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Tecnología y Ensayo
de Materiales

S i
Semiconductores
d t

MBA Ing. Máximo Adrián Forns

 2

Materiales conductores,
semiconductores y
aislantes
 C d t
Conductores, aislantes
i l t y semiconductores
i d t

Baja resistencia Alta resistencia

Conductores: Semiconductores Aislantes:

ofrecen
f una baja
b j t
se encuentran a medio
di ofrecen una alta
resistencia al paso camino entre los resistencia al paso de la
de la corriente conductores y los corriente eléctrica.
eléctrica. aislantes, pues en unos
casos permiten la
circulación de la
corriente eléctrica y en 3
otros no.
 Formas de representar
p de forma
gráfica un átomo

A. Normal, con todos los electrones girando alrededor del núcleo de ese elemento en sus
respectivas órbitas.
B Representación plana , cuatro órbitas o niveles de energía que le corresponden a ese
B.
átomo con la distribución numérica de todos los electrones que posee en cada una
de ellas.(29 en total)
C R
C. Resentación
t ió plana
l simplificada,
i lifi d en lla que se muestrat solamente
l t lla últi
última ó
órbita
bit o
banda de valencia, identificada con. el número “1”, o sea, el único electrón que posee
en esa posición.
D. El mismo átomo mostrado ahora. en representación plana, con la última órbita y el
4
único electrón que gira en la misma.
M t l aislantes
Metales, i l t y semiconductores
i d t

5
 6

Electrones de valencia
y
Bandas de energía
El t
Electrones de
d valencia
l i

7
El t
Electrones de
d valencia
l i deld l Si
Órbitas,
Capas o
Niveles de energía

8
Generación de pares
p
electrón libre - hueco

Modelo completo

Estado normal Conducción

9
Modelo simplificado
Bandas de conducción,,
de valencia y prohibida

Conductor Aislante Semiconductor

Banda de valencia: es el nivel de energía que determina que un cuerpo se comporte como conductor,
aislante o semiconductor.
Banda de conducción: está ocupada por los electrones libres, es decir, aquellos que se han desligado
de sus átomos y pueden moverse fácilmente ocasionando al corriente eléctrica
eléctrica.
Banda prohibida: impide que los electrones de valencia, situados en la última órbita del átomo, se
exciten y salten a la banda de conducción

Energía propia de los electrones de valencia = 0,03 eV (electronvolt)

10
Eg aislantes = 6 a 10 eV
Eg semiconductores = 1eV
 S i d t
Semiconductores

Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor

¾Elevación de su temperatura
¾Introducción de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina 11

¾Incrementando la iluminación.
 S i d t
Semiconductores intrínsecos:
i tí ell Si

oblea (wafer) o cristal cuarta parte de la

semiconductor de Si oblea conteniendo
pulida, destinada a la cientos de
fabricación de minúsculos dados
transistores y circuitos o “chips”
chips
integrados.

Semiconductor intrínseco:
¾ Material
M t i l puro Eg Si = 1,21 eV
¾ Huecos = electrones Eg Ge = 0,785 eV.

12
 Semiconductores intrínsecos: el Ge
T=0K
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - -
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - -

No hay enlaces covalentes rotos. Esto equivale a que los electrones de

la banda de valencia no pueden saltar a la banda de conducción.
 Semiconductores intrínsecos: el Ge
T=300K
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - - -
- - - -
-
Ge -
-
Ge
+ -
-
Ge -
-
Ge
-
- - - -

•Hay
Hay 1 enlace roto por cada 1,7 109 átomos.
1,7·10
•Un electrón “libre” y una carga “+” por cada enlace roto.
Semiconductores intrínsecos: el Ge
T=300K
-
- - -
Generación -
- - - - +
-
Ge - Ge - Ge - Recombinación
Ge

- - - - Generación - -
- -
Generación - -
-
G
Ge -
-
G
Ge
+ -
Recombinación
-
G
Ge
-
G
Ge
+ -
-

+
-
- - - -
Siempre
p se están rompiendop (generación)) y reconstruyendo
(g y
(recombinación) enlaces. La vida media de un electrón puede ser del
orden de milisegundos o microsegundos.
 Semiconductores intrínsecos: el Ge
Aplicación de un campo externo
- - - - -
- -
Ge -
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge
-

- - - - - -- - - -
-
- - - -
- - + - - -
- Ge - Ge - Ge - Ge

- -
-
- -

- -
•El electrón libre se mueve por acción del campo. +
•¿Y la carga ”+” ?.
 Semiconductores intrínsecos: el Ge
Aplicación de un campo externo
- - - - -
- -
Ge -
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge
-

- - - - -- -
-
- - - -
- + - + - - -
- Ge - Ge - Ge - Ge

- -
-
- -
- +
•La carga “+” se mueve también. Es un nuevo portador de carga, llamado “hueco”.
Movimiento de cargas
g por
p un campo
p
eléctrico
→
Ε
- - - - - -
- +
+ +
+ +
+ +
+ +
+
- - - - - -
- +

→
+ + + +

→
- jp jn
 S i d t
Semiconductores extrínsecos
tí
Semiconductor extrínseco: semiconductor intrínseco dopado

3
electrones
l t
de valencia

+
5
electrones
de valencia

19
 S i d t de
Semiconductor d Si tipo
ti P y N

Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P

•Más electrones (mayoritarios) que •Más
Má h huecos ((mayoritarios)
it i ) que
huecos (minoritarios) electrones (minoritarios)
•Impurezas
p del g
grupo
p V ((donador)) •Impurezas
Impurezas del grupo III (aceptador)
•Todos los átomos de donador •Todos los átomos de aceptador 20

ionizados “+”. ionizados “-”.

 21

El diodo
di d
 Unión P-N
PN
Iones Iones
TIPO p aceptores TIPO n donadores
Portadores Portadores
m ayoritarios y
m ayoritarios

Portadores
Portadores
t d
minoritarios
minoritarios

Tipo p Tipo n

Región de
agotamiento
Polarización directa e inversa
p n

Sin polarización

p n

Polarización inversa

p n

Polarización directa
Característica U
U-II del diodo

ID

VT
Is
VD