UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE-

LATACUNGA
INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA E INSTRUMENTACIÓN
CONTROL ELECTRÓNICO DE POTENCIA

TEMA:
TIPOS, CARACTERÍSTICAS Y PROTECCIONES DE SEMICONDUCTORES
DE POTENCIA

DOCENTE:
ING. FRANKLIN SILVA

ALUMNA:
GUANOLUISA ANA
ROBAYO PAOLA
TOAPANTA ÁNGEL

PERIODO:
OCTUBRE 2019 – FEBRERO 2020
 SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Los semiconductores de potencia se clasifican en tres tipos:

 TIPO I: No controlados
Dentro de esta clasificación encontramos a los diodos.
Tipos de Diodos de Potencia.
1. Diodos Normales, de propósito general (ESTANDAR).
Este tipo de diodos se usan para aplicaciones de baja frecuencia (aproximadamente
hasta 1KHz), un ejemplo de aplicación son los rectificadores, con respecto a su
corriente está en el rango de menos de 1A hasta varios miles de Amperes y su rango de
Voltaje va entre los 50V hasta los 5kV.

Figura 1. Representación diodo normal

2. Diodos de Recuperación Rápida.
Estos diodos trabajan a mayores frecuencias que los diodos STANDARES, y se usan
en conversores CD/CD y CD/CA, trabajan a voltajes desde 50V hasta 3kV y corrientes
de menos de 1A hasta cientos de Amperes.
3. Diodos de Schottky.
Este diodo trabaja a un voltaje máximo de 100V, y sus especificaciones de corriente
varía entre 1A a 400A, se usan en aplicaciones como fuentes de poder de poca corriente.

Figura 2. Representación diodo Schottky

Estándar Recuperación Rápida Schottky

VOLTAJE Alta Media Baja
CORRIENTE Alta Media Baja
POTENCIA Alta Media Baja
FRECUENCIA Baja Alta Alta
Tabla 1. Tabla comparativa entre los diferentes semiconductores de potencia TIPO I

Protección de estos dispositivos

Los dispositivos de protección que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos
y por eso los más empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrápidos" en
la mayoría de los casos.
Los fusibles, como su nombre indica, actúan por la fusión del metal de que están compuestos
y tienen sus características indicadas en función de la potencia que pueden manejar; por esto
el calibre de un fusible no se da sólo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su 𝐼 2 𝑡 y
su tensión.
 TIPO II: Semicontrolados
Dentro de esta clasificación encontramos los tiristores.
Tipos de Tiristores.
1. SCR controlados por fase.
 Figura 3. Representación SCR
2. Tiristores de triodo bidireccionales (Triac).

Figura 4. Representación TRIAC

3. Tiristores de apagado Rápido.
4. Tiristores apagados por compuerta (GTO).

Figura 5. Representación GTO

Protecciones de los tiristores

 Protección contra di/dt: En la práctica la tasa di/dt se limita agregando un inductor en serie L,
como se muestra en la figura.

Figura 6. Circuito de conmutación para tiristor, con inductores limitadores de la tasa di/dt.

 Protección contra dv/dt: Se puede limitar la tasa dv/dt conectando el capacitor Cs como se ve
en la figura.

Figura 7. Circuito de protección contra la tasa dv/dt.

 TIPO DE CONTROL DE COMPUERTA FRECUENCIA DE VOLTAJE CORRIENTE
INTERRUPTOR CONMUTACION MAXIMO MAXIMA
SCR controlados Corriente para activación. Baja(60Hz) 1.5kV, 1KA,
por fase Sin control para apagado 0.1MVA 0.1MVA
TRIAC Corriente para activación. Baja (60Hz) 600-800V 100-270 A
Sin control para apagado
Tiristores de Corriente para activación. Intermedia (5kHz)
apagado rápido Sin control de apagado.
GTO Corriente para control de activación y Intermedia (5kHz)
apagado.

Tabla 2. Tabla comparativa entre semiconductores TIPO II

  TIPO III: Controlados:
TRANSISTORES DE POTENCIA
Los transistores de potencia tienen características controladas de encendido y apagado. Los
transistores, que se utilizan como elementos de conmutación, se operan en la región de saturación, y
producen una pequeña caída de voltaje en el estado de encendido. Se emplean en aplicaciones de baja
a mediana potencia.
Los transistores de potencia se pueden clasificar, de manera general, en cinco categorías:

1. Transistores bipolares de unión (BJT)

Figura 8. Estructura interna de un BJT.

2. Transistores de efecto de campo de metal óxido semiconductor (MOSFET)

Figura 9. Estructura de un MOSFET.

3. Transistores de inducción estática (SIT)

Figura 10. Representación de un SIT.

4. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)

Figura 11. Representación de un IGBT.

Protecciones de los transistores

 Limitaciones por di/dt y por dv/dt: Los transistores requieren ciertos tiempos de encendido y
de apagado. Si no se tiene en cuenta el tiempo de retardo𝑡𝑑 y el tiempo de almacenamiento
 𝑡𝑠 , las formas típicas de onda de voltaje y de corriente de un interruptor BJT se ven en
siguiente figura:

Figura 11. Formas de onda de voltaje y corriente

 Circuito de protección por 𝑑𝑖 ⁄𝑑𝑡 y 𝑑𝑣⁄𝑑𝑡 : La red RC a través del transistor se llama
“Circuito amortiguador” o amortiguador y limita la tasa 𝑑𝑖 ⁄𝑑𝑡

Figura 11. Interruptor de transistor con protección por medio de las tasas 𝑑𝑖 ⁄𝑑𝑡 y 𝑑𝑣 ⁄𝑑𝑡

Protección contra excesos de voltaje

 Protección de MOSFET: Añadir un diodo zener entre el drenaje y la fuente. El zener actúa para
suprimir sobretensiones, y también protege contra el ruido o una fuente de alimentación que se
conecte accidentalmente al revés. El zener también es necesario si la carga es inductiva, tal
como un solenoide, un motor o un relé. Las cargas inductivas utilizan campos magnéticos.
También se puede colocar uno o dos diodos zener en la puerta. El propósito de los zener es
asegurarse de que las tensiones de entrada no excedan de la especificación del MOSFET.

Figura 12. Protección típica contra sobretensión (zeners) y circuito abierto (Rgs) en el gate.
  Protección de IGBT: Para detectar condiciones de sobrecargas y sobretensión, los
amplificadores de aislamiento que ofrecen una rápida respuesta o feedback de fallos se pueden
utilizar en las fases de salida y el bus de CC. La tensión del bus de CC también debe ser
mantenida bajo constante control. De aislamiento eligiendo los valores de R1 y R2 de acuerdo
a la proporción adecuada.

Figura 13. Uso del ACPL-C79A para la detección de sobrevoltaje.

Protección contra excesos de corriente

 Protección de SIT: Dado que el SIT conmuta muy rápidamente, el mejor sistema de protección
es una señal realimentada al terminal de puerta que se encargue de cortarlo
 Protección de IGBT: Para IGBT se utiliza como protección una combinación de los métodos
de protección del diodo y del MOSFET; por un lado fusibles y por otro, aprovechando que el
terminal de puerta es capaz de cortar o reducir la corriente de pocos uS, realimentación.

TIPO I TIPO II TIPO III

POTENCIA Alta Alta Baja
FRECUENCIA Baja Baja Alta
PARA AC AC AC/DC
CONMUTACION Natural Natural y Forzada Forzada
CONTROL No Si Si
Tabla 3. Tabla comparativa entre semiconductores TIPO III
Tipo de interruptor Control de Característica de Frecuencia de Caída de Voltaje Corriente Ventajas Desventajas
compuerta control conmutación voltaje en máximo máxima
estado
encendido
Transistores Corriente Continua Media 20 KHZ Baja 1.5 kV 1KA Voltaje en estado Disipación de potencia en
bipolares de unión 𝑆𝑠 = 𝑉𝑠 𝐼𝑆 𝑆𝑠 = 𝑉𝑠 𝐼𝑆 apagado activación de base
(BJT) = 1.5𝑀𝑉𝐴 = 1.5𝑀𝑉𝐴 Gran pérdida en Altas disipaciones de
conmutación. conmutación.
Dispositivo de voltaje
unipolar.

MOSFET Voltaje Continua Muy Alta Alta 1KV 150 A Mayor velocidad Alta caída de voltaje, hasta
𝑆𝑠 = 𝑉𝑠 𝐼𝑆 𝑆𝑠 = 𝑉𝑠 𝐼𝑆 de conmutación. de 10V
= 0.1𝑀𝑉𝐴 = 0.1 𝑀𝑉𝐴 Baja pérdida por Menor capacidad de
conmutación. voltaje en estado apagado.

Voltaje Continua Muy Alta Baja 1 kV 100 A Pocos requisitos Dispositivo de baja
de control de potencia.
compuerta y poca Bajas capacidades de
COOLMOS disipación de contaje y corriente.
potencia en estado
activado.
Voltaje Continua Muy Alta Alta Alta capacidad de Menores capacidades de
SIT voltaje. corriente.

Voltaje Continua Alta Media 3.5 kV 2kA Bajo voltaje en Menor capacidad e voltaje
IGBT estado encendido. en estado apagado.
𝑆𝑠 𝑆𝑠 = 𝑉𝑠 + 𝐼𝑠 Poca potencia en Mayor caída de voltaje en
= 𝑉𝑠 + 𝐼𝑠 = 1.5 𝑀𝑉𝐴 la compuerta. estado encendido.
= 1.5 𝑀𝑉𝐴

Tabla 4. Tabla comparativa entre los semiconductores más conocidos

BIBLIOGRAFÍA:
 http://www.ugr.es/~amroldan/enlaces/dispo_potencia/diodo.htm#AQ
 https://library.e.abb.com/public/2098622c3a5d4b088769aaca905fcf55/55-
59%202m6021a_ES_72dpi.pdf
 http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_3.Dispositivos-
Potencia(slides).pdf
 https://es.wikipedia.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_potencia
 http://materias.fi.uba.ar/6625/Clases/Clase22_apunte.pdf