Federação das Indústrias do Estado de Minas Gerais - FIEMG

FUNDAMENTOS DE
ELETRÔNICA

GOVERNADOR VALADARES
2012
Presidente da FIEMG
Olavo Machado Júnior

Diretor Regional do SENAI

Lúcio José de Figueiredo Sampaio

Gerente de Educação Profissional

Edmar Fernando de Alcântara
Federação das Indústrias do Estado de Minas Gerais - FIEMG
Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial - SENAI
Departamento Regional de Minas Gerais
Centro de Formação Profissional Luiz Chaves

FUNDAMENTOS DE ELETRÔNICA

Elaboração

Equipe técnico-pedagógica do SENAI

GOVERNADOR VALADARES
2012
© 2012. SENAI. Departamento Regional de Minas Gerais

SENAI/MG
Centro de Formação Profissional “Luiz Chaves”

Ficha Catalográfica

SENAI FIEMG
Serviço Nacional de Aprendizagem Av. do Contorno, 4456
Industrial Bairro Funcionários
Departamento Regional de Minas 30110-916 – Belo Horizonte
Gerais Minas Gerais
 SUMÁRIO

1 – Física dos Semicondutores ................................................................................... 7

1.1 – Condução nos semicondutores ........................................................................................... 7
1.2 – Dopagem de semicondutores .............................................................................................. 9
Exercícios .................................................................................................................................. 10
2 – Diodo de Junção ................................................................................................... 12
2.1 – Junção PN ......................................................................................................................... 12
2.2 – Diodo de Junção Ideal ...................................................................................................... 14
2.3 – Diodo de Junção Real ....................................................................................................... 14
2.4 – Características e propriedades do diodo ........................................................................... 16
2.5 – Comportamento do diodo em AC..................................................................................... 16
2.6 – Regime máximo do diodo em CC .................................................................................... 17
2.7 – Efeito da temperatura na característica ............................................................................. 19
2.8 – Resistência do diodo ......................................................................................................... 19
2.9 – Tempo de chaveamento do diodo ..................................................................................... 20
Exercícios .................................................................................................................................. 20
3 – Retificadores ......................................................................................................... 25
3.1 – Retificação de ½ Onda...................................................................................................... 25
Exercícios .................................................................................................................................. 29
3.2 – Retificação de onda completa ........................................................................................... 32
3.2.1 – Retificação center tape................................................................................................... 32
3.2.2 – Retificação em ponte ..................................................................................................... 34
Exercícios .................................................................................................................................. 36
4 – Filtros ..................................................................................................................... 41
Exercícios .................................................................................................................................. 45
5 – Outros tipos de diodos ......................................................................................... 47
Exercícios .................................................................................................................................. 51
6 – Estabilização de tensão com zener ..................................................................... 54
Exercícios .................................................................................................................................. 54
7 – Transistor bipolar de junção (TJB) ...................................................................... 58
7.1 – Estrutura física .................................................................................................................. 58
7.2 – Teste do Transistor ........................................................................................................... 59
7.3 – Transistor como chave ...................................................................................................... 64
7.4 – Outros transistores especiais ............................................................................................. 67
Exercícios .................................................................................................................................. 69
7.5 – Curvas características do transistor .................................................................................. 78
7.6 – Reta de carga do circuito .................................................................................................. 81
7.7 – Circuitos de polarização de transistores ........................................................................... 82
7.7.1 – Circuito de polarização base comum ............................................................................. 83
7.7.2 – Circuito de polarização emissor comum ....................................................................... 85
7.7.3 – Circuito de polarização coletor comum ......................................................................... 87
7.8 – Influência da temperatura na polarização ......................................................................... 88
7.9 – Circuito de polarização com corrente de emissor estável................................................. 89
7.10 – Circuito de polarização com divisor de tensão ............................................................... 89
Exercícios .................................................................................................................................. 91
 Prefácio

“Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do

conhecimento.”
Peter Drucker

O ingresso na sociedade da informação exige mudanças profundas em todos os perfis

profissionais, especialmente naqueles diretamente envolvidos na produção, coleta,
disseminação e uso da informação.

O SENAI, maior rede privada de educação profissional do país, sabe disso, e,

consciente do seu papel formativo, educa o trabalhador sob a égide do conceito da
competência: “formar o profissional com responsabilidade no processo produtivo,
com iniciativa na resolução de problemas, com conhecimentos técnicos
aprofundados, flexibilidade e criatividade, empreendedorismo e consciência da
necessidade de educação continuada.”

Vivemos numa sociedade da informação. O conhecimento, na sua área tecnológica,

amplia-se e se multiplica a cada dia. Uma constante atualização se faz necessária. Para
o SENAI, cuidar do seu acervo bibliográfico, da sua infovia, da conexão de suas
escolas à rede mundial de informações – internet- é tão importante quanto zelar pela
produção de material didático.

Isto porque, nos embates diários, instrutores e alunos, nas diversas oficinas e
laboratórios do SENAI, fazem com que as informações, contidas nos materiais
didáticos, tomem sentido e se concretizem em múltiplos conhecimentos.

O SENAI deseja, por meio dos diversos materiais didáticos, aguçar a sua curiosidade,
responder às suas demandas de informações e construir links entre os diversos
conhecimentos, tão importantes para sua formação continuada !

Gerência de Educação e Tecnologia

1 – Física dos Semicondutores
1.1 – Condução nos semicondutores
Estrutura atômica

Qualquer substância ou material conhecido pode ser subdividido em

partes cada vez menores, até que se chegue à menor delas, a molécula. Pode-
se então definir como molécula “a menor partícula a qual se pode dividir um
corpo sem que este perca suas propriedades fundamentais”. A partir do
ponto em que se descobriu a molécula, conseguiu-se subdividi-la ainda mais,
mas feito isso não é mais possível conseguir que o material conserve suas
propriedades fundamentais.
A estas subdivisões da molécula deu-se o nome de ÁTOMO, palavra de
origem grega, que significa A=não TOMO=divisão, ÁTOMO=NÃO DIVISÍVEL.
O átomo é formado por um grande número de partículas, dentre as
quais, podemos destacar:

- ELÉTRONS: parte do átomo com carga elétrica negativa (-).

- PRÓTONS: parte do átomo com carga elétrica positiva (+).
- NÊUTRONS: parte do átomo que não tem carga elétrica.

Os prótons e os nêutrons constituem o chamado núcleo do átomo, tendo

em seu redor num movimento de rotação os elétrons, dispostos em órbitas
concêntricas. É importante lembrar que somente a camada periférica de um
átomo pode apresentar-se incompleta, as demais estão sempre completas.
Os elétrons que se encontram nesta camada periférica, são chamados
de elétrons de valência, e possuem a característica de serem quase que
completamente livres, para participar de fenômenos químicos e elétricos.

ELÉTRON DE VALÊNCIA: elétrons da camada externa,

responsáveis pela atividade química ou elétrica do elemento.

Quando um grupo de átomos esta disposto simetricamente entre si, um

elétron de valência muitas vezes gira em torno de dois núcleos, ao invés de um
só. Quando isto acontece, os elétrons de valência unem os átomos nos quais
giram ao redor. A este tipo de ligação dá-se o nome de ligação covalente.

LIGAÇÃO COVALENTE: união entre dois átomos

através de seus elétrons de valência.

Se num material, após todas as ligações covalentes terem se realizado

ainda restarem elétrons que não possuem uniões firmes, estes são
denominados de elétrons livres. Quanto maior o número de elétrons livres,
maior a condutividade.

7
 A partir desse conceito podemos então definir:
- CONDUTOR: material que possui grande quantidade de elétrons
livres.
- ISOLANTE: material que possui pouca ou nenhuma quantidade de
elétrons livres.
- SEMICONDUTOR: existem certos materiais, com moléculas
especiais, que se situam entre os dois grupos e não são nem bons
condutores, nem bons isolantes, chamam-se semicondutores, pois
possuem elétrons livres, mas em pequena quantidade. Destes
materiais os mais conhecidos são: o Germânio (Ge) e o Silício (Si).

O número de valência destes dois elementos equivale ao número ou

quantidade de elétrons na última camada periférica. Estes átomos possuem
uma outra particularidade, que é a de se combinarem entre si, para formar o
que denominamos de estrutura cristalina.

Estrutura cristalina

O Ge por problemas de limitações (temperatura) teve o seu uso

abandonado e o silício passou a ser o cristal mais utilizado para a fabricação
de componentes eletrônicos. O silício é um elemento químico pertencente ao
quarto grupo da tabela periódica. Cada átomo possui 14 elétrons na coroa. A
camada mais interna é ocupada somente por dois elétrons e a seguinte por
oito. Os quatro elétrons restantes circulam numa terceira camada eletrônica.
Portanto nesta terceira camada para que o átomo atingisse a estabilidade
química, seriam necessários mais quatro elétrons. No estado sólido e sob
condições adequadas de fabricação, o silício constitui uma rede cristalina, onde
cada átomo tem quatro átomos vizinhos eqüidistantes, interligados por pontes
de pares de elétrons, (ligação covalente) e todos os elétrons de valência dos
átomos de silício na estrutura cristalina são envolvidos pelas ligações entre
átomos. Estão desse modo, presos em um lugar, sendo denominados elétrons
presos.

Conceito de Portadores de Carga

A rede cristalina se encontra sempre a uma temperatura acima do zero

absoluto, ou seja, contém sempre determinada quantidade de energia térmica.
O resultado da presença dessa energia térmica é que os átomos e os elétrons
vibram em torno de suas posições de repouso, o que tem como conseqüência
o aparecimento de forças mecânicas adicionais na rede cristalina. Se a energia
introduzida for tão elevada que supere as forças de ligação, alguns elétrons
poderão escapar de suas ligações covalentes. Tais elétrons ficam livres de
seus átomos e com isso se tornam móveis; são denominados, então, elétrons
livres e estão do mesmo modo como as moléculas de um gás, em permanente
movimento. Ao mesmo tempo, estão sempre colidindo com os átomos da
estrutura em oscilação, modificando constantemente a direção do movimento.
Aparece um movimento em ziguezague irregular desses elétrons, no qual, em
termos de valores médios não há direção predominante.
Quando um elétron abandona uma ligação covalente, fica faltando nesse
lugar uma carga elétrica negativa, provocando então a formação de uma

8
lacuna. Verifica-se que essa lacuna, ou seja, uma carga negativa faltante na
ligação da rede, também pode ser considerada como uma partícula autônoma,
carregada positivamente.
Existem, pois, com a introdução de calor, elétrons livres e lacunas de
igual número, e ambas as espécies de portadores contribuem para a
condutividade do semicondutor.

1.2 – Dopagem de semicondutores

Semicondutor intrínseco

É uma estrutura cristalina formada somente por átomos do mesmo

cristal, sendo, portanto, um material semicondutor muito puro. A natureza dos
semicondutores é tal que mesmo quantidades muito pequenas de certas
impurezas podem alterar drasticamente suas propriedades elétricas. Por esta
razão, um semicondutor não seria chamado verdadeiramente intrínseco, a
menos que o nível de impurezas fosse muito pequeno. A figura 01 ilustra a
estrutura cristalina do Si, a qual é idêntica a do Ge.

Figura 01 – A estrutura do silício numa representação bidimensional.

Semicondutor extrínseco

Na aplicação da eletrônica, o material semicondutor é dopado, isto é,

propositalmente são adicionadas certas impurezas para resultar em uma
predominante condução de elétrons ou lacunas, qualquer que seja o requerido.
As impurezas usadas são geralmente de dois tipos: uma delas é formada por
elementos que possuem três elétrons de valência e a outra por um elemento
que possui cinco elétrons de valência. A primeira é chamada de impureza
tipo-P, e a outra é chamada de impureza tipo-N. Após a impureza ter sido
adicionada, o material é então denominado um semicondutor extrínseco.

Dopagem do semicondutor

A dopagem é um processo químico que tem por finalidade introduzir

átomos estranhos a uma substância na sua estrutura cristalina, podendo esta
ser do tipo N ou do tipo P, o que dará origem ao cristal N ou então ao cristal P,
conforme apresentado a seguir.

9
Dopagem em tipo N (cristal N)

Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina do Ge

ou do Si uma quantidade de átomos com mais de quatro elétrons na última
camada, forma-se uma nova estrutura cristalina denominada de cristal N.
Tomemos como exemplo a introdução de átomos de fósforo, que possuem
cinco elétrons na última camada. Dos cinco elétrons externos do fósforo, quatro
encontram um elétron no cristal, que possibilita a ligação covalente, o quinto
elétron do fósforo não forma ligação covalente porque não encontra um elétron
na estrutura que possibilite esta formação. Este elétron isolado tem a
característica de se libertar facilmente do átomo, passando a vagar livremente
dentro da estrutura do cristal, constituindo-se um portador de carga elétrica
chamado elétron livre. A figura 02 ilustra o fato.

Figura 02

Dopagem em tipo P (cristal P)

A utilização de átomos com menos de quatro elétrons na última camada,

originará um tipo de estrutura chamada de cristal P. Tomando como base o
átomo de índio, por exemplo, verifica-se a falta de um elétron para que os
elementos com quatro elétrons (Si ou Ge) se combinem de forma covalente,
constituindo assim o portador de carga chamado Lacuna. Veja na figura 03:

Figura 03

Exercícios
01 – O que são materiais semicondutores?

10
02 – Qual é o número de elétrons da última camada energética dos materiais
semicondutores?

03 – Porque os cristais formados somente por ligações covalentes são

isolantes elétricos?

04 – O que é dopagem?

05 – Qual é o objetivo da realização de uma dopagem em laboratório, em

condições controladas?

06 – O que é material N?

07 – Quais são os portadores livres de cargas nos materiais N?

08 – Porque um cristal N é condutor de corrente elétrica?

09 – O que é cristal P?

10 – Quais são os portadores livres de carga nos materiais P?

11 – Para que são utilizados os cristais P e N?

12 – Como se comporta a condutibilidade de um material semicondutor quando

sua dopagem é aumentada?

13 – Como se comporta a condutibilidade de um material semicondutor com o

aumento da temperatura?

11
2 – Diodo de Junção
2.1 – Junção PN
Se unirmos cristais do tipo P a cristais do tipo N, de maneira a
constituirmos um cristal único (junção na qual é mantida a continuidade da
estrutura cristalina), esta junção será denominada de JUNÇÃO PN ou DIODO
DE JUNÇÃO.

Observações:
Nos elementos tipo N, os elétrons livres serão denominados portadores
majoritários de carga, existindo também nesses elementos os portadores
minoritários de carga que são as lacunas.
Nos elementos tipo P, as lacunas serão denominadas portadores
majoritários de carga, existindo também nesses elementos os portadores
minoritários de carga que são os elétrons.

O material N apresenta um grande número de elétrons livres e o material

P um grande número de lacunas, logo, quando dispostos a formar uma junção
PN como na figura 04, haverá passagem de lacunas do elemento P ao N e de
elétrons do N para o P durante a difusão. As áreas que se encontram em torno
da junção ficarão livres dos portadores de carga (elétrons livres e lacunas)
tornando-se novamente isolante devido à recombinação entre esses portadores
e suas conseqüentes anulações. Devido a pouca quantidade de cargas móveis,
esta região é chamada de REGIÃO DE DEPLEXÃO. Nesta região surge um
campo elétrico no sentido dos íons positivos para os íons negativos que
impede a passagem dos elétrons livres do lado N para o lado P. Esse potencial
é chamado de Barreira de Potencial, que nos componentes de silício tem um
valor aproximado de 0,7V e nos de Germânio um Valor próximo a 0,3V.
É importante observar que esta barreira de potencial se encontra apenas
na região de deplexão, pois o diodo como um todo se encontra com suas
cargas balanceadas, já que possui a mesma quantidade de prótons e elétrons.

Figura 04 – Junção PN

Junção PN polarizada inversamente

A junção PN tem propriedades de retificadores, e se a conectamos a

uma fonte de tensão (chamada de fonte de polarização) poderemos observar
como tal dispositivo opera. Na figura 05, temos uma bateria conectada aos

12
terminais da junção, de tal forma que o pólo positivo está ligado ao material N,
e o negativo ao material P. Assim, os portadores majoritários são atraídos pela
bateria, ou seja, as lacunas do material P são atraídas pelo pólo negativo da
bateria e os elétrons do material N pelo positivo.
Como estes portadores se afastam da junção, a largura da barreira de
potencial é aumentada, e quando a força de resistência do campo da barreira
se iguala à da tensão aplicada, surge uma nova condição de equilíbrio, pois,
nestas condições, os campos internos (da barreira) e externos (da tensão
aplicada) somam-se; onde com a barreira aumentada, não pode haver fluxo de
corrente, pois a barreira age como se fosse um isolante.

Figura 05 – Junção PN polarizada inversamente

Junção PN polarizada diretamente

Ocorre polarização direta quando o pólo positivo da bateria está ligado

ao material P e o negativo ao material N, nesta situação a maioria dos
portadores majoritários são repelidos em direção à junção (claro que uma
lacuna não existe fisicamente, e quando falamos em movimento de lacuna
subentende-se que um elétron se move no sentido oposto a ela).

Figura 06 – Junção PN polarizada diretamente

O primeiro efeito disto é a neutralização de alguns íons doadores e

receptores, e conseqüentemente uma redução na barreira de potencial. Até
aqui, a corrente somente aumentou ligeiramente. Um aumento da tensão
eventualmente reduzirá o potencial da barreira a zero, e então elétrons e
lacunas irão se mover através da junção. Os elétrons recombinando-se com os
elétrons do lado de tipo N formarão um fluxo ordenado de elétrons, assim, uma

13
corrente agora flui através da junção. E esta corrente aumenta rapidamente
com somente um pequeno aumento adicional na tensão.
Até agora tínhamos visto, para efeito de explicação, um modelo teórico
onde destacávamos os materiais P e N e os portadores de cargas. No entanto,
nos circuitos usamos uma representação simbólica, como indicado na figura
07.

O símbolo usado quer dizer que o fluxo de corrente, no sentido

convencional, ocorre do material P para o material N, ou seja, do anodo para o
catodo e os sinais mais (+) e menos (-) indicam a polarização direta que
produzirá tal corrente.

2.2 – Diodo de Junção Ideal

Como diodo de junção ideal, se compreende um diodo que apresenta
características especiais, conduzindo ou bloqueando completamente.

Condução no diodo ideal

Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve conduzir a corrente elétrica

sem apresentar resistência, comportando-se como um interruptor fechado, o
qual equivale ao circuito do diodo ideal em condução.

Bloqueio do diodo ideal

Polarizando inversamente um diodo semicondutor ideal, este deve se

comportar como um isolante perfeito, impedindo completamente a circulação
de corrente. A condição de bloqueio de um diodo também pode ser
denominada de corte do diodo, porque o diodo corta a circulação de corrente,
comportando-se como um interruptor aberto, o qual equivale ao circuito do
diodo ideal em corte.

2.3 – Diodo de Junção Real

O diodo de junção real apresenta algumas diferenças em relação ao
diodo de junção ideal. Estas diferenças existem porque o processo de
purificação dos cristais semicondutores para fabricação de componentes
eletrônicos não é perfeito. Após a purificação ainda existe nos cristais uma
pequena quantidade de impurezas originárias da formação do material na
natureza. Estas impurezas, chamadas de portadores minoritários, resultantes
da deficiência na purificação fazem com que as características de condução e
bloqueio dos diodos reais se distanciem dos ideais.

14
Condução no diodo real

Dois fatores diferenciam o diodo real no sentido de condução:

A barreira de potencial
A resistência interna
A barreira de potencial existente na junção dos cristais faz com que o
diodo entre em condução efetiva apenas a partir do momento em que a tensão
da bateria externa atinge um valor maior que a tensão da barreira de potencial.
A resistência interna é devida ao fato de que o cristal dopado não é um
condutor perfeito. Esta resistência interna na condução normalmente é menor
que 1Ω. Como na maioria dos casos em que o diodo é utilizado, as tensões e
resistências externas do circuito são muito maiores que os valores internos do
diodo (0,7V e 1Ω), podemos considerar o diodo real igual ao ideal no sentido
de condução, sem provocar um erro significativo. Veja na figura 08 a
representação do diodo real em condução:

Figura 08 – Analogia do Diodo Real em Condução

Bloqueio no diodo real

O diodo real polarizado inversamente não é capaz de impedir por

completo a existência de corrente no sentido inverso, fluindo uma pequena
corrente inversa (que é desprezível), sendo esta denominada de corrente de
fuga. Esta é da ordem de alguns microampéres. Isto significa que no sentido
inverso, o diodo apresenta uma resistência elevadíssima (vários Mega Ohms).
Como a corrente de fuga é muito pequena comparada com a corrente de
condução, a resistência inversa do diodo pode ser desprezada na análise da
grande maioria dos circuitos, considerando-se o diodo como ideal. Veja na
figura 09 a representação do diodo real em Bloqueio:

Figura 09 – Analogia do Diodo Real em Bloqueio

15
2.4 – Características e propriedades do diodo
A figura 10 representa a curva característica de um diodo, com
polarização direta e reserva.

Vd = Tensão direta Id = Corrente direta

Vr = Tensão reversa Ir = Corrente reversa
Figura 10 - Curva característica do Diodo Real

A curva da figura 10 será a mesma para os elementos de germânio e

silício. Como já se sabe, pode ser polarizado diretamente ou reversamente. Em
polarização direta o germânio começa a conduzir com cerca de 0,3V, e o silício
com cerca de 0,7V. Podemos notar pela curva (em polarização direta) que para
pequenos valores de tensão Vd, quase não temos Id, passando a existir
corrente somente quando atingirmos as características de condução do
germânio e do silício. Em polarização reversa notamos que para pequenos
valores de tensão, a corrente Ir é aproximadamente constante. Se
aumentarmos Vr até próximo da tensão de ruptura, notaremos que Ir quase
não apresenta variações, sendo ainda de pequeno valor. Ao atingirmos a
tensão de ruptura, ocorrerá o efeito avalanche (Break Down), que consiste no
seguinte:
A tensão reversa aplicada a junção aumenta a barreira de potencial, e
conseqüentemente um elétron minoritário presente nesta região será acelerado
devido ao campo elétrico. Com o aumento gradativo da tensão reversa, mais e
mais elétrons são acelerados, dando origem a novos elétrons livres e a
posteriores aumentos de corrente. Pois bem, elevando-se a corrente, mais
portadores serão liberados, estabelecendo-se um ciclo que culminará com a
ruptura do elemento semicondutor (Break Down).

2.5 – Comportamento do diodo em AC

Considere inicialmente o primeiro semiciclo da tensão alternada, de 0 a
 . Neste intervalo, a tensão é positiva e o diodo fica polarizado diretamente,
deixando passar uma corrente que tem a mesma forma de onda senoidal da
tensão aplicada, com exceção da parte inicial e final do semiciclo, que

16
apresenta alguma distorção, devido ao fato de que a característica do diodo
não é linear nesta região, (figura 11).

Figura 11

No semiciclo seguinte, de  a 2 , a tensão se torna negativa, e o diodo

é polarizado inversamente. Agora ele oferece uma resistência muito alta à
passagem da corrente, circulando somente a corrente de fuga, que pode ser
desprezada em comparação com a corrente direta, (figura 12).

Figura 12

2.6 – Regime máximo do diodo em CC

Os regimes máximos do diodo em CC estabelecem os limites da tensão
e corrente que podem ser aplicados ao componente em circuitos de corrente
contínua, sem provocar danos a sua estrutura. Analisando o comportamento do
diodo em condução e bloqueio verifica-se que os fatores que dependem
diretamente do circuito ao qual o diodo está conectado são:

Corrente de condução ( If )
Tensão reversa ( Vr )

A tensão de condução Vd não depende do circuito (0,7V para o silício e

0,3V para o germânio) e a corrente de fuga depende apenas do material do
diodo (alguns microamperes).

17
Corrente máxima de condução

A corrente de condução máxima de cada tipo de diodo é dada pelo

fabricante em folhetos técnicos (datasheet), nestes folhetos, a corrente máxima
de condução aparece designada pela sigla If.
A seguir é exibido um modelo de datasheet para o diodo 1N4007.

Observe que neste datasheet é informado:

- Fabricante do componente
- Gama de componentes envolvidos (neste caso, do 1N4001 até 1N4007)
- Dimensionamento do componente (as dimensões físicas em milímetros)

18
- Máxima classificação e características elétricas

Podemos obter outros datasheets, deste e demais componentes através

dos sites:
http://www.datasheetcatalog.com/
http://www.alldatasheet.com/

Tensão reversa máxima

As tensões reversas colocam o diodo em bloqueio. Nesta condição, toda

a tensão aplicada ao circuito fica aplicada sobre o diodo. Cada diodo tem a
estrutura preparada para suportar um determinado valor de tensão reversa.
Aplicando um valor de tensão reversa superior ao especificado para cada
diodo, a corrente de fuga aumenta excessivamente e o diodo é danificado.
Os fabricantes de diodos fornecem em folhetos técnicos o valor
característico de tensão máxima que o diodo suporta sem sofrer a ruptura. Este
valor aparece designado pela sigla Vr. Na tabela a seguir encontram-se as
especificações básicas de alguns diodos retificadores (25º C).

Diodos Corrente direta máxima ( A ) Tensão de pico inversa ( V )

IN 4606 0,2 70
BY 126 1,0 650
DY 127 1,0 1250
BYX 10 2,0 800
IN 4001 1,0 50
IN 4004 1,0 400
IN 4007 1,0 1000
IN 1615 R 5,0 600

2.7 – Efeito da temperatura na característica

A junção PN sofre influência da temperatura. A temperatura máxima do
elemento silício, está por volta de 150º C, enquanto que a do germânio acha-se
por volta de 100º C. para cada aumento de 1º C na temperatura, teremos em
decorrência uma queda na tensão direta, cerca de 2,5 mV / º C.

2.8 – Resistência do diodo

Resistência estática

A partir da característica direta do diodo, podemos observar que este

não é um elemento ôhmico e sua resistência é em função do ponto de
operação. A resistência estática é também denominada resistência contínua
e é significativa para circuitos com pontos de operação fixos.

19
Resistência dinâmica

A resistência dinâmica é determinada a partir das variações em torno do

ponto quiescente. Ambas as resistências dependem do ponto de trabalho,
porém, convém lembrar que a resistência dinâmica tem interesse para regiões
de pequenas variações de tensão e corrente, e não em toda a característica do
diodo.
A resistência que um diodo oferece em polarização direta é denominada
resistência direta e é extremamente baixa, da ordem de algumas dezenas de
ohms, e a resistência reversa apresenta valores da ordem de algumas dezenas
de milhões de ohms.

2.9 – Tempo de chaveamento do diodo

Quando o diodo passa da condição reversa para a condição direta ou
vice-versa, há a passagem por um transitório, decorrendo certo intervalo de
tempo antes que o diodo volte ao regime estacionário. O tempo de recuperação
direta tfr é a diferença de tempos entre o ponto que corresponde a 10% do
valor final da tensão do diodo e o ponto que corresponde a 10% do valor final
da tensão. Na maioria das aplicações, o tfr não constitui na prática um
problema sério, e assim, consideramos apenas a mais importante situação, que
é a recuperação reversa.

Tempo de recuperação reversa do diodo

Quando uma tensão externa polariza diretamente uma junção PN, a

densidade de portadores minoritários em regime permanente é muito grande.
Estes, em cada caso, foram fornecidos pelo outro lado da junção, onde sendo
majoritários, são fornecidos abundantemente. Se a tensão externa é
repentinamente alterada (invertida) de direta para reversa em um circuito cujo
diodo é atravessado por uma corrente direta, a nova corrente (reversa) do
diodo não cairá imediatamente para seu valor de regime permanente, devido a
corrente não atingir seu valor de regime enquanto a distribuição de portadores
minoritários não tornar a densidade de portadores minoritários injetados ou em
excesso quase nula. Durante este intervalo de tempo o diodo continuará
conduzindo facilmente, e a corrente será determinada pela resistência externa
no circuito do diodo.

Exercícios
01 – Quais são as pastilhas que compõem um diodo semicondutor?

02 – Desenhe o símbolo de um diodo semicondutor, identificando o anodo e o

catodo.

03 – O que é região de deplexão?

04 – Qual a polaridade da barreira de potencial?

a) no material tipo P –
b) no material tipo N –

20
05 – Qual é a tensão típica da barreira de potencial nos diodos?
a) de silício:
b) de germânio:

06 – Qual é a denominação técnica dos dois tipos de polarização que podem

ser aplicados a um diodo?

07 – O que significa, em termos de polarização, a expressão: o diodo está em

condução?

08 – Coloque as polaridades para que se cumpram as condições

estabelecidas:

09 – Desenhe o símbolo em cada um dos diodos para que as figuras sejam

corretas.

10 – Do que depende a condução ou bloqueio de um diodo?

11 – Como se comporta um diodo ideal em condução?

12 – Como se comporta um diodo ideal em bloqueio?

13 – Desenhe os circuitos equivalentes:

a) Diodo ideal em condução
b) Diodo ideal em bloqueio

14 – O que são portadores minoritários?

21
15 – Que fatores diferenciam o diodo real do diodo ideal, no sentido de
condução?

16 – Desenhe o circuito equivalente do diodo real em condução.

17 – Que fator diferencia o diodo real do ideal no sentido de bloqueio?

18 – Desenhe o circuito equivalente do diodo real em bloqueio.

19 – Que conclusão pode ser retirada a partir das tensões e correntes nos dois
pontos (“a” e “b”) da curva característica abaixo:

20 – Determine a região típica de funcionamento do diodo no gráfico abaixo.

21 – Que conclusão pode ser retirada a partir das tensões e correntes nos dois
pontos (“a” e “b”) da curva característica abaixo:

22 – Identifique os quadrantes de condução e bloqueio na curva característica

do diodo desenhado abaixo.

22
23 – Que valores elétricos são importantes em um diodo semicondutor?

24 – O que significa “If”?

25 – O que significa “Vr”?

26 – Ao testar diodos com o multímetro são realizadas duas medidas de

resistência. Relacione a coluna da esquerda com a da direita, a partir das
leituras obtidas:

a) baixa resistência ( ) diodo em curto

baixa resistência

b) alta resistência ( ) diodo em boas condições

alta resistência

c) baixa resistência ( ) diodo aberto

alta resistência

27 – Identifique os terminais de cada diodo através da polaridade real das

pontas de prova.
a)

23
b)

28 – Desenhe o símbolo em cada um dos diodos:

24
3 – Retificadores
3.1 – Retificação de ½ Onda
A retificação de meia onda é um processo de transformação de CA em
CC que permite o aproveitamento de apenas um semiciclo da tensão de
entrada na carga, (figura 13).
1 ciclo

TENSÃO NA
CIRCUITO RETIFICADOR CARGA
ENTRADA DE MEIA ONDA

Figura 13 - Entrada e Saída na retificação de ½ onda

Funcionamento

Primeiro semiciclo

Durante o primeiro semiciclo a tensão é positiva no ponto A com relação

ao ponto B. Esta polaridade de tensão de entrada coloca o diodo em condução,
permitindo a circulação de corrente. (figura 14).

Figura 14

A tensão sobre a carga assume a mesma forma da tensão de entrada,

(figura 15).

Figura 15

25
 O valor de pico de tensão sobre a carga é menor que o valor de pico da
tensão da entrada, porque o diodo, durante a condução, apresenta uma
pequena queda de tensão Vd (0,7V para o silício e 0,3V para o germânio).
Entretanto, na maioria dos casos, a queda de tensão sobre o diodo pode ser
desprezada porque o seu valor é muito pequeno em relação ao valor total do
pico de tensão sobre a carga.

Segundo semiciclo

Durante o segundo semiciclo, a tensão de entrada é negativa no ponto A

com relação ao ponto B. Esta polaridade de tensão de entrada coloca o diodo
em bloqueio, logo não há corrente, (figura 16).

Figura 16

Nesta condição toda a tensão de entrada é aplicada sobre o diodo, que

atua como interruptor aberto, e a tensão na carga é nula porque não há
circulação de corrente, (figura 17).

Figura 17

Observa-se que para cada ciclo completo da tensão de entrada, apenas

um semiciclo passa para a carga, enquanto o outro semiciclo fica sobre o
diodo.

26
 Tensão na
entrada

Tensão no
Diodo

Tensão na
carga

Figura 18 - Tensão de entrada x diodo x saída

Retificação de meia onda com tensão de saída negativa

Dependendo da forma como o diodo está colocado no circuito retificador,

pode-se obter uma tensão CC positiva ou negativa em relação ao terra.

Tensão e corrente CC de saída da retificação de meia onda

Tensão de saída

A tensão na carga, apesar de ser contínua, não é constante, recebendo

o nome de contínua pulsante. O valor médio DC de um sinal alternado senoidal
é nulo, assim se conectarmos um voltímetro DC para medir um sinal senoidal,
a leitura indicada pelo aparelho será zero. Se medirmos, com um medidor DC,
o sinal da figura 19, que é um sinal retificado de meia onda, pulsante e
senoidal, o medidor fornecerá o valor DC do sinal também denominado valor
contínuo.

27
 Tensão Média

Figura 19 – Tensão de saída e tensão média

O valor DC é dado pela relação abaixo:

VP  Vd
VDC 


Esta relação representa a área sob a curva, dividida pelo período da

onda retificada.
É importante notar que num circuito retificador de meia onda, quando o
diodo for polarizado reversamente, aparece uma tensão em seus terminais
denominada tensão de pico reversa. E de acordo com a aplicação da
Segunda Lei de Kirchhoff, em um retificador de ½ onda, determinamos que o
valor da tensão de pico reversa é o valor máximo da tensão alternada aplicada.

Corrente de saída

Na retificação de meia onda a corrente de saída também é pulsante,

uma vez que a tensão sobre a carga é pulsante. Isto implica que a corrente
média na saída (sobre a carga) é uma média entre os períodos de existência e
inexistência de corrente, (figura 20).
O valor de Idc é dado pela relação abaixo:
VDC
I DC 
R

I média

Figura 20 – Corrente média de saída

28
Inconvenientes da retificação de meia onda

A retificação de meia onda apresenta alguns inconvenientes,

decorrentes da sua condição de funcionamento:

- O rendimento é baixo (45%) em relação à tensão eficaz de entrada

- Nas retificações com transformador existe um mau aproveitamento da

capacidade de transformação porque a corrente circula em apenas um
semiciclo

Exercícios
01 – O que é retificação?

02 – Onde é utilizada a retificação?

03 – O que é retificação de meia onda?

04 – Que componente eletrônico pode ser usado para realizar um processo de

retificação?

05 – Considerando o circuito abaixo, desenhe os três gráficos (tensão de

entrada; tensão sobre o diodo; tensão sobre a carga) para um valor de Vin pico
a pico de 20V.

29
06 – Desenhe o símbolo dos diodos nas retificações abaixo.

07 – Por que o valor da CC média na saída de uma retificação de meia onda é

pequena em relação a CA eficaz na entrada?

 V  VD 
08 – Para que serve a equação  P ?
  

09 – Em que condições pode ser usada a equação simplificada VCC  VCA  0, 45

?

10 – Qual é a equação da corrente média de saída sobre uma carga RL em

uma retificação de meia onda?

11 – Cite duas desvantagens da retificação de meia onda.

12 – Com base no circuito apresentado a seguir, complete a tabela.

Tensão CA eficaz Tensão CC média Resistência da Corrente CC média

(VCA) na saída (Vdc) carga (RL) na saída (Idc)
12V 47 0Ω
8,10V 6,75mA
4 ,5 V 68 0Ω
3 ,9 KΩ 0,023A
6 ,5 V 82 0Ω

30
13 – Uma fonte CC apresenta uma CA na saída. O possível defeito é:
a) fusível queimado
b) diodo aberto
c) primário do transformador aberto
d) diodo em curto
e) nenhuma delas

14 – Uma fonte CC não fornece tensão na saída. Há tensão no primário do

transformador. O defeito está:
a) antes do transformador
b) no transformador
c) do transformador (inclusive) para diante
d) no diodo

15 – O que acontece em uma fonte retificadora de meia onda se:

a) o diodo abrir?
b) a chave liga-desliga estiver defeituosa?

16 – Que providências se deve tomar antes de substituir um fusível queimado

em uma fonte de alimentação?

17 – Complete corretamente o circuito e estabeleça onde está o catodo do

diodo.

18 – O circuito apresentado na questão anterior pode ser denominado “fonte de

alimentação de meia onda”? Justifique sua resposta.

31
3.2 – Retificação de onda completa
É um processo de conversão de corrente alternada em corrente contínua
que faz o aproveitamento dos dois semiciclos da tensão de entrada, (figura 21).

1 ciclo

TENSÃO NA
CIRCUITO RETIFICADOR CARGA
ENTRADA DE ONDA COMPLETA

Figura 21 – Corrente média de saída

O circuito retificador de onda completa é o mais empregado nos

equipamentos eletrônicos porque realiza um melhor aproveitamento da energia
aplicada na entrada. Esta retificação pode ser realizada de duas maneiras
distintas:

- Empregando um transformador com derivação central e dois diodos.

- Empregando quatro diodos ligados em ponte.

3.2.1 – Retificação center tape

A retificação de onda completa com derivação central é a denominação
técnica do circuito retificador de onda completa. Emprega dois diodos com um
transformador com derivação central. A figura 22 apresenta a configuração
deste tipo de circuito retificador.

Figura 22 – Retificador de onda completa com 2 diodos

Este tipo de retificação também é chamada de retificação de onda

completa CENTER TAPE. A expressão significa DERIVAÇÃO CENTRAL.

32
Funcionamento

O princípio de funcionamento do circuito retificador de onda completa

pode ser facilmente compreendido, considerando-se cada um dos semiciclos
da tensão de entrada isoladamente, conforme mostra a figura 23.

Tensão na entrada

Tensão no
Diodo D1

Tensão no
Diodo D2

Tensão na carga

Figura 23

Para tensões de entrada acima de 10Vca (valores rms) pode-se

desconsiderar a queda de tensão no diodo, desenvolvendo a equação como:

 V V 
Vcc  2  P D  desconsiderando Vd têm-se:
  

2.VP
Vcc  como VP  VCA . 2


2.VCA. 2 2
Vcc  simplificando: têm-se:
 

Vcc  2.VCA .0, 45

Vcc  0,9.VCA

33
Corrente de saída

A corrente média na saída da retificação de onda completa depende da

tensão média:
V
I DC  DC
RL

Relação entre freqüência de entrada e freqüência de saída

Na retificação de onda completa, cada ciclo da tensão CA de entrada é

transformado em dois semiciclos de tensão sobre a carga. Desta forma, a
freqüência dos picos de tensão sobre a carga é o dobro da freqüência da
rede, (figura 24).

Figura 24

3.2.2 – Retificação em ponte

A retificação em ponte com quatro diodos entrega à carga uma onda
completa sem que seja necessário utilizar um transformador com derivação
central. A figura 25 apresenta a configuração da retificação de onda completa
em ponte.

Figura 25
Funcionamento

Primeiro Semiciclo
Considerando a tensão positiva no terminal de entrada superior,
teremos:

Diodo 1 – anodo positivo em relação ao catodo = CONDUÇÃO

Diodo 2 – catodo positivo em relação ao anodo = BLOQUEIO
Diodo 3 – catodo negativo em relação ao anodo = CONDUÇÃO
Diodo 4 – anodo negativo em relação ao catodo = BLOQUEIO

34
Segundo Semiciclo

No segundo semiciclo ocorre a inversão da polaridade nos terminais de

entrada do circuito, onde teremos:

Diodo 1 = anodo negativo em relação ao catodo – BLOQUEIO

Diodo 2 = catodo negativo em relação ao anodo – CONDUÇÃO
Diodo 3 = catodo positivo em relação ao anodo – BLOQUEIO
Diodo 4 = anodo positivo em relação ao catodo – CONDUÇÃO

A ponte retificadora entrega à carga os dois semiciclos, da mesma forma

que a retificação de ponto central, com uma freqüência da CC pulsante igual ao
dobro da freqüência da rede.
A ponte retificadora também pode ser representada em esquema
conforme mostra a figura 26.

Figura 26

Tensão e corrente CC de saída da retificação em ponte

Tensão de Saída

A ponte retificadora fornece na saída o mesmo tipo de forma de onda

que a retificação com derivação central, contudo, há uma diferença em termos
de tensão de pico sobre a carga. Na ponte retificadora existem dois diodos em
série conduzindo para cada semiciclo, o que implica que o pico de tensão
sobre a carga é 1,4V menor que o pico de tensão na entrada (para diodos de
Si).
Para tensões de entrada acima de 20 Vca (valores rms) pode-se
desconsiderar as quedas de tensão nos diodos (2Vd) de forma que o
desenvolvimento da equação resulta em:

Tensão CC média
2.VP
na saída Vcc 


Para uma mesma tensão de saída, a retificação em ponte usa apenas

uma tensão no secundário, enquanto que a retificação com derivação central,
necessita de duas tensões, com o terminal central comum. As figuras 27 e 28
mostram claramente o que foi descrito:

35
 Figura 27

Figura 28

Conseqüentemente o transformador é melhor aproveitado nas

retificações em ponte porque o secundário trabalha integralmente nos dois
semiciclos.

Corrente de saída

A Corrente de saída é dada pela mesma equação utilizada na retificação

de meia onda:

Exercícios
01 – O que significa a expressão “retificação de onda completa”?

02 – Indique o sentido da corrente no circuito abaixo:

03 – Desenhe a forma de onda presente sobre a carga colocada em um circuito

retificador de onda completa, com tensão de saída positiva em relação ao terra.

36
04 – Desenhe os diodos no circuito abaixo de forma que a polaridade da
tensão sobre a carga seja conforme a indicada.

05 – Determine a tensão de saída sobre a carga no circuito abaixo para os

valores de VCA fornecidos. Considere diodos de germânio.

VCA (V) Vdc (V)

50V
6V
18V
4 ,5 V

06 – Complete a tabela com base no circuito a seguir:

Tensão de Tensão média na Resistência de Corrente média

37
entrada (VCA) saída (Vdc) carga (RL) na carga (Idc)
12V 1 ,5 KΩ
18V 43mA
27 0Ω 130mA
6V 8m A

07 – Qual é a freqüência da CC pulsante na saída de uma retificação de onda

completa aplicada a uma rede CA de 50Hz?

08 – Identifique no circuito abaixo quais os diodos que estão em condução.

09 – Acrescente no circuito da questão anterior sinais que indiquem a

polaridade da tensão sobre a carga e setas indicando a circulação de corrente.

10 – Que relação existe entre a freqüência da rede CA e a freqüência da CC

pulsante na saída de uma retificação em ponte?

11 – Complete as ligações do circuito.

12 – Descreva o que indicam as figuras colocadas a seguir.

38
13 – Defina em que situações pode ser aplicadas cada uma das equações
abaixo:

 V  2VD 
a) VDC  2  P  b) VDC  VCA  0,9
  

14 – Complete a tabela de acordo com o circuito retificador que segue.

Tensão de Tensão média na Resistência de Corrente média

entrada (VCA) saída (Vdc) carga (RL) na carga (Idc)
5 ,6 KΩ 4,3mA
15V 69mA
20V 39 Ω
10V 68 Ω

15 – A equação VCC  VCA  0,9 usada quando se desconsidera as quedas de

2V
tensão Vd pode ser escrita como VCC  P ? Mostre como uma equação é

deduzida a partir da outra.

16 – Complete o circuito retificador de onda completa abaixo.

39
17 – O que acontece na saída de uma fonte retificadora de onda completa se
um dos diodos abrir?
18 – Que providência se deve tomar antes de substituir um fusível rompido em
um circuito eletrônico?

19 – Que providência se costuma tomar ao se encontrar um diodo retificador de

uma ponte em curto?

20 – Posicione corretamente a ponte retificadora no circuito.

40
4 – F i l t ro s
Uma tensão alternada, após ser retificada, reduz-se a uma tensão
contínua pulsativa, ou seja, ainda guarda em si as ondulações da CA. Contudo,
a corrente contínua (CC) que desejamos não pode conter tais ondulações, e
para melhorar a retificação a fim de minimizar o efeito destas ondulações,
utilizamos um circuito com filtro (figura 29).

Figura 29 – Circuito retificador de1/2 onda com filtro

A filtragem é freqüentemente realizada colocando-se um capacitor ligado

em paralelo com a carga. Este sistema baseia-se no fato de que o capacitor
armazena cargas elétricas durante o período de condução do diodo, e fornece
esta mesma energia para a carga durante o período em que o diodo está
cortado. Desse modo, o tempo durante o qual a corrente passa pela carga RL é
prolongado e a ondulação é consideravelmente menor. A tensão de ondulação
é definida a partir do seu valor médio ou CC.

Filtro capacitivo em meia onda

Tanto o retificador de meia onda quanto o de onda completa,

apresentam como resultados correntes contínuas, porém pulsantes, como
mostra a figura 30.

Figura 30 - Saída de um retificador sem filtro

Se conectarmos um capacitor em paralelo com a carga, como mostra a

figura 31, observaremos uma diminuição na variação (ou na ondulação) da
tensão de saída.

Figura 31

41
 A tensão de saída com o capacitor é mostrada na figura 32.

Figura 32

Durante o meio ciclo em que o anodo for positivo em relação ao catodo

do diodo, este conduz e o capacitor C se carrega simultaneamente com o valor
da tensão aplicada.
Durante o semiciclo seguinte, quando o anodo for negativo em relação
ao catodo, o diodo corta e o capacitor C descarrega-se através da resistência
de carga.
É fácil notar que o tempo de descarga da associação RL x C é que vai
determinar o valor da tensão mínima, Vmín.
Quanto maior for o tempo de descarga (descarga mais devagar) da
associação, maior será a constante de tempo e, portanto, maior será o valor de
Vmín (veja capacitor C3) e menor a ondulação. A figura 33 mostra a tensão de
saída com três capacitores de filtro cujas capacitâncias são respectivamente:
C1 < C2 < C3.

Figura 33

Essa ondulação recebe o nome de tensão de ripple, e seu valor pico a

pico é dado por:

Vond PP  Vp  VMIN

As figuras 34 e 35 mostram respectivamente a tensão de saída na carga

e a tensão de ripple.

42
 Figura 34

Figura 35

Ripple: fator, tensão e percentagem

Para uma melhor compreensão do equacionamento do fenômeno e para

uma melhor visualização do circuito, analisaremos a forma de onda da figura
36, que se aproxima em muito, da tensão de saída de um circuito com filtro.

Figura 36

Essa figura mostra Vdc (um sinal contínuo e constante) somado a uma
senoide.
Medindo esta tensão com o voltímetro DC, obteríamos o valor médio ou
contínuo, isto é, Vdc. Se medirmos essa mesma tensão com um voltímetro AC,
mediríamos somente o valor eficaz da senóide, que é a ondulação indesejável.

Por definição, a expressão E a percentagem de ripple é dada pela

matemática do fator de ripple é: relação:

r = tensão eficaz de ripple r%  r 100

tensão contínua

 Vond PP   Vond PP 
   
r%    100
2 2
r
2 2 
Vdc Vdc

43
Filtro capacitivo em onda completa

Similar ao circuito de meia onda, o capacitor de filtro vai ligado em

paralelo com a carga na retificação em onda completa. A figura 37 mostra a
tensão num circuito retificador de onda completa sem conectarmos o capacitor
de filtro, e a figura 38 mostra a forma de onda que resulta após conectarmos o
capacitor de filtro. Deve-se notar que o sinal filtrado apresenta um nível DC
com um fator de ripple sobre a onda.

Figura 37

Figura 38

Analisando a figura 39, que mostra a forma de onda de um retificador de

onda completa com filtro, podemos destacar dois tempos particulares.

Figura 39

O intervalo Tc é o intervalo de tempo no qual o capacitor se carrega. O

intervalo de tempo Td é o intervalo de tempo no qual o capacitor se descarrega
através da resistência de carga. O valor do capacitor e o valor da resistência de
carga influenciam no intervalo de tempo Td (período de descarga), e
obviamente no valor da tensão de ripple, no fator de ripple, no valor contínuo
Vdc, etc...

44
O valor contínuo ou Vdc é dado por: E a tensão de ondulação pico-a-pico é:
1 I ( A)
VDC  VP  Vond PP Vond PP  MAX   (V )
2 C  f (  F )( Hz )

Exercícios
01 – Qual a finalidade de um filtro em uma fonte de alimentação?

02 – Quais as características de uma tensão contínua pura?

03 – Desenhe o gráfico de uma tensão contínua pura ao longo do tempo.

04 – Qual a característica do capacitor que permite que o componente seja

usado como elemento de filtragem?

05 – Quando ocorre a carga do capacitor ligado como filtro em um circuito

retificador?

06 – O que acontece com a energia armazenada no capacitor nos semi

períodos em que há bloqueio do elemento retificador?

07 – Identifique no gráfico de tensão de saída a seguir os períodos em que o

capacitor se carrega e se descarrega.

08 – Por que a tensão média de saída aumenta quando um capacitor é ligado

como filtro em uma retificação?

09 – O que é componente alternada na saída de uma fonte de alimentação

com filtro?

10 – Ao que se deve a existência de ondulação na saída de uma fonte com

capacitor de filtro?

11 – Indique no gráfico de tensão de saída colocado a seguir os tempos de

carga e descarga do capacitor de filtro.

45
12 – Tomando como base o circuito retificador a seguir (circuito padrão)
determine se a ondulação nos circuitos seguintes é maior ou menor que no
circuito padrão.

13 – De que fatores depende fundamentalmente a ondulação de um circuito

retificador?

46
5 – Outros tipos de diodos
Diodo emissor de luz - LED

O diodo LED (Light Emitting Diode) é um diodo semicondutor que

apresenta emissão de luz regida pelo fenômeno da eletroluminescência. Da
mesma forma que é necessário fornecer energia para gerar o par elétron-
lacuna, temos energia liberada quando um elétron se recombina com uma
lacuna. Esta energia liberada é transferida para o cristal sob forma de calor. Em
outros semicondutores tais como o arseneto de gálio, há uma quantidade
considerável de recombinação direta. Nestas circunstâncias a energia liberada
pelo elétron, ao cair da banda de condução para a banda de valência, aparece
sob a forma de radiação. Um diodo que funcione nestas condições é chamado
de Diodo Emissor de Luz (LED), embora a maior parte da radiação emitida
esteja na faixa do infravermelho.
A eficiência do processo de geração de luz aumenta com a corrente
injetada e com a diminuição da temperatura. A luz está concentrada perto da
junção devido ao fato de que a maior parte dos portadores se recombina nas
vizinhanças da mesma. O diodo emissor de luz, identificado comumente como
diodo LED é representado pelo símbolo apresentado na figura 40.

Figura 40 – Símbolo do LED

Os diodos LED são encontrados nas mais diversas formas e dimensões,

conforme mostra a figura 41.

Figura 41 – Tipos mais comuns de Diodo

O catodo de um diodo LED, de formato redondo, pode ser identificado

por um “corte” na base do encapsulamento, (figura 42).

Figura 42 - Corte no lado do Catodo ( Vista de baixo )

47
LED bicolor

O LED bicolor consiste, na verdade, de dois LED’s colocados dentro de

uma mesma cápsula.
Estes LED’s têm três terminais, (figura 43).

Figura 43 - LED bicolor

LED infra-vermelho

A luz infra-vermelha é um tipo de irradiação que não é visível ao olho

humano, este tipo de luz é usado principalmente em alarmes, controle remoto,
etc. Assim os LED’s que emitem esta luz, funcionam como os outros, porém
não se pode observar visualmente se estão ligados ou não.

Fotodiodo

O fotodiodo é um diodo semicondutor com junção PN cuja característica

é operar na polarização inversa da junção. Na polarização inversa a corrente é
praticamente nula. Porém, se o cristal for devidamente dopado, o número de
portadores aumenta tremendamente sob luz incidente, pois esta fornece
energia sob forma de fótons. E este é o princípio básico do funcionamento de
um fotodiodo.
A aplicação do fotodiodo se verifica em leitura de cartões, circuitos
digitais, acopladores ópticos, etc. Veja abaixo a simbologia adotada para o
fotodiodo, (figura 44).

Figura 44 – Símbolo do fotodiodo

Características do diodo LED

- Corrente direta nominal (If): É um valor de corrente de condução indicado pelo

fabricante no qual o LED apresenta um rendimento luminoso ótimo
(normalmente 20mA).

- Corrente direta Máxima (Ifmáx): É um valor de corrente máximo ao qual o

componente pode ser submetido sob risco de queima do componente.

-Tensão direta nominal (Vf): Especificação que define a queda de tensão típica
do diodo no sentido de condução. A queda de tensão nominal (Vf) ocorre no
componente quando a corrente direta tem valor nominal (If).

48
- Tensão reversa máxima (Vr): Especificação que determina o valor máximo de
tensão que o LED suporta no sentido inverso sem sofrer ruptura. A tensão
inversa máxima dos LED’s é pequena, da ordem de 5V.

A tabela abaixo apresenta as características de alguns diodos LED.

LED COR Vf a If = 20 mA If máx.

LD 30C Vermelho 1,6V 100mA
LD 37I Verde 2,4V 60mA
LD 3I1 amarelo 2,4V 60mA

Dimensionamento de Circuito

Para que o Led funcione corretamente em um circuito é necessário que

se dimensione um resistor limitador que fique em série com o componente de
forma que se assegure que todas as características nominais sejam
obedecidas, garantindo assim o bom funcionamento do componente. Para este
cálculo fazemos uso da lei de Kirchhoff, (figura 45).

V V  VLED
R RS 
I I

Figura 45 - Resistor Série Limitador

Diodo Zener

O diodo zener é um componente fabricado especialmente para trabalhar

em polarização reversa, pois nesta circunstância apresenta uma característica
de tensão constante para uma faixa de corrente. Esta propriedade ocorre pelo
fato do diodo estar trabalhando em situação de avalanche, porém neste caso
controlada. Veja a curva característica de um diodo zener na figura 46.

Figura 46 – Curva Característica do Diodo Zener

49
 Através da curva característica do diodo zener é possível notar que,
quando diretamente polarizado, o diodo zener tem seu funcionamento idêntico
a um diodo comum, porém, ao trabalharmos na região reversa com corrente
maior que iz min e menor que Iz máx, a tensão no diodo permanecerá
praticamente constante. Esta característica do diodo zener permite que o
mesmo seja utilizado como regulador de tensão, pois para qualquer variação
de tensão de entrada no circuito, a tensão sobre o componente permanecerá a
mesma.
Veja abaixo a simbologia adotada para o diodo Zener, (figura 47).

Figura 47 – Simbologia do Diodo Zener

Como os diodos zener são empregados para tensões superiores a 2V,

abaixo desta tensão é comum o uso de diodos polarizados diretamente para
serem usados como reguladores de tensão, e como referência, pois a
característica volt-ampére de um diodo polarizado diretamente é igual à
característica reversa, exceto que, para a característica direta, o joelho ocorre
para uma tensão mais baixa. Para alcançar tensões maiores, colocamos vários
diodos em série. Tal conjunto de diodos, encapsulados como um único
dispositivo, é encontrado com tensões de até 5V, sendo às vezes preferidos
aos diodos zener polarizados reversamente, que em baixas tensões tem
valores muito altos de resistência dinâmica.
As características elétricas do diodo zener são:
- Tensão Zener
- Potência Zener
- Coeficiente de temperatura
- Tolerância
- Tensão Zener: a tensão zener (tensão de ruptura) depende do
processo de fabricação e da resistividade da junção semicondutora. Os diodos
zener são fabricados para valores de tensão zener da ordem de 2V até
algumas dezenas de volts.
- Potência Zener: o diodo zener funciona na região de ruptura,
apresentando um valor determinado de tensão sobre seus terminais (Vz),
sendo percorrido por um uma corrente inversa. Nestas condições verifica-se
que o componente dissipa potência em forma de calor. A potência é dada pelo
produto de tensão e corrente:
P=V.I POTÊNCIA
Pz = Vz . Iz POTÊNCIA ZENER

O valor da potência determina a dissipação máxima que o componente

pode suportar, possui uma relação direta como a região de funcionamento do
zener, a qual é definida por dois valores de corrente (uma vez que sua tensão
inversa é constante), sendo estas:
- Iz máximo
- Iz mínimo
O valor de Iz máximo é definido pela potência zener:

50
 Iz máx = Pz
Vz
O valor de Iz mínimo é definido como 10% do valor de Iz máximo.
- Tolerância: a tolerância do diodo zener informa a variação que pode
existir entre o valor especificado e o valor real da tensão reversa do diodo
zener. Isto significa que um diodo zener de 12V pode ter uma tensão reversa
real, por exemplo, de 11,5V.

Exercícios
01 – Qual é a característica fundamental de um diodo LED?

02 – Cite duas vantagens do diodo LED em relação as lâmpadas

incandescentes de sinalização.

03 – Como se polariza um LED para que emita luz?

04 – Por que se usa polarizar um LED de forma a obter o valor da corrente

direta nominal?

05 – Acrescente um LED ao circuito de forma que indique que a fonte está

ligada (com o valor de potência do resistor).

06 – Qual é o principal emprego do diodo zener?

07 – Desenhe o símbolo do diodo zener.

08 – De que fator depende o comportamento do diodo zener?

09 – Por que o diodo zener não é usado com polarização direta?

10 – Como se comporta o diodo zener com polarização inversa menor que a

tensão zener?

11 – Qual a diferença fundamental entre o diodo convencional e o diodo zener,

com respeito a ruptura?

12 – Quais são as características elétricas importantes do diodo zener?

13 – O que é tensão zener?

51
14 – Qual é a equação da potência zener?

15 – Por que a corrente zener máxima é importante?

16 – Defina a região típica de funcionamento do diodo zener na curva

característica abaixo. Considere Pz = 400mW.

17 – Por que o diodo zener tem dependência térmica?

18 – O que se pode concluir a respeito de Vz e Iz na curva característica

abaixo?

19 – Determine os valores de Izmax e Izmin para cada um dos diodos zener

listados:

52
a) 10V 1W
b) 6V 0,4W
c) 12V 10W

53
6 – Estabilização de tensão com zener
Toda fonte de tensão apresenta variações na tensão de saída, tanto em
função do consumo de corrente imposto pela carga quanto pelas mudanças na
tensão de entrada. Para solucionarmos este problema podemos utilizar uma
fonte de tensão estabilizada, obtida a partir de um circuito retificador, utilizando
na saída um estágio de regulação de tensão com um diodo zener, (figura 48).

Figura 48 – Regulador de tensão utilizando Diodo Zener

O circuito estabilizador de tensão é formado por uma resistência

limitadora Rs e pelo diodo Zener. O cálculo de Rs deve levar em consideração
a carga RL que se pretende alimentar e a variação da tensão de entrada. O
valor de RS deve estar compreendido entre um valor de Rsmin < Rs < Rsmáx,
considerando todos os limites mínimos e máximos das variáveis envolvidas no
circuito, isto é: tensão de entrada (Vin min e Vin max), Correntes de Zener
(Izmín e Izmáx) e corrente na carga (IRLmin e IRLmax). Para o cálculo de Rs
utilizamos as fórmulas:
VinMAX  Vz VinMIN  Vz
 RS 
IzMAX  IRLMIN IzMIN  IRLMAX

Também devemos observar o valor da potência do resistor RS que é

calculada com o auxilio da fórmula abaixo. Na fórmula foi acrescentada a
multiplicação por 1,5 para dar folga de 50% sobre a potencia real dissipada.
(VinMAX  Vz )2
Pr sMAX  1,5
RS

Exercícios
01 – Com relação ao circuito abaixo, qual a tensão sobre a carga (VRL) e sobre
RS (VRS) se a tensão de entrada (Vi) e a tensão zener forem:

54
a) Vi = 9V; Vz = 6V c) Vi = 5V; Vz = 3V
b) Vi = 25V; Vz = 15V d) Vi = 10V; Vz = 15V

02 – Considerando o circuito da questão anterior, determine a tensão de carga

(VRL) e a tensão sobre o resistor limitador (VRS) em cada situação que segue.
Admita a tensão zener igual a 10V.

a) Vi = 16V b) Vi = 14V c) Vi = 21V

03 – Para o circuito que segue, determine a corrente solicitada:

a) IRS = 120mA IRL = 80mA Iz = ?

b) Iz = 19mA IRL = 60mA IRS = ?
c) IRS = 72mA Iz = 25mA IRL = ?

04 – Determine qual o valor necessário de RS em cada item da questão

anterior para obter um VRS de 5V.

05 – Determine os valores solicitados com base no circuito que segue:

Vz = ? VRL = ? VRS = ? IRS = ? IRL = ? Iz = ?

06 – Determine novamente os valores no circuito anterior considerando uma

tensão de entrada de 12V.

55
07 – Com base nas respostas da questão 06, assinale V (verdadeira) ou F
(falsa) cada uma das afirmativas que seguem.
( ) A tensão sobre RS varia quando a tensão de entrada se altera.
( ) A tensão sobre a carga é diferente da tensão sobre o zener.
( ) A potência do diodo zener não é atingida, de forma que o diodo zener não
corre o risco de ser danificado por sobre aquecimento.
( ) A queda de tensão em RS é dada por VRS = Vi – Vz.
( ) A corrente no zener pode ser encontrada através da equação Iz = IRS –
IRL

* As questões de 08 a 14 se referem ao circuito colocado a seguir, que tem

uma tensão de entrada constante.

08 – Quais são os valores de Izmaximo e Izminimo do diodo zener?

09 – Considerando-se que a tensão de entrada (Vi) é constante em 15V, qual é

a queda de tensão no resistor RS?

10 – Que corrente circula em RS? Seu valor será sempre constante?

11 – Considerando a carga como ajustada para 120Ω, determine IRL e Iz.

12 – Se a carga do circuito for modificada para 180Ω, que valores terão as

correntes IRS, IRL e Iz?

13 – Se a carga do circuito for ajustada para 100Ω, que valores terão as

correntes IRS, IRL e Iz?

14 – Nas situações das questões 11, 12 e 13, a potência zener máxima foi
atingida?

56
* As questões de 15 a 17 se referem ao circuito apresentado a seguir:

15 – Que tensão existirá sobre a carga se:

a) todos os componentes estiverem em perfeitas condições de funcionamento
b) se o resistor de 100Ω estiver aberto
c) se o diodo zener estiver em curto
d) se o diodo zener estiver aberto (é como se o diodo zener não existisse no
circuito)

16 – Qual é a queda de tensão e a corrente no resistor de 100Ω na condição

normal de funcionamento do circuito?

17 – Suponha que existe um curto circuito nos terminais de saída da fonte.

Assinale V (verdadeira) ou F (falsa) cada uma das afirmações a seguir:
( ) A tensão sobre a carga é nula
( ) O resistor de 100Ω poderá aquecer excessivamente
( ) A tensão Vi poderá ficar abaixo do nominal, devido ao excesso de corrente
solicitada da fonte

18 – Projete um regulador de tensão que mantenha uma tensão de saída de

9,1V para alimentar um rádio cuja potência máxima de saída é de P máx=
0,7W , utilizando-se de uma fonte cuja saída é de Vcc = 12V com um Fator de
ondulação de 15%.
Obs: escolha valores comerciais de resistência e potência mínima de RS.

19 - Projete um regulador de tensão que mantenha uma tensão de saída de 6V

através de uma carga de 130mW com uma variação de +/- 10% e uma entrada
de 10V com um fator de ripple de 15% Obs: escolha valores comerciais.

20 - Projete um regulador de tensão que mantenha uma tensão de saída de

20V através de uma carga de 1KΩ com uma variação de +/- 15% e uma
entrada de 30V com um fator de ripple de 10% . Obs: escolha valores
comerciais.

21 - Resolva novamente o exercício anterior utilizando o diodo zener indicado.

Tabela E-12: 10, 12, 15, 18, 22, 27, 33, 39, 47, 56, 68, 82
Potência para resistores: 1/8 – ¼ – ½ – 1,0 – 2,0 – 3,0 – 5,0 – 10 – 20W

57
7 – Transistor bipolar de junção (TJB)
Os transistores são muito mais utilizados e de funções mais complexas
se comparados com os diodos de junção. Seu uso vai desde amplificação de
sinais até a lógica digital.
O nome transistor bipolar reflete do fato que o fluxo de corrente nestes
elementos é direcional, ou seja, uma parte é formada por elétrons e outra por
lacunas. Outro fato curioso está na morfologia da palavra transistor: o prefixo
TRANS vem da palavra inglesa TRANSFER e o sufixo SISTOR de RESISTOR.
Combinando ambas, temos algo semelhante a resistor de transferência. À
medida que aprofundarmos no estudo do dispositivo, mostraremos esta
característica fundamental.
Enfim, o transistor de junção (que fora desenvolvido no início da década
de 50) revolucionou a tecnologia até alcançar o estágio atual. Para se ter uma
idéia do significado da invenção do transistor, historiadores da ciência referem-
se à nossa época como a Era do Transistor!

7.1 – Estrutura física

A figura 49 mostra duas estruturas cristalinas: uma do tipo NPN e outra
do tipo PNP. Visualmente percebemos três regiões associadas a cada terminal
do componente: emissor, base e coletor. O emissor é dopado fortemente,
pois dele partem os elétrons para a outra região, a base. Na base, que é fina e
fracamente dopada, a maioria dos elétrons injetados pelo emissor passa para o
coletor. O coletor é a maior das três regiões, pois nele é gerada uma
quantidade de calor maior, e é assim designado pelo fato dos elétrons da
base convergirem para lá (se diz que o coletor junta os elétrons da base). O
nível de dopagem do coletor é intermediário, está entre o da base e o do
emissor.

E C E P N P C
N P N

B
B
Figura 49 - Estruturas físicas

O transistor tem basicamente a função de controlar uma corrente de

maior intensidade entre emissor e coletor através da injeção de uma corrente
de menor intensidade na base. Pode ser aplicado em circuitos em que
desempenha o papel de chave, como nos circuitos digitais ou em
amplificadores de tensão ou corrente.

58
Simbologia

A figura 50 mostra a simbologia adotada para transistores, fazendo a

diferenciação entre o tipo NPN e o tipo PNP.

COLETOR EMISSOR

BASE BASE

EMISSOR COLETOR

NPN PNP

Figura 50 – Simbologias

Observe que o símbolo do transistor PNP está de cabeça para baixo. É

de praxe desenhá-lo assim e o motivo será explicado futuramente.

Analogia do transistor bipolar com diodos

Podemos fazer uma analogia do transistor bipolar de junção com diodos,

para entendermos alguns aspectos de seu funcionamento, porém não
podemos construir nenhum transistor dessa maneira.
A analogia é baseada na estrutura do diodo de junção PN. Do terminal
de base para os terminais de emissor ou coletor vemos um diodo PN. Essa
analogia é utilizada para o teste do transistor bipolar de junção, (figura 51).

Figura 51 – Analogia do transistor bipolar com diodos

7.2 – Teste do Transistor

Fazendo-se uma analogia com diodos, podemos testar um transistor
bipolar e identificar seus terminais. Do mesmo modo como foi testado o diodo
utilizando-se multímetros analógicos ou digitais, podemos testar transistores,

59
pois da base para o coletor ou da base para o emissor vê-se um diodo PN.
Primeiramente identificamos a polaridade do transistor e o terminal de base e
depois os terminais de coletor e emissor.
A região de emissor do transistor é mais dopada do que a região de
coletor. Essa característica é utilizada para a identificação do emissor e do
coletor, pois a tensão de condução do emissor é levemente superior a tensão
de condução do coletor. No exemplo a seguir o transistor BD135 é testado com
um multímetro digital.

Nem todos os transistores bipolares podem ser testados utilizando-se

esse princípio, pois existem transistores especiais que podem apresentar
leituras cujas conclusões podem ser duvidosas. Um exemplo de transistor
nessas condições é o transistor Darlington, que é representado abaixo, (figura
52).

Figura 52 – Transistor Darlington

A característica principal do transistor Darlington é produzir um alto

ganho de corrente que é aproximadamente o produto dos ganhos individuais
de cada transistor da montagem. A montagem de dois transistores discretos do
modo mostrado é conhecida como conexão Darlington.

Modos de operação dos transistores bipolares – polarização

Para um transistor bipolar operar num circuito é necessário que seja
convenientemente polarizado. A polarização consiste na fixação de tensões e
correntes nos terminais do dispositivo, dentro de seus limites de operação e
modo de funcionamento desejado. Existem quatro combinações possíveis de
polarização do transistor bipolar de junção, porém somente três são utilizadas.

60
 Vamos considerar na análise um transistor NPN, porem o mesmo
procedimento poderia ser aplicado a um transistor PNP.

CAMADA DE DEPLEÇÃO

-- -- - - - -
E -- -- - - - - C
-- -- - - - -
-- -- - - - -

Figura 53

Observe na figura 53 que existem duas junções nas estruturas

cristalinas: uma entre base-coletor e outra entre base-emissor. O diodo situado
entre a base-emissor é denominado diodo emissor e o outro, entre base-
coletor, diodo coletor. Como são dois diodos, temos a seguir as quatro
hipóteses para polarização simultânea de todos eles. Veja o quadro:

Denominação do modo de
Diodo emissor Diodo coletor
polarização
Corte Reverso Reverso
Não se aplica Reverso Direto
Ativo Direto Reverso
Saturação Direto Direto

Os modos de corte e saturação são aqueles em que o transistor é usado

para operar como chave eletrônica em circuitos lógicos (por exemplo, em
computadores). No modo ativo, o transistor opera como fonte de corrente e é
capaz de amplificar sinais. Vejamos adiante a descrição da operação em cada
um dos modos.

Modo ativo do transistor NPN – polarização direta-reversa

A configuração ativa do transistor está ilustrada na figura 54. Duas

fontes de tensão externas são usadas para estabelecer as condições de
operação. A tensão Vbe faz com que a base tipo P esteja em um potencial
mais alto do que o emissor tipo N, portanto, se a d.d.p. entre as duas regiões
for aproximadamente 0,7V, este diodo estará diretamente polarizado. A tensão
na junção base-coletor Vbc faz com que o coletor tipo N esteja em um potencial
mais alto do que a base tipo P, portanto, este diodo está reversamente
polarizado.

61
 Figura 54
Relação entre as correntes Ib, Ic e Ie

Você já tem conhecimento sobre a ordem de grandeza entre as

correntes que circulam no transistor polarizado direta e reversamente. Esta
relação depende do nível de dopagem entre as regiões constituintes do
transistor. Como foi mencionado, a base, o coletor e o emissor são: fraca,
média e intensamente dopados, respectivamente. Na prática, os transistores
modernos de baixa potência têm corrente de coletor, que são cerca de 99% da
corrente de emissor. Portanto, resta à base 1%.
Dados estes percentuais, é razoável admitir e relacioná-las por meio de
números adimensionais denominados α e β. A relação α mede quão próxima a
corrente de coletor Ic está de Ie, ou seja, é o quociente entre elas. β é a razão
entre Ic e Ib, e basicamente nos permite dizer o quanto os portadores
majoritários do emissor (os elétrons) fluem pelo coletor e com qual taxa se
recombina na base. Matematicamente, temos:

α = Ic e β = Ic
Ie Ib

Convenções utilizadas para tensões e corrente

O sentido e a nomenclatura utilizada para indicação de tensões e

correntes convencionais no transistor operando na região linear é mostrado a
seguir, (figura 55).

Figura 55

62
Obs.: É freqüente o uso de HFE (índices maiúsculos) para representar o β
envolvendo Ic e Ib contínuos. Muitos se referem a ele como βcc. O βca é
representado por hfe (índices minúsculos).

Conexões do transistor bipolar

Nossa avaliação do funcionamento do transistor tem sido realizada sob o

circuito montado com a estrutura cristalina NPN. Existem configurações típicas
elaboradas com o TBJ e é essencial aprender a reconhecê-las apenas com um
olhar lançado sobre um circuito transistorizado. São três as configurações com
terminal em comum: emissor, coletor e base.
Observe-as na figura 56:

BASE COMUM
EMISSOR COMUM COLETOR COMUM

Figura 56

Obs.: Se você retornar à ilustração da estrutura cristalina NPN em

funcionamento, verá que se trata de uma configuração em base comum, pois
este terminal é comum a VEE e a Vcc.
Cada configuração apresenta características distintas, como ganho de
corrente, ganho de tensão, impedância de entrada e impedância de saída.
O quadro a seguir apresenta uma comparação entre essas
características, que serão estudadas futuramente.

63
Especificações básicas

Os manuais dos fabricantes trazem informações sobre os limites do

transistor, que devemos conhecer com a finalidade de utilizar o dispositivo de
forma correta evitando que se danifiquem. As informações básicas que
devemos conhecer são:

VCEmáx – tensão máxima de coletor

ICmáx- corrente máxima de coletor
PCmáx- potência máxima de coletor

Dependendo da configuração utilizamos:

PCmáx = VCEmáx.ICmáx ou PCmáx = VCBmáx.ICmáx

BVcbo – tensão de ruptura entre coletor e base , com o emissor aberto

BVceo – tensão de ruptura entre coletor e emissor, com a base aberta
BVces – tensão de ruptura entre coletor e emissor, com a base e emissor
em curto circuito.

7.3 – Transistor como chave

O primeiro circuito que estudamos com o transistor é a configuração
típica de uma chave. Com um projeto consistente, o transistor opera apenas no
modo de saturação e corte. Esta aplicação é o cerne do funcionamento dos
computadores e circuitos digitais. Estude-a com atenção e perspicácia, pois
futuramente você entrará em contato direto com os circuitos digitais e a base
da operação destes será vista aqui.

Esquema do circuito

A chave eletrônica com o transistor é feita utilizando o terminal da base

como controle e o terminal de coletor como saída, ambos relativos ao terra.
Veja a figura 57:

64
 Figura 57

O controle é tipicamente um sinal quadrado que varia de 0 a um nível

fixo, que é 5V para circuitos denominados TTL (Transistor – Transistor Lógico).
Quando o sinal de controle está em 0V, a malha da base está submetida a 0V
de d.d.p., portanto, não há corrente na base e, por conseguinte, no coletor
também não. Como Ic = 0A, a queda de tensão em Rc é nula e, para que a lei
de Kirchhoff das tensões continue válida, Vce tem de assumir o valor da fonte
Vcc, chave aberta.
No instante em que ocorre um pulso sobre a base (terminal de controle),
esta irá assumir nível alto, haverá corrente na base e, se esta corrente for
suficientemente alta, o transistor entra na região de saturação tornando Vce
próximo à 0V. Nesse instante, a corrente circulante no coletor será Icsat
(corrente de saturação) e, de coletor para emissor, o transistor se assemelha a
uma chave fechada. Novamente para a lei de Kirchhoff permanecer inalterada,
o resistor de coletor Rc tem entre seus terminais a tensão da fonte Vcc.
É importante observar que o sinal quadrado de saída é exatamente
oposto ao do controle. Isto acontece devido às condições em que ocorrem os
chaveamentos. Quando controle = 0V (nível baixo), a saída = Vcc (nível alto).
Caso contrário, se controle = Vbb (nível alto), a saída = 0V (nível baixo). Por
isso, os sinais são opostos.

Condição suficiente para o funcionamento da chave eletrônica

A condição necessária e essencial é que a corrente Ib seja grande o

suficiente para levar Ic à saturação. Os profissionais que projetam chaves a
transistor usam uma regra superdimensionada para escolha dos resistores Rb
e Rc. Eles adotam um β = 10; este β praticamente não se encontra, mesmo em
transistores de potência que são conhecidos por terem betas pequenos. Dessa
maneira dividimos o projeto em três etapas:

65
 1ª etapa – O resistor Rc normalmente é a carga que se deseja acionar.
É imprescindível conhecer sua resistência elétrica ou a corrente de
funcionamento. Esta corrente deverá ser tida como Icsat.
2ª etapa – Podemos calcular Ib usando um beta crítico igual a 10,
IC
portanto, I b  SAT
10
3ª etapa – Encontramos o valor de Rb usando a lei de Ohm, já que
sabemos que a tensão nos terminais dele deve ser Vbb – 0,7V.
Vbb  0, 7
Rb 
Ib
Acionando carga com o transistor

No estudo feito acima, buscamos especificar um resistor de base para

que o transistor saturasse irremediavelmente. Na prática, a chave é muito
usada para acionar relés, motores CC de pequena capacidade, lâmpadas de
baixa potência, LED’s indicadores etc. Veja um exemplo do acionamento de
relés, figura 58:

Figura 58
Obs.:
Toda vez que um transistor chavear cargas indutivas é necessário
acrescentar um diodo, reversamente polarizado, em paralelo com a carga. Isto
porque quando a carga está sendo acionada (transistor saturado) a indutância
da carga recebe energia da fonte. Durante o desligamento (transistor indo para
o corte) ocorre a inversão da tensão nos terminais da carga (lei de Lenz) para
manter a corrente circulando no mesmo sentido. Essa tensão pode ser
suficientemente alta e destruir o diodo coletor. O diodo D faz o retorno da
corrente e dissipa a energia armazenada na indutância da carga, protegendo o
transistor.

Outra aplicação importante do transistor é como fonte de corrente, pois

nesta o transistor é capaz de amplificar sinais CA. Veremos um pouco à frente,
em nossos estudos, como polarizar circuitos transistorizados na região ativa e
prepará-los para a amplificação.

66
7.4 – Outros transistores especiais

Fototransistor

O fototransistor é um transistor otimizado para operar a partir da luz.

Existe uma janela transparente para incidência de luz (fótons). A luz converge
para a junção base-coletor reversa (diodo reverso) e quebra ligações
covalentes na banda de valência. Os elétrons são elevados à banda de
condução e passam a circular nela de acordo com a intensidade da luz
aplicada.
A luz adequada ao funcionamento do dispositivo é aquela que possui o
comprimento de onda certo (que pode ser visível ou não). Veja na figura 59 sua
simbologia.

Figura 59 – Simbologia do Fototransistor

Optoacoplador com fototransistor

Como o fototransistor é um receptor de luz e atua somente na presença

dela, os fabricantes oferecem um pequeno CI que incorpora o par emissor-
receptor. Este par é bastante aplicado na isolação elétrica entre circuitos
eletrônicos. A figura 60 mostra a sua simbologia.

Figura 60 – Simbologia do Optoacoplador com Fototransistor

Abaixo é exibida uma parcial do datasheet do TIL 111.

67
Transistor multiemissor e multicoletor

A figura 61 mostra a sua simbologia:

Figura 61

68
Obs.:
No caso do transistor multiemissor, basta que um dos transistores tenha
o emissor colocado no terra para que todas as bases estejam em 0,7V. De
forma equivalente, se no símbolo um dos emissores vai ao terra, a base
assume 0,7V de potencial e circulam as correntes Ic e Ib correspondentes à
quantidade de emissores em condução. No caso do multicoletor é necessário
que pelo menos um dos transistores tenha o coletor em Vcc, através de Rc,
para existir Ib e Ie.

Transistor Darlington

Consiste em uma conexão de dois transistores. O emissor do primeiro

vai à base do segundo. Os coletores são ligados juntos. A base do primeiro, o
emissor do segundo e a conexão em comum dos coletores são: a base, o
emissor e o coletor do Darlington, respectivamente. A razão principal da
conexão é a obtenção de um transistor cujo beta é o produto de β1 e β2. Veja
figura 62.

Figura 62

Exercícios
01 – Quais são os dois tipos de transistores bipolares?

02 – Como se denominam os três terminais de um transistor?

03 – Desenhe o símbolo dos dois tipos de transistores bipolares, identificando

os seus terminais.

04 – Como deve ser feita a identificação dos terminais de um transistor?

05 – Identifique os terminais C, B e E dos transistores que seguem, com base

na tabela de tipos de encapsulamento fornecida a seguir.

69
06 – Em que situação os transistores podem ser analisados como dois diodos
ligados em oposição?

07 – Em que se baseia o teste de transistores com um ohmímetro?

08 – Para efeito de teste identifique a que tipo de transistor corresponde cada

uma das associações de diodos:

09 – Qual é o aspecto importante, a respeito dos multitestes, que deve ser

considerado ao testar transistores?

10 – Identifique, ao lado de cada situação, se a leitura do multiteste deve

indicar alta ou baixa resistência, partindo do princípio que os transistores estão
perfeitos.

70
71
11 – Complete o símbolo dos transistores com base nas medidas de
resistência apresentadas, considerando que os transistores estão em boas
condições.

72
12 – Identifique que defeitos apresentam os transistores abaixo, analisando as
medidas de resistência.

a)

b)

73
c)

13 – Por que é necessário aplicar tensões externas aos terminais do transistor?

14 – Qual é a diferença existente entre os dois tipos de transistores, no que diz

respeito a polaridade das baterias?

15 – Quais são as junções existentes em um transistor?

16 – Como deve ser polarizada a junção base-emissor dos transistores para

região ativa?

17 – Como deve ser polarizada a junção base-coletor dos transistores, na

região ativa?

18 – Considerando-se que a diferença entre os transistores NPN e PNP, no

que diz respeito a aplicação de tensão externa, se resume apenas em troca de
polaridades, desenhe as baterias que fornecem as tensões de polarização do
transistor PNP na região ativa.

74
19 – O que é VBE?

20 – Determine os valores das tensões solicitadas em cada situação.

21 – Que corrente é provocada pela aplicação de uma tensão VBE em um

transistor?

22 – Indique as correntes existentes nos transistores (usando setas e as

respectivas notações).

23 – Qual a relação existente entre as correntes no circuito abaixo?

75
24 – Determine o valor de corrente solicitado em cada um dos itens a seguir.

a) I B  300 A b) I B  1mA c) I C  18mA

I C  12mA IC  70mA I E  18, 03mA

IE  IE  IB 

25 – Em que aspecto reside a característica fundamental do transistor?

26 – Que corrente do transistor atua como corrente de controle?

27 – De onde provém todas as correntes que circulam em um transistor?

28 – O que representa o ganho de corrente DC?

29 – Que letra grega representa o ganho de corrente dos transistores?

30 – Sabendo-se que a corrente de base de um transistor é de 10mA e o seu

β=150, qual é a corrente de coletor?

31 – Determine os valores de Ic nas situações que seguem:

a) IB=45µA β=125
b) IB=1,3mA β=90
c) IB=70mA β=50

76
32 – Determine o ganho de corrente e a corrente de emissor de um transistor
sabendo que Ic=35mA e IB=530µA.

77
7.5 – Curvas características do transistor
As curvas características do transistor representam o comportamento do
dispositivo polarizado numa certa configuração.
Os manuais dos fabricantes informam de modo gráfico o comportamento
do transistor em condições de teste e que também podem ser obtidos através
de ensaios de laboratório.

Curva característica de entrada

A curva característica de entrada de um transistor em qualquer

configuração mostra o comportamento da junção base emissor, que é
semelhante à curva do diodo. A diferença que existe está na influência da
polarização entre os outros terminais como é apresentado através da figura 63.

Figura 63

A curva característica de saída mostra a relação entre a corrente de

coletor e a tensão entre coletor e emissor ou entre coletor e base. A
característica de saída apresenta uma família de curvas que depende do tipo
de configuração empregada. Para um transistor operando na configuração
base comum, a família de curvas características apresentada (figura 64) é
obtida pela relação:

Ic ≅ α . Ie

78
 Figura 64
Na configuração emissor comum e coletor comum, a família de curvas (figura
65) é obtida pela relação:

Ic ≅ β . Ib

Figura 65

As relações Ic ≅ α . Ie e Ic ≅ β . Ib são válidas para a região linear

(região ativa) de operação do transistor, isto é, não podem ser empregadas
para o transistor trabalhando em corte e saturação. Para o corte Ic ≅ Ie ≅ Ib ≅
0 e para a saturação, Ic ≤ β . Ib ou Ic ≤ α . Ie.
Nas figuras mostradas a seguir (figura 66 e figura 67) é destacada a
região de corte e saturação nas duas famílias de curvas características.

79
 Figura 66

Figura 67

A região linear de operação de um transistor é ainda limitada pela

máxima potência dissipada no coletor do transistor e que pode ser obtida pelo
produto da tensão e corrente.
Para as configurações coletor comum ou emissor comum é utilizado:

PCmáx=VCEmáx.ICmáx

Para a configuração base comum, a potência é calculada por:

PCmáx=VCBmáx.ICmáx

80
 A figura 68 mostra a região de máxima dissipação de potência
sobreposta à família de curvas características.

Figura 68

Portanto, para se polarizar um transistor, devemos além de definir o

modo de operação (se corte, ativo ou saturação), respeitar seus limites, para
que possa operar num circuito sem que se danifique.

Polarização de transistores bipolares

O transistor tem basicamente a função de controlar uma corrente de

maior intensidade entre emissor e coletor através da injeção de uma corrente
de menor intensidade na base. Pode ser empregado em circuitos onde
desempenha o papel de chave (trabalhando em corte - saturação), como nos
circuitos digitais ou em amplificadores (trabalhando na região ativa) de tensão
ou corrente.
Através da polarização do transistor podemos definir o modo de
operação desejado. Polarizar um transistor significa fixar tensões e correntes
adequadas, dentro dos limites de operação do transistor.

7.6 – Reta de carga do circuito

A reta de carga define os pontos de operação que o transistor pode
assumir dentro de um circuito. A localização do ponto de operação no plano de
suas curvas características define seu modo de operação. Com a reta de carga

81
do circuito podemos fixar o ponto de operação dentro da área útil de trabalho
do transistor, que pode operar no corte, saturação ou na região ativa (linear).
Na figura 69 e figura 70, temos um exemplo de pontos de operação
diferentes para um transistor operando em corte (Qc), na região ativa (Qb) e na
saturação (Qa).

Figura 69 - curvas características para montagem base comum

Figura 70 - curvas características para montagem emissor comum

7.7 – Circuitos de polarização de transistores

Existem vários circuitos polarizadores de transistor empregado junto às
configurações básicas conhecidas como: base comum, emissor comum e
coletor comum.

82
 A seguir serão apresentados os circuitos polarizadores mais comuns e a
análise desses circuitos em corrente contínua, com o objetivo de se obter as
relações que permitem determinar o ponto de operação ou dimensionar o valor
dos resistores que polarizam o transistor.

7.7.1 – Circuito de polarização base comum

O circuito mostrado a seguir (figura 71) é um circuito polarizador base
comum utilizando um transistor do tipo PNP. Para o caso de um transistor
NPN, as fontes de tensão estariam invertidas.
Nesta figura temos duas versões do mesmo circuito. Na segunda
representação, as fontes são simbolizadas utilizando um sinal + e – para
indicar o pólo da fonte ligado naquele ponto.

Figura 71
A seguir (figura 72) são mostrados dois circuitos na configuração base
comum. O primeiro circuito tem somente uma fonte de tensão contínua para a
polarização do transistor, que tem a base ligada ao divisor de tensão, que fixa
as tensões entre base-emissor e base-coletor de modo adequado. Ao lado, um
circuito idêntico ao primeiro apresentado, porém em outra posição.

Figura 72

83
Análise do circuito base comum

O circuito a seguir (figura 73) mostra a configuração do transistor PNP

em base comum.

Figura 73

Analisando a malha base-emissor temos:

+ VEE – REIE – VEB = 0

Portanto: RE = + VEE – VEB

IE

Considerando o transistor operando na região linear, temos:

Ic ≅ α . Ie

Então, analisando a malha base-coletor, podemos escrever:

– VBC – RC.IC + VCC = 0

Portanto: VBC = VCC – RC.IC

Então: RC = VCC – VBC

IC
Essa equação denomina-se equação da reta de carga do circuito, que
pode ser escrita da seguinte forma:
IC = VCC – VBC
RC

84
 Para representar a reta num plano cartesiano, devemos conhecer dois
de seus pontos obtidos a partir da equação.
Para IC = 0 → VBC = VCC e Para VBC = 0 → IC = VCC
RC

A reta traçada sobre a família de curvas características do transistor

define o ponto de operação do transistor, isto é, os valores da corrente de
coletor e da tensão base-coletor para a configuração base comum.

7.7.2 – Circuito de polarização emissor comum

A configuração emissor comum é a mais utilizada das polarizações de
transistores. A figura 74 e figura 75 mostram dois circuitos com a mesma
configuração, utilizando transistores do tipo NPN e PNP.

Figura 74

Figura 75

85
Análise do circuito emissor comum

O circuito a seguir (figura 76) mostra a configuração do transistor NPN

em emissor comum.

Figura 76

Analisando a malha base emissor temos:

+VBB – RB.IB – VBE = 0

Portanto: RB = + VBB – VBE

IB
Considerando a transistor operando na região linear, temos:

Ic ≅ β . Ib

Então, analisando a malha coletor emissor, podemos escrever:

VCE + RC.IC – VCC = 0

Portanto: VCE = VCC – RC.IC

Então: RC = VCC – VCE

IC

A essa equação chamamos equação da reta de carga do circuito, que

pode ser escrita da seguinte forma:

86
 IC = VCC – VCE
RC

Para representar a reta num plano cartesiano, devemos conhecer dois

de seus pontos obtidos a partir da equação:

Para IC = 0 → VCE = VCC e para VCE = 0 → IC = VCC

RC
A reta traçada sobre a família de curvas características do transistor
define o ponto de operação do transistor, isto é, os valores da corrente de
coletor e da tensão coletor-emissor para a configuração emissor comum.

7.7.3 – Circuito de polarização coletor comum

O circuito a seguir (figura 77) mostra o transistor NPN na configuração
coletor comum:

Figura 77

Analisando a malha base emissor temos:

VCC – RB.IB – VBE – RE.IE = 0

VCC – RB.IB – VBE –VRE =0

RB = VCC – VBE – VRE

IB

Portanto, para IB ≅ 0:

87
 IE ≅ VCC – VBE
RE

RE = VCC – VBE
IE

Então, analisando a malha emissor coletor como IC ≅ IE com ß >> 1,

podemos escrever:
RE.IE + VCE – VCC = 0
Portanto:
VCE = VCC – RE.IE
Então:
RE = VCC – VCE
IE

A essa equação chamamos equação da reta de carga do circuito, que

pode ser escrita da seguinte forma:
IE = VCC – VCE
RE
Para representar a reta num plano cartesiano, devemos conhecer dois
de seus pontos obtidos a partir da equação.
Para IC = 0 → VCE = VCC e para VCE = 0 → IC = VCC
RE

7.8 – Influência da temperatura na polarização

O material semicondutor do qual é formado o transistor é muito sensível
a temperatura, pois a elevação da temperatura libera portadores, aumentando
assim a condutividade do material. A temperatura age principalmente nos
parâmetros Icbo, e VBE dos transistores. O gráfico a seguir (figura 78) mostra a
influência da temperatura nos transistores bipolares.

Figura 78

88
 A elevação da temperatura aumenta o β do transistor, que traz como
conseqüência o aumento da corrente de coletor, pois IC= β.IB, mesmo que a
corrente de base permaneça constante. A corrente de saturação inversa dobra
de valor nos transistores de silício a cada 10°C de elevação na temperatura. A
tensão VBE diminui 2,5mV a cada grau de elevação na temperatura. Portanto a
temperatura influencia consideravelmente no comportamento dos transistores.

7.9 – Circuito de polarização com corrente de emissor

estável
Através de realimentação negativa podemos obter uma polarização
estável do transistor no circuito, e compensar possíveis variações decorrentes
de variações na temperatura.

Figura 79

Na figura 79, o resistor RE pertence às malhas de entrada (base

emissor) e saída (coletor emissor), desta forma ele produz uma realimentação
negativa na malha base-emissor. Com o aumento da temperatura, e
conseqüentemente aumento da corrente de coletor, haverá um acréscimo na
queda de tensão VRE, que influencia diretamente no comportamento da
corrente base. Como a tensão que alimenta o circuito é constante, o aumento
de VRE provoca uma diminuição de VRB, diminuindo assim a corrente de
base, compensando o aumento inicial. Esse processo mantém a polarização
estável.

7.10 – Circuito de polarização com divisor de tensão

O circuito de polarização com divisor de tensão é uma configuração que
permite uma polarização estável, sendo muito utilizada. A tensão na base é
produzida pelo divisor de tensão formado por resistores, como mostra a figura
80:

89
 Figura 80

Análise do circuito emissor comum com divisor de tensão

Para o circuito mostrado a seguir (figura 81):

Figura 81

A tensão VRB2 é produzida pelo divisor de tensão e, portanto é

constante.
Analisando a malha base emissor, temos: VRB2 = VBE + VRE

Para pequenas variações de temperatura a tensão VBE permanece

praticamente constante e, portanto a tensão VRE também será praticamente
constante, permitindo a polarização estável do transistor.

90
 Adotando o valor da corrente IB2, e o valor de VRB2 obtido a partir de
VBE e VRE, temos:
RB2.IB2 = VBE + VRE
Portanto:
RB2 = VBE + VRE
IB2
Uma vez obtido o valor de VRB2 então podemos determinar o valor de
RB1. Analisando o divisor de tensão, temos:
Como:
VRB1 = VCC – VRB2
Então:
VRB1 = RB1.IB1
Portanto:
RB1 = VCC – VRB2
IB1

A corrente através de RB1 será a soma de IB1 e IB.

IB1 = IB + IB2

Analisando a malha coletor emissor, obtemos:

VCC = VCE + RC.IC + VRE

Portanto:
RC = VCC – VCE – VRE
IC
Exercícios
01 – Determine os valores solicitados, com base no circuito que segue.

91
a) VCE=5,3V VCC=15V VRC=?
b) VCC=8V VRC=3,7V VCE=?
c) VCE=12,8V VRC=11,5V VCC=?

02 – Determine os valores solicitados, com base no circuito que segue e nos

dados fornecidos.

a) VCC=15V RC=470Ω VRC=8V VCE=? IC=?

b) VCC=40V RC=1KΩ IC=18mA VRC=? VCE=?
c) IC=70mA RC=270Ω VCE=13V VRC=? VCC=?

03 – Determine a potência dissipada em Rc em cada item da questão anterior.

04 – Todos os resistores da questão 02 poderiam ser 1/4W? Justifique com

base nas respostas da questão 03.

05 – Considerando que VCC  VCE  VRC e que VRC  RC .I B . , pode-se afirmar que
a equação VCC  VCE  ( RC .I B . ) é correta?
06 – Determine os valores de Ic, VRC e VCE no circuito abaixo, para IB=65µA
e para IB=45µA.

92
07 – Tomando como base o circuito que segue, determine o que é necessário
fazer com IB (aumentar ou diminuir), para que se obtenha o resultado
desejado:

a) para aumentar VCE

b) para aumentar VRC
c) para diminuir VCE
d) para diminuir VRC

08 – Por que a potência dissipada na junção base-emissor de um transistor

pode ser desprezada na determinação da potência total?

09 – Qual é a equação da potência dissipada no transistor?

93
10 – Por que a dissipação de potência do transistor deve ser limitada?

11 – Determine a potência dissipada (PC) em cada uma das situações que

seguem, tomando como base o circuito ao lado e os dados fornecidos.

a) VCE=12V IC=14,3mA
b) VCE= 8V IB= 119µA
c) VRC= 16V
d) VCB=9V VBE= 0,6V IC=18,6mA

12 – O que é potência de dissipação máxima?

13 – Que fatores influenciam na dissipação máxima de um transistor?

14 – Por que os “transistores de potência” geralmente são construídos em

encapsulamento metálico?

15 – Quais são os terminais de entrada e os terminais de saída de um

transistor na configuração:
a) emissor comum b) coletor comum c) base comum

16 – Por que se utilizam as curvas características para apresentar o

comportamento de um componente?

94
17 – Quais são os parâmetros elétricos utilizados para a construção das curvas
características do transistor?

18 – Com que finalidade a reta de carga é traçada sobre a curva característica

de saída de um transistor?

19 – Indique no circuito (com os números 1 e 2) qual o voltímetro que indica as

tensões assinaladas na curva característica.

20 – O que é “ponto de operação”?

21 – Em que região da reta de carga normalmente se situa o ponto quiescente?

22 – Determine os valores de VCEq, VRCq ICq e IBq do circuito cuja curva e

reta de carga e ponto de operação estão colocados a seguir.

95
23 – Trace a reta de carga do circuito, escolha um ponto de operação de forma
V
que VCEQ  CC e determine os valores de ICq, VCEq, VRCq e IBq deste ponto
2
de operação.

24 – Quais são as regiões possíveis para um transistor?

25 – Identifique a região de funcionamento de cada um dos circuitos que

seguem:

96
26 – Um transistor tem o seu ponto de operação na região ativa. O que é
necessário fazer no resistor de base para que o ponto de operação se
desloque mais para: a) a região do corte b) a região da saturação

27 – Qual a finalidade do divisor de tensão utilizado na polarização de base por

divisor de tensão?

28 – Por que se acrescenta um resistor de emissor no circuito de polarização

de um transistor?

29 – Determine os valores de VRC, VRE e VCE nos circuitos que seguem:

97
30 – Determine as variáveis que cada instrumento indica e assinale as suas
polaridades.

98
31 – Qual é a tensão VBE aplicada ao transistor no circuito a seguir?

32 – Determine os valores de RC, RE e RB1 para que o circuito assuma as

condições especificadas. Considere RE sendo 10% de RC.

a) Vcc=18V VRCq=8V ICq=8mA

b) Vcc= 15V ICq=7mA VCEq= 6V

33 - Para o circuito da figura 1 calcule Ic, Ve, Vcc, Vce, Rb1.

34 - Para o circuito da figura 2 calcule Ic, Ib, Rc, Vb, Rb.
35 - Para o circuito da figura 3 calcule Ic, Ib, β.

99
36 - Determine: Ic, Ib, Vrb, Rb para o circuito da figura 4.
37 - Determine :Ic, Ib, β, Re, Vrb, Vc para o circuito da figura 5.
38 - Determine: Ic, Vce, Vrb1, Vrb2, Vrc, Vre, β, para o circuito da figura 6.

100
Referências Bibliográficas
BOYLESTAD, R.L. Introdução à Análise de Circuitos. 8.ed. Rio de Janeiro:
LTC - Livros Técnicos e Científicos Editora S.A.,2001.

GUSSOW, M. Eletricidade Básica. 2.ed. São Paulo. Pearson Makron Books,

2005.

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