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Présentation du module: Electronique 1

Intitulé du module Electronique 1


Electronique analogique
Intitulé des éléments de module
Electronique numérique

Département d’attache Département Génie Electrique

Nature du module Module scientifique et technique de base


S1
Semestre d’appartenance du
module

A.BOUROUHOU FI_BioM 1
Plan du cours

Chapitre 1: Composants électronique passifs et théorèmes fondamentaux


Appliqués au calcul des circuits

Chapitre 2: Composants à semi-conducteurs caractéristiques et applications


(Diodes, transistors...)

Chapitre 3: Amplificateur opérationnel : Caractéristiques et applications

Chapitre 4: Convertisseurs CAN et CNA

A.BOUROUHOU FI_BioM 2
Chapitre1:

Composants électronique passifs et théorèmes fondamentaux


Appliqués au calcul des circuits

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1.1 Composants Electroniques passifs
▪ Résistance électrique :
- Symbole

✓ Relation courant-tension (loi d’ohm): UR= R.I


✓ Puissance dissipée dans une Résistance: PR= UR.I=R.I2
✓ PR doit etre toujours < Pmax (donnée par le constructeur)

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A.BOUROUHOU FI_BioM 5
▪ Condensateur:
✓ Symbole:

✓ Relation courant – tension:


𝑑𝑣 1
𝑖𝑐 = 𝐶. 𝐶 𝑜𝑢 𝑣𝑐 = ‫𝑡𝑑 𝐶𝑖 ׬‬
𝑑𝑡 𝐶
On dit que le condensateur intègre le courant électrique

✓ En régime harmonique (domaine fréquentielle ou complexe):,


1
𝑉𝐶 = 𝑍𝐶 . 𝐼𝐶 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑍𝐶 =
𝑗𝐶𝜔

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▪ Bobines:
✓ Symbole:

✓ Relation courant – tension:


𝑑𝑖 1
𝑢𝐿 = 𝐿. 𝐿 𝑜𝑢 𝑖𝐿 = ‫𝑡𝑑 𝐿𝑢 ׬‬
𝑑𝑡 𝐿

✓ En régime harmonique (domaine fréquentielle ou complexe):,


𝑉𝐿 = 𝑍𝐿 . 𝐼𝐿 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑍𝐿 = 𝑗𝐿𝜔

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1.2 Source de tension, source de courant :
1.2.1 Sources idéales

▪ Source de courant idéal:

→ le courant fourni par la source est indépendant de la charge

▪ Source de tension idéal:

→ la tension fournie par la source est indépendante de la charge

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1.2.2 Sources réelles
domaine de linéarité
▪ Source de courant réelle

→ Le domaine de linéarité défini la “plage de fonctionnement” du composant


en tant que source de courant

Schéma équivalent 𝑉
𝐼 = 𝐼0 −
𝑅𝑖

𝑅𝑖 : Résistance interne de la source


𝑉
Le fonctionnement en Source de courant est garanti si 𝐼0 ≫
𝑅𝑖
soit ( 𝑅𝑖 ≫ 𝑟é𝑠𝑖𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑑 ′ 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐ℎ𝑎𝑟𝑔𝑒)
1.2.3 Sources liées
Lorsque la tension(ou le courant) délivrée par une source dépend de la tension aux
bornes d’un des composants du circuit ou du courant le parcourant, la source est dite
“liée”.
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▪ Source de tension réelle domaine de linéarité

→ Le domaine de linéarité défini la “plage de fonctionnement” du composant


en tant que source de tension

Schéma équivalent 𝑉 = 𝑉0 − 𝑅𝑖 𝐼

𝑅𝑖 : Résistance interne de la source


Le fonctionnement en Source de tension est garanti si 𝑉0 ≫ 𝑅𝑖 𝐼
soit ( 𝑅𝑖 ≪ 𝑟é𝑠𝑖𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑑 ′ 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐ℎ𝑎𝑟𝑔𝑒)

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1.3 Théorèmes fondamentaux appliqués au calcul des circuits
1.3.1 Théorème de superposition:

▪ Dans un circuit électrique linéaire comprenant plusieurs sources indépendantes,


l'intensité de courant électrique dans une branche est égale à la somme algébrique
des intensités produites dans cette branche par chacune des sources considérées
isolement, les autres sources étant court-circuités (sources de tension) ou
débranchée (sources de courant).

Application
Soit le circuit suivant, on se propose de déterminer
les intensités des courants dans les trois branches par
la méthode de superposition.

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1.3.1 Théorème de Thévenin:

▪ Le théorème de Thevenin permet de transformer un circuit complexe en un générateur


équivalent de Thevenin Eth et une résistance équivalente de Thévenin RTh

▪ ETh(UAB) : Tension de sortie entre A et B à vide (la charge étant débranchée)

▪ RTh : Résistance équivalente A et B avec les conditions suivantes :


- La résistance de la charge est débranchée,
- Court-circuiter les générateurs de tension
- Débrancher les sources de courants

RTh

Circuit ETh
Electrique ≡
Ru

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▪ Applications

1. Appliquer le théorème de Thevenin


pour déterminer le courant I dans R3

2. Déterminer le courant I2 dans la résistance


R2 en appliquant le théorème de Thevenin

𝑅𝑇ℎ = (𝑅1 ∕∕ 𝑅4 ) + (𝑅3 ∕∕ 𝑅5 )

𝑅4 𝑅5
𝐸𝑇ℎ = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐷 = 𝐸1 ( − )
𝑅4 +𝑅1 𝑅5 +𝑅3
𝐸𝑇ℎ + 𝐸2
𝐼2 =
𝑅𝑇ℎ + 𝑅2
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1.3.2 Théorème de Norton:

▪ Le théorème de Norton permet de transformer un circuit complexe en un générateur


équivalent de Norton IN et une résistance équivalente de Norton RN
IN=ICC

▪ IN : Courant de sortie avec A et B court-circuités.

▪ RN : Résistance équivalente A et B avec les conditions suivantes :


- Débrancher la charge
- Court-circuiter les générateurs de tension
- Débrancher les sources de courants

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▪ Applications
1. Donner la transformation Thevenin/Norton I3
𝑅𝑁 = 𝑅𝑇ℎ = 𝑅1
𝐸𝑇ℎ 𝐸
𝐼𝑁 = =
𝑅𝑇ℎ 𝑅1
Par diviseur de courant:
𝑅2
𝐼3 = .𝐸
𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3

2. Déterminer le courant I3 qui traverse R3 en appliquant le théorème de Norton


𝐸 𝑅2
𝑅𝑁 = 𝑅1 ∕Τ𝑅2 , 𝐼𝑁 = 𝑒𝑡 𝐼3 = .𝐸
𝑅1 𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3

3. Déterminer le courant I par la méthode de Norton


𝐸1 𝐸2 𝑅𝑁
𝑅𝑁 = 𝑅1 ∕Τ𝑅2 ∕∕ 𝑅3 , 𝐼𝑁 = + 𝑒𝑡 𝐼 = ∙𝐼
𝑅1 𝑅3 𝑅𝑁 + 𝑅4 𝑁

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1.3.3 Théorème de Millman:
▪ Ce théorème très pratique permet de déterminer la différence de potentiel
aux bornes de plusieurs branches en parallèle (UAB),

𝐸𝑖
σ𝑛𝑖=1 σ𝑛𝑖=1 𝐸𝑖 𝑌𝑖
𝑅𝑖
𝑈𝐴𝐵 = = 𝑛
1 σ𝑖=1 𝑌𝑖
σ𝑛𝑖=1
𝑅𝑖
▪ Application
Déterminer la tension UAB par la méthode de
Millman.
𝐸1 𝐸2 0
+ +
𝑅1 𝑅2 𝑅3
𝑈𝐴𝐵 =
1 1 1
+ +
𝑅1 𝑅2 𝑅3
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Chapitre2:
Composants à semi-conducteurs caractéristiques et
Applications (Diodes, transistors...)

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2.1 La Diode à jonction
2.1.1 Représentation symbolique
Id
Id
Anode Cathode Anode Cathode

Vd Vd

2.1.2 Caractéristique courant/tension d’une diode à jonction


▪ La caractéristique courant/ tension d’une diode à jonction idéal

Sous polarisation “directe”


(Vd≥0), la diode = court-circuit
(conducteur parfait)

sous polarisation “inverse”


(Vd<0), la diode = circuit ouvert

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▪ La caractéristique courant/ tension d’une diode à jonction réelle à base de silicium

Comportement linéaire

▪ Pour Vd < 0, la diode se comporte comme un bon isolant: Is (1 pA - 1µA )


- la diode est dite “bloquée”
- le courant “inverse”, Is augmente avec la température
▪ Pour Vd > 0.7 le courant augmente rapidement avec une variation quasi- linéaire
- la diode est dite “passante”
▪ Zone « du coude »: Vd∈[0, Vo] : augmentation exponentielle du courant
𝑘𝑇
Avec 𝑉𝑇 = ∶ 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑡ℎ𝑦𝑟𝑚𝑜𝑑𝑦𝑛𝑎𝑚𝑖𝑞𝑢𝑒
𝑞
𝑉𝑑
𝐼𝑑 = 𝐼𝑠 exp −1 k=1,38 10-23 J/°K constante de Boultzmann
𝑛𝑉𝑇 q= 1.6 10-19 Coulomb, T la température en °Kelvin
Is= courant inverse
𝑉𝑇 = 25𝑚𝑣 à 300°𝐾
A.BOUROUHOU 1 ≤FI_BioM
n ≤2 facteur « d’idialité » 19
- Dans la zone du coude le comportement est fortement non-linéaire
- Forte variation du courant Id avec la température
2.1.3 Limites de fonctionnement
▪ Zone de claquage inverse
- Peut conduire à la destruction pour une diode non conçue pour fonctionner dans
cette zone.
- Vmax= « P.I. V » (Peak Inverse Voltage) ou « P.R.V » (Peak Reverse Voltage)
- En inverse on doit respecter |Vd|<|Vmax|
- En inverse si |Vd|>|Vmax| claquage par effet Zener ou Avalanche

▪ Limitation en puissance
Vd.Id < Pmax

▪ Influence de la température T° :
Diode bloquée: Id= Is double tous les 10°C
𝜕𝑉𝑑
Diode passante: = −2,2𝑚𝑣
𝜕𝑇

Claquage par effet


Zener ou Avalanche
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2.1.4 Modèles statiques de la diode à jonction PN
▪ Un modèle consiste en une représentation simplifiée du fonctionnement de la diode
en vue de faciliter l’analyse d’un phénomène ou l’étude d’un système
▪ Le modèle idéal
- En direct, la diode est considérée comme un court-circuit :Vd=0 pour Id≥0.
- En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert :Id=0 pour Vd≤0.
- Ce modèle est le plus simple, mais le moins précis

▪ Le modèle à seuil
- On rajoute au modèle précédent la tension de seuil V0 qui représente la tension du
coude de la diode
- En direct, on rajoute une force contre électromotrice V0:Vd=V0 pour Id≥0.
- En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert :Id =0 pour Vd≤V0.

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▪ Le modèle linéarisé
- Dans ce modèle, dès que la tension dépasse V0, on rajoute une résistance rD qui
reflète une variation linéaire du courant en fonction de la variation de la tension.
- En direct, on rajoute V0 et une résistance dynamique moyenne RD: Vd=V0+RDId pour Id≥0.
- En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert :Id =0 pour Vd≤V0

- La résistance dynamique moyenne RD est déterminée par la pente moyenne de la


partie utilisée de la caractéristique directe de la diode : ∆𝑉𝑑
𝑅𝐷 =
∆𝐼𝑑
- Ce dernier modèle représente une très bonne approximation linéaire de la caractéristique
d’une diode réelle
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2.1.5 Polarisation de la diode et droite de charge
▪ Considérons une diode insérée dans un E
circuit alimenté par un générateur R

▪ Le point de polarisation (ou de fonctionnement) de la diode est définit par le point


Q de coordonnés (Vd0,Id0) intersection de la droite de charge avec la caractéristique
courant/tension de la diode donnée par le constructeur
𝐸 − 𝑉𝑑
▪ Droite de charge: Id= f(Vd): 𝐼𝑑 =
𝑅
▪ Point fonctionnement de la diode

Caractéristique tension/courant

E/R
Id0 Point de fonctionnement

Droite de charge

Vd0 E

▪ Le calcul du point de fonctionnement de la diode dépond du modèle choisi


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2.1.6 Diode à jonction en petits signaux (régime dynamique)
▪ Lorsque la diode à jonction est polarisée en direct au point de repos Q(Vd0,Id0) on parle du
régime statique. Si on insère dans le circuit une tension variable v(t) de faible amplitude on
parle alors d’un régime dynamique superposé au régime statique.
▪ Résistance dynamique
✓ Déterminons la variation de courant à travers la jonction, crée par la tension dynamique
v(t) en se basant sur la loi exponentielle de variation du courant Id en fonction de Vd:
𝑉𝑑
𝐼𝑑 = 𝐼𝑠 exp −1
𝑉𝑇
le coefficient de non-idéalité n est supposé égale à 1

✓ Une faible variation v=dVd de tension va


créer une variation i =dId correspondante,
obtenue par différentiation de la relation
précédente :
𝑑𝑉𝑑 𝑉𝑑
𝑑𝐼𝑑 = . 𝐼𝑠 𝑒𝑥𝑝
𝑉𝑇 𝑉𝑇
𝑉𝑑0
Or 𝑉𝑑 ≅ 𝑉𝑑0 𝑒𝑡 𝐼𝑑0 ≅ 𝐼𝑠 𝑒𝑥𝑝 𝑉𝑇

D’où: 𝑑𝑉𝑑 𝑉𝑇 𝑘𝑇
A.BOUROUHOU = = FI_BioM 24
𝑑𝐼𝑑 𝐼𝑑0 𝑞𝐼𝑑0
Id

𝑑𝑉𝑑
𝑟𝑑 = ቟
𝑖 𝑑𝐼𝑑 𝑄
(Vd0,Id0)

Vd
𝑣

✓ La résistance dynamique, de la diode, est définie au tour du point de


polarisation Q(Vd0,Id0)
𝑣 𝑑𝑉𝑑 𝑉𝑇
𝑟𝑑 = = =
𝑖 𝑑𝐼𝑑 𝐼𝑑0

✓ Pour un point de repos placé dans la zone linéaire de la caractéristique la résistance


statique et dynamique sont considérées égales: 𝑅𝐷 ≅ 𝑟𝑑

A.BOUROUHOU FI_BioM 25
▪ Capacité de transition CT
✓ Lorsque la diode est polarisée en inverse La jonction PN se caractérise par deux charges
opposées et immobiles. La diode est équivalente à un condensateur à électrodes plates,
dont la capacité est nommée capacité de transition CT ou capacité de barrière.

✓ La valeur de cette capacité CT dépend des dimensions de la jonction, de la température,


de la concentration en atomes dopeurs et de la tension VD appliquée à la diode. Elle est
donnée par la relation:

𝐶𝑇0
𝐶𝑇 𝑉𝐷 =
𝑉
1 − 𝑉𝐷
0
𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑉0 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 𝑒𝑡 𝐶𝑇0 = 𝐶𝑇 (0)

✓ La capacité de transition varie dans le sens inverse de VD.


✓ Remarque : Cette capacité de transition est normalement considérée comme une
caractéristique dégradante de la diode réelle par rapport à la diode idéale, sauf pour les
diodes VARICAP qui exploitent au contraire
A.BOUROUHOU
cette caractéristique.
FI_BioM 26
▪ Capacité de diffusion Cd
La diode est polarisée en direct, l'influence de la capacité de transition devient négligeable
devant une autre capacité parasite créée par la circulation des porteurs majoritaires. Cette
capacité, appelée capacité de diffusion Cd, est proportionnelle au courant de la diode ID. Elle
peut atteindre plusieurs centaines de nF et limite le fonctionnement de la diode en régime
dynamique (ou de commutation) vers les fréquences hautes.

▪ Conclusion.
En hautes fréquences, les schémas équivalents petits signaux de la diode, en inverse et
en direct, doivent être complétés par une capacité parasite entre l'anode et la cathode.

A.BOUROUHOU FI_BioM 27
2.1.8 Les limitations technologiques de la diode (Data sheet)

Exemple : Diode 1N4001 ou 1N4007 et 1N4148

A.BOUROUHOU FI_BioM 28
2.2 Diode Zener
cathode
✓ C’est une diode conçue pour fonctionner
principalement en inverse (dans la zone de claquage) Vd
où elle présente un effet Zener Id
anode
✓ Un diode zener polarisée en direct de Symboles d’une diode Zener
comporte comme une diode à
jonction

▪ Caractéristiques courant /tension

VZ: tension Zener (ordre de grandeur: 1V≤VZ≤100V)


Imin: courant minimal (en valeur absolue) au delà
duquel commence le domaine linéaire “Zener”
Imax: courant max. supporté par la diode
Pmax =VZImax puissance maximale de la diode Zener

A.BOUROUHOU FI_BioM 29
▪ Schéma équivalent et modèle de la diode Zener

✓ On suppose que la diode Zener est polarisée


en inverse dans la zone linéaire de la
caractéristique
✓ Modèle statique :
VZ

RZ

✓ Modèle dynamique
( basses fréquences, faibles signaux) :

𝑑𝑉𝑑
𝑟𝑧 = ቟ ≅ RZ Pour |Id|>Imin
𝑑𝐼𝑑 𝑄

✓ L’application principale de la diode Zener


étant la stabilisation de la tension
A.BOUROUHOU FI_BioM 30
2.5 Montages usuels et application des diodes
Voir TD

2.6 Quelques diodes spéciales (Travail de recherche)


▪ Diode électroluminescente
▪ Photodiode
▪ Diode varicap
▪ Diode Schottky
▪ Diode tunnel

Pour chaque diode donner:


✓ Le symbole
✓ Le principe de fonctionnement
✓ Domaines d’applications (éventuellement un montage d’application)
✓ Référence et data Sheet

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