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Instituto politécnico nacional

UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA EN


INGENIERÍA Y TECNOLOGÍAS AVANZADAS

“UPIITA”
Electrónica de potencia

Grupo: 3mv9
PRACTICA 2
DIOSO DE MARCHA LIBRE

14/02/19

Alumno:
Chávez Chávez humberto
Cid Cabrera Luis Angel
Cortez conde alexander

Prof.

Pesa tapia juan Manuel


OBJETIVO
Implementar un circuito que muestre la importancia del diodo de marcha libre para
corregir la conmutación del diodo rectificador.

MATERIAL EMPLEADO
 Bobina
 Puntas BNC-caimán
 Cables o jumpers
 Protoboard
 Generador de funciones
 Resistor de 330 Ω
 Diodos rectificadores 1N4004
 Osciloscopio

INTRODUCCIÓN TEÓRICA
En 1904, John Ambrose Fleming amplió los esfuerzos de Edison para desarrollar
el primer diodo, denominado comúnmente como válvula de Fleming, que de hecho
es el primero de los dispositivos electrónicos.
Este dispositivo actuará idealmente como una trayectoria de baja resistencia a la
corriente en una dirección y como una trayectoria de alta resistencia a la corriente
en la dirección opuesta, algo muy parecido a la manera en que un interruptor pasa
corriente en una sola dirección. Un conjunto típico de las características de un
diodo se muestra en la ilustración 1. Sin cálculos matemáticos, la cercanía de la
curva al eje de voltaje para valores negativos del voltaje aplicado indica que ésa
es la región de baja conductancia (alta resistencia, interruptor abierto). Observe
que esta región se extiende hasta aproximadamente 0.7 V positivos. Sin embargo,
para valores del voltaje aplicado mayores que 0.7 V, la elevación vertical en las
características indica una región de conductividad elevada (baja resistencia,
interruptor cerrado). La aplicación de la ley de Ohm verificará las conclusiones
anteriores.
Ilustración 1: Características de un diodo semiconductor

Por lo general, resulta sencillo hasta cierto punto determinar si un diodo se


encuentra en la región de conducción o de no conducción, al observar la dirección
de la corriente ID que se establece mediante un voltaje aplicado. Para el flujo
convencional (opuesto al flujo de electrones), si la corriente resultante del diodo
tiene la misma dirección que la punta de la flecha del símbolo del diodo, éste está
operando en la región de conducción, según se describe en la ilustración 2. Si la
corriente resultante tiene la dirección opuesta el circuito abierto equivalente es el
apropiado.

Ilustración 2: Diodo ideal


En la siguiente ilustración podemos observar de manera detallada la forma en
como se comporta un diodo compuesto de silicio como su material semiconductor.
Debemos poner atención en la tensión de umbral que permite el flujo de corriente,
pero también debemos ser cuidadosos y checar que tensión de pico inversa
soporta nuestro dispositivo.

Ilustración 3: Características del diodo conductor de silicio


Existen ciertas partes de datos que, por lo general, presentan los fabricantes en
las hojas de especificaciones de diodos. Una de estas cantidades que todavía no
se ha considerado es el tiempo de recuperación inverso, y se denota mediante trr.
En el estado de polarización directa, se mostró antes que existe un gran número
de electrones del material tipo n que pasan a través del material tipo p, y un gran
número de huecos en el tipo n, lo cual es un requisito para la conducción. Los
electrones en el tipo p y los huecos que se difunden hacia el material tipo n
establecen un gran número de portadores minoritarios en cada material. Si el
voltaje aplicado se invierte para establecer una nueva situación de polarización
inversa, idealmente se desearía ver que el diodo cambia de forma instantánea, del
estado de conducción al de no conducción. Sin embargo, debido a que un gran
número de portadores minoritarios se localizan en cada material, la corriente del
diodo se invertirá como se muestra en la ilustración 4, Y permanecerá en este
nivel susceptible de ser medido durante un tiempo t, (tiempo de almacenamiento)
que requieren los portadores minoritarios para retornar a su estado de portadores
mayoritarios dentro del material opuesto. En esencia~ el diodo permanecerá en el
estado de circuito cerrado con una corriente l inversa determinada por los
parámetros de la red. En algún momento, una vez que ha pasado esta fase de
almacenamiento, la corriente se reducirá en nivel hasta llegar a aquel asociado
con el estado de no conducción. Este segundo periodo se denota mediante t,
(intervalo de transición). El tiempo de recuperación inversa es la suma de estos
dos intervalos: t rr := t s + t{ • Naturalmente, es una consideración importante en
las aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Casi todos los diodos de
conmutación disponibles en el mercado tienen un t rr en el rango de unos cuantos
nanosegundos hasta 1 J.1.s. Sin embargo, hay unidades disponibles con un t rr de
sólo unos cuantos cientos de picosegundos (10- 12).

Ilustración 4: Tiempo de recuperación inverso


Conclusiones
Humberto Chávez Chávez
Dentro del diseño de un circuito electrónico es muy importante tener el
conocimiento de manera completa de todos los dispositivos que conforman
nuestra red, para así poder tener en mente la manera en que se debe comportar el
sistema, y si hay una falla poder saber de donde partir o donde revisar. El uso de
diodos es algo relativamente sencillo que desde cursos anteriores los revisamos,
pero al analizar sus características más a fondo y aprender a remediarlas, como lo
hicimos en está práctica, es lo que lleva a dar el salto de calidad y comenzar a
diseñar circuitos a conciencia.
El tiempo de conmutación del diodo en un factor al cuál nunca le había dado la
importancia que requiere, se daba por entendido que la conmutación era
instantánea. En esta práctica vimos que al introducir componentes que almacenan
energía tal como condensadores o bobinas, debemos tener cuidado ya que por
sus mismos efectos pueden meter ruido en otros elementos y dar un
comportamiento no deseado en el sistema.

Referencia
BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY, LOUIS, Electrónica: teoría de
circuitos y dispositivos electrónicos, 8ª.ed, Ed. PEARSON EDUCACIÓN, México,
2003.