Unidad 2

Fase 2 - Presentar solución al problema del amplificador de baja

señal con JFET

German Arturo Muñoz Velandia

14.799.621

Grupo 243006_41

Electrónica Análoga - (243006A_614)

Presentado a:
Jorge Eliecer Ramírez (Tutor)

Universidad Nacional Abierta y a Distancia

Escuela de Ciencias Básicas Tecnología e Ingeniería
Ingeniería Electrónica
13 de septiembre de 2019
 1. Fundamentación Teórica.

Amplificador de baja señal con JFET

El amplificador de baja señal es un dispositivo que permite amplificar o aumentar

señales muy bajas, en señales más altas según sea su requerimiento.
En el diagrama en la imagen anterior, se emplea el uso de del transistor JFET, que
es un transistor unipolar que amplifica las señales bajas de corriente controladas
por la tensión suministrada en su compuerta fuente, que regula la corriente que pasa
por el drenaje a surtidor o fuente, el cual también funciona como interruptor según
sea el valor de voltaje inyectado en su compuerta.
Para facilitar la interpretación de la configuración de sus terminales o pines, respecto
a transistores empleados anteriormente, se anexa la siguiente ilustración:
Es importante resaltar que son elementos muy poco generadores de ruidos y
distorsión, lo que no afectan las señales amplificadas, Ejemplo:
Para amplificar señales de radio que viajan muy débiles por el espacio, si no fueran
poseedores de tan importante característica, la señal amplificada emitida sería de
muy mala calidad.

¿Como funcionan?
Cuando se tiene un voltaje denominado vgs (voltaje de fuente en su compuerta)
𝑣𝑔𝑠 = 0, el dispositivo se lleva a su estado de saturación, lo que indica que la
corriente de drenaje a surtidor es igual a la corriente máxima del circuito, cuando
disminuimos el vgs hacia negativo, de manera automática limita el libre tránsito la
corriente del drenaje disminuyendo su valor. Esto indica que cuando tenemos un
𝑣𝑔𝑠 = 0 , nuestro transistor en función de interruptor esta es posición normalmente
cerrado y cuando 𝑣𝑔𝑠 =< 0 el transistor opera en posición abierta, es necesario.
tener en cuenta que el vgs máximo está indicado por el fabricante ejemplo: −4𝑣
(Dado por fabricante)
Para tener encendido nuestro JFET, se debe mantener la corriente de
triangulamiento (Vp (Voltaje de pinch-off o voltaje de estrangulamiento) es la tensión
de compuerta que produce el corte en el JFET)), manteniendo los valores de tensión
de vgs superiores al valor suministrado por el fabricante, de igual manera hay que
estar dentro de los parámetros de corriente máxima de saturación (Es la corriente
máxima del DRAIN que circula por el transistor al aumentar VDS (para un Vgs igual
a cero)).
 Tener en cuenta que al calcular nuestros circuitos, se requiere conocer las
características de los transistores a utilizar, en nuestro caso, traigo a colación el
transistor suministrado en la actividad con el fin de hacer una ilustración mas grafica
y precisa de la información suministrada por el fabricante.

Transistor JFET 2N3819

 JFET canal N para aplicaciones de amplificación en RF y mezcladores de RF en
VHF/UHF
 Voltaje máx. drenador-compuerta VDG = 25 V
 Voltaje máx. compuerta-fuente VGS = 25 V
 Corriente máx. de compuerta en directo IGF = 10 mA
 Potencia máx. PD = 360 mW

2. Argumentación.

Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los

siguientes cálculos.
Datos:
1. Señal de entrada: 300mV a 1Khz.
2. Referencia del JFET: J201
3. ID= 327uA, VD= 4.6V, VGS (off)= -1.5V, VCC= 20V.
 Estudiante 1:
a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.

𝑅𝐷 = (𝑉𝐶𝐶 – 𝑉𝐷) / 𝐼𝐷

𝑅𝐷 = (20𝑉 – 4,6) / 327

15,4
𝑅𝐷 =
327

𝑅𝐷 = 0,0470𝑚Ω

𝑅𝐷 = 0,0470 ∗ 10^ − 3

𝑅𝐷 = 47𝑘Ω

Simulación en proteus
Link de simulación del circuito, ya que proteous requiere de licencias de las cuales
carezco y no me permite grabar y guardar cambios de proyecto, por lo tanto, adjunto
el video que se subió en el canal de YouTube:
https://youtu.be/nSKo7rQjhSM

Referencias:
Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica Análoga para
Ingenieros (pp. 37-51). Recuperado
de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?p
pg=48&docID=10498503&tm=1482090196645

González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos (pp.127-

167). Recuperado
de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?p
pg=127&docID=11201676&tm=1482089571374
https://campus01.unad.edu.co/ecbti54/mod/forum/discuss.php?d=10119#unread