿 Fig. 1. Graficas en papel milimetrado de los voltajes de entrada y
CC>>0.033𝜇𝐹 salida de las dos etapas de diseño.
CC=𝟏𝟎 𝝁𝑭

8.3 De emisor:
1 ANEXO 2.
• CE>>
2𝜋𝑓⋅(𝑟𝑒𝐷 +𝑅𝐸1 ) Simulaciones del literal C
CE>>0.97 𝜇𝐹
CE=𝟏𝟎𝟎 𝝁𝑭 Polarización:

D. Realizar la simulación del circuito diseñado, presentar las

formas de onda de entrada, salida, y las formas de onda en
cada una de las etapas.

Ver Anexo 1 y 2

E. Presentar una tabla con las mediciones de valores en DC

del circuito diseñado para poder compararlos durante el
desarrollo de la práctica.

TABLA I
VALORES NECESARIOS DEL CIRCUITO DISEÑADO PARA a)
COMPARAR EN LA PRÁCTICA.
PRIMERA ETAPA
AV=-8 b)
𝑰𝑩𝑫 0.573 𝜇𝐴 Fig. 2. a) Polarización en Qucs,
𝑰𝑬𝑫 3.63𝑚𝐴 b) Valores obtenidos.
𝑰𝑪𝑫 3.63𝑚𝐴
𝑽𝑬𝑫 2.4 V
𝑽𝑩𝑫 3.54 V
𝑽𝑪𝑫 10.9 V
𝑽𝑪𝑬𝑫 8.54 V
𝑽𝑩𝑬𝑫 1.14 V
𝑽𝑪𝑩𝑫 7.36 V
𝑽𝒊𝒏 300 mV
𝑽𝒐 4.5 V
 d)
a)
Fig. 1. a) Simulación AC del diseño de base común con
Darlington en Qucs,
b) Simulación AC del diseño de base común con
Darlington en Proteus.
c) Graficas de los voltajes de salida en Qucs:
Azul=Vin=300mV
Rojo= Vo=4.1V
c) Graficas de los voltajes de salida en Proteus:
Amarrillo=Vin=300mV
Verde= Vo=4.2V

III. REFERENCIAS
[1] BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY, LOUIS.
Electrónica: “Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos”,
PEARSON EDUCACIÓN, México, 2009.
[2] INCB, “Circuitos con Darlington de Potencia”, [Disponible en la
red]: http://www.incb.com.mx/index.php/articulos/9-articulos-
b) tecnicos-y-proyectos/944-circuitos-con-darlington-de-potencia-
art172s
[3] Tarquino Sánchez, “Electrónica Dispositivos y aplicaciones”,
EPN, 2013.
[4] FLOYD, “Dispositivos electrónicos”, octava edición, PEARSON
EDUCACIÓN, México, 2008.
[5] Qucs (Versión 0.0.19) [Software]. (2016)
[6] Proteus (Versión 8.6) [Software]. (2017).

C)