Transistor

dispositivo electrónico semiconductor que

cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador

El transistor es un dispositivo electrónico

semiconductor utilizado para entregar una
señal de salida en respuesta a una señal
de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor
(«resistor de transferencia»). Actualmente
se encuentra prácticamente en todos los
aparatos electrónicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de
audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lámparas fluorescentes,
tomógrafos, teléfonos celulares, aunque
casi siempre dentro de los llamados
circuitos integrados.
 Transistor

El tamaño de un transistor guarda relación con la

potencia que es capaz de manejar
Tipo Semiconductor
Invención John Bardeen, Walter
Houser Brattain y
William Bradford
Shockley (1947)
Símbolo electrónico
 Terminales Emisor, base y colector

Historia

Réplica del primer transistor en actividad, que hoy

pertenece a la empresa Lucent Technologies

El físico austro-húngaro Julius Edgar

Lilienfeld solicitó en Canadá en el año
1925[1] una patente para lo que él
denominó "un método y un aparato para
controlar corrientes eléctricas" y que se
considera el antecesor de los actuales
transistores de efecto campo, ya que
estaba destinado a ser un reemplazo de
estado sólido del triodo. Lilienfeld también
solicitó patentes en los Estados Unidos en
los años 1926[2] y 1928.[3][4] Sin embargo,
Lilienfeld no publicó ningún artículo de
investigación sobre sus dispositivos ni sus
patentes citan algún ejemplo específico de
un prototipo de trabajo. Debido a que la
producción de materiales
semiconductores de alta calidad no
estaba disponible por entonces, las ideas
de Lilienfeld sobre amplificadores de
estado sólido no encontraron un uso
práctico en los años 1920 y 1930, aunque
acabara de construir un dispositivo de
este tipo.[5]

En 1934, el inventor alemán Oskar Heil

patentó en Alemania y Gran Bretaña[6] un
dispositivo similar. Cuatro años después,
los también alemanes Robert Pohl y
Rudolf Hilsch efectuaron experimentos en
la Universidad de Göttingen, con cristales
de bromuro de potasio, usando tres
electrodos, con los cuales lograron la
amplificación de señales de 1 Hz, pero sus
investigaciones no condujeron a usos
prácticos.[7]Mientras tanto, la
experimentación en los Laboratorios Bell
con rectificadores a base de óxido de
cobre y las explicaciones sobre
rectificadores a base de semiconductores
por parte del alemán Walter Schottky y del
inglés Nevill Mott, llevaron a pensar en
1938 a William Shockley que era posible
lograr la construcción de amplificadores a
base de semiconductores, en lugar de
tubos de vacío.[7]

Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta

el 23 de diciembre de 1947, los físicos
estadounidenses John Bardeen y Walter
Houser Brattain de los Laboratorios Bell[8]
llevaron a cabo diversos experimentos y
observaron que cuando dos contactos
puntuales de oro eran aplicados a un
cristal de germanio, se produjo una señal
con una potencia de salida mayor que la
de entrada.[9] El líder del Grupo de Física
del Estado Sólido William Shockley vio el
potencial de este hecho y, en los
siguientes meses, trabajó para ampliar en
gran medida el conocimiento de los
semiconductores. El término "transistor"
fue sugerido por el ingeniero
estadounidense John R. Pierce,
basándose en dispositivos
semiconductores ya conocidos entonces,
como el termistor y el varistor y
basándose en la propiedad de
transrresistencia que mostraba el
dispositivo.[10] Según una biografía de
John Bardeen, Shockley había propuesto
que la primera patente para un transistor
de los Laboratorios Bell debía estar
basado en el efecto de campo y que él
fuera nombrado como el inventor.
Habiendo redescubierto las patentes de
Lilienfeld que quedaron en el olvido años
atrás, los abogados de los Laboratorios
Bell desaconsejaron la propuesta de
Shockley porque la idea de un transistor
de efecto de campo no era nueva. En su
lugar, lo que Bardeen, Brattain y Shockley
inventaron en 1943 fue el primer transistor
de contacto de punto, cuya primera
patente solicitaron los dos primeros
nombrados, el 17 de junio de 1946,[11]a la
cual siguieron otras patentes acerca de
aplicaciones de este dispositivo.[12][13][14]
En reconocimiento a éste logro, Shockley,
Bardeen y Brattain fueron galardonados
conjuntamente con el Premio Nobel de
Física de 1956 "por sus investigaciones
sobre semiconductores y su
descubrimiento del efecto transistor".[15]

En 1948, el transistor de contacto fue

inventado independientemente por los
físicos alemanes Herbert Mataré y
Heinrich Welker, mientras trabajaban en la
Compagnie des Freins et Signaux, una
subsidiaria francesa de la estadounidense
Westinghouse. Mataré tenía experiencia
previa en el desarrollo de rectificadores de
cristal de silicio y de germanio mientras
trabajaba con Welker en el desarrollo de
un radar alemán durante la Segunda
Guerra Mundial. Usando este
conocimiento, él comenzó a investigar el
fenómeno de la "interferencia" que había
observado en los rectificadores de
germanio durante la guerra. En junio de
1948, Mataré produjo resultados
consistentes y reproducibles utilizando
muestras de germanio producidas por
Welker, similares a lo que Bardeen y
Brattain habían logrado anteriormente en
diciembre de 1947. Al darse cuenta de que
los científicos de Laboratorios Bell ya
habían inventado el transistor antes que
ellos, la empresa se apresuró a poner en
producción su dispositivo llamado
"transistron" para su uso en la red
telefónica de Francia.[16]El 26 de junio de
1948, Wiliam Shockley solicitó la patente
del transistor bipolar de unión[17] y el 24 de
agosto de 1951 solicitó la primera patente
de un transistor de efecto de campo,[18] tal
como se declaró en ese documento, en el
que se mencionó la estructura que ahora
posee. Al año siguiente, George Clement
Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell,
tuvieron éxito al fabricar este
dispositivo,[19]cuya nueva patente fue
solicitada el 31 de octubre de 1952.[20]
Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el
ingeniero Sidney Darlington solicitó la
patente del arreglo de dos transistores
conocido actualmente como transistor
Darlington.[21]

El primer transistor de alta frecuencia fue

el transistor de barrera de superficie de
germanio desarrollado por los
estadounidenses John Tiley y Richard
Williams de Philco Corporation en 1953,[22]
capaz de operar con señales de hasta
60 MHz.[23] Para fabricarlo, se usó un
procedimiento creado por los ya
mencionados inventores mediante el cual
eran grabadas depresiones en una base de
germanio tipo N de ambos lados con
chorros de sulfato de indio hasta que
tuviera unas diez milésimas de pulgada de
espesor. El Indio electroplateado en las
depresiones formó el colector y el
emisor.[24]El primer receptor de radio para
automóviles que fue producido en 1955
por Chrysler y Philco; usó estos
transistores en sus circuitos y también
fueron los primeros adecuados para las
computadoras de alta velocidad de esa
época.[25][26]

El primer transistor de silicio operativo fue

desarrollado en los Laboratorios Bell en
enero 1954 por el químico Morris
Tanenbaum.[27]El 20 de junio de 1955,
Tanenbaum y Calvin Fuller, solicitaron una
patente para un procedimiento inventado
por ambos para producir dispositivos
semiconductores.[28] El primer transistor
de silicio comercial fue producido por
Texas Instruments en 1954 gracias al
trabajo del experto Gordon Teal quien
había trabajado previamente en los
Laboratorios Bell en el crecimiento de
cristales de alta pureza.[29] El primer
transistor MOSFET fue construido por el
coreano-estadounidense Dawon Kahng y
el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros
de los Laboratorios Bell, en 1960.[30][31]
Funcionamiento
El transistor consta de tres partes
dopadas artificialmente (contaminadas
con materiales específicos en cantidades
específicas) que forman dos uniones
bipolares: el emisor que emite portadores,
el colector que los recibe o recolecta y la
tercera, que está intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las
válvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se
obtiene corriente amplificada. En el diseño
de circuitos a los transistores se les
considera un elemento activo,[32]a
diferencia de los resistores,
condensadores e inductores que son
elementos pasivos.[33]

De manera simplificada, la corriente que

circula por el colector es función
amplificada de la que se inyecta en el
emisor, pero el transistor solo gradúa la
corriente que circula a través de sí mismo,
si desde una fuente de corriente continua
se alimenta la base para que circule la
carga por el colector, según el tipo de
circuito que se utilice. El factor de
amplificación o ganancia logrado entre
corriente de colector y corriente de base,
se denomina Beta del transistor. Otros
parámetros a tener en cuenta y que son
particulares de cada tipo de transistor son:
Tensiones de ruptura de Colector Emisor,
de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Máxima, disipación de calor,
frecuencia de trabajo, y varias tablas
donde se grafican los distintos parámetros
tales como corriente de base, tensión
Colector Emisor, tensión Base Emisor,
corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas(configuraciones) básicos para
utilización analógica de los transistores
son emisor común, colector común y base
común.
Modelos posteriores al transistor descrito,
el transistor bipolar (transistores FET,
MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no
utiliza la corriente que se inyecta en el
terminal de base para modular la corriente
de emisor o colector, sino la tensión
presente en el terminal de puerta y gradúa
la conductancia del canal entre los
terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se
encuentra estrangulado, por efecto de la
tensión aplicada entre Compuerta y
Fuente, es el campo eléctrico presente en
el canal el responsable de impulsar los
electrones desde la fuente al drenaje. De
este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) será
función amplificada de la tensión presente
entre la compuerta y la fuente, de manera
análoga al funcionamiento del triodo.

Los transistores de efecto de campo son

los que han permitido la integración a gran
escala disponible hoy en día; para tener
una idea aproximada pueden fabricarse
varios cientos de miles de transistores
interconectados, por centímetro cuadrado
y en varias capas superpuestas.

Tipos de transistor
Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual

Llamado también "transistor de punta de

contacto", fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por
John Bardeen y Walter Brattain. Consta de
una base de germanio, semiconductor
para entonces mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de cobre, sobre
la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metálicas que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se «ve» en el
colector, de ahí el nombre de transfer
resistor. Se basa en efectos de superficie,
poco conocidos en su día. Es difícil de
fabricar (las puntas se ajustaban a mano),
frágil (un golpe podía desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió
con el transistor de unión debido a su
mayor ancho de banda. En la actualidad
ha desaparecido.

Transistor de unión bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unión bipolar (o BJT, por

sus siglas del inglés bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un monocristal
de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio,
cuyas cualidades son intermedias entre
las de un conductor eléctrico y las de un
aislante. Sobre el sustrato de cristal se
contaminan en forma muy controlada tres
zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando
lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan
portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con átomos de
elementos donantes de electrones, como
el arsénico o el fósforo; mientras que las
zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o «huecos») se logran
contaminando con átomos aceptadores de
electrones, como el indio, el aluminio o el
galio.

La tres zonas contaminadas, dan como

resultado transistores PNP o NPN, donde
la letra intermedia siempre corresponde a
la región de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del
mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminación entre ellas
(por lo general, el emisor está mucho más
contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el

comportamiento semiconductor
dependerá de dichas contaminaciones, de
la geometría asociada y del tipo de
tecnología de contaminación (difusión
gaseosa, epitaxial, etc.) y del
comportamiento cuántico de la unión.

Transistor de efecto de campo

-Símbolo del transistor JFET, en el que se indican:
drenador, surtidor y compuerta

El transistor de efecto de campo de unión

(JFET), fue el primer transistor de efecto
de campo en la práctica. Lo forma una
barra de material semiconductor de silicio
de tipo N o P. En los terminales de la barra
se establece un contacto óhmico,
tenemos así un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma más básica. Si
se difunden dos regiones P en una barra
de material N y se conectan externamente
entre sí, se producirá una puerta. A uno de
estos contactos le llamaremos surtidor y
al otro drenador. Aplicando tensión
positiva entre el drenador y el surtidor y
conectando la puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con
polarización cero. Con un potencial
negativo de puerta al que llamamos
tensión de estrangulamiento, cesa la
conducción en el canal.

El transistor de efecto de campo, o FET

por sus siglas en inglés, que controla la
corriente en función de una tensión; tienen
alta impedancia de entrada.
 Transistor de efecto de campo de unión,
JFET, construido mediante una unión
PN.
Transistor de efecto de campo de
compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se aísla del canal mediante
un dieléctrico.
Transistor de efecto de campo MOS,
MOSFET, donde MOS significa Metal-
Óxido-Semiconductor, en este caso la
compuerta es metálica y está separada
del canal semiconductor por una capa
de óxido.

Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la
radiación electromagnética en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a
esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un
fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, solo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la

corriente de base (IB) (modo común);
Como fototransistor, cuando la luz que
incide en este elemento hace las veces
de corriente de base. (IP) (modo de
iluminación).
Transistores y electrónica de
potencia
Con el desarrollo tecnológico y evolución
de la electrónica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para
soportar cada vez mayores niveles de
tensión y corriente ha permitido su uso en
aplicaciones de potencia. Es así como
actualmente los transistores son
empleados en conversores estáticos de
potencia, controles para motores y llaves
de alta potencia (principalmente
inversores), aunque su principal uso está
basado en la amplificación de corriente
dentro de un circuito cerrado.
Construcción
Material semiconductor
Características del material semiconductor
Tensión Máxima
Movilidad de Movilidad de
Material directa temperatura de
electrones huecos
semiconductor de la unión unión
m2/(V·s) @ 25 °C m2/(V·s) @ 25 °C
V @ 25 °C °C

Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100

Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200

GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200

Al-Si 0.3 — — 150 a 200

Los primeros transistores bipolares de

unión se fabricaron con germanio (Ge).
Los transistores de Silicio (Si) actualmente
predominan, pero ciertas versiones
avanzadas de microondas y de alto
rendimiento ahora emplean el compuesto
semiconductor de arseniuro de galio
(GaAs) y la aleación semiconductora de
silicio-germanio (SiGe). El material
semiconductor a base de un elemento (Ge
y Si) se describe como elemental.

Los parámetros en bruto de los materiales

semiconductores más comunes utilizados
para fabricar transistores se dan en la
tabla adjunta; estos parámetros variarán
con el aumento de la temperatura, el
campo eléctrico, nivel de impurezas, la
tensión, y otros factores diversos.

La tensión directa de unión es la tensión

aplicada a la unión emisor-base de un
transistor bipolar de unión con el fin de
hacer que la base conduzca a una
corriente específica. La corriente aumenta
de manera exponencial a medida que
aumenta la tensión en directa de la unión.
Los valores indicados en la tabla son las
típicos para una corriente de 1 mA (los
mismos valores se aplican a los diodos
semiconductores). Cuanto más bajo es la
tensión de la unión en directa, mejor, ya
que esto significa que se requiere menos
energía para colocar en conducción al
transistor. La tensión de unión en directa
para una corriente dada disminuye con el
aumento de la temperatura. Para una
unión de silicio típica, el cambio es de –
2.1 mV/°C.[34] En algunos circuitos deben
usarse elementos compensadores
especiales (sensistores) para compensar
tales cambios.

La densidad de los portadores móviles en

el canal de un MOSFET es una función del
campo eléctrico que forma el canal y de
varios otros fenómenos tales como el
nivel de impurezas en el canal. Algunas
impurezas, llamadas dopantes, se
introducen deliberadamente en la
fabricación de un MOSFET, para controlar
su comportamiento eléctrico.

Las columnas de movilidad de electrones

y movilidad de huecos de la tabla
muestran la velocidad media con que los
electrones y los huecos se difunden a
través del material semiconductor con un
campo eléctrico de 1 voltio por metro,
aplicado a través del material. En general,
mientras más alta sea la movilidad
electrónica, el transistor puede funcionar
más rápido. La tabla indica que el
germanio es un material mejor que el
silicio a este respecto. Sin embargo, el
germanio tiene cuatro grandes
deficiencias en comparación con el silicio
y arseniuro de galio:

1. Su temperatura máxima es limitada.

2. Tiene una corriente de fuga
relativamente alta.
 3. No puede soportar altas tensiones.
4. Es menos adecuado para la
fabricación de circuitos integrados.

Debido a que la movilidad de los

electrones es más alta que la movilidad de
los huecos para todos los materiales
semiconductores, un transistor bipolar n-p-
n dado tiende a ser más rápido que un
transistor equivalente p-n-p. El arseniuro
de galio tiene el valor más alto de
movilidad de electrones de los tres
semiconductores. Es por esta razón que
se utiliza en aplicaciones de alta
frecuencia. Un transistor FET de desarrollo
relativamente reciente, el transistor de alta
movilidad de electrones (HEMT), tiene una
heteroestructura (unión entre diferentes
materiales semiconductores) de arseniuro
de galio-aluminio (AlGaAs)-arseniuro de
galio (GaAs), que tiene el doble de la
movilidad de los electrones que una unión
de barrera GaAs-metal. Debido a su alta
velocidad y bajo nivel de ruido, los HEMT
se utilizan en los receptores de satélite
que trabajan a frecuencias en torno a los
12 GHz. Los HEMT basados en nitruro de
galio y nitruro de galio aluminio
(AlGaN/GaN HEMT) proporcionan una
movilidad de los electrones aún mayor y
se están desarrollando para diversas
aplicaciones.
Los valores de la columna de Máximo
valor de temperatura de la unión han sido
tomados a partir de las hojas de datos de
varios fabricantes. Esta temperatura no
debe ser excedida o el transistor puede
dañarse.

Los datos de la fila Al-Si de la tabla se

refieren a los diodos de barrera de metal-
semiconductor de alta velocidad (de
aluminio-silicio), conocidos comúnmente
como diodos Schottky. Esto está incluido
en la tabla, ya que algunos transistor
IGFET de potencia de silicio tienen un
diodo Schottky inverso "parásito" formado
entre la fuente y el drenaje como parte del
proceso de fabricación. Este diodo puede
ser una molestia, pero a veces se utiliza en
el circuito del cual forma parte.

El transistor bipolar como

amplificador
El comportamiento del transistor se puede
ver como dos diodos (Modelo de Ebers-
Moll), uno entre base y emisor, polarizado
en directo y otro diodo entre base y
colector, polarizado en inverso. Esto quiere
decir que entre base y emisor tendremos
una tensión igual a la tensión directa de un
diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un
transistor de silicio y unos 0,4 para el
germanio.

Lo interesante del dispositivo es que en el

colector tendremos una corriente
proporcional a la corriente de base: IC = β
IB, es decir, ganancia de corriente cuando
β>1. Para transistores normales de señal,
β varía entre 100 y 300. Existen tres
configuraciones para el amplificador
transistorizado: emisor común, base
común y colector común.

Emisor común
Emisor común.

La señal se aplica a la base del transistor y

se extrae por el colector. El emisor se
conecta al punto de tierra (masa) que será
común, tanto de la señal de entrada como
para la de salida. En esta configuración,
existe ganancia tanto de tensión como de
corriente. Para lograr la estabilización de
la etapa ante las variaciones de la señal,
se dispone de una resistencia de emisor,
(RE) y para frecuencias bajas, la
impedancia de salida se aproxima a RC. La
ganancia de tensión se expresa:

El signo negativo, indica que la señal de

salida está invertida con respecto a la
señal de entrada.

Si el emisor está conectado directamente

a masa, la ganancia queda expresada de
la siguiente forma:
Como la base está conectada al emisor
por un diodo polarizado en directo, entre
ellos se puede suponer que existe una
tensión constante, denominada y que
el valor de la ganancia (β) es constante.
Del gráfico adjunto, se deduce que la
tensión de emisor es:

Y la corriente de emisor:

La corriente de emisor es igual a la de

colector más la de base:
Despejando la corriente de colector:

La tensión de salida, que es la de colector

se calcula así:
Como β >> 1, se puede aproximar:

y, entonces es posible calcular la tensión

de colector como:
La parte entre paréntesis es constante (no
depende de la señal de entrada), y la
restante expresa la señal de salida. El
signo negativo indica que la señal de
salida está desfasada 180º respecto a la
de entrada.

Finalmente, la ganancia es expresada

como:
La corriente de entrada, , si

puede expresarse como sigue:

Suponiendo que , podemos

escribir:
Al dividir la tensión y corriente en la base,
la impedancia o resistencia de entrada
queda como:

Para tener en cuenta la influencia de

frecuencia se deben utilizar modelos de
transistor más elaborados. Es muy
frecuente usar el modelo en pi.

Diseño de una etapa en

configuración emisor común

Recta de carga de un transistor en configuración de

emisor común
Amplificador de emisor común

Recta de carga

Esta recta se traza sobre las curvas

características de un transistor que
proporciona el fabricante. Los puntos para
el trazado de la misma son:

y la tensión de la fuente

de alimentación

En los extremos de la misma, se observan

las zonas de corte y de saturación, que
tienen utilidad cuando el transistor actúa
como interruptor. Conmutará entre ambos
estados de acuerdo a la polarización de la
base.

La elección del punto Q, es fundamental

para una correcta polarización. Un criterio

extendido es el de adoptar ,

si el circuito no posee . De contar con

como es el caso del circuito a
considerar, el valor de se medirá
desde el colector a masa.

El punto Q, se mantiene estático mientras

la base del transistor no reciba una señal.

Ejercicio
Procederemos a determinar los valores de

Datos:

Esta aproximación se admite porque

Para que el circuito opere en una zona de
eficacia, la corriente a través del divisor de
voltaje y , debe ser mucho mayor
que la corriente de base; como mínimo en
una relación 10:1

utilizando el valor

de obtenido anteriormente
La resistencia dinámica del diodo en la
juntura del emisor , se calcula tomando
el valor del voltaje térmico en la misma, y
está dado por:

Con este valor, se procede a calcular la

ganancia de voltaje de la etapa;

No se toma en cuenta ya que el

emisor se encuentra a nivel de masa para
la señal por medio de , que en el
esquema se muestra como ; entonces,
la impedancia de salida , toma el valor
de si el transistor no tiene carga. Si se
considera la carga , se determina

por considerando que

tiene el valor ,

Al considerar la , la ganancia de tensión

se ve modificada:

La impedancia de entrada en la base del

transistor para el ejemplo, está dada por
Mientras que la impedancia de entrada a
la etapa, se determina:

La reactancia de los capacitores no se ha

tenido en cuenta en los cálculos, porque
se han elegido de una capacidad tal, que
su reactancia en las frecuencias
de señales empleadas.

Base común
Base común

La señal se aplica al emisor del transistor

y se extrae por el colector. La base se
conecta a las masas tanto de la señal de
entrada como a la de salida. En esta
configuración se tiene ganancia solo de
tensión. La impedancia de entrada es baja
y la ganancia de corriente algo menor que
uno, debido a que parte de la corriente de
emisor sale por la base. Si añadimos una
resistencia de emisor, que puede ser la
propia impedancia de salida de la fuente
de señal, un análisis similar al realizado en
el caso de emisor común, da como
resultado que la ganancia aproximada es:

La base común se suele utilizar para

adaptar fuentes de señal de baja
impedancia de salida como, por ejemplo,
micrófonos dinámicos.

Colector común
Colector común

La señal se aplica a la base del transistor y

se extrae por el emisor. El colector se
conecta a las masas tanto de la señal de
entrada como a la de salida. En esta
configuración se tiene ganancia de
corriente, pero no de tensión que es
ligeramente inferior a la unidad. La
impedancia de entrada es alta,
aproximadamente β+1 veces la
impedancia de carga. Además, la
impedancia de salida es baja,
aproximadamente β veces menor que la
de la fuente de señal.

El transistor bipolar frente a

la válvula termoiónica
Antes de la aparición del transistor, eran
usadas las válvulas termoiónicas. Las
válvulas tienen características eléctricas
similares a la de los transistores de efecto
campo (FET): la corriente que los atraviesa
depende de la tensión en el terminal
llamado rejilla. Las razones por las que el
transistor reemplazó a la válvula
termoiónica son varias:
Las válvulas necesitan tensiones muy
altas, del orden de las centenas de
voltios, que son peligrosas para el ser
humano.
Las válvulas consumen mucha energía,
lo que las vuelve particularmente poco
útiles para el uso con baterías.
El peso: El chasis necesario para alojar
las válvulas y los transformadores
requeridos para su funcionamiento
sumaban un peso importante, que iba
desde algunos kilos a decenas de kilos.
El tiempo medio entre fallas de las
válvulas termoiónicas, el cual es muy
corto comparado con el de los
transistores, sobre todo a causa del
calor generado.
Retardo en el arranque: Las válvulas
presentan una cierta demora en
comenzar a funcionar, ya que necesitan
estar calientes para establecer la
conducción.
El efecto microfónico: Muy frecuente en
las válvulas a diferencia de los
transistores, que son intrínsecamente
insensibles a él.
Tamaño: Los transistores son más
pequeños que las válvulas. Aunque
existe unanimidad sobre este punto,
conviene hacer una salvedad: en el caso
de dispositivos de potencia, estos deben
llevar un disipador, de modo que el
tamaño que se ha de considerar es el
del dispositivo (válvula o transistor) más
el del disipador. Como las válvulas
pueden funcionar a temperaturas más
elevadas, la eficiencia del disipador es
mayor en ellas que en los transistores,
con lo que basta un disipador mucho
más pequeño.
Los transistores trabajan con
impedancias bajas, o sea con tensiones
reducidas y corrientes altas; mientras
que las válvulas presentan impedancias
elevadas y por lo tanto trabajan con
altas tensiones y pequeñas corrientes.
 Costo: Los transistores costaban menos
que las válvulas, desde su lanzamiento
inicial y se contó con la promesa de las
empresas fabricantes de que su costo
continuaría bajando (como de hecho
ocurrió) con suficiente investigación y
desarrollo.

Como ejemplo de todos estos

inconvenientes se puede citar a la primera
computadora digital, llamada ENIAC, la
cual pesaba más de treinta toneladas y
consumía 200 kilovatios, suficientes para
alimentar una pequeña ciudad, a causa de
sus aproximadamente 18 000 válvulas, de
las cuales algunas se quemaban cada día,
necesitando una logística y una
organización importantes para mantener
este equipo en funcionamiento.

El transistor bipolar reemplazó

progresivamente a la válvula termoiónica
durante la década de 1950, pero no del
todo. En efecto, durante los años 1960,
algunos fabricantes siguieron utilizando
válvulas termoiónicas en equipos de radio
de gama alta, como Collins y Drake; luego
el transistor desplazó a la válvula de los
transmisores pero no del todo en los
amplificadores de radiofrecuencia. Otros
fabricantes de instrumentos eléctricos
musicales como Fender, siguieron
utilizando válvulas en sus amplificadores
de audio para guitarras eléctricas. Las
razones de la supervivencia de las válvulas
termoiónicas son varias:

Falta de linealidad: El transistor no tiene

las características de linealidad a alta
potencia de la válvula termoiónica, por
lo que no pudo reemplazarla en los
amplificadores de transmisión de radio
profesionales y de radioaficionados sino
hasta varios años después.[cita requerida]
Generación de señales armónicas: Las
señales armónicas introducidas por la
falta de linealidad de las válvulas
resultan agradables al oído humano,
como demuestra la psicoacústica, por lo
que son preferidos por los audiófilos.
Sensibilidad a explosiones nucleares: El
transistor es muy sensible a los efectos
electromagnéticos de las explosiones
nucleares, por lo que se siguieron
utilizando válvulas termoiónicas en
algunos sistemas de control y comando
de aviones caza de fabricación
soviética.[cita requerida]
Manejo de altas potencias: Las válvulas
son capaces de manejar potencias muy
grandes, a diferencia de la que
manejaban los primeros transistores;
sin embargo a través de los años se
 desarrollaron etapas de potencia con
múltiples transistores en paralelo
capaces de conseguir manejo de
potencias mayores.
Véanse también: Válvula termoiónica y Transistor
bipolar.

Véase también
Historia del transistor
Quiteron
Semiconductor
Transistor de aleación
Transistor de película delgada
Transistor de unión bipolar
Transistor IGBT
 Transistor uniunión
Válvula termoiónica
Datasheet

Referencias
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Bibliografía
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2. Boylestad-Nashelsky. Electrónica.
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347-2

Enlaces externos
Wikimedia Commons alberga una
categoría multimedia sobre Transistor.
 Wikcionario tiene definiciones y otra
información sobre transistor.
Transistores Vs. Válvulas para
aplicaciones en audio de alta fidelidad -
Oscar Bonello, fundador de la compañía
Solidyne y miembro de Audio
Engineering Society (AES), propone una
interpretación posible sobre la rivalidad
entre entusiastas de una u otra
tecnología.
Cómo funcionan realmente los
transistores Versión original en inglés
Símbolos de transistores

Datos: Q5339
 Multimedia: Transistors

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