GUÍA DE TRABAJO PRÁCTICO - Código FGL 029

EXPERIMENTAL Versión 01
Talleres y Laboratorios de Docencia ITM Fecha 2014-08-20

1. IDENTIFICACIÓN DE LA GUÍA

Nombre de la guía: Transistores BJT

Código de la guía (No.): Guía No. 04
Taller(es) o Laboratorio(s) aplicable(s): Electrónica y telecomunicaciones
Tiempo de trabajo práctico estimado: Dos horas (2 horas)
Asignatura(s) aplicable(s): Laboratorio de Electrónica análoga
Programa(s) Académico(s) /
Facultad de Ingeniería
Facultad(es):

COMPETENCIAS
Comprender, Diseñar y
Construir circuitos
electrónicos, utilizando Hoja técnica de datos
diodos, transistores BJT
(Transistores de Juntura
Bipolar), transistores FET
(Transistores de Efecto de
Campo), para desarrollar
aplicaciones en los procesos
industriales.
CONTENIDO INDICADOR DE
TEMÁTICO LOGRO
Comprende el
funcionamiento de
Identificación de
estado sólido del
terminales del BJT
transistor BJT.
del transistor BJT. Aplica los principios
Curvas y técnicas
características. fundamentales
para el análisis de
circuitos eléctricos
y la recta de carga
en circuitos con
transistores BJT.

2. RECURSOS REQUERIDOS

- Fuente de alimentación
- Multímetro
- Board
- 1 Potenciómetros de 5KΩ
- 1 Potenciómetro de 1MegΩ
- 1 Resistor de 100Ω
- Transistor 2n2222
 GUÍA DE TRABAJO PRÁCTICO - Código FGL 029
EXPERIMENTAL Versión 01
Talleres y Laboratorios de Docencia ITM Fecha 2014-08-20

3. FUNDAMENTO TEORICO

a. Descripción general del transistor

El transistor es un dispositivo electrónico de tres terminales, formado por tres

regiones semiconductoras.
Dependiendo del tipo de semiconductor de cada región (p o n), podemos tener dos
tipos de transistor (npn y pnp), tal como se muestran en la figura 1, junto con sus
respectivos símbolos circuitales.

Figura 1. Tipos y símbolos de transistores.

Las tres terminales del transistor se nombran base (B), emisor (E) y colector (C).
El transistor tiene dos formas fundamentales de actuar dentro de un circuito.

 Como amplificador

Cuando el transistor se comporta de este modo, la corriente del colector es β veces

la corriente de la base, donde β es un parámetro propio del transistor (diferentes
transistores pueden tener diferentes valores de β).
Entonces podemos entender que la corriente de la base se está amplificando en el
colector con una ganancia igual a β.
Para que el transistor opere de este modo necesita estar en una región de operación
llamada región activa.

o Región activa o de amplificación

En esta región de operación existen corrientes en todos sus terminales y se cumple

que la unión base-emisor se encuentra polarizada en directa y la colector-base en
inversa.
 GUÍA DE TRABAJO PRÁCTICO - Código FGL 029
EXPERIMENTAL Versión 01
Talleres y Laboratorios de Docencia ITM Fecha 2014-08-20

En general, y a efectos de cálculo, se considera que se verifica lo siguiente:

Donde Vγ es la tensión de conducción de la unión base-emisor (en general 0,6

voltios)
Para esta región se tiene que VCE>VCEsat

 Como suiche

Cuando el transistor opera de este modo tiene dos posibles estados: un estado en
el que la corriente entre emisor y colector el cero, y un estado en el cual esta
corriente es máxima. De este modo podemos entender que entre colector y emisor
tenemos un suiche que permite o no el paso de la corriente.
Cuando se presenta este tipo de funcionamiento, el transistor opera en dos
regiones: corte (cuando el suche está “abierto”) y saturación (cuando el suiche está
“cerrado”).

o Corte

Un transistor está en corte cuando: Ic = Ie = 0.

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentación del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay caída de
voltaje). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib=0)
Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unión base-
emisor del mismo, es decir, basta con que VBE=0

o Saturación

Un transistor está en región de saturación cuando:

Ic ≈ Ie = Máxima
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del
circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos.
En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor como la base-
colector se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y
se verifica sólo lo siguiente:
 GUÍA DE TRABAJO PRÁCTICO - Código FGL 029
EXPERIMENTAL Versión 01
Talleres y Laboratorios de Docencia ITM Fecha 2014-08-20

Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación suelen tener

valores determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).

Es de señalar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturación

circula también corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la relación

En la siguiente gráfica se muestra el voltaje entre colector y emisor contra la

corriente de colector. Hay una gráfica para cada valor de corriente de base.

Figura 2 curvas de salida del transistor

Analicemos con detalle la gráfica:

 A medida que aumentamos la corriente de base desde I B1 hasta IB4, la corriente
de colector aumenta en una forma proporcional a esta en la región activa. La
constante de proporcionalidad es hFE o  .Esta región es la región de
amplificación.
 GUÍA DE TRABAJO PRÁCTICO - Código FGL 029
EXPERIMENTAL Versión 01
Talleres y Laboratorios de Docencia ITM Fecha 2014-08-20

 La región de corte ocurre cuando la corriente de base es aproximadamente cero

con lo cual el transistor sería un swiche abierto.
 Al contrario cuando la corriente de base es muy alta, el transistor “se
cortocircuita” entre colector y emisor con lo que podemos afirmar que el
transistor es un swiche cerrado.

b. Amplificador en emisor común

La siguiente configuración de conexión del transistor se conoce como amplificador
en emisor común. Se llama así porque las corrientes de base y colector se combinan
en el emisor. En la figura 2 se muestra esta configuración.

Figura 3. Polarización en emisor común

Hacemos un análisis de la malla de entrada y salida para poder encontrar el punto

de trabajo de este transistor
Malla de base

La corriente de base depende del voltaje de polarización de la base si tenemos un

resistor fijo aunque puede ser al contrario. El voltaje V BE lo asumimos constante e
igual a 0.7V a temperatura ambiente.
Malla de colector – emisor

En la ecuación anterior las variables son IC y VCE que son los ejes graficados para
las curvas de salida así que con ello superpondremos la recta dada por la ecuación
 GUÍA DE TRABAJO PRÁCTICO - Código FGL 029
EXPERIMENTAL Versión 01
Talleres y Laboratorios de Docencia ITM Fecha 2014-08-20

con las curvas de salida y para la recta bastara con encontrar los puntos de corte
con los ejes coordenados. Para el corte con el eje IC hacemos VCE = 0 con lo que
obtenemos IC = VCC/Rc y si hacemos IC = 0 VCE = VCC.

Figura 4. Recta de carga

A medida que aumentamos la corriente de base se presentan curvas de mayor

corriente de colector la recta determina un camino en la elección de los valores de
resistencia con los cuales trabajare en corte saturación o la región activa. El punto
marcado por Q es el punto de trabajo en activa y para cuestiones de diseño solo
puedo obtener valores de IC y de VCE que corten dicha curva. Manteniendo fijos los
voltajes VCC obtendremos dicha variación a través de la corriente de base en la que
como vimos en la ecuación de entrada depende Del voltaje de polarización de
entrada o de la resistencia de base Rb. El punto Q es más estable o presenta mayor
excursión de la onda entre más lejos se encuentre de los puntos de corte y
saturación por lo que generalmente se selecciona en el punto medio de la curva.
Los fabricantes de transistores entregan una serie de curvas experimentales que
sirven de ayuda en el diseño del amplificador.
Con este mismo circuito podemos trabajar el transistor como un swiche si logramos
alimentar la base solo con los 2 niveles de voltaje que normal mente son 0 voltios
corte y 5 voltios saturación para compuertas TTL.

4. PROCEDIMIENTO O METODOLOGÍA PARA EL DESARROLLO

a. PREINFORME

SIMULACIÓN

Simule el circuito de la figura 5 de la siguiente manera:

 GUÍA DE TRABAJO PRÁCTICO - Código FGL 029
EXPERIMENTAL Versión 01
Talleres y Laboratorios de Docencia ITM Fecha 2014-08-20

VCC=VBB=10V
Rb=potenciómetro de 1MegΩ
Rc=Potenciometro de 5KΩ
Transistor 2n2222

Figura 5. Transistor en configuración de emisor común con resistencias variables

1) Descargar la hoja de datos del transistor utilizado y establecer los valores

máximos del transistor.
2) Elegir un valor de Rb y variar Rc hasta que el voltaje colector emisor tenga
la mitad de Vcc.
3) Registrar todos los valores correspondientes en la primera fila de la de la
tabla 1.
4) Variar Rc para obtener dos valores de Vce superiores a 5V y Dos valores
inferiores a 5V y registrar los resultados en las demás líneas de la tabla 1.
5) Repetir los pasos uno a tres dos veces para otros valores de Rb y registrar
los valores en las tablas 2 y 3.
6) Graficar Vce vs Ic de las tablas en una misma gráfica (debe ser similar a la
Figiura. 2).

Tabla 1. Resultados de la simulación 1er. valor Rb

Rb Rc Ib Ic Vce

Tabla 2. Resultados de la simulación 2do. valor Rb

Rb Rc Ib Ic Vce
 GUÍA DE TRABAJO PRÁCTICO - Código FGL 029
EXPERIMENTAL Versión 01
Talleres y Laboratorios de Docencia ITM Fecha 2014-08-20

Tabla 3. Resultados de la simulación 3er. valor Rb

Rb Rc Ib Ic Vce

CÁLCULOS TEÒRICOS
Para el circuito de la figura 5, encuentre matemáticamente los valores de Ib, Ic y
Vce. Para realizar los cálculos será necesario consultar en la hoja de datos el valor
de hFE o , además de los valores de Rb y Rc de las Tablas. 1,2 y 3. Registre los
valores en las tablas 4, 5 y 6.
Tabla 4. Resultados de la práctica 1er. valor Rb
Rb Rc Ib Ic Vce

Tabla 5. Resultados de la práctica 2do. valor Rb

Rb Rc Ib Ic Vce

Tabla 6. Resultados de la práctica 3er. valor Rb

Rb Rc Ib Ic Vce

b. MONTAJE
Monte el circuito de la figura 5 de la misma manera en la que lo simuló, es decir:
 Tomar el valor de Rb de la Tabla .1 y variar Rc hasta que el voltaje colector
emisor tenga la mitad de Vcc.
 GUÍA DE TRABAJO PRÁCTICO - Código FGL 029
EXPERIMENTAL Versión 01
Talleres y Laboratorios de Docencia ITM Fecha 2014-08-20

 Registrar todos los valores correspondientes en la primera fila de la de la

Tabla. 7
 Utilizar los otros 7 valores de Rc de la Tabla.1 y registrar los resultados en
las demás filas de la Tabla. 7.
 Repetir los pasos uno a tres dos veces para otros valores de Rb y registrar
los valores en las tablas 8 y 9.

Tabla 4. Resultados de la simulación 1er. valor Rb

Rb Rc Ib Ic Vce

Tabla 5. Resultados de la simulación 2do. valor Rb

Rb Rc Ib Ic Vce

Tabla 6. Resultados de la simulación 3er. valor Rb

Rb Rc Ib Ic Vce

5. PARÁMETROS PARA ELABORACIÓN DEL INFORME

a. GRAFICAS
Utilizar Excel para generar 3 gráficas con las Tablas (Una Grafica por cada 3 tablas)
y comparar la generada en la práctica con la simulada y la calculada.

b. ANÁLISIS DE RESULTADOS
- Comparar el comportamiento de las 3 gráficas generadas.
- Comparar los valores de corriente Ic de la primera fila de las tablas 1,4 y 7.
En error relativo.
 GUÍA DE TRABAJO PRÁCTICO - Código FGL 029
EXPERIMENTAL Versión 01
Talleres y Laboratorios de Docencia ITM Fecha 2014-08-20

6. CONCLUSIONES

7. BIBLIOGRAFÍA

Boylestad, R., Nashelsky, L. (2009) Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos.

México: Pearson Educación. 10 ed. ISBN: 9786074422924
Malvino, A. P., & Bates, D. J. (2007). Principios de electrónica (séptima ed.). Madrid:
McGraw-Hill, 964p. ISBN: 9788448156190

Jaeger, R. C., & Blalock, T. N. (2005). Diseño de circuitos microelectrónicos

(segunda ed.). México: McGraw-Hill, 967p. ISBN: 978-0073380452

Zbar, P., Malvino, A. P., & Miller, M. A. (2001). Prácticas de electrónica (séptima
ed.). México: Alfaomega, 380p. ISBN: 9788448156190

Elaborado por: José Alfredo Palacio

Marcela Vallejo

Versión: 004
Fecha: 21/09/2015
Aprobado por: Heber Augusto López