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I.U.T. « A » Bordeaux Département : G.E.I.I.

JONCTION PN (DIODE)

Droite de charge et point de fonctionnement

Influence de la température sur la caractéristique

Résistance dynamique aux petits signaux autour du point de repos

Linéarisation de la caractéristique

Quelques applications de la diode :

Montage écrêteur

Redressement bi-alternances

Diode Zener : caractéristiques

Application de la diode Zener : alimentation stabilisée simple

Philippe ROUX roux@elec.iuta.u-bordeaux.fr


tél. : 05 56845758
DROITE DE CHARGE D’UNE DIODE : POINT DE FONCTIONNEMENT

IA
250 Ω
RC
VCC + VAK
5V

Equation de la droite de charge de la diode : VAK = - RC IA + VCC


La droite de charge passe par les points :

IA = 20 mA pour VAK nul


IA = 16 mA pour VAK = 1V

Le point de fonctionement est l’intersection de la caractéristique de la diode avec la


droite de charge. Le point de fonctionnement est tel que :

VAKrepos = 0.66 V et IArepos = 17.4 mA

IA (ma)
25

Point de fonctionnement
20

IA repos 17.4 mA
16 mA
15

10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
0 V AK
0.66 V VAK (V)
VAK repos

VAK IS courant inverse de saturation


Loi de la diode : IA I S (exp ( ) 1)
UT
kT
UT 2 5 m V à 2 5C
q
RESISTANCE DYNAMIQUE AUTOUR DU POINT DE FONCTIONNEMENT

IA
250 Ω
+ RC
eg = 1 sin (ωt) eg
- VAK
+
VCC 5V

IA (ma)
25
24 mA
M2
20 20 mA

17.4 mA
16 mA
15

M1 12 mA
10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
0 V AK
VAK (V)

0.66 V

Equation de la droite de charge de la diode : VAK (t) = - RC IA (t) + eg (t) +VCC

La position de la droite de charge est fonction du temps. Son coefficient directeur est
constant. Pour une tension VAK nulle, le point de la droite de charge situé sur l’axe IA
évolue entre 16 et 24 mA.

Dans la mesure où l’on peut considérer la portion M1 M2 de la caractéristique comme un


segment de droite (petites variations), la diode est parcourue par un courant continu IA de
17.4 mA auquel se superpose un courant sinusoïdal :

IA IA repos I Am sin ( t)

De même, à la tension continue de 0.66 V aux bornes de la diode, se superpose une


tension sinuoïdale :

VAK VA K repos VAm sin ( t)

On définit la résistance dynamique rd de la diode selon :


dV UT
rd ( AK )P0
dI A IA repos
On en déduit alors : Vam sin (ωt) = rd IAm sin (ωt)
INFLUENCE DE LA TEMPERATURE SUR LA
CARACTERISTIQUE DE LA DIODE

125 °C 25 °C -55 °C
40

32
Prepos à 125 °C

IA (mA) 24
Prepos à 25 °C

Prepos à -55 °C
16

Droite de charge
8

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
VAk (V)

Loi de la diode et mise en évidence des paramètres dépendant de la


température :

 V 
IA = IS exp( AK ) − 1
 UT 
Courant inverse de saturation :
E
IS = A T 3 exp(− G )
kT

kT
UT =
q
Evolution de la tension VAK en fonction de la température :

∆VAK
= −2 . 5 mV°C −1
∆T
LINEARISATION DE LA CARACTERISTIQUE D’UNE DIODE

IA (ma)
25

20

RS
15

10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
0 V AK
VD VAK (V)

Diode bloquée Diode passante

IA IA
A K A K

VAK VAK

A Circuit Ouvert K A K
VD RS
MONTAGE ECRETEUR A DIODES

1 kΩ

D1 R2
D2
ve (t) signal en R1
“dents de scie” vs (t)

E1 E2
30 V 20 V

ecreteur-Transient-0 Time (s)

(V) +0.0e+000 +500.0u +1.0m +1.5m +2.0m


+60.0

+40.0

D1 et D2 passantes ve (t)

+20.0

+0.0e+000
D1 passante
D2 bloquée vs (t)
-20.0

-40.0 D1 et D2 bloquées

-60.0
V(VE) V(VS)
REDRESSEMENT BI-ALTERNANCES AVEC FILTRAGE

Secteur :
220 Veff
50 Hz ic
C R vs (t)

Transformateur

filtrage2-Linearized Transient-0 Time (s)

+0.00e+000 +10.00m +20.00m +30.00m +40.00m +50.00m

+10.00

+8.00

Diodes passantes :
+6.00 charge de C Diodes bloquées :
décharge de C dans R

+4.00

+2.00

+0.00e+000

Vs(t) sans Capacité *REAL(Courant IC)*


Vs(t) sans C
ALIMENTATION D’UN MONTAGE PAR UNE PILE 10 V 1A/h

I = 0.1 A
+ Circuit
E = 10 V
électronique
1A/h

REMPLACEMENT DE LA PILE 10 V PAR UNE ALIMENTATION STABILISEE SIMPLE

Secteur R I = 0.1 A
220 Veff
IZ
C Circuit
DZ VZ électronique

Redressement et filtrage

R I = 0.1 A
+
Egcàc = 2 V eg IZrepos
- Circuit
DZ VZ électronique
10V
E = 20 V

Diode Zener : VZ = 10 V IZrepos = 10mA RZ = 2

1) Analyse en mode continu : calcul de R


R I = 0.1 A

91 Ω
Circuit
IZ 10mA 10 V électronique
E = 20 V DZ

2) Analyse en mode variable


R
+
eg 91 Ω
- RZ
Egcàc = 2 V 4.3 mV Vc à c
2Ω