APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

Palomino Prado, Fabrizzio 17190125

CURSO TEMA

Circuitos Electrónicos II – RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN

AMPLIFICADOR DE UNA SOLA
Laboratorio ETAPA

FECHAS NOTA
INFORME
NUMERO
REALIZACION ENTREGA

PREVIO 5 09-10-19

GRUPO PROFESOR
MIERCOLES 8PM-10PM Ing. Chacón Cursack,
(2019-II) Horacio
 CIRCUITOS ELECTRONICOS II | INFORME PREVIO 5

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE

INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA, ELECTRICA Y

TELECOMUNICACIONES
EXPERIENCIA N° 5

TEMA: RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA

SOLA ETAPA

I. CUESTIONARIO:

1. Definir rbb’, rb’e, rb’c, rce, cb’e, cb’c, gm, fβ, Ft.

 rbb´: La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parámetro h, hie, que

es la resistencia con la salida en corto. En el momento hibrido π, esta se denomina
a menudo como rπ si se aplica un corto circuito entre el emisor y colector, se
obtiene:

hie=rπ=rbb´+rb´e//rb´c

 rb´e: La resistencia de entrada (rπ en el modelo hibrido) se aproxima por medio

de la razón:

rπ=(Vb´e)/Ib

 rb´c: Resistencia de retroalimentación, rce ; resistencia de salida del transistor.

 cb´e y cb´c: Son las capacitancias parasitas del transistor. cb´c es la capacitancia de
la unión colector-base a pesar de que es una capacitancia variable, suele
considerarse constante en una región de operación particular del transistor. La
capacitancia cb´e, la cual es capacitor base- emisor. El valor de este capacitor
aparece en las hojas de datos como Cib´. Esta capacitancia es la suma de la
capacitancia de difusión del emisor y la capacitancia de la unión del emisor. Debido
a que el primer capacitor es el más grande de los dos, cb´e es aproximadamente
iguala la capacitancia de difusión (conocida también como capacitancia de carga de
la base).

 fβ y ft : Son frecuencias características, fB es la frecuencia para cuando el factor de

ganancia del transistor empieza a variar. ft es la frecuencia máxima de operación
del transistor se da cuando la ganancia es igual a cero.

2. En el circuito de la figura 5.1, de acuerdo al modelo π del transistor en altas

frecuencias, encontrar una expresión para fβ/ft.
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Ilustración 1: FIGURA 5.1

Desarrollamos el circuito en AC

𝟏
𝒇𝜷 =
𝟐𝝅. 𝒓𝝅 . (𝑪𝝅 + 𝑪𝝁 )

Luego como 𝒓𝝅 = 𝜷𝒓𝒆 = 𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂 . 𝒓𝒆

𝟏 𝟏 𝟏
𝒇𝜷 = =
𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂 𝟐𝝅. 𝒓𝒆. (𝑪𝝅 + 𝑪𝝁 ) 𝟐𝝅. (𝑪𝒃𝒆 + 𝑪𝒃𝒄 ). 𝒉𝒇𝒆 . 𝒓𝒆
𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂

Y para 𝒇𝑻
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𝟏
𝒇𝑻 =
𝟐𝝅. 𝒓𝒆. (𝑪𝝅 + 𝑪𝝁 )
𝒇𝜷
Entonces obtenemos la siguiente expresión para
𝒇𝑻

𝟏 𝟏
𝒇𝜷 =
𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂 𝟐𝝅. 𝒓𝒆. (𝑪𝝅 + 𝑪𝝁 )

𝟏
𝒇𝜷 = . 𝒇𝑻
𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂

𝒇𝜷 𝟏
=
𝒇𝑻 𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂

3. Encontrar la frecuencia de corte para Ci, Co, Ce, mostrando los circuitos
equivalentes. Determine el ancho de banda del amplificador.

Se adjuntara al archivo una hoja A4 con los respectivos cálculos.