Conception Et Realisation Dune Alimentat PDF

INTRODUCTION GENERALE
Généralités :
Les alimentations de secours sont indispensables à toutes les applications qui
n’admettent pas une interruption prolongée ou momentanée du courant électrique.
L’alimentation statique ininterruptible (A.S.I), pour appareils médicaux très sensibles

aux interruptions, met en œuvre les techniques les plus évoluées de l’électronique de
puissance pour satisfaire simultanément un ensemble de critères tels le fonctionnement en
haute fréquence, le filtrage actif, la compensation des non linéarités et la minimisation des
perturbations…..
La fiabilité, le rendement, l’encombrement et l’optimisation du coût sont des

performances qui déterminent la topologie et la stratégie dans la conception de l’A.S.I. Dans
ce genre d’alimentation, l’obtention de la tension 220V – 50 Hz se fait par la transformation
de l’énergie continue débitée généralement par des batteries d’accumulateurs en une énergie
alternative générée par des onduleurs.
Dans le chapitre I, nous nous intéresserons à l’étude des convertisseurs

continu/alternatif du point de vue composants électroniques, ainsi qu’à l’interprétation des
différents chronogrammes.
Pour concevoir un convertisseur continu/alternatif, on doit distinguer ses différents

types tels que :
• L’onduleur monophasé à transformateur à point milieu,
• l’onduleur monophasé à demi-pont,
• l’onduleur monophasé en pont.
1
Le chapitre II est consacré à l’étude de la modulation de largeur d’impulsion M.L.I,

notamment :
• Le principe de la modulation M.L.I,
• l’étude de la tension modulée,
• le spectre de l’onde modulée.
Chacune de ces études permettra de bien dimensionner le convertisseur pour délivrer à

sa sortie une tension sinusoïdale analogue à celle du secteur.
Nous étudions dans le chapitre III le circuit de commande et de protection de

l’onduleur, ce qui nous permettra de calculer les valeurs des composants du circuit de
commande à base d’oscillateur NE555 et du circuit intégré TL494 pour la génération de la
MLI.
Aussi dans ce même chapitre, nous traitons les MOSFET de puissance IRFP250
utilisés comme bras de l’onduleur et les composants de protection de la carte de puissance.
Le chapitre IV est consacré à la conception pratique du chargeur de batterie qui

alimente l’onduleur par une énergie continue. On traitera en particulier:
• Le circuit de régulation de l’intensité de charge,
• le montage d’arrêt et reprise automatique de charge,
• le circuit de protection contre les surintensités,
• la commande de l’interrupteur de charge.
Les microcontrôleurs peuvent aujourd’hui se prêter à la réalisation d’innombrables

applications aux caractéristiques les plus diverses, ce qui nous conduira à introduire le
chapitre V qui propose un montage numérique de l’A.S.I, piloté par le microcontrôleur
2
68HC11F1 dont le jeu d’instructions et le mode d’adressage est celui des microprocesseurs
MOTOROLA.
Le critère d’évaluation des alimentations ininterruptibles est basé d’une part sur leur
consommation en énergie et d’autre part sur leur autonomie lorsqu’il y a rupture du courant
du secteur, ce qui mène à inclure un dernier chapitre, (chapitre VI), consacré aux perspectives
de conception de l’alimentation ininterruptible.
3
CHAPITRE I : ETUDE DES CONVERTISSEURS CONTINU / ALTERNATIF
CHAPITRE I
ETUDE DES CONVERTISSEURS

CONTINU / ALTERNATIF
I.1 Alimentation statique sans interruption [1]
Les alimentations statiques sans interruption ne mettent en œuvre que des composants
d’électroniques de puissance, réalisant une double conversion d’énergie électrique :
alternative/continue et continue/alternative.
Le schéma de base d’une alimentation sans interruption comporte quatre éléments

principaux : le redresseur/chargeur, la batterie, les commutateurs et le circuit de commande.
En fonctionnement normal, le redresseur/chargeur, alimenté par le réseau, maintient en

charge la batterie.
En cas de coupure du réseau, l’alimentation ininterruptible prend alors instantanément

le relais du redresseur/chargeur, pour alimenter les bras de l’onduleur jusqu’au rétablissement
du réseau.
L’autonomie d’une alimentation statique sans interruption, liée à la capacité de la

batterie installée, est habituellement comprise entre 5 et 30 minutes pour la charge nominale.
Un schéma de l’ensemble peut se présenter sous deux formes :
Secteur Redreseur Onduleur

Chargeur La Charge
K
Batterie
Figure I.1.a Onduleur On Line
4
Secteur Redreseur
Chargeur Onduleur La Charge
K
Batterie
Figure I.1.b Onduleur Stand-by
D’après la figure I.1.a, on peut alimenter l’équipement par l’onduleur, celui-ci étant lui
même alimenté par la batterie dont la charge est assurée par le redresseur à partir de l’énergie
fournie par le secteur. En cas de défaut de l’onduleur, un commutateur permute la charge
directement vers le réseau. Cette solution est très onéreuse.
On préfère d’ordinaire comme l’illustre la figure I.1.b alimenter l’équipement

directement par le réseau et, en cas de défaillance de celui-ci, basculer très rapidement la
charge sur un onduleur alimenté par une batterie chargée par un redresseur auxiliaire.
Notre objectif est de réaliser une alimentation pouvant détecter toute défaillance du
courant électrique du secteur et de prendre instantanément la relève en assurant un
fonctionnement normal de l’appareil médical. En d’autres termes l’appareil médical reste
insensible aux coupures du courant.
Cette alimentation ininterruptible doit générer aussi bien en présence qu’en absence du
secteur une tension de forme d’onde sinusoïdale, de tension efficace 220V et de fréquence
50 Hz quelque soit la nature de l’équipement médical alimenté. Aussi, elle doit fonctionner
lors de la coupure du secteur avec une autonomie relativement grande.
I.2. Convertisseur continu/alternatif [2]
I.2.1. Introduction
Un onduleur est un convertisseur statique, capable de transformer l’énergie d’une

source continue, représentée sur la figure I.2 par une batterie d’accumulateurs, en une source
alternative.
5
Il existe plusieurs types d’onduleurs, chacun d’eux correspond à un type d’application

déterminé.
Récepteur de courant
U 1 alternatif
Batterie
~ I(t)
2
Figure I.2 Structure générale d’un convertisseur continu/alternatif
Une classification peut s’établir entre les onduleurs autonomes ou non autonomes.
• Un onduleur est dit non autonome si l’énergie nécessaire pour la commutation de

ses éléments est prise du réseau alternatif supposé actif, c’est le cas des redresseurs
fonctionnant en onduleur. La fréquence et la forme de la tension sont imposées par le réseau.
• Les autres onduleurs pour lesquels le réseau d’utilisation est passif, sont dits
autonomes, et la commutation des éléments de l’onduleur est actionnée par des circuits
auxiliaires.
On distingue trois configurations dans la conception des onduleurs :
- L’onduleur monophasé avec transformateur de sortie à point milieu (appelé souvent

onduleur push-pull ).
- Onduleur monophasé avec diviseur capacitif (appelé onduleur en demi-pont).
- Et si on veut changer ou varier la largeur relative des créneaux formant les

alternances de la tension de sortie, on utilise un onduleur comportant quatre interrupteurs
(appelé onduleur en pont).
6
I.2.2 Onduleur monophasé réalisé par un transformateur à point milieu [3]
La figure I.3 représente le schéma synoptique d’un onduleur push-pull, formé par deux
interrupteurs K1 , K’1 où l’ouverture ou la fermeture est commandée par un circuit de
commande et, par un transformateur à point milieu, supposé parfait, élevant la tension de
sortie à environ 220V.
K'1
ik'1 I'
Vk'1
D'1 V'1 U'

Batterie
i - +
n1/2
n2 ~
E V1 n1/2
K1
Vk1
ik1 K1, K'1 : Interrupteurs

statiques
D1
Figure I.3 Schéma de l’onduleur push-pull
a. Expression des tensions
V1 = V’1 & U’ = 2.(n2/n1).V1
Les courants primaires et secondaires sont liés par la compensation des ampères-tours
et l’équation du courant de sortie :
(n1/2).(ik1 – ik’1) = n2 . i’
- Pour 0 < t < T/2 , K1 - fermé, K’1 - ouvert.
E + V’1 = Vk’1
E - V1 = 0V
et puisque :
V’1 = V1
alors :
2n 2
Vk’1 = 2.E et U’ = •E
n1
7
Aussi, on a :
Vk1 = 0V et le courant ik’1 = 0A, donc tout le courant débité par la batterie circule
pratiquement dans la moitié du primaire du transformateur (du coté où l’interrupteur K1 est
fermé, soit : i = ik1 , ce qui entraîne :
i = (2.n2/n1).i’.
- Pour T/2 < t < T , K1 - ouvert, K’1 - fermé.

E + V’1 = 0V
donc
2n 2
U’ = − •E
n1
E = Vk1 + V1
V1 étant égale à V’1 alors Vk1 = 2.E
Vk’1 = 0V car l’interrupteur K’1 est fermé. ik1 = 0A. Donc i = ik’1
On a alors :
i = -(2.n2/n1).i’.
Le courant ik1 passe par le commutateur K1 s’il est positif et à travers D1 s’il est
négatif.
De la même manière, le courant ik’1 passe par le commutateur K’1 s’il est positif et à
travers D’1 s’il est négatif.
Finalement, à cause du transformateur à prise médiane, la tension inverse aux bornes

des diodes, qui est la tension directe aux bornes des commutateurs commandés, est égale à
deux fois la tension continue d’alimentation :
Vkmax = -Vdmax = 2.E
D’après les chronogrammes de la figure I.4, on obtient des créneaux périodiques de

valeur +/-E et se reproduisant à la fréquence du secteur, aussi le courant i’ fourni à la charge
est pratiquement sinusoïdal, après un préalable filtrage.
8
b. Chronogramme des signaux de l’onduleur à transformateur
Figure I.4 les formes d’onde des signaux de l’onduleur

à transformateur avec prise médiane
I.2.3 Onduleur monophasé en demi-pont [3]
Comme illustré à la figure I.5, l’onduleur monophasé en demi-pont est constitué de

deux commutateurs et d’une source de tension à point milieu, que l’on obtient à l’aide de
deux condensateurs C1 et C’1 de même capacité C. Si celle-ci est suffisante, on obtient deux
E
tensions sensiblement constantes et égales à .
2
9
ik1
Vk1
ic1
Uc1
K1 D1
C1
E
+
Batterie
I' U'
-
ic'1 ~ Vk'1
Uc'1
i C'1 K'1
D'1
ik'1
Figure I.5 Onduleur monophasé en demi-pont
a. Principe de fonctionnement
La somme des deux tensions aux bornes des deux condensateurs uc1 + uc’1 = E est
supposée constante, sa dérivée est alors nulle, ce qui implique :
du C1 du
C. = - C. C'1
dt dt
iC1 = - iC’1 - Le courant de charge (ou de décharge) de C1 est égal à celui de

décharge (ou de charge) de C’1.
Or i’ = iC’1 - iC1
donc
i’ = 2. iC’1 = -2. iC1
Au point milieu du diviseur capacitif, arrive le courant i’ dont la valeur est égale au
double de celle du courant dans l’un des condensateurs.
b. Chronogramme des formes d’ondes et expressions des tensions et courants
Pour 0 < t < T/2 (K1 - fermé, K’1 – ouvert).
E
u’ = uC1 = + .
2
10
vK’1 = + E
i'
i = iC’1 = .
2
iK1 = i’ = 2.i
Le courant iK1 , lorsqu’il est positif, passe par le commutateur K1 et par D1 lorsqu’il
est négatif.
- Pour T/2 < t < T , (K1 - ouvert, K’1 - fermé).
E
U’ = -uC’1 = - .
2
vK1 = + E
i'
i = iC1 = -
2
iK’1 = -i’ = 2.i
Le courant iK’1 , lorsqu’il est positif, passe par le commutateur K’1 et par D’1 lorsqu’il
est négatif.
Le courant dans l’interrupteur passant, grâce au diviseur capacitif, est égal à deux fois
le courant fourni par la source d’alimentation continue :
iK1 ou iK’1 = 2.i
La figure I.6 montre les formes d’onde des différents courants et tensions de
l’onduleur ainsi que le diagramme de conduction des diodes et des interrupteurs utilisés.
On retrouve les mêmes formes d’ondes, représentées par la figure I.4, seules certaines
amplitudes sont modifiées.
11
Figure I.6 Les formes d’onde des signaux de l’onduleur

monophasé en demi-pont
I.2.4 Onduleur monophasé en pont [4]
La figure I.7 est celle d’un pont complet dans lequel, on suppose que K1 et K’2 étaient
fermés pendant la première alternance de la tension u’, rendant celle-ci égale à +E , et les
interrupteurs K2 et K’1 sont fermés pendant la deuxième alternance, ce qui rend la tension u’
égale à -E .
12
ik1 ik2
Vk1 Vk2
K1
D1 K2 D2
+
u'
Batterie
-
E i'
+
-
Vk'1
~ Vk'2
K'1 K'2
D'1 D'2
ik'1 ik'2
Figure I.7 Onduleur à pont complet
a. Principe de fonctionnement
Les commandes de ( K1 , K’2 ) et ( K2 , K’1 ) sont complémentaires, mais ne sont pas

nécessairement simultanées, elles peuvent êtres décalées.
Désignons par ω la pulsation du fondamental de la tension de sortie u’.
On représente par θ le décalage de commande :
K1 est fermé pour 0 < ωt<π ; K’2 est fermé pour θ< ωt < θ + π
K’1 est fermé pour π < ωt< 2π ; K2 est fermé pour θ +π < ωt < 2π + θ
Les commandes des bras de l’onduleur sont périodiques, donc elles se répètent
identiquement de la même manière tous les 2π.
• Pour 0 < ωt < θ , K1 et K2 sont fermés, K’1 et K’2 ouverts : la source de tension
continue E est ouverte, par contre la source de courant de sortie i’ est court-circuitée.
13
u’ = 0V ;
vK1 = 0V ; vK’1 = + E
vK2 = 0V ; vK’2 = + E
i = 0A ;
iK1 = + i’ ; iK’1 = 0A
iK2 = - i’ ; iK’2 = 0A
Donc le courant i’ passe par l’interrupteur K1 et D2 s’il est positif, par K2 et D1 s’il
est négatif.
• Pour θ< ωt < π ; K1 et K’2 sont fermés, K’1 et K2 ouverts : la source de

tension continue est donc reliée à la source de courant, on a alors :
u’ = + E ;
vK1 = 0V ; vK’1 = + E
vK2 = + E ; vK’2 = 0V
i = + i’ ;
iK1 = + i’ ; iK’1 = 0A
iK2 = 0A ; iK’2 = + i’
S’il est positif, le courant i’ traverse K1 et K’2 et passe par D’2 et D1 s’il est négatif.
• Pour π < ωt< π + θ ; K1 et K2 sont ouverts, K’1 et K’2 fermés. On a :
u’ = 0V ;
vK1 = + E ; vK’1 = 0V
vK2 = + E ; vK’2 = 0V
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i = 0A ;
iK1 = 0A ; iK’1 = - i’
iK2 = 0A ; iK’2 = + i’
Donc le courant i’ passe par l’interrupteur K’2 et D’1 ou par K’1 et D’2.
• Pour θ + π< ωt < 2π : K1 et K’2 sont ouverts, K’1 et K2 fermés, on obtient :
u’ = - E ;
vK1 = + E ; vK’1 = 0V
vK2 = 0V ; vK’2 = + E
i = - i’ ;
iK1 = 0A ; iK’1 = - i’
iK2 = - i’ ; iK’2 = 0A
Le courant i’ traverse K2 et K’1 s’il est négatif et passe par D’1 et D2 s’il est positif.
b. Tracés des tensions et courants de l’onduleur à pont complet
La figure I.8 représente les différents signaux relatifs aux courants et tensions de
l’onduleur dans le cas où il y a fermeture ou ouverture des interrupteurs deux à deux : Ki et
K’i , (i = 1 ou 2) en tenant compte de ne pas court-circuiter la source de tension continue + E,
c’est à dire, ne pas fermer simultanément K1 et K’1 ou , K2 et K’2 .
15
Figure I.8 les formes d’ondes des signaux de l’onduleur à pont
Le tableau ci dessous (figure I.9) donne, pour les trois configurations examinées, les
caractéristiques en tension et en courant des semi-conducteurs (commutateurs).
Diviseur capacitif Transformateur à point milieu Pont complet

Nombre de S.C
2 2 4
Tension maximale du SC
E 2.E E
Courant dans un SC
2.I I I
Tension aux bornes de la charge E
2.E E
2
Figure I.9 Valeurs des tensions et courants des commutateurs des

différents types d’onduleurs
16
I.2.5 Classification des onduleurs suivant la forme d’onde [5]
On distingue principalement :
• Les onduleurs à ondes rectangulaires ou à deux états de sortie :
L’onde de sortie est rectangulaire, alternativement positive et négative, comme le

représente la figure I.10.a, ces onduleurs sont en fait des commutateurs, l’amplitude de leur
onde de sortie est liée à la tension continue. Ils ne sont donc pas régulables si ce n’est que par
la tension du générateur continu.
• Les onduleurs en créneaux de largeur variable, ou à trois états de sortie :
L’onde de sortie (figure I.10.b) constituée de créneaux, alternativement positifs et

négatifs, espacés entre eux par des zones à tension nulle. La valeur moyenne de la tension de
sortie peut être régulée en agissant sur la durée (rapport cyclique des créneaux).
Figure I.10.a : Tension de sortie alternativement positive et négative
• Les onduleurs à modulation de largeur d’impulsion (M.L.I) :
L’onde de sortie est constituée d’un train d’impulsions de largeur et d’espacement

variables en vue de réduire le taux d’harmoniques. Ces trains d’impulsions, illustrés par la
figure I.11, sont alternativement positifs et négatifs. Ces types d’onduleurs nécessitent une
commande plus complexe, mais présentent un intérêt certain lorsqu’on cherche une onde de
sortie voisine de la sinusoïde ou plus facilement filtrable.
17
Figure I.10.b : Tension de sortie à rapport cyclique variable
Figure I.11 : Tension de sortie modulée en largeur d’impulsion
I.2.6 Comparaison des onduleurs de tensions monophasées [5]
Les deux onduleurs de tension à deux interrupteurs, (l’onduleur push-pull et l’onduleur

en demi pont), ne nécessitent que deux commutateurs de puissance commandés et deux
diodes, alors que l’onduleur en pont nécessite quatre commutateurs de puissance commandés
et quatre diodes. L’avantage des deux premiers onduleurs est toutefois réduit par le
doublement de la tension ou de courant.
- Pour une tension E de la source continue, on a :
• Pour l’onduleur push-pull,
Vkmax = -Vdmax = 2.E .
18
• Pour les deux autres,
Vkmax = -Vdmax = E .
- Pour un courant I de la source, la valeur du courant i dans l’interrupteur K1 (quand

il est passant) est :
• ik1 = I , pour l’onduleur push-pull.
• ik1 = 2.I , pour l’onduleur en demi-pont.
• ik1 = I , pour l’onduleur en pont.
Les onduleurs à deux interrupteurs nécessitent deux fois moins de commutateurs que
l’onduleur en pont, mais la valeur en tension ou en courant de ces derniers est doublé.
De part leur principe même, l’onduleur push-pull nécessite un transformateur et

l’onduleur en demi-pont un diviseur capacitif, alors que l’onduleur en pont ne nécessite ni
l’un ni l’autre.
La différence essentielle est que l’onduleur en pont permet de faire varier la tension de
sortie, et donc en particulier de la réguler.
Il faut donc recourir à l’onduleur en pont dès que les variations de la tension d’entrée
E sont très importantes ou que l’on a besoin d’une stabilisation précise de la tension de sortie.
On utilise de plus en plus la modulation de largeur d’impulsion car elle permet de

réduire la tension de sortie à une onde sinusoïdale en formant chacune des alternances de
celle-ci d’une succession de créneaux de largeurs convenables.
Les onduleurs à deux interrupteurs ne donnent que des signaux bistables (Vsortie = +E
ou –E ou zéro). Il est évident que l’onduleur en pont rend plus facile l’approximation de la
sinusoïde désirée, cela se traduit par une meilleur utilisation des composants et une plus
grande facilité de réalisation des filtres.
Donc dès que la puissances mise en jeu et l’intérêt porté aux performances deviennent
importants, on utilise l’onduleur en pont.
19
Conclusion
On peut conclure, d’après cette étude comparative, que l’onduleur en pont utilisant la
modulation de largeur d’impulsion est celui qui convient pour les alimentations sans
interruption vu les avantages qu’il présente par rapport aux autres configurations
(transformateur à point milieu et onduleur en demi-pont), et grâce à la forme d’onde de sa
sortie qui est pratiquement sinusoïdale. En effet on peut obtenir une onde sinusoïdale à partir
d’un onduleur suivi d’un filtre, mais le dimensionnement de ce dernier diffère d’un type
d’onduleur à un autre et il devient plus complexe lorsqu’on a une onde rectangulaire, sans
oublier la facilité de la régulation de la tension de sortie, ainsi que la stabilité et la précision.
20
CHAPITRE II : MODULATION DE LARGEUR D’IMPULSION «M.L.I»
CHAPITRE II
MODULATION DE LARGEUR D’IMPULSION

« M.L.I »
II.1 Introduction [6]
L’alimentation, sans interruption, à modulation de largeur d’impulsion (M.L.I) s’est

imposée par ses remarquables performances à savoir :
- Une grande précision de la tension de sortie en régime établi ,
- Un comportement stable en régime dynamique (la tension de sortie reste dans les
limites de –8% à +10% de sa valeur nominale, et ceci pour des impacts de la totalité de la
puissance nominale),
- Un faible taux de distorsion harmonique (moins de 4%),
- Une stabilité de la fréquence dans tous les cas de fonctionnement,
- De bonnes capacités de surcharge, sans pour autant affecter la qualité de la tension

fournie,
- La possibilité de pouvoir fonctionner sans risque, sur des charges déséquilibrées,
- Un rendement global très élevé, pouvant atteindre 93%.
Dans cette étude, nous nous efforcerons de décrire la stratégie de la modulation de

largeur d’impulsion en vue de produire les commandes de l’onduleur monophasé par des
moyens analogiques. Les commandes numériques de l’onduleur seront traitées dans le
chapitre V.
Notre étude décrira le principe de la M.L.I, surtout la commande des onduleurs à pont
complet, vu les avantages (cités au chapitre précèdent) que présentent ces types d’onduleurs.
La figure II.1 reproduit le schéma synoptique de l’onduleur à pont complet dont les
interrupteurs Ki sont commandés par un circuit générant des signaux M.L.I.
21
+.
K1 K2
Commande
MLI
. u'
.
K'1 K'2
-.
Figure II.1 : Schéma synoptique de l'onduleur

à pont et à commande M.L.I
II.2 Modulation bipolaire
Dans un onduleur à M.L.I, la tension de sortie est formée non pas uniquement de deux
alternances, l’une positive et l’autre négative, mais de plusieurs créneaux rectangulaires de
largeurs convenables.
La multiplication du nombre d’impulsions formant chacune des alternances de la

tension de sortie présente deux avantages importants :
• Elle translate les harmoniques de la tension de sortie vers les fréquences élevées.
• Elle permet de varier la valeur du fondamental de la tension de sortie, ce qui

justifie les performances citées ci-dessus.
II.2.1 Principe de la M.L.I [7]
Le principe de la modulation de largeur d’impulsion est entièrement décrit par les

courbes de la figure II.2 sur les quelles, la génération des ondes de fermeture et d’ouverture
des interrupteurs se trouve reproduite.
22
Les intervalles pendant lesquels les interrupteurs sont ouverts ou fermés, sont générés
2π
en comparant un signal triangulaire Ut(θ) « la porteuse » de période T = et d’amplitude B
Ω
à un signal de commande constant Vref .
Ut(θ) > Vref ⇒ Ut(θ) = -U

Ut(θ) < Vref ⇒ Ut(θ) = +U
Figure II.2 : Chronogramme des ondes modulées M.L.I
II.2.2 Etude de la tension modulée
a. Expression de la valeur moyenne de U(θ)
Dans la figure II.3, on suppose que la période du signal triangulaire Ut(θ) est
suffisamment faible pour que l’on puisse, pendant sa durée, négliger les variations de la
tension de référence Vref .
L’équation de la porteuse entre 0 et π est :

2.B
Ut(θ) = -B + .θ (modulo 2π),
π
d’où :
π  Vref  Θ1 est l’intersection entre le signal de
θ1 =  + 1 
2  B  référence Vref et la porteuse Ut(θ).
23
et
θ1 π
1 1
Umoy =
π ∫0 Udθ + π ∫ Udθ
θ1
La valeur moyenne est donc :

V
Umoy = U. ref
B
Figure II.3 : Onde modulée à partir d’une modulante Vref

très basse fréquence
b. Développement en série de Fourrier de U(θ)
Pour une période de 2π de la porteuse, la fonction modulée est paire et possède comme
coefficients de Fourrier :
θ1 π
an =
2U
[ ∫ cos(nθ)dθ - ∫ cos(nθ)dθ ] =
4U
sin nθ1
π 0 θ1
πn
ou bien
4U nπ  V 
an = sin  ref + 1 
πn 2  B 
24
c. Expression temporelle de la tension modulée
∞
U(t) = Umoy + ∑a
n =1
n cos(nΩt )
Le principe de la MLI consiste à donner à Vref une loi de variation U(t). Si la

modulante était sinusoïdale, comme illustrée à la figure II.2.
Vref = Asin(ωt + ϕ)
et
A ∞
4U nπ  A 
U(t) = U
B
sin( ωt + ϕ) + ∑ πn sin
n =1
 sin( ωt + ϕ)  cos(nΩt )
2 B 
Cette expression n’est pas exploitable telle qu’elle est. Toutefois, elle fait apparaître un
terme fondamental dont l’expression est :
A
u1(t) = U. sin( ωt + ϕ) .
B
A
L’amplitude du fondamental est facilement réglable grâce au rapport , désignant la
B
profondeur de la modulation.
Ω
La profondeur et l’indice de modulation ( m = ) constituent les paramètres les
ω
plus importants de ce procédé.
II.2.3 Etude du spectre de l’onde modulée
Pour mettre en évidence l’effet de la MLI sur les harmoniques. On fait appel aux
expressions de Bessel :
L’expression
∞
U(t) = Umoy + ∑a
n =1
n cos(nΩt )
25
devient alors :
A ∞
4U nπ   nπ A  
U(t) = U
B
sin( ωt + ϕ) + ∑ πn sin
n =1
 J0    cos(nΩt ) +
2   2 B  
∞ ∞
nπ   nπ A  
  cos((nΩ + 2pω)t + 2pϕ ) + cos((nΩ − 2pω)t − 2pϕ ) +
4U
+ ∑∑
n =1 p = 1 πn
sin  J 2p 
2   2 B  
∞ ∞ 4U nπ   nπ A  
∑ ∑ cos  J 2p −1    sin ((nΩ + ( 2p − 1)ω)t + ( 2p − 1)ϕ ) − sin ((nΩ − ( 2p − 1)ω)t − ( 2p − 1)ϕ )
n =1 p =1 πn 2   2 B 
avec :
x4  x2 x4 x6 
Jk(x) = 
 1 − + − 
k
2 .k!  2.( 2.k + 2) 2.4( 2.k + 2)( 2.k + 4) 2.4.6( 2.k + 2)( 2.k + 4)( 2k + 6) 
Justification de l’expression de U(t)
Etant donnée l’expression :
nπ  A 
sin  sin( ωt + ϕ) + 1 
2 B 
On obtient U(t) qui permet de calculer tous les harmoniques présents dans la tension
modulée, qui sont constitués de familles de raies dépendant de n et de p.
Le tableau ci-dessous (figure II.4) donne l’amplitude et la phase de ces rais en fonction
de n et p.
26
Pulsation Amplitude Phase
U .A ϕ
ω B
4 .U nπ A π
nmω J0 ( • ) n
nπ 2 B 2
4 .U nπ A π
(nm ± 2p) ω J 2p ( • ) n ± 2p ϕ
nπ 2 B 2
π
4 .U nπ A
J 2 p −1 ( • ) n ± (2p − 1)ϕ
(nm ± (2p-1)) ω nπ 2 B 2
Ω
Figure II.4. Famille des raies de la tension modulée. ( m = : indice de modulation).
ω
• La famille des raies à la pulsation nmω est celle des plus fortes amplitudes :
4 .U nπ A
Soit : J0( ).
nπ 2 B
Il faudra donc projeter cette famille vers des pulsations élevées afin de faciliter le
filtrage puisque l’amplitude n’est pas affectée par l’indice de modulation.
• La famille des raies de pulsation (nm - 2p).ω est susceptible de générer une raie
m
continue. Pour n = 1 , p = avec m pair, l’amplitude est
2
4 .U π A
J m ( • ) cos(mϕ) .
π 2 B
Pour les faibles valeurs de m, cette composante est gênante, elle devient rapidement
négligeable quand m dépasse 6. Cette perturbation traduite par la composante continue
disparaît pour m impair.
27
• Si on prend
m +1
nm - 2p = 1, p =
2
avec m pair et n = 1, la même famille des raies à la pulsation (nm -2p).ω est
susceptible de générer une raie de la forme :
4 .U π A
J m +1 ( • ) cos( ωt − (m + 1)ϕ)
π 2 B
Cette raie peut dégrader l’amplitude du fondamental quand m est faible et ϕ est
π
comprise entre 0 et .
2
Si m est suffisamment grand, la valeur de ϕ est pratiquement sans importance puisque

π A
le coefficient de Bessel attaché à cette raie ( J m +1 ( • ) ) tendra vers une valeur
2 B
pratiquement nulle.
Toute fois, pour avoir une amplitude maximale du fondamental, on prend : ϕ = 0 ou

2π
ϕ = . On dit alors que le calage est optimal.
m
Si m n’est pas entier, on voit apparaître des harmoniques de très basses fréquences,
générés par les familles de pulsations (nm - 2p).ω et (nm - 2p+1).ω.
Pour n = 1, l’amplitude de ces « sous-harmoniques » sera :
4 .U π A
J 2p ( • )
π 2 B
Cette amplitude est importante aux faibles valeurs de l’indice de modulation et par
conséquent, difficile à filtrer. Généralement ce phénomène est négligeable lorsque m > 20.
28
Conclusion
Un bon choix consiste à prendre m impaire et ϕ = 0.
Cependant, l’augmentation de m (m > 20 ) permet de négliger tout défaut de la

modulation résultant d’un choix différent.
II.3 Critères d’évaluation de la modulation M.L.I
Ces critères permettent de fournir des éléments d’appréciation portant le plus souvent
sur la forme d’onde et les grandeurs à la sortie de l’onduleur.
• Distorsion harmonique totale (THD)
∞
THD = ∑V
n =1
2
n , la somme quadratique étant : THD .
Vn : représente la valeur efficace d’un harmonique de rang n.
On a :
THD = U 2 - V 12
A
V1 étant la valeur efficace de l’onde modulante A.sin(ωt + ϕ), donc V1 = .
2
A
La profondeur de la modulation est : r = avec B - la valeur crête de l’onde de
B
modulation (la porteuse) qui est généralement égale à la valeur crête de l’onde modulée. Soit
V1 2 U .r
r = où V1 = .
U 2
Donc la distorsion harmonique totale est égale à :
29
 r2 
THD = U 2  1 − 
 2
Avec une somme quadratique :
 r2 
THD = U  1 −  .
 2
On remarque :
Une indépendance du taux d’harmonique vis à vis de l’indice de modulation. L’action

de modulation permet donc (uniquement) de déplacer les raies gênantes du spectre vers ses
pulsations élevées.
30
CHAPITRE III : CIRCUIT DE COMMANDE ET DE PROTECTION DE L’ONDULEUR
CHAPITRE III
CIRCUIT DE COMMANDE ET DE
PROTECTION DE L’ONDULEUR
III.1 Introduction
Quelque soit le type d’onduleur, le circuit de commande de ses bras (ses

commutateurs de puissance) doit être convenablement dimensionné afin de générer des
signaux numériques se répétant à la fréquence du secteur (50 Hz).
Pour avoir à la sortie de l’onduleur une onde proche de la sinusoïde à partir d’une
tension continue, nous avons opté pour la réalisation de l’onduleur à pont complet vu les
différents avantages qu’il présente (voir § I.2.6).
Pratiquement, plusieurs montages électroniques peuvent assurer la génération des

signaux numériques à la fréquence du secteur, notamment le circuit intégré NE555 que nous
avons utilisé dans notre application , ne consommant pas assez de courant et ne nécessitant
pas un étage de puissance entre la commande et le circuit de puissance. Pour ce qui est de la
M.L.I , elle est réalisée par le TL 494 qui est généralement destiné aux alimentations à
découpage et aux convertisseurs de tension.
III.2 Carte de commande
III.2.1 Circuit à base de multivibrateur NE555 [8]
Sur la figure III.1, les signaux de commande de l’onduleur sont fournis sur la broche 3
du NE555, ils sont ensuite inversés et mis en forme par deux portes NAND du circuit 4093
avant d’attaquer les commutateurs de l’onduleur, car la commande simultanée d’un même
bras de l’onduleur court-circuite automatiquement la source de courant continu.
31
CHAPITRE III CIRCUIT DE COMMANDE ET DE PROTECTION DE L’ONDULEUR
Vcc
K2
1 MOSFET N 50 ohms
3 K1 MOSFET N
4 8 2 50 ohms +
2 R 3 R1 Batterie
TR Q 142k NAND1 Tr.Elv
NE555 DIS 7
Portes NANDS 4093 K'2 -
5 6 1 50 ohms
CV THR MOSFET N K'1
3 MOSFET N
1 R2 2
142k 50 ohms
10 nF D
NAND2
C
100nF
Figure III.1 : Schéma de l'astable pour

la commande des bras de l'onduleur
a. Dimensionnement de l’astable
Le NE555 est monté en multivibrateur astable, donc il générera à sa sortie un signal

numérique d’amplitude égale à Vcc et de période :
T = (R1 + R2).C.Log2.
• La durée du niveau haut du signal est :
TH = R1 .C.Log2.
• La durée du niveau bas du signal est :
TB = R2 .C.Log2.
Si on prend
R1 = R2 = 142 kΩ et C = 100 nF,
on obtient :
TH = TB = 9.94 ms ≈ 10 ms.
32
La période T ≈ 20 ms.
b. Résultats obtenus
La figure III.2 représente les différents chronogrammes qu’on peut relever aux quatre
grilles des bras de l’onduleurs et aux bornes du transformateur élévateur.
Figure III.2 : Signaux de commande aux grilles des MOSFET

et tension relevée aux bornes du transformateur
• t ∈ [0,10ms ]
Les deux MOSFET K1 et K’2 sont excités aux niveaux de leurs grilles par une
VBatterie
fraction positive de la tension de la batterie ( ) , ils sont donc saturés et par conséquent
2
leurs tensions drain-source sont nulles (VDS = 0V), par contre les deux MOSFET K2 et K’1
ne sont excités par aucune tension, ils sont bloqués et se comportent comme des circuits
ouverts entre drain et source.
D’après le montage de la figure III.1, on relève :
33
- VSK1 = VDK’1 = VB ( tension de la batterie).
- VSK2 = VDK’2 = 0V
• t ∈ [10ms ,20ms ]
Les deux MOSFET K2 et K’1 sont excités aux niveaux de leurs grilles par la moitié
VBatterie
de la tension de la batterie ( ) , ils sont donc saturés et par conséquent leurs tensions
2
drain-source sont nulles (VDS = 0V), par contre les deux MOSFET K1 et K’2 ne sont excités
par aucune tension, ils sont bloqués, on aura alors :
- VSK2 = VDK’2 = VB ( tension de la batterie).
- VSK1 = VDK’1 = 0V.
L’onde obtenue aux bornes du transformateur n’est pas sinusoïdale et peut délivrer des
pics de tension assez élevés risquant de détruire les MOSFET de puissance, il est donc
nécessaire de filtrer cette tension et de protéger les MOSFET contre les surtensions.
Cependant, quelque soit la nature du filtre placé entre l’onduleur et la charge dans ce genre de
commande, il est très difficile de filtrer le signal de sortie et obtenir un signal sinusoïdal
parfait. Par contre une commande à l’aide des impulsions modulées en largeurs convenables
facilitera beaucoup le filtrage.
III.2.2 Montage à base de circuit intégré TL494 [9]
1. Présentation du TL 494
Le TL 494 est un circuit de contrôle à fréquence fixe et à modulation de largeur

d’impulsion, destiné aux alimentations à découpage et aux convertisseurs de tension.
Comme le montre le montage de la figure III.3, le TL 494 contient un oscillateur

ajustable, un modulateur de durée d’impulsion et un amplificateur d’erreur. Il offre également
des fonctions supplémentaires telles que la détection des courants excessifs, un régulateur de
précision de 5V et une logique de contrôle de sortie .
34
Figure III.3 Schéma synoptique du TL 494
La modulation des impulsions de sortie est réalisée par la comparaison du signal en

dents de scie créé par l’oscillateur et le signal de contrôle. L’étage de sortie est activé lorsque
la tension en dent de scie de la broche 5 est supérieure à la tension du signal de contrôle.
2. Dimensionnement de la commande
a. L’oscillateur
Pour la fréquence de l’oscillateur du TL 494, on lui connecte un circuit d’oscillation

externe, représenté dans le schéma ( figure III.4 ) à travers CT et la résistance RT insérés entre
les broches 5 et 6.
35
Vers l'étage amplificateur

5V 15V
R3 R4 Signal MLI
1k 1k
16 15 14 13 12 11 10 9
TL 494
1 2 3 4 5 6 7 8
18k R8
CT Signal en
R9 3,3M RT 33k dents de scie
1nF
Entrée de
18k R9 contrôle
5V C2
33k R5 R13 9,1k
2,5uF
5V R3 R4 R6 5V
18k 18k 1k
Figure III.4 Circuit à MLI pour la génération de la commande

Des commutateurs de l'onduleur
L'oscillateur est destiné à fonctionner à 50 kHz. Pour cela, on a :
1
f = ; f = 40 kHz
R TCT .Log 2
⇒ avec CT = 1nF et RT = 36 kΩ (On prend un potentiomètre de 50 kΩ).
b. Principe de fonctionnement
La porteuse est un signal en dents de scie de fréquence 50 kHz générée par le TL 494
au niveau de la broche 5. Ce signal est comparé à la tension de contrôle injectée à la patte 1 du
circuit intégré. Le résultat de la comparaison se traduit par la génération d'un signal modulé en
largeur d'impulsion sur la broche 11.
Pour avoir un rapport cyclique variable du signal de sortie, il suffit de faire varier la
valeur de la résistance R8 .
36
3. L'étage amplificateur [10]
Les MOSFET utilisés (IRFP 250), nécessitent, pour les amorcer, des tensions
appliquées à leurs grilles assez importantes (de l'ordre d'une douzaine de volts).
Le schéma de la figure III.5 illustre un amplificateur de tension, placé entre la sortie

MLI du TL 494 et la grille du MOSFET.
15V 15V
490 68 uF
640 68 uF
ohm ohm
Vers la grille du
Signal MLI 650 ohm MOSFET IRFP 250
2N 1711 G
650 ohm
Broche 11 du 650 650 Vz
TL 494 ohm ohm
Vz
Figure III.5 Etage amplificateur du signal MLI
Les deux condensateurs montés en parallèles avec les résistances ne font qu’accélérer
le signal de sortie à l’entrée du transistor et à sa sortie, et ce qui diminue le temps de réponse
de tout le montage amplificateur.
Les deux diodes zeners montées en têtes bêches servent à maintenir la tension grille du
MOSFET constante égale à Vz + Vd (Vz : tension de référence de la zener et Vd sa tension de
conduction), lorsque le transistor est bloqué.
Ces mêmes diodes protègent le MOSFET contre les chutes brusques de tensions
pouvant affecter sa grille, en effet, lors du passage du blocage à la saturation du transistor, la
tension VCE chute de 15V à 0V , une telle variation instantanée de la tension est transmise par
le condensateur à la grille du MOSFET, ce qui rend son potentiel négatif. [11].
37
1. Résultats obtenus
Les différentes valeurs de tensions qu’on a relevées aux broches du TL494 sont :
V1 = V2 = V15 = 2.5V ; V3 = 1V ; V4 = 0.5V ; V6 = 4V.
Les chronogrammes de la figure III.6 illustre :
- Le signal de l’oscillateur du TL 494 ( en forme de dents de scie), relevé à la patte

5 du circuit intégré ,
- Le signal modulé en largeur d’impulsion relevé à la patte 11 du circuit intégré.
Figure III.6 Génération du signal M.L.I par le TL494
Le résultat de la figure III.6 a été trouvé pour une tension de contrôle V1 égale à 2.5V.
Si on prend V1 comme onde modulante de fréquence 50 Hz, on obtiendra à la sortie du
TL494, un signal MLI commandant l’onduleur.
III.3 Carte de puissance [12]
La carte de puissance de l’onduleur est formée de quatre commutateurs à base de

transistors MOSFET de puissance.
38
Le transistor de puissance qu’on a utilisé dans notre réalisation est le IRFP 250. Vu
les caractéristiques adéquates dont il est doté, sa plage de variation en puissance, en courant et
en tension répond bien aux critères de notre application.
D’après le cahier de charge des transistors de puissance MOS, le IRFP 250 est un
MOSFET à enrichissement (canal N) caractérisé par [13] :
Gm à ID Capacité Seuil RDON à ID VDSM IDM PDM

Fab Boîtier
(A/V) (A) (pF) VGS(V) (Ω) (A) (V) (A) (W)
2600 e
19(>13) 17 150 r 2-8 0.09 17 200 17 180 IR TOP 3
Gm : La transductance (sa valeur moyenne est 19 A/V, son minimum est 13 A/V),
mesurée à un courant drain d’intensité 17 A.
Capacités internes :
• 2600 pF : capacité d’entrée entre gate et les autres électrodes.
• 150 pF : capacité de réaction entre drain et gate.
VGS = Seuil : tension nominale de 5V pour laquelle le transistor entre en conduction.
RDON : Résistance de conduction ou de saturation, sa valeur maximale est : 0.09 Ω,

mesurée à un courant drain d’intensité 17 A.
VDSM : Tension maximale entre drain et source égale à 200V.
IDM : Intensité maximale de drain égale à 17A.
PDM : Puissance maximale de dissipation égale à 180W à 25 °C.
Le boîtier du transistor est du type TOP 3.
En comparaison avec les transistors bipolaires, les MOSFET ne sont commandés que
par une tension, ne nécessitent qu’un courant très faible, surtout pour le IRFP 250 qui est à
grille isolée. Leur temps de commutation est faible (inférieur à 100 ns), ne nécessitent donc
pas des circuits d’aide de commutation. Cependant, ils présentent quelques inconvénients
dont :
39
• Le coût élevé,
• La capacité d’entrée (entre grille et les autres électrodes) limite les possibilités de
fonctionnement en fréquences élevées, (dans des gammes 2 à 3 fois plus grandes que celle du
transistor bipolaire).
III.3.1 Les commutateurs MOSFET IRFP 250
Les performances d’un convertisseur statique sont étroitement liées aux types de
commutateurs utilisés, qui doivent mettre en œuvre des composants optimisant les pertes en
commutation.
Comme il a été avancé, la technologie MOS offre des performances liées, à la vitesse
des commutations, à l’emballement thermique limité et à la faible puissance de commande.
1. Description et fonctionnement du MOSFET
Le symbole de base est celui de la figure III.7.a :
Figure III.7.a : Symbole du MOSFET Figure III.7.b : Protection électrostatique

à canal N. du MOSFET par diode Zener.
La grande majorité des dispositifs, (comme le représente la figure III.7.b), comporte

une diode Zener de protection électrostatique, limitant la tension VGS entre –0.6V et VZ soit :
-0.6V < VGS < VZ
avec VZ = 15V (en général).
La caractéristique de sortie du MOS est similaire à celle du transistor bipolaire, sauf

que sa conduction s’établit en tension . Donc pour des tensions différentes de VGS , le tracé de
ID en fonction de VDS est représenté par la figure III.8.
40
Figure III.8 Caractéristique ID = f(VDS) à VGS = constante

pour un transistor MOS
En dehors de la « zone ohmique », les caractéristiques sont des droites parallèles à

l’axe VDS .
Le courant de grille IG est toujours très faible (< 100 nA) dans les limites de
fonctionnements normales, c’est à dire :
-0.6 V< VGS < 15V.
2. Schéma équivalent en dynamique
Le schéma équivalent en dynamique, en fonctionnement normal, c’est à dire en

amplificateur des petits signaux est donné en figure III.9
CGD
. G
.D
VGS VDS
CGS
gVGS
Figure III.9. Schéma équivalent en dynamique du transistor MOS
La pente g est assez élevée elle est de l’ordre de 250 mA/V, mais les capacités
parasites le sont aussi : CGD ≈ 10 pF , CGS ≈ 50 pF.
41
3. Utilisation des MOSFET en commutation
a. Blocage
D’après les caractéristiques ID = f(VDS) à VGS constante, le transistor est bloqué pour
VGS = 0V. Dans ce cas son schéma équivalent est celui de la figure III.10.
Figure III.10 Schéma équivalent du MOSFET lorsqu’il est bloqué
b. Conduction
D’après les caractéristiques ID = f(VDS) à VGS constante, le transistor conduit lorsque

la tension VGS est fortement positive, pour le IRFP 250 (VGS ≈ 10 V) .
Dans ce cas le MOSFET est équivalent à la résistance Ron du canal (figure III.11).
Cette résistance est très faible, elle est de l’ordre de 2 Ω à 25°C.
Figure III.11 Circuit équivalent du MOSFET lorsqu’il est saturé
42
4. Temps de commutation
Les capacités CGS et CGD sont de valeurs élevées. Pour obtenir des temps de
commutation brefs, il est nécessaire d’attaquer la grille du MOSFET par un générateur de
tension possédant une résistance de sortie très faible, (de l’ordre de 50 Ω). Les
chronogrammes sont ceux de la figure III.12
Figure III.12 Temps de commutation du transistor MOSFET
III.3.2 Protection de la carte de puissance
Les MOSFET utilisés dans la carte de puissance de l’onduleur, peuvent faire circuler
dans leurs drains des courants qui risquent de dépasser 3A en pleine charge, et par conséquent
une bonne partie de la puissance dissipée par ces transistors se transforme en chaleur. Pour
permettre à ces composants de se débarrasser facilement de cette chaleur, on fixe un radiateur,
par l’intermédiaire de plaquettes d’isolations, sur les différents boîtiers des MOSFET.
Le réseau conventionnel d’aide à la commutation est présenté dans la figure III.13.
43
Figure III.13 : Circuit d’aide à la commutation
Principe de fonctionnement :
A l’état bloqué, le condensateur assure une mise en forme capacitive de la charge, ce

qui limite l’augmentation de VDS jusqu'à ce que le transistor soit complètement bloqué
(courant de drain Ids sensiblement nul et VDS = Vcc ), minimisant ainsi la dissipation de la
puissance à l’extinction.
Le condensateur doit obligatoirement se décharger à travers Rd , avant une nouvelle

ouverture du transistor. Toutefois, lors de la mise en conduction, l’impédance de Rd doit être
assez élevée pour limiter le courant de drain IDS jusqu’à ce que VDS soit tombée à 0V, ce qui
limite la dissipation de puissance durant la conduction.
III.4. Régulation de la tension de sortie de l'onduleur [14]
Pour obtenir en sortie une tension stable fixée sur la valeur de 220V, il est nécessaire
d'ajouter à cet onduleur un circuit de contrôle qui corrigera automatiquement toutes les
fluctuations de tension.
44
Sur la figure III.14, la tension de sortie 220V - 50Hz, prélevée du transformateur

élévateur est directement utilisable sur la prise de sortie. Cette tension est également
appliquée sur le primaire du transformateur référencé Tr. Le secondaire de ce transformateur
fournit une tension de 8V - 50Hz, qui, traitée par le pont de diodes PD, permet d'obtenir une
tension redressée non filtrée de 100Hz, dont l'amplitude est proportionnelle à la tension
appliquée sur le primaire.
Batterie
+
-
K2 Prise
1 MOSFET N 50 ohms
3 K1 MOSFET N d'utilisation
2 50 ohms
NAND1 Tr.Elvateur 220V
~
Portes NANDS 4093 K'2
1 50 ohms
MOSFET N K'1
3
2 MOSFET N
50 ohms
NAND2
Vcc
Signal M.L.I
~
.16
1
15
2 3
14 13
TL 494
4
12
5
11
6 7
10
8
9
+ PD -
8V
~
Tr
220V
~
~
Signal de contrôle L'ajustable
varible
Figure III.14. Circuit de régulation de la tension de sortie de l’onduleur
En ajustant d'une extrémité à l'autre le curseur de l'ajustable présent sur la sortie du

pont PD, on peut faire varier la tension de sortie du transformateur élévateur d'un minimum
d'environ 160V, jusqu'à un maximum d'environ 300V.
Le signal redressé est appliqué au circuit modulateur TL494 par la broche 1, il permet
de stabiliser la tension de sortie de l'onduleur à 220V.
45
Conclusion
L’essor de la modulation de largeur d’impulsions est lié aux progrès sur les semi-
conducteurs de puissance. L’augmentation des nombres de commutations entraînerait des
pertes excessives si on n’avait pas réussi à réduire les pertes à chacune des commutations.
Le plus souvent on détermine en temps réel les instants de fermeture et d’ouverture

des « interrupteurs » à l’aide d’une électronique de commande analogique ou numérique.
Généralement, les bras d’onduleur utilisés dans pratiquement toutes les alimentations
ininterruptibles, sont dotés de composants de puissance, soit à base de transistors bipolaires
soit de transistors MOS. Dans les deux cas, il est indispensable de les protéger contre les
courants forts générés par la source de tension continue.
46
CHAPITRE IV : CHARGEUR DE BATTERIE
CHAPITRE IV
CHARGEUR DE BATTERIE
IV.1 Introduction
La batterie d’accumulateurs est un élément indispensable pour le fonctionnement de

l’onduleur, elle représente la source de l’énergie continue qu’il faut convertir en énergie
alternative.
Pour augmenter la durée de vie de la batterie et assurer l’autonomie de l’onduleur en

cas de coupure de courant, on maintient la charge avec un courant constant tout en veillant à
protéger la batterie contre les surtensions et les surintensités.
Dans le schéma synoptique du chargeur de batterie, représenté par la figure IV.1, les
blocs de détection des surintensités, de régulation et du contrôle automatique de la charge de
la batterie, commandent à tout moment un thyristor TYN 112, jouant le rôle de commutateur
de charge, de manière à assurer :
• La charge de la batterie à tension et intensité constantes,
• La régulation de l’intensité de charge,
• L’arrêt et reprise automatique de la charge,
• La protection de l’ensemble contre les surintensités.
47
Thyristor
.
Secteur
Ic
.+
~.
220V Transformateur TH Shunt
Redresseur Batterie
. . -
Alimentation
annexe
Commande du
thyristor
Détection de Régulation du Contrôle automatique

surintensité courant Arrêt / Reprise de charge
Consigne
Figure IV.1. Schéma synoptique du chargeur de batterie
IV.2. Circuit de commande et de contrôle du chargeur de batterie [15]
Il s’agit de réaliser un générateur d’impulsions pour la commande du thyristor. Ce

générateur schématisé par la figure IV.2, est formé de plusieurs étages, et doit produire un
train d’impulsions variables en position.
48
+Vcc
Ve(t) Vs1(t)
7
3
Secteur Filtre + + 6
220V - 50Hz Déphaseur 2 Dérivateur
- Vs2(t) Vs3(t)
Transformateur
4
abaisseur Tension
consigne Vc
-Vcc
Montage de mise Vg
Monostable L'astable
Vs3(t) en forme Vers la gachette
du thyristor
Vs4(t) Vs5(t)
Figure IV.2. Montage de commande et de contrôle du chargeur de batterie
1. Filtre déphaseur [16]
Le réseau électrique présente des harmoniques autres que le fondamental (f0 = 50 Hz).
On propose (figure IV.3) un filtre passe-bas de fréquence de coupure 50 Hz, pour supprimer
tout harmonique autre que le fondamental.
+Vcc
15k R3 C2
100nF
R1 R2 4
Ve 3
- 1 Vs1
15k 15k 2 +
C1
0.47uF
11
-Vcc
π
Figure IV.3. Circuit du filtre et déphaseur de
2
Dimensionnement du filtre :
Le gain du circuit s’écrit :
VS1
G=
Ve
49
D’après la loi des nœuds, on a au pôle négatif de l’amplificateur :
(VC1 − V−) (V − V−
+ S1
) =0 (1)
R2 1
jC2 ω
avec ( j2 = -1 et ω : pulsation du signal Ve(t) ).
(Ve − VC1 ) - jC1ω. VC1 +

(V −
)
− VC1 (V − VC1 ) = 0
+ S1 (2)
R1 R2 R3
V- = V+ = 0V
Les équations (1) et (2) deviennent :
(VC1 ) + (VS1 ) =0 (3)

R2 1
jC 2 ω
(Ve − VC1 ) - jC1ω. VC1 +

(− VC1 ) + (VS1 − VC1 ) =0 (4)
R1 R2 R3
A partir de l’équation (3) : VC1 = -jC2ωR2VS1 .
(4) est équivalente à :
Ve V  1 1 1 
+ S1 - VC1  + + + jC1ω  = 0 (5)
R1 R3  R1 R 2 R 3 
Remplaçons l’expression de VC1 dans l’équation (5) :
Ve V  1 1 1 
+ S1 + jC2ωR2VS1  + + + jC1 ω  = 0
R1 R3  R1 R 2 R 3 
Ve V  1 1 1 
+ S1 + jC2ωR2VS1  + +  - VS1C1C2R2ω2 = 0
R1 R3  R1 R 2 R 3 
Ve  1  1 1 1 
= VS1 C1C2 R 2 ω2 − − jC2 R 2ω + +   ,
R1  R3 R
 1 R 2 R 3  
50
donc l’expression du gain :

1
G =
R1  1 1 1 
C1C2 R 1R 2ω2 − − jC2 R 2 R1ω + + 
R3 R
 1 R 2 R 3 
avec
R1 = R2 = R3 = R = 15 kΩ et C1 = 0.47µF , C2 = 100nF.
G devient :
1
G =
C1C2 R ω − 1 − jC2 3R ω
2 2
ω = 2πf , avec f : fréquence du secteur égale à 50 Hz, on a :

C1C2R2ω2 = 0.47 × 10-6 × 100 × 10-9 × 152 × 106 (2.π× 50)2 = 10426527 × 10-7 ≈ 1
j
⇒ G ≈ : gain dont la partie réelle est nulle, donc le déphasage entre
3RC 2 ω
π
l’entrée et la sortie du filtre est égale à , rendant ainsi la commande linéaire avec l’angle
2
d’amorçage du thyristor, comme le montre la figure IV.4
Figure IV.4. Chronogramme d’amorçage du thyristor
51
Aussi à la fréquence du secteur le module du gain est :
1
G= soit 75%.
3 × 15 × 10 × 100 × 10 − 9 × 2 × π × 50
3
2. Comparateur
Le comparateur permet d’obtenir un signal rectangulaire ± Vsat . La période du signal

de sortie VS2(t) et l’angle d’amorçage du thyristor sont fonction de la consigne VC
conformément à la figure IV.5
+Vcc
Vs1 R1
4
3
100k +
1
2 Vs2
-
Vc 100k
11
R2
-Vcc
Figure IV.5. Circuit du comparateur à ampli opérationnel
Les diodes sont utilisées pour protéger l’amplificateur contre toute surtension, les
résistances compensent l’effet de l’offset.
3. Dérivateur
Le dérivateur représenté par la figure IV.6, permet de délivrer des impulsions à fronts
Vcc
descendants et franchissants pour pouvoir enclencher le monostable à base du circuit
3
intégré NE555.
Vs3
C
Vs2 Vs3
Vcc
R D
Vcc
t
Figure IV.6. Circuit dérivateur et chronogramme de ses impulsions
52
La diode D permet d’éliminer les impulsions à fronts montants.
En raison de l’importance de la durée de l’impulsion, la constante de temps τ = RC

doit être la plus faible possible.
Sachant que le NE555 utilisé a un temps de montée de l’ordre de 0.3 µs, on prendra
τ = 0.27 ms largement supérieur à 0.3 µs.
4. Montage monostable [17]
L’impulsion de commande doit satisfaire deux conditions :
• Une amplitude suffisante,
• Une durée suffisante pour amorcer le thyristor.
On utilise pour cela ( figure IV.7) le NE555 monté en monostable.
Le thyristor utilisé TYN 112 a une durée minimale d’impulsion de 6 µs

(une percussion de durée inférieure à 6µs enclenche très difficilement le thyristor).
Dans notre réalisation, on enclenchera le thyristor par un train VS3 d’une trentaine
d’impulsions, mises en forme, de durée 15µs, pour être sûr de son amorçage.
VCC
8
4
Vs3 R
R
2 3 Vs4 4.5k
TR Q
NE555 7
DIS
5 6
CV THR
10 nF
1 C
0.22uF
Figure IV.7 Schéma du monostable
La constante de temps du monostable est : Tm = RC.Log3.
53
On prendra Tm = 1ms, représentant l’enveloppe du train d’impulsants servant à

amorcer le thyristor. Donc les valeurs dimensionnées de R et C seront :
R = 4.5 kΩ et C = 0.22 µF.
L’impulsion de durée 1ms, générée par le monostable sert, en fait, comme signal RAZ
(remise à zéro) du montage astable a fin de délivrer ou non les impulsions de déclenchement
du thyristor. Nous proposons donc un montage astable à base de circuit intégré NE555,
schématisé par la figure IV.8 et délivrant des impulsions de période 15 µs, adéquates pour
l’amorçage du thyristor.
5. Montage astable [18]
Avec les valeurs R1, R2 égales à 22 kΩ et C égale à 1 nF, on obtient à la sortie VS5 de
l’astable un signal numérique de période :
T = 2.RC.Log2, R = R1 = R2.
Vcc
Vs4
8
4
Vs5
R
2 3 R1
TR Q 22k
NE555 DIS 7
5 6
CV THR
1 R2
22k D
10 nF
C
1nF
Figure IV.8. Schéma du montage astable
T = 2 × 22 × 10 −6 × Log 2 ≈ 30µs .
Donc, pendant une durée du monostable de 1ms, nous avons pour conduire le thyristor
une trentaine d’impulsions de durée 15 µs.
Résultats obtenus Les signaux obtenus VS1, VS2, VS3, VS4 et VS5 des différents étages
du circuit de commande et de contrôle du thyristor (figure IV.2, paragraphe IV.2, page : 49),
sont conformes au calcul théorique.
54
Figure IV.9. Signaux des différents étages de la commande Arccos
55
6. Circuit d’isolation [2]
L’étage de mise en forme et d’isolation remplit deux fonctions :
• L’amplification,
• L’isolement.
L’amplification est réalisée, comme l’illustre la figure IV.10, par un transistor

fonctionnant en régime de commutation.
L’isolement est réalisé par un transformateur d’impulsion IT 235 dont la condition de

non saturation est donnée par :
E × T < ( VT)max où :
E : Amplitude de l’impulsion,
T : Durée de l’impulsion.
Pour le IT235, (VT)max = 300 V.µs et E = 5V, Tmax = 60µs
Le transistor utilisé est le 2N1711. La résistance Rb est calculée pour assurer la

saturation du transistor sans le sursaturer (afin d’assurer son blocage).
E = 5V
Dz D'
27 ohm
8.2V IT235 G
R'
R 3.9k R''
D
K
Vb Rb
2N1711
1k
Figure IV.10 Schéma du montage de l’isolation galvanique
56
I c max
Le courant de base de saturation étant Ib = , or Icmax = 600 mA et βmin = 100,
β min
donc Ib = 6mA.
De plus Vb = RbIb + Vbe ( Vb est de l’ordre de 6V et Vbe ≈ 0.6V), on dimensionne

alors Rb à 1kΩ.
La diode Zener n’intervient que lorsque le transistor est bloqué. Le relais est assuré par
la diode de roue libre. Elle sert à récupérer l’énergie emmagasinée dans le circuit magnétique
lors de la conduction du transistor.
Pour dimensionner cette diode Zener, il faut tenir compte de deux contraintes :
- Le temps de décharge du circuit magnétique doit être inférieur au temps de conduction, soit
Vz > 5V.
- VCE < VCemax qui donne Vz < 50V.
On choisit donc une diode Zener de tension Vz = 8.2V.
La diode D’ est choisie pour assurer un courant de gâchette positif. La résistance R’’
sert à assurer l’amorçage certain du thyristor.
Le courant de gâchette est estimé à 200 mA ce qui donne R’ = 27Ω.
Quant au choix de la résistance R’’, elle doit permettre une tension VGK supérieure à
VGkmin , or VGkmin = 3V, on aura R’’ de l’ordre de 3.9kΩ.
La résistance R est utile lorsque le courant secondaire a tendance à être négatif.
En plus de l’isolement de la carte de commande du circuit de puissance, la

surveillance de la surtension ou la sous-tension de la batterie s’avère très importante. On
utilise pour cela le montage de la figure IV.11.
57
IV.3 Arrêt et reprise automatique de charge [19]
Le circuit de la figure IV.11 assure l’arrêt et la reprise automatique de la charge de la

batterie, il est réalisé à l’aide d’un Trigger qui agit sur la commande du thyristor lorsque la
tension de la batterie n’est plus comprise entre 10V et 12V.
100k
Vcc
Vref fixe les seuils de
P charge de la batterie
R5 5.7k Vers la commande

D du thyristor
R4 1 2
VIN LM7809 VOUT
+Vcc 75k b
GND
R6
Tension aux bornes
de la batterie 470
7
3
3 R3
+ 6 LED
E R1 2 C0 10nF 10nF C0
- Vs 4.7k
12k
4
R2 12k
-Vcc
Figure IV.11 Circuit de surveillance de la tension de charge de la batterie
Si la tension de la source continue chute à 85%, il faut agir sur la commande du

thyristor.
Principe de fonctionnement du montage :
E
• Si VS = +Vcc ⇔ V+ >
2
R5 R4
Avec V+ = Vcc + Vref = Vb1
R5 + R4 R4 + R5
- seuil maximal de charge de la batterie, répondant au cycle décrit par la courbe de la figure
IV.12.a :
58
Vs
+Vcc
0 Vb1
Tension limite E/2
maximale
-Vcc
Si Vb > Vb1 : il ya arrêt de la charge de la batterie
Figure IV.12.a : Seuil de charge maximale de la batterie
E
• Si VS = -Vcc ⇔ V+ <
2
avec
− R5 R4
V+ = Vcc + Vref = Vb2
R5 + R4 R4 + R5
- seuil minimal de décharge de la batterie décrit par le cycle illustré sur la figure IV.12.b :
Vs
+Vcc
0 Vb2
Tension limite E/2
minimale
-Vcc ....
Si Vb < Vb2 : il ya revalidation de la charge de la batterie
Figure IV.12.b : Seuil de décharge minimale de la batterie
59
On agit sur le potentiomètre P de telle sorte à avoir :
Vb1 =14V et Vb2 = 10V.
Lorsque la batterie se charge, la tension de sortie Vs du comparateur est égale à (+Vcc).

Une fois la charge est à la limite maximale Vb1 , Vs chute à (-Vcc) et correspondant à un
niveau logique bas (0V) sur la sortie b du régulateur intégré LM 7809, ce qui permet au
circuit de contrôle de la batterie d’inhiber les impulsions de déclenchement du thyristor et
arrêter la charge de la batterie.
En sens inverse, lors de la coupure du secteur, la batterie se décharge, donc la tension

Vs est égale à (-Vcc), mais une fois la tension de charge atteint le seuil minimal Vb2, Vs
commute à (+Vcc) pour valider à nouveau la recharge de la batterie, que l’on peut décrire à
l’aide du cycle d’Hystérésis du Trigger représenté par la figure IV.12.c :
Vs
+Vcc
V
0 Vb2 Vb1
E/2
-Vcc ........
V
Figure IV.12.c : Cycle de l’arrêt et reprise de charge de la batterie
IV.4 Protection de la batterie contre les surintensités [20]
Le principe d’une telle protection consiste à comparer le courant qui traverse la

batterie, prélevé par un shunt (sur la figure IV.1, il est monté en série avec la batterie), au
courant maximal à ne pas dépasser.
Dans la figure IV.13, la bascule J-K est montée en commutation (ses entrées J et K
sont à 1 logique, elles sont reliées à Vcc), le potentiomètre Pb fixe l’image en tension du
courant maximal de charge..
60
+Vcc
7
Vcc Vers la com m ande du thyristor
7
6 1
S
Vs h 3 J Q a
+ 6 Vs R1 3 4027
2 CLK R6
- 10K
Vcc 5 2 470
K Q
R
Vcc
4
100k LED
4
P
-Vcc B.P Vcc
D
P:fixe la limite du 10K
courant de charge
Figure IV.13 Circuit de protection de la batterie contre les surintensités
En charge normale de la batterie :
V+ < V- ⇒ VS = -Vcc .
Cette tension est écrêtée par la diode D, la bascule reçoit alors à l’entrée de son
horloge un niveau 0 logique.
Lorsqu’il y a surcharge de la batterie, V+ > V- ⇒ VS = +Vcc , la bascule reçoit un

front montant d’horloge, sa sortie commutera alors à 1 logique, indiquant qu’une surintensité
a eu lieu.
IV.5 Régulation de l’intensité de charge [21]
Elle consiste à maintenir constante l’intensité de charge de la batterie et ce, en

augmentant ou en diminuant l’angle d’amorçage du thyristor.
Le circuit d’une telle régulation est représenté par la figure IV.14 où le réseau R1C et
l’amplificateur A.I ne font que filtrer la tension Vsh image du courant de la batterie
d’éventuelles ondulations parasites.
61
470k
+Vcc +Vcc R5
7
7
3
Vs h R1 3 + 6
Vc
+ 6 Ve R4 2 A.II
c
100k 2 A.I -
Vers le comparateur du
- 100k
C R7 circuit de commande
4
100nF -Vcc
4
-Vcc 100k
R3
R6 470k
12k Vcons
12k R2
P = 50k
-Vcc +Vcc
Figure IV.14 Circuit de régulation de l’intensité de charge
Les expressions de l’amplificateur AII sont définies par :
R6 R4 R5
V+ = Vcons et V- = Vc + Ve
R6 + R7 R4 + R5 R4 + R5
V + = V -

R 5 = R 6 ⇔ Vc =
R6
(Vcons − Ve ) (IV.1)
R = R R7
 4 7
- Ve est la tension image du courant traversant la batterie.
- Vcons est la tension de référence qui fixe le moment d’amorçage du thyristor, ce

qui fixe le courant à ne pas dépasser lors de la charge de la batterie.
Si la tension E aux bornes de la batterie augmente, le courant de charge diminue, donc

la tension Ve diminue et par conséquent la tension Vc augmente suivant l’expression (IV.1).
Sur la figure IV.2 (paragraphe IV.2), Vc étant reliée à l’entrée inverseur du

comparateur, donc son augmentation entraîne (d’après la figure IV.4) une diminution de
l’angle d’amorçage ψ du thyristor, ce qui augmente le courant de charge de la batterie.
62
Dans le cas contraire :
E diminue ⇒ Ic : courant de charge augmente ⇒ Ve augmente ⇒ Vc diminue
⇒ ψ augmente ⇒ Ic diminue.
Finalement, on maintient avec le circuit de la figure IV.14 le courant de charge à une

valeur régulée constante dont la valeur nominale est celle générée par le circuit redresseur.
IV.6 Circuit de liaison des étages de commande du thyristor [22]
D’après le schéma synoptique de la figure IV.1, la commande du thyristor reçoit trois

signaux :
• Signal de détection de surintensité (a), représenté dans la figure IV.13 par la sortie de
la bascule J-K 4027 qui est donc un signal logique.
• Signal d’arrêt et reprise automatique de charge de la batterie, qui est une tension
logique (b), issue de la sortie du régulateur LM7809 de la figure IV.11.
• Signal de régulation de l’intensité de charge (c), généré par la sortie du montage de la

figure IV.14. Un tel signal analogique agit directement sur l’entrée de référence du
comparateur de la commande, ceci pour augmenter ou diminuer l’angle d’amorçage du
thyristor.
Le circuit de liaison entre ceux de détection de surintensité, d’arrêt et reprise de charge

de la batterie et le montage de commande du thyristor n’utilise que des portes logiques car ses
entrées sont des signaux numériques a et b.
Dans la figure IV.15, le circuit logique à base de portes Nand est validé par la sortie
du monostable, agit par la suite sur la patte 4 de l’astable à base de NE 555 qui représente sa
remise à zéro. Ainsi suivant les valeurs de a et b, on obtient le tableau de fonctionnement
suivant :
63
Entrées Sortie
a b X Observations
0 0 0 Surtension de la batterie
0 1 1 Fonctionnement normal de la batterie
1 0 0 Surtension et Surintensité
1 1 0 Surintensité
Tableau IV.1. Table de vérité du circuit de liaison
La sortie X est donc exprimée d’après la deuxième forme canonique par :
X= ab
Ce signal X n’active l’astable que si le monostable génère un niveau haut, et par

conséquent la sortie du monostable représente l’enveloppe du train d’impulsions délivrées par
l’astable.
64
+Vcc
7
3 Vg
. Filtre + 6 Montage d'isolation
Secteur + Dérivateur Monostable L'astable galvanique
2
.
220V~ Déphaseur - Vers la gachette
du thyristor
4
M
-Vcc
1
Circuit de protection a 3
c contre les surintensités 2
Circuit de régulation
de l'intensité
de charge
- M 1
a 1 3
-b
a
3 2 -
Circuit de protection X = abM
contre les surtensions 2
b
Figure IV.15 Circuit logique de liaison entre les différents étage de la commande
65
Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons élaboré la technique de régulation pour maintenir le

courant de charge de la batterie constant.
Quant à la détection de fin de charge, elle est réalisée par comparaison de la tension
aux bornes de la batterie à une référence fixée au préalable. Ce même procédé est également
adopté pour protéger la batterie contre les surintensités, en comparant la tension image du
courant prélevé par le shunt à une référence fixe représentant la tension image du courant à ne
pas dépasser.
66
CHAPITRE V : ALIMENTATION SATIQUE ININTERRUPTIBLE NUMERISEE
CHAPITRE V
ALIMENTATION STATIQUE ININTERRUPTIBLE NUMERISEE
V.1 Introduction [23]
Les éléments constituant l’alimentation ininterruptible décrits dans tous les chapitres
précédents, sont à base de composants fonctionnant en régime linéaire ou en commutation.
Ces circuits utilisent des composants rendant l’alimentation très encombrante.
Cependant, le progrès acquis dans la technologie des semi-conducteurs, ainsi que le

besoin des industriels en système à microprocesseurs simplifiés, ont poussé les constructeurs
à mettre en œuvre des puces intégrées contenant en plus des mémoires mortes et vives, des
ports d’entrées/sorties et des convertisseurs analogiques/numériques….
Ainsi la vocation des microcontrôleurs réside dans leurs utilisations comme

microcalculateurs. Cependant l’architecture particulière des microcontrôleurs permet une
vitesse de calcul qui n’est pas ralentie par des accès mémoires comme c’est le cas dans les
systèmes à plusieurs circuits. En effet, il est par exemple possible d’accéder à la R.A.M
(mémoire vive) interne pendant une fraction de cycle machine (période de l’horloge du μp).
Notons que les microcontrôleurs incluent :
• Une unité centrale de traitement (CPU) à 8 bits.
• 1024 mots de 8 bits de mémoire ROM (mémoire morte).
• 64 mots de 8 bits de mémoires de données.
• Un compteur d’événements (timer – counter) à 8 bits
Le microcontrôleur utilisé dans notre application appartient à la famille HC11, soit le

68HC11F1, il présente beaucoup d’avantages par rapport à d’autres microcontrôleurs de la
même série, le 68HC11F1 est moins onéreux, plus performant, offre de nombreuses
67
possibilités, aussi bien dans la programmation en assembleur, que dans la richesse

d’utilisation de ses lignes d’entrées/sorties.
V.2 Ressources matérielles et logicielles du microcontrôleur 68HC11F1
V.2.1 Architecture et organisation du µC 68HC11F1
La majorité des 68HC11 adopte l’architecture interne, présentée par la figure V.1.
L’unité centrale se subdivise en trois blocs distincts dont la taille et la présence varient
selon les références du microcontrôleur. La RAM de 1 k.octet octets est toujours visible. La
ROM peut être présente ou absente. Lorsqu’il est présente, elle peut être de l’un des types :
• ROM programmable par masque, c’est à dire lors de la fabrication du circuit.
• EPROM programmable électriquement, et qui peut être non effaçable, elle s’appelle
alors OTPROM pour One Time PROM, c’est à dire ROM programmable une seule fois.
• UIVPROM programmable électriquement et effaçable aux ultraviolets.
Dans tous les cas, ces types de mémoires sont destinées au programme, par contre
l’EEPROM (mémoire programmable et effaçable électriquement) est destinée aux données.
68
Figure V.1 Synoptique interne du 68HC11
L’unité centrale est également entourée d’un certain nombre de ports parallèles
nommés port A à port E, qui peuvent, être selon les cas, bidirectionnels ou unidirectionnels.
certains de ces ports sont partagés avec d’autres ressources internes et ne sont donc pas
nécessairement directement accessibles. Ainsi le port E est commun avec le convertisseur
analogique/ numérique.
69
Des entrées/sorties sont disponibles et peuvent fonctionner en mode synchrone ou

asynchrone selon que l’on utilise la SPI ou la SCI.
Un Timer est également disponible, il comporte plusieurs timers très évolués, un

accumulateur d’impulsions, une horloge temps réel et un « chien de garde » ou COP (pour
Computer Operating Properly), destiné à surveiller le fonctionnement du microcontrôleur.
Un convertisseur analogique/digital à huit entrées, complète cette structure de

ressources internes.
Toute la logique nécessaire, aussi bien au traitement des interruptions qu’à la

génération de l’horloge est intégrée dans le 68HC11 dont la mise en œuvre matérielle est fort
simple puisque, dans de nombreux cas, un quartz et une cellule R-C pour le Reset sont les
seuls composants externes indispensables pour le pilotage de cette logique.
V.2.2 Principe de fonctionnement et mode d’adressage du 68HC11F1
L’unité centrale est constituée comme le montre la figure V.2 d’un ensemble de
registres de 8 bits ou de 16 bits, remplissant chacun des fonctions bien spécifiques.
• A.L.U (Unité Arithmétique et Logique) permet d’assurer les fonctions suivantes :
- Addition et soustraction avec ou sans retenue,
- Multiplication et division,
- Fonctions logiques (ET, OU, ….etc),
- Incrémentation et décrementation,
- Complémentarité binaire,
- Rotation gauche et droite,
- Saut conditionnel,
L’ensemble des instructions du HC11 se traite en temps réel et manipule trois

variables : booléenne (1 bit), octet (8 bits) et mot de 16 bits.
70
7 A 0 7 B 0 Accumulateurs 8 bits A et B
15 D 0 ou Accumulateur 16 bits D
15 IX 0 Registre d'index X
15 IY 0 Registre d'index Y
15 SP 0 Pointeur de Pile SP
15 PC 0 Compteur de Programme PC
7 0
U A L
S X H I N Z V C Registre d'état ou CCR
Retenue (carry)
Débordement (Overflow)
L'unité arithmétique et
logique Zéro
Négatif
Masque d'interruption IRQ
Demi-Retenue (Half Carry)
Masque d'interruption XIRQ
Interdiction du mode Stop
Figure V.2 Structure interne de l’unité centrale du 68HC11F1
• Les accumulateurs A et B sont des registres de 8 bits dans lesquels se réalisent toutes
les opérations arithmétiques et logiques, et peuvent être utilisés de façon totalement
indépendante l’un de l’autre, comme ils peuvent être concaténés pour former un seul
accumulateur D (pour Double accumulateur) de 16 bits supportant des opérations sur 2 octets
avec A l’octet de poids fort et B celui de poids faible.
• Les registres X et Y servent de registres d’index pour adresser la mémoire, ils sont de
16 bits puisque la capacité d’adressage du 68HC11 est de 16 lignes d’adresses qui
correspondent à 65536 octets, mais pouvant aussi servir de registres à usage général lorsque
l’adressage indexé n’est pas utilisé.
• Un pointeur de pile SP : la pile est la zone mémoire particulière, utilisée pour stocker
des données importantes pour une exécution futur du programme. Ce pointeur doit être
initialisé en haut de la RAM disponible. Le 68HC11 gère automatiquement ce registre, c’est à
71
dire qu’en cas d’appel de sous-programme ou d’interruption, il recharge sur la pile le contenu
de certains registres internes et décrémente le registre SP d’autant d’unités que nécessaires.
Réciproquement, au retour de sous-programme ou d’interruption, il recharge les registres
internes qui avaient été sauvegardés avec leurs contenus repris sur la pile, et incrémente le
registre SP d’autant d’unités que nécessaires.
• Le registre PC ou Program Counter (compteur ordinal), pointe sur l’adresse de la

prochaine instruction à exécuter, sa taille est donc nécessairement de 16 bits pour pouvoir
accéder à tout l’espace mémoire adressable.
• Le registre CCR (Condition Code Register) : c’est un registre d’état indiquant par ses
8 bits l’état des opérations effectuées par le processeur. Chacun de ses bits a une signification
particulière :
- Le bit C est mis à 1 lorsqu’une opération a donné lieu à une retenue.
- Le bit V est mis à 1 s’il y a débordement de l’accumulateur par une opération

arithmétique.
- Le bit Z est égale à 1 lorsque le résultat de l’instruction exécutée est nul.
- Le bit N est égale à 1 lorsque le résultat de la dernière opération arithmétique

effectuée est négatif.
- Le bit I masque, lorsqu’il est à 1, toute interruption provoquée sur la ligne IRQ .
- Le bit H (half carry) est positionnée à 1 lors d’une retenue entre les bits 3 et 4
d’une opération arithmétique.
- Le bit X, lorsqu’il est à 1, masque les interruptions susceptibles d’être appliquées

sur la ligne XIRQ .
- Le bit S pour Stop disable permet, lorsqu’il est mis à 1 d’interdire l’exécution de
l’instruction STOP. Celle-ci est alors considérée par le 68HC11 comme un simple NOP
(No Operation).
72
Les ports entrées/sorties
Le 68HC11 comporte des ports unidirectionnels ou bidirectionnels, ces derniers

sont munis de registres de directions DDR (Data Direction Register), spécifiant le sens (entrée
ou sortie) configuré du port.
Ainsi pour mettre une ligne i d’un port α en entrée, respectivement en sortie, il
faut positionner son bit approprié DDRαi à 0, respectivement à 1, i = 0, 2, …,7 et α = A, B,
C, D, E « F et G pour le 68HC11F1 ».
Le convertisseur analogique/numérique [24]
Il correspond au port E, il est précédé d’un multiplexeur à 8 entrées et utilise le

principe des approximations successive et à transfert de charge dans la conversion.
Dans le schéma de la figure V.1, les tension VrefH et VrefL représentent respectivement
la tension de référence haute et basse du convertisseur, ainsi VrefH correspondra à l’équivalent
de la valeur binaire (11111111)2 introduite dans les lignes (PE7PE6…PE0) et VrefL serait
l’équivalent de la valeur (00000000)2. On prendra, ce qui est généralement le plus pratique,
VrefH égale à la tension d’alimentation du microcontrôleur Vdd soit 5V et VrefL égale à Vss soit
0V.
Le convertisseur est contrôlé par deux registres, le registre OPTION et le registre
ADCTL.
ADPU CSEL - - - - - - OPTION
CCF 0 SCAN MULT CD CC CB CA ADCTL
Le bit CSEL (Clock SELect) du registre OPTION sert à sélectionner le type d’horloge
utilisé pour la conversion, il doit être mis à 1 lorsque l’horloge E est très lente, inférieure à
750 kHz, par contre pour un fonctionnement optimal du convertisseur à la fréquence du
quartz, soit 2 MHz, ce bit doit être mis à 0.
73
Le bit ADPU pour AD Power Up, sert à alimenter le circuit de pompe de charge qui
alimente le convertisseur s’il est mis à 1. Lorsqu’il est à 0, le convertisseur est considéré
comme étant inactif.
Les 6 autres bits du registre OPTION servent à d’autres configurations du

microcontrôleur.
Le deuxième registre de contrôle ADCTL (AD ConTroL) est un registre propre au

convertisseur.
Les 4 premiers bits CA, CB, CC et CD sélectionnent l’entrée ou les entrées du port E
que l’on souhaite convertir. Le tableau de la figure V.3 précise ces affectations ainsi le
registre utilisé pour stocker le résultat de la conversion correspondante.
CD CC CB CA ENTREE CHOISIE RESULTAT DANS
0 0 0 0 PE0 ADR1
0 0 0 1 PE1 ADR2
0 0 1 0 PE2 ADR3
0 0 1 1 PE3 ADR4
0 1 0 0 PE4 ADR1
0 1 0 1 PE5 ADR2
ADR
0 1 1 0 PE6 ADR3
0 1 1 1 PE7 ADR4
Figure V.3 Sélection des entrées et des registres résultats

au moyen des bits CA à CD du registre ADCTL
Les registres ADR1 à ADR4 (pour AD Result register) où le convertisseur stocke le

résultat de la conversion suivant l’entrée sélectionnée par CA à CB.
Le bit MULT (MULTiple channel), s’il est à 0, le convertisseur réalise quatre

conversions successives sur l’entrée spécifiée par les bits CA à CD et place le résultat dans le
registre résultat correspondant. Si ce bit est à 1, le convertisseur réalise une conversion sur
chaque entrée du groupe sélectionné par CD et CC, les bits CA et CB devenant sans
74
signification dans ce cas. Les résultats de ces quatre conversions sont placés dans les registres
de résultats correspondants conformément aux indications du tableau de la figure V.3.
Le bit SCAN (SCAN control), lorsque ce bit est à 0, les quatre conversions demandées
(sur la même entrée ou sur quatre entrées selon l’état du bit MULT) sont réalisées une seule
fois de façon à remplir les registres de résultats. Lorsque ce bit est à 1 les conversions
demandées ont lieu en continu et les registres de résultats sont donc actualisés régulièrement.
Le procédé d’actualisation de ces registres est tel que la lecture de leur contenu est toujours
exacte car l’actualisation intervient toujours hors des phases de lecture des registres par l’unité
centrale.
Le bit CCF pour Conversion Complete Flag n’est pas un bit de contrôle comme les
précédents, mais un bit d’état. Il est mis à 1 lorsque les quatre conversions ont lieu au moins
une fois. Pour mettre ce bit à 0 ou pour interrompre une conversion en cours, il suffit d’écrire
dans ce registre ADCTL.
Comme on vient de constater, l’utilisation de ce convertisseur reste relativement

simple par rapport aux convertisseurs utilisant des circuits intégrés et pilotés par des horloges
externes. Le chronogramme de la figure V.4 montre qu’après 32 cycles d’horloge (soit 16 µs
pour un quartz de 8 MHz). Ces séquences de conversions se répètent quatre fois si le bit
MULT est mis à 1.
75
Figure V.4 Chronogramme d’une séquence de conversion
Le courant de charge de la batterie de l’alimentation étant pratiquement de l’ordre de

1A. Pour maintenir cette valeur constante, il faut que sa tension image Vsh soit constante, et
par conséquent l’équivalent numérique VN de Vsh doit être maintenu constant par le
microcontrôleur, d’où la nécessité de la conversion analogique/numérique dans notre
application. Ainsi, on choisira, comme indiqué sur la figure V.5, la ligne PE0 du port E pour
la conversion de l’image du courant de charge et la ligne PE1 pour la conversion de la tension
aux bornes de la batterie.
Avec VrefL égale 0V, VrefH égale à VDD soit 5V (tension pleine échelle du
convertisseur) et en règle générale la résolution ou le pas du convertisseur est défini par :
Tension.Pleine.Echelle
δ= où n : le nombre de bits du convertisseur.
2n − 1
VDD = 5V
 ⇒ δ = 19.6 mV
n = 8
Donc l’équivalent du courant de charge que doit réguler le microcontrôleur correspond

3
à la valeur convertie de 3V soit ≈ 153 = (10011001)2 comme valeur numérique.
19.6.10 − 3
76
K1
VDD
4.7k
18 pF 18 pF
10 M 4.7k
ohms
Q +
1uF Batterie
Vb
PE1
+ -
10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61 60
MOMO Vs VR
DADB s H
Vsh
11 PE0 59
12 58
13 57
14 56 Shunt
15 55 (1 ohm)
16 54
17 53
Reset
18
19
68HC11F1 52
51
IRQ
20 PB0 50
21 49
22 48
23 47
24 46
25 PD PD 45
VD
26 0 1 D 44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
Figure V.5 Le port E reçoit deux signaux à convertir
Donnons par exemple l’algorithme permettant de convertir la tension Vsh, image du

courant de charge et de délivrer le résultat de la conversion sur le Port C. [25]
Le Port C étant configuré en sortie, le microcontrôleur recevra donc la tension Vsh sur
la ligne PE0 du Port E, testera le bit de fin de conversion CCF du registre ADCTL, une fois ce
bit est mis à 1, la conversion est terminée, le microcontrôleur doit transférer le résultat de la
conversion du registre ADR choisi au Port C.
Chaque registre d’état ou de contrôle et les différents ports du µC ont des adresses
bien spécifiques dans la mémoire. Dans cet exemple, on utilisera les adresses des registres et
des ports suivants :
Registres ou Port Adresse dans la mémoire

Port C $1006
DDRC $1007
Port E $100A
ADCTL $1030
ADR1 $1031
OPTION $1039
Figure V.6 Adresses du port et des registres de contrôle du convertisseur
77
Début
Port C EQU $06

Configuration du DDRC EQU $07
convertisseur et du
Port E EQU $0A
Port C
ADCTL EQU $30
ADR1 EQU $31
OPTION EQU $39
Sélection de
ligne PE0 ORG $FE00
LDS #$03FF
LDX #$1000
LDAA #$FF
STAA DDRC, X
Conversion Début BSET OPTION, X, #$80
terminée ? LDAA #%00100000
STAA ADCTL, X
Non Loop LDAA ADCTL, X
ANDA #%10000000
BNE Loop
LDAB ADR1, X
Mettre la valeur
Convertie dans STAB Port C, X
le Port C JMP Début
END
Figure V.7 Organigramme et programme assembleur de la

conversion analogique/numérique
Mode d’adressage du 68HC11F1 [26]
Le 68HC11 dispose de 6 modes d’adressages différents dans un espace mémoire

commençant à l’adresse $0000 et s’étendant jusqu’à l’adresse $FFFF.
Les registres des ressources internes sont considérés comme des emplacements
mémoires « normaux » et sont accessibles à n’importe quel moment par le µC.
Dans le programme illustré par la figure V.7, on peut remarquer l’utilisation de trois
modes d’adressage différents : l’immédiat, l’indexé et le relatif.
78
L’adressage immédiat :
Une instruction utilisant l’adressage immédiat est immédiatement suivie par la donnée
à manipuler, comme par exemple « LDS #$03FF », charge le registre S par la valeur $03FF.
La donnée manipulée dans ce mode d’adressage peut être de 8 ou de 16 bits.
L’adressage étendu :
Ce mode permet d’atteindre n’importe quelle adresse mémoire (codée sur 16 bits),
donc il peut fonctionner de l’adresse $0000 à $FFFF. Soit par exemple l’instruction
LDAA $1035, elle permet de charger l’accumulateur A par le contenu de la case mémoire
d’adresse $1035. C’est un mode qui occupe plus de cycles d’horloge que l’immédiat.
L’adressage indexé :
Dans ce mode, l’adresse effective est obtenue en ajoutant le contenu de l’index X ou Y

à l’octet qui suit le code de l’instruction.
LDX#$1000
Exemple :  ⇔ ( (X) + $25 ) → B , c’est à dire le contenu de
LDAB #$25
l’emplacement mémoire d’adresse $1025 est stocké dans le registre B.
L’adressage direct
Cet adressage ne peut fonctionner que sur les 256 premiers octets de l’espace
adressable du microcontrôleur, soit de l’adresse $00 à $FF. Donc du fait de son codage sur 8
bits, ce type d’adressage est moins encombrant que le mode étendu.
Ainsi l’instruction (LDAA $05), ne charge pas la valeur $05 dans l’accumulateur A,
mais charge A par le contenu de la case mémoire d’emplacement $0005.
L’adressage inhérent
Dans ce mode il n’y a pas en effet d’adresse effective car l’instruction concernée se
suffit à elle même et n’a pas besoin d’accéder à aucune donnée externe. Les instructions ci-
après donnent quelques exemples d’un tel adressage.
79
ABA ajoute A et B et place le résultat dans A.
INCA augmente le contenu de A d’une unité.
DEX diminue d’une unité le contenu de l’index X.
L’adressage relatif
Cet adressage n’est utilisé que pour les instructions de saut et de branchement. Il
occupe deux octets en mémoire, l’octet de code de l’instruction et l’octet de déplacement.
Dans le programme de la figure V.7, les instructions BNE Loop et JMP Début, sont
des exemples de mode d’adressage relatif qui ajoutent lors de leur exécution la valeur
courante du compteur ordinal PC au déplacement spécifié par l’instruction concernée.
L’adressage « bit » ou « manipulation de bit »
Ce mode d’adressage est particulier pour ce type de microcontrôleur que l’on ne

rencontre pas dans les microprocesseurs, il n’occupe que 7 cycles machines et exécute de
nombreuses fonctions à la fois. Il comporte en fait deux sous-modes.
• Mode positionnement de bit
L’instruction est suivie de deux informations et se présente sous forme :
INSTRUCTION OPERANDE MASQUE
Exemple : BCLR PORTB %00110001 positionne à 0 (à cause du BCLR) les bits 0,

4, et 5 du registre PORTB.
La définition de l’adresse de l’opérande peut être faite en adressage direct ou indexé,

tandis que le masque est toujours codé en immédiat (sans faire figurer le symbole dièse : #).
• Mode test de bit et branchement
Ce mode confère au 68HC11 une souplesse de test de bits individuels, il permet en

effet de tester n’importe quel bit contenu à une adresse spécifiée et, en fonction du résultat de
80
ce test, de décider de la poursuite du programme en séquence ou de saut à une adresse

déterminée. L’instruction se présente de la façon suivante :
INSTRUCTION OPERANDE MASQUE SAUT
Exemple : BRCLR ADCTL $80 BOUCLE teste le bit 7 (à cause du masque égale
à $80 soit (10000000)2 ) du registre ADCTL et cause un branchement à l’étiquette BOUCLE
si ce bit est nul (à cause du BRCLR). Cette seule instruction est l’équivalent des trois
instructions de la boucle (Loop) du programme de la figure V.7.
Ces différents modes d’adressages du 68HC11F1, adoptés dans tous les programmes
de notre application, que nous verrons dans les paragraphes suivants, sont riches en jeu
d’instructions rendent la programmation en assembleur très souple et occupent de moins en
moins d’emplacement mémoire.
V.2.3 Carte du programmateur du 68HC11F1 [27]
Les cartes numériques réalisées aussi bien pour le chargeur de batterie que la carte qui
génère les signaux MLI pour la commande des bras de l’onduleurs, sont commandées par le
microcontrôleur.
Illustrée par la figure V.8.a, la carte du programmateur du 68HC11F1 permet de

transférer tout programme écrit en assembleur (par un éditeur de texte) sur ordinateur vers
l’EEPROM du microcontrôleur, donc la réalisation de cette carte est indispensable pour notre
application afin de transférer le programme de la MLI et du chargeur de batterie dans la
mémoire du microcontrôleur.
Le logiciel qui fera le transfert étant le PCBUG11 et celui qui effectue la traduction
des mnémoniques en codes hexadécimaux est le ASMHC11.
Ainsi synoptiquement, on peut schématiser le principe de transfert du programme du

PC vers le microcontrôleur par la figure V.8.b.
81
22pF
22pF
10 Mohms
+5V
100nF
Q
EXTAL XTAL
22uF
C2+ C1+
RESET C1-
PO PD1 TX
C2-
Max
+5V IN1 232TX1
68HC11F1 RT PD0 RX IN2 TX2
OU1 RX1
D OU2 RX2
+5V Vcc CV- CV+
GND MODA MODB XIRQ
2: Ligne de réception pour le PC reliée avec TXD du MC.

3: Ligne d'émission pour le PC reliée avec RXD du MC.
4: Data Terminal Ready (DTR)
6: Data Set Ready (DSR)
4 et 6 sont court-circuitées.
7: Request to Send (RS)
82
ASMHC11 PCBUG11
Programme Codes Codes sur
assembleur Hexadécimaux EEPROM du µC
écrit sur PC
Conversion : Transfert des codes dans

Mnémoniques en Codes le µC
Figure V.8.b : Synoptique du transfert du programme assembleur [28]
Les liaisons séries asynchrones les plus répandues respectent encore aujourd’hui la
norme RS 232 et il est donc nécessaire de convertir les niveaux TTL fournis par le 68HC11
en niveau RS 232.
Ainsi dans la figure V.8.a, le circuit intégré MAX 232 inséré entre le microcontrôleur
et l’ordinateur ne fait que convertir les signaux logiques 12V et –12V (niveaux RS 232)
provenant du PC en signaux numériques 0V et 5V (niveaux TTL) pouvant être traités par le
microcontrôleur.
Inversement le MAX 232 convertit les niveaux (0V,5V) délivrés par le µC en signaux
(12V,-12V) que peut traiter l’ordinateur.
Le MAX 232 adapte donc dans les deux sens le transfert des données entre le PC et le
microcontrôleur.
Lors d’un Reset du circuit, les pattes MODA et MODB sont considérées comme des
entrées et permettent au 68HC11 de sélectionner l’un des quatre modes de fonctionnement du
circuit présenté dans le tableau de la figure V.9
Le programme, une fois écrit en assembleur, doit être converti en codes hexadécimaux
par un logiciel approprié tel que le ASMHC11 ou le AS11, il deviendra alors un fichier
d’extension S19 ( S1 étant le premier code du fichier et S9 le dernier).
83
MODA MODB MODE

0 0 Normal – Circuit seul
0 1 Normal – Etendu
1 0 Spécial – Bootsrap
1 1 Spécial – Test
Figure V.9 Configuration du 68HC11F1 en fonction

de MODA et MODB
Le 68HC11F1 est placé en mode Bootstrap, charge dans sa RAM ce qu’il reçoit sur sa
liaison série qui n’est autre qu’un programme prévu pour télécharger et programmer par la
suite l’EEPROM interne du 68HC11.
Lorsque ce programme est entièrement chargé dans la RAM du microcontrôleur, ce

dernier commence automatiquement à l’exécuter puisque c’est le principe du Bootstrap. Ce
programme demande alors, via le dialogue avec le PC les informations à programmer dans
l’EEPROM en respectant les étapes suivantes :
• Synchronisation du PCBUG11 avec la fréquence du quartz utilisée dans la carte. Le

Talker (sous-programme moniteur) est par la suite installé dans la R.A.M du µC à partir de
l’adresse $0000 à $00FF.
• Validation de la programmation en changeant le contenu de la case mémoire $1035

par la valeur $10 au lieu de $1F par la commande : >>MS $1035 $10.
• Configuration de l’EEPROM du µC 68HC11F1 par la commande :

>>EEPROM $FE00 $FFFF. Ceci efface le contenu de tout programme
préalablement chargé dans l’EEPROM.
• Chargement du fichier objet de l’application d’extension S19 par la commande :

>>LOADS « Nom-fichier ».S19 $FE00.
• Les codes du programme seront alors transférés dans l’EEPROM à partir de l’adresse
$FE00.
• L’exécution du programme se fait par la commande : >>G $FE00
84
• Le programme peut enfin être exécuté indépendamment du PC en shuntant les lignes

RXD et TXD du microcontrôleur, (c’est l’autonomie de fonctionnement du µC, l’une des
principales caractéristiques qui a donné l’essor abouti par le microcontrôleur actuellement).
[16]
V.3 Commande numérique du chargeur de batterie [29]
La commande numérique du chargeur de batterie permettra de simplifier, aussi bien le

circuit imprimé que le principe de fonctionnement de tout le système en respectant
fiablement, comme il a été avancé, les conditions de charge de la batterie :
- Charge à courant constant,
- Détection de l’arrêt et reprise de charge,
- Protection de la batterie contre les surcharges.
Dans le schéma synoptique de la figure V.10, le microcontrôleur reçoit sur sa ligne

d’interruption le passage à zéro de la tension du secteur, moment à partir du quel, il générera
sur une ligne de sortie de l’un de ses ports le train d’impulsions modulées en position afin de
charger convenablement la batterie.
Les signaux Vbat (tension aux bornes de la batterie) et Vsh (image du courant de
charge) sont convertis par le convertisseur du microcontrôleur et traités de façon à garantir les
contraintes de charge citées ci-dessus.
Le commutateur à base de thyristor est traversé par un courant fort, donc l’isolation de
sa gâchette avec le circuit de commande (tout comme dans le circuit analogique vu dans le
(§IV, figure IV.10) est indispensable pour éviter tout transfert d’énergie entre le circuit de
puissance et le circuit numérique de commande.
85
Courant de charge
Redresseur
Secteur
220 V
~ - + 2 3 Ic
Commutateur
Batterie
1
Vg
ISOLATION Shunt
Circuit de Vsh
détection de Interruption
passage à zéro Microcontrôleur
du secteur du micro.cont 68HC11F1 Vb Diviseur de Vbat
tension
Figure V.10 Synoptique du chargeur de batterie à commande numérique
V.3.1 Circuit complet de commande numérique du chargeur de batterie
Le montage de la figure V.11 représente le montage électronique réel qu’on a conçu et

réalisé pour charger la batterie de l’alimentation en toute sécurité.
La tension aux bornes de la batterie étant de l’ordre de 12V, doit nécessairement être
divisée pour être traité par le microcontrôleur, en effet le convertisseur du 68HC11F1 ne peut
convertir que la gamme de tensions comprises entre 0V et 5V avec une résolution de 19.6 mV
(d’après : §V.2.2). Nous avons donc opté pour un diviseur par 4 de tensions, formé d’une
résistance de 12 kΩ et d’un potentiomètre de 50 kΩ, donc 12V correspondra à 3V
($55, valeur convertie en hexadécimale), 13V correspondra à 3.25 soit $A6 en hexadécimale,
valeur maximale que doit supporter la batterie, puis 11 V qui correspond après division par 4
à 2.75 V ($8C nombre hexadécimal), tension minimale de la batterie.
Protection de la batterie contre les surtensions [29]
En fonctionnement normal de l’alimentation, le secteur charge la batterie avec un

courant de valeur constante. A vide ou en charge la tension aux bornes de la batterie
augmente. Par contre lors d’une coupure du secteur, l’énergie fournie à la charge est délivrée
par la batterie qui diminue alors la tension en ses bornes.
86
K1
VDD
4.7k
18 pF 18 pF
Redresseur
10 M 4.7k Secteur
Th
ohms 220 V AC - + 2 3 Ic
Q +
Commutateur
Batterie
1uF G
1
VDD PE1
10 9 8 7 6EX5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61 60
XT TA
MOMO Vs VR VR 470 ohms 50 k
11 AL L
DADB s H L
PE059 Shunt
12 58 P
4.7k 4.7k 13 57
14 56
5 V
15 55 Dz 5.2V 12 k
MC34164 MC34064 16 54
17 53
2 1 2 3 1
Reset 8.2 V
3 18
19
68HC11F1 52
51 T.I 27 ohms Gâchette du
IRQ thyristor
20 50
PB0
G
21 49
22 48 10 k 3.9 k
23 47
4.7k 1uF 24 46 IT 235 K
25 PD PD 45
VD
26 0 1 D 44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 T
1711
1k
K 5V 5V
K2
4.7k 4.7k REG
7805
1K
C 4 3 2 1
R CON4
1 14 +
100nF 100nF Secteur
Vr 220 uF redressé et filtré
0.1 - 1.0 uF Vers le COM du PC pour
>= 10 Vac transfert du
le LED
entre PC et
programme
D1 Microcontrôleur
D2
D3
Figure V .11 : montage complet de la commande de

charge de la batterie contrôlée par micocontrôleur
68HC11F1
87
Le circuit MC34064, relié au Reset du 68HC11F1, permet de détecter toute baisse

d ‘alimentation VDD du µC en dessous de la valeur limite autorisée et génère alors un Reset
afin d’éviter toute altération du contenu de l’EEPROM. Aussi, on peut incorporer une
possibilité de Reset manuelle à l’aide d’un circuit R-C et du circuit MC34164. [15]
Le potentiomètre agissant avec la résistance de 12 kΩ, divise par quatre la tension aux
bornes de la batterie, quant à la diode zéner elle écrête tout éventuel pic de tension dépassant
VrefH du convertisseur du 68HC11F1.
Pour minimiser les pertes, on commande le thyristor TH au passage à zéro de

l’alternance du secteur via une routine logicielle interprétant la ligne d’interruption IRQ.
Comme dans le circuit de commande analogique, la sortie de la ligne PB0 du port B est
amplifiée par le transistor T puis isolée par le IT235 avant d’attaquer la gâchette du thyristor.
Le shunt permet d’obtenir en ses bornes la tension image du courant de charge de la

batterie que le microcontrôleur doit réguler.
La ligne d’alimentation du 68HC11 est obtenue à partir de la tension redressée du

secteur, régulée à 5V par un régulateur intégré 7805 puis, filtrée d’éventuels parasites.
L’interrupteur K1 étant fermé de façon à avoir le mode Bootstrap ( MODA = MODB

= 0), puis on transmet le programme vers le micocontrôleur pour son traitement.
Les deux lignes du port série PD0 et PD1 sont reliées pour rendre l’autonomie du
fonctionnement du circuit sans faire appel au PC.
Le quartz utilisé est de 8 MHz branché entre les broches EXTAL et XTAL, générant
ainsi une fréquence de fonctionnement du microcontrôleur de l’ordre de 2 MHz.
Le contrôle de la diminution et de l’augmentation de la tension de la batterie ainsi que

la régulation du courant de charge est assurée en permanence par le µC conformément aux
étapes décrites par l’algorithme de la figure V.12.
On utilisera la particularité qu’offre le 68HC11F1 dans la conversion simultanée des

deux lignes PE0 et PE1, en mettant les deux bits CD et CC du registre ADCTL à 0 logique.
88
V.3.2 Algorithme de génération des impulsions modulées en position
Début
Validation du Convertisseur et
choix des lignes PE0 et PE1
Initialisation de
la Pile et du
Vecteur VIRQ
#$7E VIRQ
#$adrspint X
(X) VIRQ + 1
Choix du front descendant de

l’interruption (sur le registre Option)
α
- Validation de l’interruption IRQ
par le bit I du registre CC
- Conversion de PE0 et PE1
Temporisation
pour attendre
l’interruption
89
NON
VNB <VNBMAX
OUI
Mettre PB0 à zéro logique
VNI =VNIREG
Valider le train
d’impulsions
modulées en position
VNI >VNIREG
Temporisation
Figure V.12 : Algorithme de génération des impulsions modulées en

position pour l’amorçage du thyristor.
VNB représente l’équivalent numérique de la tension aux bornes de la batterie.
VNBMAX correspond à la valeur numérique de la tension maximale supportée par la

batterie.
90
VNI représente l’équivalent numérique de l’image du courant de charge.
VNREG correspond à la valeur numérique de l’image du courant de régulation.
Le programme assembleur attend l’arrivée d’une interruption traduisant la remise à

zéro de la tension du secteur, instant à partir duquel, on doit générer un train d’impulsions
modulées en position (analogue à celui illustré dans le §IV.2 , figure IV.9 dans la commande
analogique du chargeur de batterie) pour amorcer correctement le thyristor, jouant le rôle du
commutateur de charge de la batterie.
Si la tension aux bornes de la batterie dépasse son seuil maximal, le programme doit
arrêter la génération des impulsions, le courant de charge diminue et par conséquent la tension
diminue.
Si le courant de charge augmente, le programme ne génère plus d’impulsions, l’angle

d’amorçage du thyristor devient alors grand et le courant diminue.
Si le courant chargeant la batterie devient faible lors d’une coupure du secteur, le

programme boucle vers le début pour diminuer l’angle d’amorçage et augmenter enfin le
courant de charge.
Calcul de la durée de l’impulsion
Dans le programme, le calcul de la durée de l’impulsion est effectué par une sous-
routine utilisant les instructions DECA et BNE qui se répètent 7 fois.
Le niveau de l’impulsion, aussi bien bas que haut est maintenu pendant la durée de
l’instruction RTS, (BCLR ou BSET).
Donc la durée totale de cette sous-routine est :
T = 2.cyc + (2 + 3).7.cyc + 5cyc + 7cyc ,
avec cyc = 0.5 µs : le cycle machine du microcontrôleur
Soit T = 49 cyc ≈ 25 µs.
91
L’enveloppe du train d’impulsions qui doit durer au maximum 1ms pour bien amorcer
le thyristor est calculé par une boucle dont les instructions se répètent 20 fois, soit une durée
totale de 25 × 2 × 20µs = 1ms.
Après la génération de ce train d’impulsions, le microcontrôleur doit débiter un niveau

logique nul sur la ligne PB0 pendant 9ms, le temps d’attendre le prochain retour à zéro du
secteur. Ceci est réalisé dans le programme par la boucle nommé (Etiq3) :
BCLR PortB, X, #%00000001 7cyc

LDY #2570 4cyc
Etiq3 DEY 4cyc
BNE Etiq3 3cyc
RTS 5cyc
Donc le niveau logique bas sur PB0 durera T0 = 2570 × (3 + 4) + (7 + 4 + 5) ≈ 9ms.
V.4 Résultats obtenus
Une fois le programme exécuté par le microcontrôleur, celui-ci détecte par sa ligne
d’interruption toute remise à zéro du secteur, et génère par conséquent un train d’impulsions
précis, tout comme dans la commande analogique du chargeur de batterie.
92
Figure V.13 Chronogrammes des impulsions modulées en position

pour l’amorçage du thyristor.
Autres que les impulsions destinées à amorcer le thyristor, le microcontrôleur doit

générer des signaux modulés en largeur d’impulsion afin de commander correctement les bras
de l’onduleur et aboutir à une tension pratiquement sinusoïdale à la sortie de l’alimentation.
V.5 Onduleur numérique
V.5.1 Circuit numérique de l’onduleur [30]
Le circuit à base de µC 68HC11F1, illustré par la figure V.14, remplace le circuit

intégré TL494 (vu au §III.2.2) et simplifie énormément le principe de fonctionnement de la
commande de l’onduleur en délivrant sur ses lignes de port de sortie des signaux bien
dimensionnés, modulés en largeur d’impulsion avec une résolution assez grande, aussi le
microcontrôleur ne nécessite pas une circuiterie électronique externe encombrante, ce qui
simplifie d’avantage le circuit imprimé de la commande numérique, contrairement au TL494
qui a besoin, au moins, de deux alimentations externes, un circuit oscillateur et un étage
amplificateur.
93
K1
VDD
4.7k +
18 pF 18 pF
Batterie 220
10 M 4.7k 220
ohms -
Dp Dp
Q +
K1 1uF K2 1uF
1uF
VDD
. 10 9 8 7 EX6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61 60
XT TA
MOMO Vs VR VR
PE1
4.7k 4.7k
11
12
13
AL L
DADB s H L
PE0 59
PB7 58
57
. 1
3
50 ohms
(K1 - K'2)
50 ohms
Tension
MC34164
14
15
56
55
.
2 A
. Tr.Elv+Filtre . sortie
2
3 1 2
MC34064
3 1 . 16
17
18
Reset
68HC11F1
54
53
52 1
1 B
3 50
19
20
21
IRQ
PB0 50
49
51
. 2
3 2 oh
ms
22 48
(K2 - K'1) 50 ohms 220 220
47
4.7k
23 Dp
1uF 24 46
Dp
25 PD PD 45
VD
26 0 1 D 44 1uF 1uF
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 K'1 K'2
K 5V 5V
K2
4.7k 4.7k REG
7805
1K
4 3 2 1
CON4
+
100nF 100nF Secteur
Vers le COM du PC pour 220 uF redressé et filtré
transfert du
le LED
entre PC
programme
Microcontrôleu
et
r
Figure V .14 : montage complet de la commande

bras 94
de l'onduleur par micocontrôleur
numérique des
Pour commander les bras de l’onduleur en toute sécurité (sans court-circuiter la source
d’alimentation continue), il faut impérativement attaquer les MOSFET de puissance via un
circuit de liaison représenté dans la figure V.16 par les portes logiques AND et NAND entre
les sorties PB0 et PB7 du µC et les quatre commutateurs, de telle manière, que lorsqu’on
commande par un signal MLI (K1 , K’2) pendant 10 ms :
- (K2 , K’1) doivent être ouverts et réciproquement (K1 , K’2) sont ouverts si l’on
commande (K2 , K’1).
Le programme assembleur de la MLI, génére un niveau haut sur la sortie PB7 pendant
toute une alternance de la MLI, puis descend à 0 logique pendant la seconde alternance,
comme le montre le schéma de la figure suivante :
Figure V.15 Signal MLI généré par le microcontrôleur
La table de vérité de la figure V.16 traduit la commande, avec protection de la source

de courant continu, des bras de l’onduleur.
PB7 A B Etat des bras de l'onduleur

PB7 . 1
3 (K1 - K'2) 0 0 PB0 K2 et K'1 passants
2 A K1 et K'2 passants
Micro 1 PB0 0
contrôleur . 1
B
1 3 (K2 - K'1)
PB0 . 2
3 2
Figure V .16 Table de vérité et circuit

de protection des bras de l'onduleur.
95
V.5.2 Algorithme de génération des signaux M.L.I
Début
Emplacement des registres Regbas, PortB,

Haut et Bas dans leurs cases mémoires.
#$03FF S
#$1000 X
Mettre PB7 à 1 logique
SGMLI : Sous-programme
générant le signal MLI sur PB0
de rapport cyclique variant de
8% jusqu’à 90% sur 5 ms, puis
diminuant de 90% à 8% sur les
5 ms suivantes.
Mettre PB7 à 0 logique
Sous-programme
GSMLI
96
GSMLI
# 01 haut
# 30 bas
#$00 A
α
Shaut : Sous-programme
générant le niveau haut #$00 A
de l’impulsion.
Sbas : Sous-programme
#$00 A générant le niveau bas
de l’impulsion.
Sbas : Sous-programme
générant le niveau bas de
l’impulsion. haut = haut - 1
bas = bas + 1
haut = haut + 1
bas = bas - 1
Non
Non haut = 0 ?
bas = 0 ? Oui
Oui
RTS
# 30 haut
# 01 bas
#$00 A
Shaut : Sous-programme
générant le niveau haut de
l’impulsion.
97
Sbas Shaut
Mettre PB0 à 0 Mettre PB0 à 1
A=A+1 A=A+1
A= bas ? A= haut ?
RTS RTS
Figure V.17 Algorithme de génération du signal MLI sur la sortie

PB0 du µC pour la commande numérique de l’onduleur
Ce programme écrit en assembleur n’occupe pas assez de mémoire, soit de l’ordre

de 94 octets, (le microcontrôleur utilisé possède 1 k.octet d’EEPROM : quantité mémoire
largement suffisante pour loger le programme de la MLI et le programme de charge de la
batterie ).
Une fois exécuté, le programme génère des signaux MLI avec une grande
précision aussi bien en rapport cyclique qu’à la synchronisation des impulsions délivrées avec
la fréquence du secteur.
V.6 Résultats trouvés
La modulation de largeur d’impulsions des signaux de commande et le filtre inséré à la

sortie de l’onduleur permettent d’aboutir à un signal sinusoïdal, de fréquence égale à celle du
secteur (50 Hz), sans parasites ni perturbations hautes fréquences, comme présenté par la
figure V.18.
98
Dans la figure V.19, une charge de 100W est branchée à la sortie de l’onduleur, et en
présence du courant du secteur, on a relevé les différents courants et tensions de
l’alimentation.
Ie Is
+ A A
Batterie
=
Ve V Vs V La charge
- ~
Figure V.19 Synoptique de mesures des courants et tension de l’alimentation
Ie : courant délivré par la batterie.

Ve : tension aux bornes de la batterie.
Is : courant généré par l’onduleur à la charge.
Vs : tension aux bornes de la charge.
Figure V.18 Chronogramme du signal de sortie de l’onduleur
Le relevé des signaux Ie(t), Ve(t) , Is(t) et Vs(t), illustré par la figure V.20 montre que
les courants et tensions de l’onduleur restent pratiquement constants en présence du secteur et,
s’il y a une diminution, elle n’est causée que par la forte charge de l’onduleur et la faible
puissance du redresseur/chargeur de la batterie.
99
Figure V.20 Signaux d’entrées et sorties de l’onduleur à vide
Le rendement en énergie étant assez élevé, soit de l’ordre de 90%, les 10% sont
transformés en chaleur, dissipée par les composants électroniques de l’alimentation dont une
grande partie est dissipée par les bras de l’onduleur qui sont à base de transistors de puissance.
Si l’on débranche la charge de l’onduleur, et en présence du secteur, les courants

d’entrée et de sortie de l’onduleur restent constants, comme le montre la figure V.21. En
coupant le secteur, l’onduleur prend la relève et une chute de tension a eu lieu aussi bien aux
bornes de la batterie qu’à la sortie de l’onduleur.
Ces deux tensions deviennent par la suite constantes puis diminuent en fonction de la
puissance de la batterie et de l’énergie consommée par la charge branchée à l’onduleur.
100
Figure V.21 Tensions de l’onduleur en absence du secteur avec et sans charge
Conclusion
Dans ce chapitre, on a réalisé le montage numérique de l’onduleur à base de
microcontrôleur 68HC11F1, rendant plus précis le principe de conversion de l’énergie
continue délivrée par la batterie en énergie alternative. Ainsi l’alimentation conçue par des
composants numériques autour du µC, intègre dans un seul et même boîtier ce qui nécessitait
dans la figure I.1.a. plusieurs dizaines d’éléments séparés pour la réalisation de l’alimentation
analogique. Il en résulte donc une diminution évidente de l’encombrement matériel et du
circuit imprimé. Cette intégration a aussi comme conséquence immédiate de simplifier le
tracé du circuit imprimé, donc une augmentation de la fiabilité du système puisque, le nombre
de composants diminuant, le nombre de sources potentielles de défauts diminue aussi. De plus
le nombre de connexions composants/supports ou composants/circuit imprimé diminue
également, ce qui là aussi, accroît la fiabilité globale du système.
101
CHAPITRE VI : PERSPECTIVES DE L’ALIMENTATION ININTERRUPTIBLE
CHAPITRE VI
PERSPECTIVES DE L’ALIMENTATION ININTERRUPTIBLE
VI.1 Introduction
Comme il a été avancé, l’autonomie de l’alimentation dépend de la puissance de la

batterie et de son aptitude à délivrer lentement son énergie à la charge.
Donc pour augmenter l’autonomie de l’onduleur, on propose le montage de

la figure VI.1, dans lequel, deux batteries prennent la relève alternativement lors de la coupure
du courant du secteur.
VI.2 Principe de fonctionnement
En présence du secteur, l’onduleur 1 alimente l’équipement médical pendant par

exemple une trentaine de minutes, puis commute le fonctionnement à l’onduleur 2 de telle
manière, celui-ci alimente les trente minutes suivantes l’équipement, ensuite c’est le premier
onduleur qui prend la relève…., ainsi toutes les 30 mn, il n’y a qu’un seul onduleur qui
alimente la charge, ce qui permettra d’augmenter la durée de vie des deux batteries.
Pour assurer la continuité de service à la charge et afin de ne perdre aucune

information en cours de traitement par l’équipement médical, on doit maintenir l’utilisation
simultanée des deux onduleurs pendant une trentaine de secondes, comme l’illustre
la figure VI.2, avant de commuter le fonctionnement d’un onduleur à un autre.
En absence du secteur, la relève est prise alternativement par les deux batteries, mais
cette fois ci, toutes les cinq minutes pour ne pas décharger rapidement les batteries. Aussi les
deux batteries sont chargées lors de la coupure du secteur par une batterie de secours ou des
panneaux solaires, ce qui augmente d’avantage l’autonomie de toute l’alimentation.
102
Bras de
Microcontrôleur (3) l'onduleur M.L.I
M.P.I
MOSFET N
CHARGEUR DE T3 DC
BATTERIE BATTERIE AC
1 2
ONDULEUR 3
PC0 Rb
Bras de
Microcontrôleur (1) l'onduleur
CHARGEUR DE DC
BATTERIE 1 Batterie 1 MOSFET N
T1 AC
ONDULEUR 1
SECTEUR 220V LA CHARGE

50 Hz Bras de
Microcontrôleur (2) l'onduleur
CHARGEUR DE DC
CIRCUIT DE DETECTION BATTERIE 2 Batterie 2 T2 MOSFET N
DU SECTEUR
AC
ONDULEUR 2
PF1 Rb
MICRO-CONTROLEUR
PC0 68HC11F1 Rb
PF2
PC0 = 0 : Absence du secteur. 103
PC0 = 1 : Présence du secteur.
Figure VII.1: Schéma synoptique de l'A.S.I à grande autonomie
PC0
T3 est ouvert CHAPITRE VI : PERSPECTIVES DE L’ALIMENTATION ININTERRUPTIBLE
5V T3 est fermé
t
Présence du secteur Absence du secteur Présence du secteur
PF1
5V
PF2
5V
t
(2) (4) (a) (e)
(1) (3) (5) (b) (d)
(c)
Présence du secteur Absence du secteur

(1) T1 et T2 fermés (30s) (a) T1 et T2 fermés (5s)
(2) T1 fermé et T2 ouvert (30mn) (b) T1 fermé et T2 ouvert (5mn)
(3) T1 et T2 fermés (30s) (c) T1 et T2 fermés (5s)
(4) T1 ouvert et T2 fermé (30mn) (d) T1 ouvert et T2 fermé (5mn)
(5) T1 et T2 fermés (30s) (e) T1 et T2 fermés (5s)
Figure VI.2 Chronogrammes relatifs à la commande par

microcontrôleur104
des MOSFET des trois onduleurs.
Conclusion
Avec le montage de la figure VI.1, l’onduleur génère un signal sinusoïdal dépourvu de

toute perturbation, coupure ou micro-coupure du secteur, son circuit imprimé étant réduit car
il est doté des microcontrôleurs pour la commande de charge des batteries et des
commutateurs des onduleurs.
Aussi l’utilisation périodique des deux batteries, aussi bien en présence du secteur que
pendant son absence, permet de doubler l’autonomie de l’alimentation et la durée de vie des
batterie.
Ainsi pour permettre l’autonomie totale de l’alimentation, la batterie d’accumulateur

doit être chargée par un panneau solaire.
105
CONCLUSION GENERALE
CONCLUSION GENERALE
L’électronique de puissance et l’électronique numérique à base des circuits à

micocontrôleur ont apporté des possibilités de concevoir des systèmes se prêtant bien à la
reproduction de l’énergie électrique. Le principe essentiel de ces systèmes est de proposer une
solution aux problèmes posés par la coupure du courant de secteur, en particulier les
équipements médicaux n’exigent pas uniquement la continuité de service en courant
électrique, mais une tension dépourvue de toute perturbation quelque soit sa nature.
La topologie et la stratégie, qu’on a suivies pour concevoir et réaliser dans ce travail

une alimentation ininterruptible, assure :
• Une grande immunité vis à vis les perturbations provenant du réseau d’énergie ou
du matériel en amont.
• Un fonctionnement en haute fréquence, filtrage actif et compensation des non

linéarités.
• Une bonne fiabilité et un grand rendement.
• Un encombrement minimum et une optimisation du coût.
• Possibilité d’entretien et de maintenance aisés.
Deux blocs sont donc nécessaires à la réalisation de l’A.S.I (Alimentation Statique

Ininterruptible), le circuit de commande et le circuit de puissance.
- Le bloc de puissance étant constitué d’un chargeur de batterie et des bras de

l’onduleur.
- Le bloc de commande est formé d’une carte de commande générant les différents
signaux de fonctionnement et de protection, aussi bien, du chargeur de batterie que des bras
de l’onduleur.
106
CONCLUSION GENERALE
Les signaux de contrôle de la batterie sont des signaux modulés en position, pour les
délivrer, on a commencé par réaliser en un premier lieu un circuit analogique, assurant :
• La régulation du courant de charge de la batterie.
• La détection de toute surtension et surintensité de la batterie.
• La validation de la reprise automatique de charge de la batterie si une décharge a

eu lieu lors d’une coupure du secteur.
La commande des bras de l’onduleur est assurée par des signaux modulés en largeurs
d’impulsions (M.L.I) pour fournir à la sortie de l’onduleur une tension pratiquement
sinusoïdale, on a pour cela mené une recherche théorique sur les formes d’ondes MLI et
présenté une étude bibliographique des différents sortes d’onduleurs, ainsi que leurs
classifications avant de réaliser une carte MLI à base de circuit intégrée TL494. Nous avons
constaté que ce circuit doit être connecté avec d’autres montages électroniques pour fournir
des signaux MLI.
Le microcontrôleur (µC), circuit intégré en une seule puce, est capable de réaliser avec
une grande précision une multitude de fonctions, en particulier :
- La génération des signaux modulés en positions.
- La génération des signaux modulés en largeurs d’impulsions.
- La détection de coupure du secteur…..
On a alors réalisé un montage complet à base de microcontrôleur 68HC11F1, dont on

a introduit l’architecture et son mode d’adressage, pour le contrôle de charge de la batterie et
la commande des bras de l’onduleur.
Finalement, quelque soit la nature de la perturbation présente dans le secteur, le µC la

détecte, la corrige puis génère à la sortie de l’onduleur un signal de forme d’onde sinusoïdale
et de fréquence égale à 50 Hz, pour alimenter de façon continue l’équipement médical.
107
CONCLUSION GENERALE
En perspective, il serait utile d’augmenter d’avantage l’autonomie de l’alimentation

lors de la coupure du secteur, celle ci dépend en grande partie de la puissance de la batterie
d’accumulateurs utilisée.
Nous pensons ainsi développer l’architecture de cette alimentation en commutant le

fonctionnement sur deux onduleurs, en présence ou en absence du secteur et, en maintenant
leurs charges lors de la coupure du courant de secteur par une batterie puissante de secours.
Le système deviendra par conséquent plus autonome et la durée de vie des batteries sera plus
élevée.
108
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de signalisation - journal : Physical & Chemical News (PCN), n° : 10, 2002.
[31] K.FAITAH : Conception et réalisation d’une alimentation statique ininterruptible

commandée par microcontrôleur pour équipements médicaux hautement sensibles- journal :
Physical & Chemical News (PCN), n° : 10, 2002.
110

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INTRODUCTION GENERALE

L’alimentation statique ininterruptible (A.S.I), pour appareils médicaux très sensibles

La fiabilité, le rendement, l’encombrement et l’optimisation du coût sont des

Dans le chapitre I, nous nous intéresserons à l’étude des convertisseurs

Pour concevoir un convertisseur continu/alternatif, on doit distinguer ses différents

• L’onduleur monophasé à transformateur à point milieu,

• l’onduleur monophasé à demi-pont,

• l’onduleur monophasé en pont.

Le chapitre II est consacré à l’étude de la modulation de largeur d’impulsion M.L.I,

• Le principe de la modulation M.L.I,

• l’étude de la tension modulée,

• le spectre de l’onde modulée.

Chacune de ces études permettra de bien dimensionner le convertisseur pour délivrer à

Nous étudions dans le chapitre III le circuit de commande et de protection de

Le chapitre IV est consacré à la conception pratique du chargeur de batterie qui

• Le circuit de régulation de l’intensité de charge,

• le montage d’arrêt et reprise automatique de charge,

• le circuit de protection contre les surintensités,

• la commande de l’interrupteur de charge.

Les microcontrôleurs peuvent aujourd’hui se prêter à la réalisation d’innombrables

ETUDE DES CONVERTISSEURS

I.1 Alimentation statique sans interruption [1]

Le schéma de base d’une alimentation sans interruption comporte quatre éléments

En fonctionnement normal, le redresseur/chargeur, alimenté par le réseau, maintient en

En cas de coupure du réseau, l’alimentation ininterruptible prend alors instantanément

L’autonomie d’une alimentation statique sans interruption, liée à la capacité de la

Un schéma de l’ensemble peut se présenter sous deux formes :

Secteur Redreseur Onduleur

Figure I.1.a Onduleur On Line

Figure I.1.b Onduleur Stand-by

On préfère d’ordinaire comme l’illustre la figure I.1.b alimenter l’équipement

I.2. Convertisseur continu/alternatif [2]

Un onduleur est un convertisseur statique, capable de transformer l’énergie d’une

Il existe plusieurs types d’onduleurs, chacun d’eux correspond à un type d’application

Figure I.2 Structure générale d’un convertisseur continu/alternatif

• Un onduleur est dit non autonome si l’énergie nécessaire pour la commutation de

On distingue trois configurations dans la conception des onduleurs :

- L’onduleur monophasé avec transformateur de sortie à point milieu (appelé souvent

- Onduleur monophasé avec diviseur capacitif (appelé onduleur en demi-pont).

- Et si on veut changer ou varier la largeur relative des créneaux formant les

I.2.2 Onduleur monophasé réalisé par un transformateur à point milieu [3]

D'1 V'1 U'

ik1 K1, K'1 : Interrupteurs

Figure I.3 Schéma de l’onduleur push-pull

a. Expression des tensions

V1 = V’1 & U’ = 2.(n2/n1).V1

- Pour 0 < t < T/2 , K1 - fermé, K’1 - ouvert.

- Pour T/2 < t < T , K1 - ouvert, K’1 - fermé.

V1 étant égale à V’1 alors Vk1 = 2.E

Finalement, à cause du transformateur à prise médiane, la tension inverse aux bornes

Vkmax = -Vdmax = 2.E

D’après les chronogrammes de la figure I.4, on obtient des créneaux périodiques de

b. Chronogramme des signaux de l’onduleur à transformateur

Figure I.4 les formes d’onde des signaux de l’onduleur

I.2.3 Onduleur monophasé en demi-pont [3]

Comme illustré à la figure I.5, l’onduleur monophasé en demi-pont est constitué de

Figure I.5 Onduleur monophasé en demi-pont

iC1 = - iC’1 - Le courant de charge (ou de décharge) de C1 est égal à celui de

b. Chronogramme des formes d’ondes et expressions des tensions et courants

Pour 0 < t < T/2 (K1 - fermé, K’1 – ouvert).

- Pour T/2 < t < T , (K1 - ouvert, K’1 - fermé).

iK’1 = -i’ = 2.i

iK1 ou iK’1 = 2.i