Estado actual de las memorias en

SILICA
Enero 2007
Características de las Memorias

 Una Memoria es un dispositivo de Almacenamiento de Datos

binarios, del tipo código, datos o parámetros.

 La capacidad de información que puede almacenar se mide en

bits.

 Según el método de acceso puede ser de acceso Aleatório o

de acceso Serie.

 Según las características físicas puede ser Volátil o No Volátil,

es decir, que la volátil pierde la información al desconectar la
alimentación y la no volátil ls mantiene.

02
Tipos de memorias

Memorias

Volátiles No Volátiles

DRAM SRAM Tecnología Nuevas

RAM Dinámicas RAM Estáticas actual Tecnologías

SDRAM Asíncronas SRAM Flash MRAM

PSRAM Síncronas SRAM Eeprom

LPSDRAM Dual Port SRAM MROM

DDRAM FIFO SRAM PROM

DDR2 SRAM SRAM Serie EPROM

NVRAM

03
 Principales funciones de las memorias
La siguiente tabla permite identificar cada memoria con su función en un sistema

Memorias Rotat
RAM No Volátil
orio

NOR NAND FLASH H O

PSRAM DRAM SRAM NVRAM EEPROM EPROM D D
FLASH FLASH CARD D D

Datos      
Código +
Datos
  
Código     
Código +
Parámetros
  
Parámetros     
Memoria de
trabajo
    

 Aplicación típica

 Uso posible

04
 Memorias dentro de un Procesador

• Cada día más los procesadores (microcontroladores o DSPs) incluyen más periféricos y uno de
ellos son las memorias.

• Empezaron con las SRAM, Eprom, OTP, Eeprom, Flash…..

•Estas simplemente hay que fijarse en las características propias del procesador
correspondiente.

Peripherals FLASH

CPU

Peripherals SRAM

05
 Memorias externas Serie
Las memorias externas pueden ser con interfaz serie y paralelo, las que usan una interfaz serie más utilizadas son
via SPI, I2C y Microwire.

• La ventaja es la reducción de pistas y tamaño del circuito impreso.

• La desventaja del uso de las memorias serie es la velocidad de acceso, con I2C hasta 400kHz, con SPI/Microwire
hasta 10MHz, con Flash hasta 50MHz.

Peripherals FLASH

CPU

Peripherals SRAM

I2C SPI o Microwire

EEPROM
SRAM/EEPROM Flash

06
Memoria Boot Flash Serie

SPI FLASH
(NOR)

Peripherals

4
SPI Bus 25 - 50 MHz
/
SDRAM Bus
CPU
Async bus for Peripherals

SRAM

SPI FLASH
(NOR)
Peripherals

SPI Bus 25 - 50 MHz 4

/
CPU Shared SDRAM/Async Bus

SRAM
SDR SDRAM Peripheral
32-bit 8-bit

07
Memorias externas a un Microprocesador

FLASH
Peripheral
Peripherals FLASH (NOR)
8-bit
16-bit

CPU

SDRAM SDRAM
Peripherals SRAM
16-bit 32-bit

SDRAM SDRAM
Component Flash Peripheral
16-bit 32-bit

Address A[19:0] A[19:0] A[19:0] A[19:0]

Data D[31:16] D[31:0] D[31:16] D[31;24]

Byte Select B[3:2] B[3:0] B[3:2] B3

08
Memorias externas con Bus Unificado

Boot FLASH
Peripherals (NOR)
8-bit or 16-bit

CPU Bus Unificado

con SDRAM
SRAM
SDR SDRAM y Boot Flash
32-bit

SDR SDRAM Boot Flash Boot Flash

Component
32-bit 8-bit 16-bit
Address A[19:0] A[19:0] A[19:0]

Data D[31:0] D[31:24] D[31:16]

Byte Select B[3:0] B3 B[3:2]

09
Memorias con Split Bus

Boot FLASH
(NOR)
Peripherals 8-bit or 16-bit

Control
Data
CPU
Address
Data Split Bus
Control

SRAM
DDR1 SDRAM
16-bit

DDR1 SDRAM Boot Flash Boot Flash

Component
16-bit 8-bit 16-bit

Address A[15:0] A[19:0] A[19:1]

Data D[31:16] D[15:8] D[15:0]

Byte Select B[0:1] B2 B[2:3]

010
Memorias externas con Buses dedicados

Boot FLASH
Peripheral
(NOR)
8-bit
Peripherals 8-bit

FlexBus - 32-bit muxed Addr/Data, or non-muxed 24 Addrr / 8 Data

CPU Dedicated SDRAM Bus

SRAM DDR1/SDR SDRAM DDR1/SDR SDRAM

16-bit 16-bit

DDR1 SDRAM Boot Flash Peripheral

Component
16-bit 8-bit 8-bit

Address SDADDR[12:0] A[19:0] A[19:0]

SDDATA[31:0]
Data D[31:24] D[31:24]
SDDQS[3:0]

Byte Select SDDM[3:0] B3 B3

011
Memorias externas - Buses dedicados 2

Bus completamente no multiplexado

Boot FLASH
SRAM
(NOR) FPGA
32-bit
Peripherals 16-bit

Non-multiplxed Bus, 32 Addr / 32 Data

CPU Dedicated SDRAM Bus - 133MHz (CPU frequency/2)

SRAM DDR1/SDR SDRAM DDR1/SDR SDRAM

16-bit 16-bit

DDR1 SDRAM Boot Flash SRAM

Component FPGA
16-bit 16-bit 32-bit

Address SDADDR[12:0] A[19:0] A[19:0] A[19:0]

SDDATA[31:0]
Data D[31:16] D[31:0] D[31:0]
SDDQS[3:0]

Byte Select SDDM[3:0] B3 B[3:0] B[3:0]

012
 Memorias DRAM

DRAM

Módulos de
SDRAM DDR SRAM Memoria
Micron Micron Micron

PSRAM DDR2 SRAM

Micron - Cypress Micron

RLDRAM
Micron
 DRAM (Dynamic Random Access Memory)

 Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio

 Es un tipo de RAM que almacena cada bit de Datos en la capacidad
parásita de puerta de un transistor mosfet, que tiene que ser
recargado periódicamente, operación que se denomina “refresco”.
 Si se deja de aplicar alimentación se pierden los datos.
 La celda de memoria DRAM es mucho más sencilla, lo que permite
construir matrices de memoria muy grandes por chip, a un coste por
bit muy menor que la de las memorias SRAM. Por el contrario,
necesitan una circuitería de refresco. El tiempo de acceso a una
DRAM es algo menor que en una SRAM, pero consumen menos.

 Tipos:
 SDRAM (Memoria RAM Dinámica de Acceso Síncrono): Es capaz
de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados
de espera intermedios. Trabaja a la velocidad del bus del sistema.
 DD SRAM (Double Data Rate SDRAM): Es una memoria síncrona,
envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. Trabaja al doble
de la velocidad del bus del sistema. 014
 SDRAM

 La familia SDRAM de Micron consiste de 64Mb, 128Mb, 256Mb y

512Mb.
 Interface síncrono a 3V3.
 Encapsulados en TSOP o FBGA
 Familia MT48LCxxx
 SDRAM (hasta 200Mhz) y Mobile SDRAM (hasta 133MHz) que son
las más conocidas.

 Nomenclatura, ejemplos y encapsulados

 MT48LC128M4 (128Mb x 4bits de ancho de bus)
 MT48LC16M16 (16Mb x 16bits de ancho de bus)
 P y T = TSOP
 F y B = FBGA

 www.micron.com
 http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides
015
 DDR SDRAM

 Micron ofrece memorias DDR SDRAM con una amplia variedad de capacidades,
velocidades y configuraciones.
 Desde 128Mb hasta 1Gb
 Ancho de bus x4, x8, x16
 Alimentación 2,5V
 Encapsulados TSOP y FBGA hasta 300MHz

 DDR Mobile de 128Mb hasta 256Mb x16 y x32, encapsulado en VFBGA hasta
166MHz

 Nomenclatura, ejemplos y encapsulados

 MT46Vxx, MT46V16M16 16Mb x 16 de ancho de bus
 Tipos B y F encapsulados FBGA
 Tipos P y T encapsulados en TSOP

 www.micron.com
 http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides
016
 DDR2 SDRAM
 Micron ofrece memorias DDR2 SDRAM que duplica la velocidad de acceso de
las DDR, permitiendo cuatro transferencias de Datos por cada ciclo de reloj.
 Capacidades desde 256Mb hasta 2Gb.
 Ancho de bus x4, x8 y x16
 Alimentación a 1,8V
 Encapsulados en FBGA y VFBGA.

 DDR3 duplica la velocidad de la DDR2, disponibles hasta 1Gb.

 Nomenclatura, ejemplos
 MT47Hxxx, MT47H128M16 128Mbits x 16 de ancho de bus

 www.micron.com
 http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides

017
 RLDRAM II

 RLDRAM II ™ (Reduncy Latency DRAM II) arquitectura de altas

prestaciones (hasta 4,6GB/s) para aplicaciones de networking,
caché de nivel 3 y graficos.
 Desde 256Mb hasta 576Mb
 Ancho de bus x9, x16, x18, x32 y x36
 Encapsulado T-FBGA.
 I/O Votage 1.5V/1.8V.
 Hasta 533MHz

 Nomenclatura:
 MT49Hxx, MT49H16M18BM33 FBGA 144, 16Mbits, ancho de bus
x18, 1V5,
 www.micron.com
 http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides

018
 PSRAM (PSeudo SRAM)

 PSRAM (PowerSaving SRAM) que internamente es una DRAM

con interface de SRAM
 Desde 8Mb hasta 256Mb
 Ancho de bus x16 y x32
 Encapsulado VFBGA.
 I/O Voltage1.70V-3.30V.
 Hasta 133MHz

 Nomenclatura:
 MT45Wx, MT45W1MW16BDG708WT 1Mbit x16 VFBGA 70ns

 www.micron.com
 http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides

019
 PSRAM (PSeudo SRAM)

 Cypress ofrece las memorias que denomina Specialty DRAM, las

Pseudo SRAM que internamente es una DRAM con interface de
SRAM
 Capacidades: desde 1Mbits hasta 16Mbits No SAP
 Compatibles con SRAM pero mas baratas
 Están destinadas, principalmente, al mercado de teléfonos móviles.

PSRAM Memory Organization Packages Power Access Temp range Vcc

CYK001M16SCCA 16Mb 1Mb x 16 48 FBGA Ultra Low Power 55ns, 70ns Ind (-25 to 85 C ) 3V
CYK001M16ZCCA 16Mb 1Mb x 16 48 FBGA Ultra Low Power 70ns Ind (-25 to 85 C ) 3V
CYK128K16MCCB 2Mb 128Kb x 16 48 VFBGA Ultra Low Power 55ns, 70ns Ind (-25 to 85 C ) 3V
CYK128K16SCCB 2Mb 128Kb x 16 48 VFBGA Ultra Low Power 55ns, 70ns Ind (-25 to 85 C ) 3V
CYK256K16MCCB 4Mb 256Kb x 16 48 VFBGA Ultra Low Power 55ns, 70ns Ind (-25 to 85 C ) 3V
CYK256K16SCCB 4Mb 256Kb x 16 48 VFBGA Ultra Low Power 55ns, 70ns Ind (-25 to 85 C ) 3V
CYK512K16SCCA 8Mb 512Kb x 16 48 FBGA Ultra Low Power 55ns, 70ns Ind (-25 to 85 C ) 3V
CYU01M16SCG 16Mb 1 Mb X 16 FBGA Ultra Low Power 70ns Ind (-40C to 85C ) 3V
1.8
CYU01M16SFE 16Mb 1Mb x 16 48 VFBGA Ultra Low Power 70ns Ind (-40 to 85 C ) V

020
 Módulos de Memoria
 Micron ofrece módulos DIMM, MiniDIMM (244pins) y SODIMM (200pins) de
SDRAM, DDR y DDR2 con capacidades hasta 4GB y velocidades hasta
PC2-6200 en rango comercial e industrial.
 Tipos y Nomenclatura: FBDIMM (Fully Buffered DIMM), UDIMM (Unbuffered DIMM),
VLPDIMM (VeryLowProfile DIMM), VLPminiDIMM (VeryLowProfile miniDIMM),RLDIMM
(ReducedLatency DIMM), Mini DIMM, SODIMM (SmallOutline DIMM)
 UDIMM MT18HTF12872 128Mbits x72 DDR2
 UDIMM MT9HTF6472 64Mbits x72 DDR2
 SODIMM MT16HTF12864 128Mbits x64 DDR2
 MiniDIMM MT9HTF6472Y40 64Mbits x72

MiniDIMM

DIMM

SODIMM
021
 Memorias SRAM

SRAM
RAM Estática

SRAM Serie
NXP

Síncronas Asíncronas Dual Port FIFO

Cypress Cypress Cypress Cypress

FAST SRAM
Cypress - Renesas

LowPower SRAM
Cypress - Renesas
 SRAM (Static Random Access Memory)
 Memoria Estática de Acceso Aleatorio
 La palabra “estática” indica que la memoria retiene el contenido
mientras se le aplica alimentación.
 "Acceso aleatorio" significa que la localización de las posiciones en la
memoria no siguen ningún orden donde los datos serán leídos o
escritos.
 Las celdas de almacenamiento son registros o biestables (flip-flop).

 Tipos
 Asíncronas SRAM: Independientes de la frecuencia de reloj; los
Datos de entrada y los Datos de salida están controlados por la
transición de las Direcciones.

 Síncronas SRAM: Todas las sincronizaciones se inician por el tiempo

de subida y de bajada del reloj. Las Direcciones, Datos de entrada y
otras señales de control están asociadas con las señales del reloj.
023
 SRAM Asíncronas

 Distinguimos 2 tipos:
 Fast: debajo de 25ns
 Micropower o Slow: 45ns y superior

 Cypress es el líder en SRAM y concretamente en las FAST SRAM, con un

ancho catálogo de dispositivos.

 Capacidades desde 4 Kb hasta 32 Mb, en varias opciones de voltage, ancho

de bus, y encapsulados, con un tiempo de acceso muy rápido.
 Fast Asynchronous SRAMs estan fabricadas usando tecnología CMOS de
Cypress, uno de los más antiguos fabricantes de Fast Asynchronous SRAM.
 Las aplicaciones de las Fast Asynchronous SRAMs es muy amplio, desde
switches y routers, teléfonos IP, IC-Testers, DSLAM Cards, Automoción o
cualquier aplicación que requiera estas características.

 Nomenclatura: Tabla siguiente página

024
 Fast SRAM Asíncronas
Memory Organization Vcc Memory Organization Vcc
CY7C1006D 1Mb 256Kbx4 5 CY7C1049CV33 4Mb 512Kb x8 3.3
CY7C1007B 1Mb 1Mb x1 5 CY7C1051DV33 8Mb 512Kb x16 3.3
CY7C1009B 1Mb 128Kb x8 5 CY7C1059DV33 8Mb 1Mb x8 3.3
CY7C1010CV33 2Mb 256Kb x8 3.3 CY7C1061AV33 16Mb 1Mb x16 3.3
CY7C1011CV33 2Mb 128Kb x16 3.3 CY7C1062AV25 16Mb 512Kb x32 2.5
CY7C1012AV33 12Mb 512Kb x24 3.3 CY7C1062AV33 16Mb 512Kb x32 3.3
CY7C1018CV33 1Mb 128Kb x8 3.3 CY7C1069AV33 16Mb 2Mb x8 3.3
CY7C1019B 1Mb 128Kb x8 5 CY7C106B 1Mb 256Kb x4 5
CY7C1019CV33 1Mb 128Kb x8 3.3 CY7C107B 1Mb 1Mb x1 5
CY7C1020B 512Kb 32Kb x16 5 CY7C109B 1Mb 128Kb x8 5
CY7C1020CV26 512Kb 32Kb x16 2.6 CY7C128A 16Kb 2Kb x8 5
CY7C1020CV33 512Kb 32Kb x16 3.3 CY7C1399B 256Kb 32Kb x8 3.3
CY7C1020DV33 512Kb 256Kb x16 3.3 CY7C148 4Kb 4Kb x4 5
CY7C1021B 1Mb 64Kb x16 5 CY7C164 64Kb 16Kb x4 5
CY7C1021CV26 1Mb 64Kbx16 2.6 CY7C166 64Kb 16Kb x4 5
CY7C1021CV33 1Mb 64Kb x16 3.3 CY7C167A 16Kb 16Kb x1 5
CY7C1024DV33 3Mb 128Kb x24 3.3 CY7C168A 16Kb 4Kb x4 5
CY7C1034DV33 6Mb 256Kbx24 3.3 CY7C185 64Kb 8Kb x8 5
CY7C1041B 4Mb 256Kb x16 5 CY7C187 64Kb 64Kb x1 5
CY7C1041CV33 4Mb 256Kb x16 3.3 CY7C192 256Kb 64Kb x4 5
CY7C1046B 4Mb 1Mb x4 5 CY7C194BN 256Kb 64Kb x4 5
CY7C1046CV33 4Mb 1Mb x4 3.3 CY7C197BN 256Kb 256Kb x1 5
CY7C1049B 4Mb 512Kb x8 5 CY7C199C 256Kb 32Kb x8 5

025
 Fast SRAM
 QDR SRAM QDR™ (Quad Data Rate) SRAMs, son ideales para las aplicaciones de la
siguiente generación de comunicaciones. Las QDRs están organizadas x9, x18 y x36 en BGA
165, con una rango de frecuencias desde 167MHz hasta 333MHz, a 1,8V. Aplicaciones:
Network switches, routers y otras soluciones de comunicaciones basadas en diseños LA-1
(Look-Aside Interface). Estan especialmente diseñadas a los estándars de network como
OC-48, OC-192 y OC-768.
 Nomenclatura: HM66AQB9402BP-60 36Mbit 4Mbitx9 BGA 1,8V

 Network SRAM Es una compatible ZBT™ (Zero Bus Turnaround™ (ZBT®) *1), son de 18
Mbits.
 Nomenclatura: HM5M5V5A36GP-85 18Mbit 512kbitx36 TQFP100 3V

 Late Write Synchronous SRAM Se usan especialmente como “cache” y “buffer”, son de
16Mb, con ancho x36, BGA 119, 2,5 V (I/O a 1.5V.), 300MHz.
 Nomenclatura: HM64YGB36100BP-33 32Mbit 1Mbitx36 BGA 119 3V

 Asynchronous SRAM Se usan en aplicaciones industrial y comunicaciones, 4Mb SRAM

asíncronas, organizadas x4, x8, y x16
 Nomenclatura: R1RW0416DSB-2PR 4Mbit 256kbitx16 TSOP 3V Ninguna
en SAP
 http://www.renesas.com/

026
 LowPower SRAM

 MicroPower SRAM
 Cypress's MoBL(TM) SRAMs domina el mercado “low-power” con dispositivos desde 64 Kb
hasta 64 Mb con diferentes opciones de tensiones y ancho de bus, tiempos de acceso de 45
ns, con una disipación muy baja en “standby”, se ofrecen en opciones de encapsulado
estandard (RoHS) y en rangos de temperatura Industrial y de Automocion. Las MoBL SRAMs
en combinacion con baterias y controlador de memoria, como circuiteria de seguridad, forma
una “Super-Fast Non-Volatile-SRAM” para salvaguardar datos como una memoria no-volatil
con una vida entre 7 – 9 años.

 Ideales en aplicaciones de altas prestaciones y alimentadas con baterias como teléfonos

móviles, PDAs, terminales Punto de Venta (POS), maquinas de juego portables, Automoción,
Audio portables, Navegación y sistemas Telemáticos.

 Nomenclatura:
 CY62xxx, CY62128 128Kbits x8, CY62157EV30LL-45 256Kbits x16 3V 45ns TSOP

 Terminaciones: V 3V, V30 3V, V18 1,8V

027
LowPower SRAM

 Renesas ofrece memorias Low Power SRAM

 Desde 256Kb hasta 32Mb)
 Alimentación a 5V, 3V, 1,8V
 Ancho de bus x8, x16
 Encapsulados en SOP/TSOP/STSOP/FBGA

 Nomenclatura:
 R1LV0408CSB-5SI 4Mbit 256Kbitsx8 TSOP 3V
 M5M51008DVP-70HI 1Mbit 128Kbitx8 TSOP 5V
 M5M51008DFP-70HI 1Mbit 128Kbitx8 SOP 5V

 http://www.renesas.com/

028
 SRAMs Síncronas
 Cypress ofrece SRAM síncronas de alta velocidad que incluyen “pipelined” síncrono estándard,
NoBusLatency™ (NoBL™), QuadDataRate™(QDR™), TagRAM, y Doble Data Rate (DDR) SRAMs, que se usan
típicamente en aplicaciones de redes. Adicionalmente, Cypress es líder en el mercado de memorias síncronas de
72-Mbits, dispositivos NoBL, QDR-II, y DDR-II SRAM.

 Tipos:
 Synchronous SRAM: SDR y DDR.
 Single Data Rate Synchronous SRAM (SDR SRAM)
 Pipelined Sincrona SRAM: memoria con registros en la entrada y en la salida. La escritura se realiza en un ciclo de
reloj y la lectura en dos ciclos.
 Flowtrough: no tiene registros en la salida. La escritura se realiza en un ciclo de reloj y la lectura, también en uno.
 Burst SRAM: característica que permite obtener datos de posiciones contiguas a partir de una dada. Los datos se
consiguen con cada ciclo de reloj.
 Doble Data Rate Synchronous SRAM (DDR SRAM)
 QDR: Poseen dos puertos separados (para operaciones de lectura y escritura) que pueden correr independientemente
a doble velocidad (hasta 2 palabras pueden ser escritas y dos pueden ser leídas al mismo tiempo; el resultado son 4
datos por ciclo de reloj)
 DDR: Como QDR pero un único puerto.

 Nomenclatura:
 CY7C11xx No SAP
 CY7C12xx
 CY7C13xx
 CY7C14xx No usuales
 CY7C15xx

 www.cypress.com/dualport

029
 Dual Port SRAM

 Cypress ofrece más de 160 dispositivos de memoria Dual Port síncronas o

asíncronas, en densidades desde 8Kb hasta 36Mb y velocidades de hasta 250
MHz.
 Las memorias Dual-Port son ideales para interconectar procesadores, DSPs o
FPGAs para su comunicación o compartición de Datos.
 Capacidades: 8 Kb hasta 36 Mb
 Alimentación: 5V, 3.3V, 1.8V y 1.5V
 Operación: Síncronas y asíncronas
 Ancho de Bus: x8, x9, x16, x18, x36, y x72

 Nomenclaturas:
 Familias: CY7C0xx, CY7C1xx, CYD0xx, CYD18Sxx, CYD3x

 www.cypress.com/dualport

030
 FIFO SRAM
 FIFO (First In, First Out): Primero en Entrar, Primero en Salir, es decir el primer Dato que
se escribe es el primero que se lee.
 Esta memoria se puede utilizar para comunicar dos sistemas con diferentes velocidades,
por ejemplo donde el sistema transmisor envía Datos a una velocidad superior a la que el
receptor la puede aceptar.
 Las memorias FIFO se usan comúnmente como “buffer” y en control de flujo, como en
Video, comunicaciones de Datos, Telecomunicaciones, Network switching/routing.

 Las memorias FIFO pueden ser:

 Síncronas: Una FIFO síncrona usa el mismo reloj tanto para leer como para escribir la
memoria.
 Asíncronas: Una FIFO asíncrona usa diferentes relojes leer y para escribir la memoria.
 Existen en una variedad de velocidades y ancho de bus, densidades y encapsulados.
 También tener las siguientes configuraciones:
 Unidireccionales
 Bidireccionales
 Tri-bus
 Doble sincronismo.

 www.cypress.com/fifo

031
 SRAM I2C

 NXP (antes Philips) ofrece una única memoria RAM serie I2C, el PCF8570, de muy
bajo consumo, organizada como 256 palabras de 8-bits.
 Las direcciones y los Datos son transferidos vía serie a un bus de dos líneas
bidireccional (I²C-bus). El registro de direcciones se incrementado
automáticamente después de cada byte escrito o leído. Los tres pins de
direcciones, A0, A1 y A2 se usan para definir las direcciones hardware, permitiendo
usar hasta 8 dispositivos iguales conectados al bus sin hardware adicional.

 Alimentación: 2.5 a 6.0 V

 Muy bajo Voltaje para retención de Datos; mínimo 1.0 V
 Muy baja corriente en standby; máximo 15 µA
 Modo power-saving; 50 nA
 I²C-bus
 3 pins de direcciones hardware
 Incremento automático de dirección
 Encapsulados en DIP8 y SO8.

 www.nxp.com/I2C

032
 Memorias No Volátiles RAM

NVRAM

NVSRAM
BBSRAM MRAM
Cypress
STM Freescale
Texas Instruments
 NVRAM (Ram No Volátil)

 STM BBSRAM (Battery-Backed Static RAM):

Consiste en una SRAM, una batería y una circuitería de control.
 SRAM
 Tiempo de acceso: 70/100 ns
 Retención de datos: 10 años
 Desde 16kbits hasta 16 Mbits
 Opciones con RTC (Real Time Clock)
 Circuito de control de fallo de alimentación
 Batería para no perder la información
 BUS PARALELO….

 Dos tipos:
 ZEROPOWER®: dispositivos NVRAM desde 16Kbits hasta 32Mbits,
 TIMEKEEPER®: dispositivos que incluyen RTCs (Real-Time Clocks) y un
rango desde 1Kbit hasta 4Mbits.

 http://www.st.com/stonline/products/families/memories/nvram/nvram.htm
034
 NVRAM (Timekeeper)
Part Number Package Memory Min V Max V Programmable Alarm WDT

M440T1MV PBGA 44.5X44.5 168 MODULE 1.27 32Mb (1M x 32) 3 3.6 - Yes

M48T02 PDIP 24 .7 ZERO POWER 16Kb (2K x 8) 4.75 5.5 No No

M48T08 PDIP 28 .7 ZERO POWER 64Kb (8K x 8) 4.75 5.5 No No

M48T08Y SO 28 BATTERY 64Kb (8K x 8) 4.5 5.5 No No

M48T12 PDIP 24 .7 ZERO POWER 16Kb (2K x 8) 4.5 5.5 No No

M48T128Y HYBRID MODULE 32L 1Mb (128K x 8) 4.75 5.5 No No

M48T129V HYBRID MODULE 32L 1Mb (128K x 8) 3 3.6 Yes No

M48T129Y HYBRID MODULE 32L 1Mb (128K x 8) 4.5 5.5 Yes No

M48T18 PDIP 28 .7 ZERO POWER 64Kb (8K x 8) 4.5 5.5 No No

M48T248Y HYBRID MODULE 32L 1Mb (128K x 8) 4.5 5.5 No No

M48T251Y HYBRID MODULE 32L 4Mb (512K x 8) 4.5 5.5 No No

M48T35 PDIP 28 .7 ZERO POWER 256Kb (32K x 8) 4.75 5.5 No No

M48T35AV PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY 256Kb (32K x 8) 3 3.6 No No

M48T35Y PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY 256Kb (32K x 8) 4.5 5.5 No No

M48T37V SO44.350 BATT C u w/socket 256Kb (32K x 8) 3 3.6 Yes Yes

M48T37Y SO44.350 BATT C u w/socket 256Kb (32K x 8) 4.5 5.5 Yes Yes

M48T512Y HYBRID MODULE 32L 4Mb (512K x 8) 4.5 5.5 No Yes

M48T58 PDIP 28 .7 ZERO POWER 64Kb (8K x 8) 4.75 5.5 No No

M48T58Y PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY 64Kb (8K x 8) 4.5 5.5 No No

M48T59Y PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY 64Kb (8K x 8) 4.5 5.5 Yes Yes

M48T86 PDIP 24 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY 1Kb (128 x 8) 4.5 5.5 Yes No

035
NVRAM (Zero Power)

Part Number Package Memory Min V Max V

M48Z02 PDIP 24 .7 ZERO POWER 16Kb (2K x 8) 4.75 5.5
M48Z08 PDIP 28 .7 ZERO POWER 64Kb (8K x 8) 4.75 5.5
M48Z12 PDIP 24 .7 ZERO POWER 16Kb (2K x 8) 4.5 5.5
M48Z128 HYBRID MODULE 32L 1Mb (128K x 8) 4.75 5.5
M48Z128Y HYBRID MODULE 32L 1Mb (128K x 8) 4.5 5.5
M48Z129V HYBRID MODULE 32L 1Mb (128K x 8) 3 3.6
M48Z18 PDIP 28 .7 ZERO POWER 64Kb (8K x 8) 4.5 5.5
M48Z2M1V HYBRID MODULE 36L .6 ZEROPOWER 16Mb (2Mb x 8) 3 3.6
M48Z2M1Y HYBRID MODULE 36L .6 ZEROPOWER 16Mb (2Mb x 8) 4.5 5.5

M48Z32V SO 44 .350 BAT Cu wo/socket 256Kb (32K x 8) 3 3.6

M48Z35 PDIP 28 .7 ZERO POWER 256Kb (32K x 8) 4.75 5.5

M48Z35AV PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY 256Kb (32K x 8) 3 3.6

M48Z35Y PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY 256Kb (32K x 8) 4.5 5.5

M48Z512A HYBRID MODULE 32L 4Mb (512K x 8) 4.75 5.5

M48Z512AY HYBRID MODULE 32L 4Mb (512K x 8) 4.5 5.5

M48Z58 PDIP 28 .7 ZERO POWER 64Kb (8K x 8) 4.75 5.5

M48Z58Y PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY 64Kb (8K x 8) 4.5 5.5

036
 NVRAM (RAM No Volátil)

 Texas Instruments NVSRAM

 Consta de una SRAM, una célula de
Litio y una circuitería de control.
 Vida: 10 años de retención de Datos
 Desde 64kbytes hasta 2048kbytes.
 Zócalo compatible con SRAM y
Eeprom.

 Opción dos chips, el controlador y la

SRAM
 BQ2201: Controlador externo para
SRAM y batería.

037
NVSRAM

Part Memor Controlle Mod Supply Pin/Package   Price Description  

Number  y r   . Voltag 1KU
    (Kb)   e (US$)  
    (V)  
BQ2201 Yes 5 1.85 SRAM Nonvolatile Controller IC
8PDIP 8SOIC for 1 SRAM Bank
BQ2204A 5 2.30 SRAM Nonvolatile Controller IC
16PDIP 16SOIC for 4 SRAM Banks
BQ4010 64 Yes 5 6.50 8Kx8 Nonvolatile SRAM, 5%
28DIP MODULE Voltage Tolerance
BQ4010Y 64 Yes 5 6.50 8Kx8 Nonvolatile SRAM, 10%
28DIP MODULE Voltage Tolerance
BQ4011 256 Yes 5 7.50 32Kx8 Nonvolatile SRAM, 5%
28DIP MODULE Voltage Tolerance
BQ4011Y 256 Yes 5 7.50 32Kx8 Nonvolatile SRAM, 10%
28DIP MODULE Voltage Tolerance
BQ4013 1024 Yes 5 9.50 128Kx8 Nonvolatile SRAM, 5%
32DIP MODULE Voltage Tolerance
BQ4013Y 1024 Yes 5 9.50 128Kx8 Nonvolatile SRAM,
32DIP MODULE 10% Voltage Tolerance
BQ4014 2048 Yes 5 20.00 256Kx8 Nonvolatile SRAM, 5%
32DIP MODULE Voltage Tolerance
BQ4014Y 2048 Yes 5 20.00 256Kx8 Nonvolatile SRAM,
32DIP MODULE 10% Voltage Tolerance

038
 NVSRAM (Ram No Volátil)

 Cypress NVSRAM (No Volatil Static RAM):

Consiste en una SRAM, una Eeprom y una circuitería de control.
 SRAM + Eeprom
 16k, 1Mbit
 Interface: SRAM
 Alimentación: 3V y 5V
 Tiempo de acceso: 15/25/35/45 ns
 Retención de datos: 20 años a 85ºC
 Opciones con RTC (Real Time Clock)
 Condensador para no perder la información
cuando se pasa la información de la SRAM a la Eeprom

NVSRAM Memory Vcc RTC Package - access

CY14B101K 128Kb x8 3 RTC SSOP, 25ns/45ns

CY14B101L 128Kb x8 3 SOIC, 35ns

CY14B101L 128Kb x8 3 SSOP, 25ns

CY14B256K 32Kb x8 3 RTC SSOP, 25ns/45ns
CY14B256L 32Kb x8 3 SSOP, SOIC, 25ns/35ns
CY14E064L 8Kb x8 5 SOIC, 25ns/35ns
CY14E256L 32Kb x8 5 SOIC, 25ns/35ns
CY22E016L 2Kb x8 5 SOIC, 25ns/35ns

039
 MRAM (Magnetoresistive Random Access Memories)

 Freescale (MRAM)
 Usa materiales ferromagnéticos (Ni, Fe, Co) para producir dos capas magnéticas
que contienen un estado “1” o “0”. Las capas están separadas por un fino
dieléctrico de óxido de aluminio.
 Una capa es magnéticamente fija, mientras que la otra puede conmutar en
orientación polar.
 La capa libre tiene la habilidad de orientar los momentos magnéticos en el
material en la misma dirección (paralela) que la orientación de la placa fija o con la
orientación opuesta (antiparalela).
 Ambos estados son estables, pero se diferencian en la resistencia. La
información se almacena como polarización magnética y detectada como un
cambio en la resistencia.
 Vida muy alta, de rápida programación. Programable byte a byte
 Se necesita baja energía en la programación comparado con la Flash y la Eeprom.
 El tamaño del bit de la celda competitiva con la eDRAM.
 Competitiva en velocidad con la SRAM (excepto con las más rápidas).

N S Capa Libre S N
S N Capa fija S N
Alta Resistencia = “1” Baja Resistencia = “0”
040
Freescale MRAM

Memoria MRAM MR216ATS35C

 4Mbits organizado (256Kx16bits) A16
A17
1
2
44
43
A15
A14
 Alimentación: 3.3V A10 3 42 A13
A11 4 41 G
 Tiempo de acceso: 25ns r/w. A12 5 40 UB
E 6 39 LB
 Pinout como una Fast SRAM (alimentación y DQL0 7 38 DQU15
masa en el centro). DQL1 8 37 DQU14
DQL2 9 36 DQU13
 Rango de Temperatura Comercial (0-70°C) DQL3 10 35 DQU12

 Encapsulado TSOP tipo-II. V DD

VS S
11
12
34
33
VSS
VDD
 Bus de Datos flexible (acceso 8/16-bits) DQL4 13 32 DQU11
DQL5 14 31 DQU10
 LVI previene perdidas de escrituras DQL6 15 30 DQUS9
DQL7 16 29 DQU8
 I/O compatible TTL W 17 28 NC
 Operación completamente estática. A0 18 27 A9
A1 19 26 A8
 10 años en retención de Datos. A2 20 25 A7
A3 21 24 A6
 Vida: >1016 A4 22 23 A5

041
 EEPROM

EEPROM
Serie

I2C™ SPI™ Microwire®

STM - NXP STM STM
Microchip Microchip Microchip
 Eeprom
 Eeprom o E2Prom (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)
 Es una memoria programable y borrable eléctricamente.
 Se pueden conectar a un bus paralelo o serie (I2C, SPI, Microwire ™)
 Se puede escribir byte a byte

 STM, Microchip y Philips (NXP) ofrecen EEPROMs con un ancho rango de tamaños
de memoria y de comunicaciones serie.
 Desde 1kb hasta 512kb.
 3 tipos de buses: I2C, SPI, Microwire
 Varios rangos de alimentación (5.5V, 2.5V, 1.8V)
 Encapsulados muy pequeños en 8-pins.

www.st.com/eeprom/

www.microchip.com/eeprom

www.nxp.com/i2c

043
 EEPROM I2C™
Part Number Memory Min V Max V Write Cycle Erase/write Data Page Size Standby
Time (ms) (Kcycles) Retention (byte) (uA)
(years)
M24128-BR 128Kb x8 1.8 5.5 10 1000 40 64 1

M24128-BW 128Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 64 2

M24256-BR 256Kb x8 1.8 5.5 10 1000 40 64 5

M24256-BW 256Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 64 2

M24512-R 512Kb x8 1.8 5.5 10 100 40 128 2

M24512-W 512Kb x8 2.5 5.5 5 100 40 128 2

M24C01-R 1Kb x8 1.8 5.5 10 1000 40 16 0.3

M24C01-W 1Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 16 0.5
M24C02-R 2Kb x8 1.8 5.5 10 1000 40 16 0.3
M24C02-W 2Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 16 0.5-2.0
M24C04-R 4Kb x8 1.8 5.5 10 1000 40 16 0.3
M24C04-W 4Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 16 0.5-2.0
M24C08-R 8Kb x8 1.8 5.5 10 1000 40 16 0.3
M24C08-W 8Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 16 0.5-2.0
M24C16-R 16Kb x8 1.8 5.5 10 1000 40 16 0.3

M24C16-W 16Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 16 0.5

M24C32-R 32Kb x8 1.8 5.5 10 1000 40 32 0.2

M24C32-W 32Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 32 2

M24C64-R 64Kb x8 1.8 5.5 10 1000 40 32 0.2

M24C64-W 64Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 32 2

M34D64-W 64Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 32 10

044
EEPROM I2C™

 Microchip ofrece una familia de Eeprom serie I2C compatible con

un rango de capacidad desde 128 bits hasta 1Mbit. 1.000.000
ciclos, >200 años retención.
 Familia 24xx

 Nomenclatura:
 24AAxx 1,5V a 5V (1,8V 100kHz, 5V 400kHz)
 24LCxx 2,5V a 5V
 24Cxx 5V

 Xx = 00 128bit, 01 1kbit, 02 2Kbit, 04 4kbit, 08 8kbit,… 16, 32, 64, 128,

256, 512,…. 1025 1Mbit.

045
 EEPROM I2C™

 NXP (antes Philips) ofrece Eeprom I2C y con tecnología CMOS

con muy bajo consumo.
 Se pueden reprogramar como mínimo 1millon de veces (a 25ºC).
 Escritura byte a byte o páginas de 8 bytes.
 Lectura secuencial o aleatória.

046
 EEPROM Microwire®

Part Num ber Package M em ory M in V M ax V Write Cycle Eras e/w rite Data Retention Standby
Tim e (m s) Kcycles (ye ars) (uA)

M 93C46 PDIP8; SO8 1Kb x8. 1Kb x16 4.5 5.5 5 1000 40 15
M 93C46-W PDIP8; SO8; TSSOP8 1Kb x8; 1Kb x16 2.5 5.5 5 1000 40 5
M 93C56 SO8 2Kb x8. 2Kb x16 4.5 5.5 5 1000 40 15
M 93C56-R SO8 2Kb x8; 1Kb x16; 1.8 5.5 10 1000 40 2
2Kb x8; 2Kb x16
M 93C56-W SO8; TSSOP8 2Kb x8; 2Kb x16 2.5 5.5 5 1000 40 5
M 93C66 SO8 4Kb x8. 4Kb x16 4.5 5.5 5 1000 40 15
M 93C66-R UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch 4Kb x8; 4Kb x16 1.8 5.5 10 1000 40 2

M 93C66-W SO8; TSSOP8 4Kb x8; 4Kb x16 2.5 5.5 5 1000 40 5
M 93C76 SO8 8Kb x8. 8Kb x16 4.5 5.5 5 1000 40 15
M 93C76-W SO8; TSSOP8 8Kb x8; 8Kb x16 2.5 5.5 5 1000 40 5
M 93C86 SO8 16Kb x8. 16Kb x16 4.5 5.5 5 1000 40 15

M 93C86-W PDIP8; SO8; TSSOP8 16Kb x8; 16Kb x16 2.5 5.5 5 1000 40 5

M 93S46 SO8 1Kb x16 4.5 5.5 5 1000 40 15

M 93S46-W SO8 1Kb x16 2.5 5.5 5 1000 40 5
M 93S56 SO8 2Kb x16 4.5 5.5 5 1000 40 15
M 93S56-W SO8 2Kb x16 2.5 5.5 5 1000 40 5
M 93S66 SO8 4Kb x16 4.5 5.5 5 1000 40 15
M 93S66-W SO8 4Kb x16 2.5 5.5 5 1000 40 5

047
 EEPROM Microwire®

 Microchip ofrece una familia de Eeprom serie Microwire

compatible con un rango de capacidad desde 1Kbit hasta 16Kbit.
1.000.000 ciclos, >200 años retención.
 Familia 93xx

 Nomenclatura:
 93AAxx 1,5V a 5V
 93LCxx 2,5V a 5V
 93Cxx 5V

 xx 46 1kbit, 56 2Kbit, 66 4kbit, 76 8kbit, 86 16Kbit.

 Letra final A 8bit, B 16bit, C 8/16bit de tamaño de “word”

048
 EEPROM SPI™
Part Package Memory Min Ma Write Cycle Erase/write Data Ret. Standby
Number V x Time (ms) Kcycles (years) (mA)
M95010 SO8; TSSOP8 1Kb x8 1.8
V
5.5 5 1000 40 1
M95010-W SO8; TSSOP8 1Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 1
M95020 TSSOP8 2Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 1
M95020-W SO8 2Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 1
M95040 SO8; TSSOP8 4Kb x8 1.8 5.5 5 1000 40 0.5-5.0
M95040-W SO8; TSSOP8 4Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 1.0-2.0
M95080 SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch 8Kb x8 1.8 5.5 5 1000 40 0.5-2.0
M95080-W SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch 8Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 1.0-2.0
M95128-R SO8; TSSOP8 128Kb x8 1.8 5.5 5 1000 40 0.5

M95128-W SO8 128Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 1

M95160 SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch 16Kb x8 1.8 5.5 5 1000 40 0.5-5.0

M95160-W SO8; TSSOP8 16Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 1.0-2.0

M95256 SO8; TSSOP8 - - - - - - -

M95256-W SO 08 WIDE .208 (EIAJ); SO8; TSSOP8 256Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 1

M95320 SO8 32Kb x8 4.5 5.5 5 1000 40 2

M95320-R SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch 32Kb x8 1.8 5.5 5 1000 40 1

M95320-W SO8; TSSOP8 32Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 1.0-2.0

M95512-R SO8; TSSOP8 512Kb x8 1.8 5.5 5 100 40 3

M95512-W SO8; TSSOP8 512Kb x8 2.5 5.5 5 100 40 2

M95640 SO8 64Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 2

M95640-R SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch 64Kb x8 1.8 5.5 5 1000 40 1

M95640-W SO8; TSSOP8 64Kb x8 2.5 5.5 5 1000 40 1.0-2.0

049
 EEPROM SPI™

 Microchip ofrece una familia de Eeprom serie SPI con un rango de

capacidad desde 1Kbit hasta 256Kbit. 1.000.000 ciclos, >200
años retención. 10MHz.
 Familia 25xx

 Nomenclatura:
 25AAxxxA 1,5V a 5V
 25LCxxxA 2,5V a 5V

 xxx 010 1kbit, 020 2Kbit, 040 4kbit, 080 8kbit, 160 16Kbit, 320
32Kbit, 640 64Kbit, 256 256Kbit.

050
 Memorias FLASH

Flash

NOR FLASH NAND FLASH FLASH SPI

STM
STM – Spansion STM FLASH CARD
Spansion
INTEL INTEL
Intel

Kripto FLASH
STM
 Memorias Flash NAND y NOR
 NAND Flash es una memoria no volátil que tiene la capacidad de mantener y almacenar
Datos incluso sin alimentación. Funcionalmente una NAND Flash puede ser vista como una
pequeña unidad de disco duro en versión silicio.

 NAND Flash almacena Datos en una larga serie de transistores. Cada transistor puede
almacenar un bit de Datos (nota: la celda multi-nivel (MLC) NAND puede almacenar dos bits
de Datos en cada celda). NAND Flash ha ganado la gran popularidad de las tradicionales
memorias NOR Flash, porque pueden tener muchas más celdas en la misma área de silicio.
Esto da a las NAND Flash ventajas en densidad y coste sobre otras memorias no volátiles.
NAND Flash permite estas ventajas compartiendo algunas áreas comunes del transistor de
almacenaje, que crea cadenas de transistores conectados en serie (en NOR Flash, cada
transistor está solo). Esta arquitectura de celdas sucesivas dan el nombre a este tipo de
dispositivos: NAND (Not AND) es la referencia de lógica de Boole a como la información es
leída de estas celdas.

 NAND vs. NOR

 NOR - Está diseñada para ser un dispositivo de acceso aleatorio, la celda utilizada para
almacenar un bit es mayor que en la NAND, el tiempo de lectura es mas rápido y es la
mejor manera para almacenar y ejecutar código en la memoria. Las aplicaciones de
almacenar código incluyen Set-Top Boxes, PCs, y teléfonos celulares....
 NAND - Es un dispositivo de acceso secuencial (serie), tiempo de lectura lento, célula de
almacenado mas pequeña que en NOR por lo que suelen ser mas baratas y es la mejor
manera de manejar el almacenaje de Datos como fotos, música o ficheros de Datos. Es
la memoria utilizada en las MultimediaCard, SDcard.

 Los sistemas de archivos para estas memorias están en pleno desarrollo aunque ya en
funcionamiento como por ejemplo JFFS originalmente para NOR, evolucionado a JFFS2
para soportar además NAND o YAFFS, ya en su segunda versión, para NAND. Sin embargo,
052
 Comparación NOR Flash / NAND Flash

PARAMETRO NOR Flash NAND Flash

Capacidad 1 a 16 Mbytes 8 a 128 Mbytes

Ejecución de código
XIP (Ejecution In
Place) Si No
Borrado Muy lenta (5s) Rápida (3ms)
Escritura Lenta Rápida
Lectura Rápido Rápida

Durabilidad Direccionable cada byte 10% más que la mayor vida esperada
Rango de ciclos de
borrado 10,000 a 100,000 100,000 a1,000,000
Como la SRAM, mapa de
Interface memoria Teniendo accesos de 512 bytes; mapa de I/O

Metodo de Acceso Aleatorio Secuencial

Precio Alto Muy bajo

053
 Memorias NOR Flash
 Spansion ofrece memorias Flash tipo NOR en dos tecnologías:
 Floating gate – Tecnología tradicional. Almacena un único bit por célula. Tiempo
de acceso mas rápido. Altas prestaciones. Desde 1Mb hasta 128Mb.
 MirrorBit® – Innovadora tecnología de Spansion capaz de almacenar dos bits
independientes en una única célula. Mas bajo coste. Alimentación 3 V. Desde
16Mb a 1Gb.
 Todas las Flash de Spansion soportan XIP (execution in place) y todas las
MirrorBit® soportan lecturas en modo pagina.

 Tecnología MirrorBit®:
 La célula MirrorBit® de doble la densidad intrínseca,
almacenando dos bits físicos distintos en los lados
opuestos de la célula de la memoria.
 Cada bit dentro de una célula sirve como una unidad
binaria de Datos (por ejemplo, 0 o 1) que está
directamente en el mapa de memoria.
 La lectura o la programación de un lado de la célula de
memoria ocurre independientemente de que cualquier
Dato sea almacenado en el lado opuesto de la célula.

054
NOR Flash
1 Mb 2 Mb 4 Mb 8 Mb 16 Mb 32 Mb 64 Mb 128 Mb 256 Mb 512 Mb 1 Gb

GL GL
LV AL
FL
JL
PL
2005
CD
BL
F

FL (small sectors)
2006
GL

AL
2007
GL = 3V MirrorBit, page-mode JL = 3V floating gate, simul R/W
LV = 3V floating gate, standard PL = 3V floating gate, page mode + simul R/W
AL = 3V floating gate, standard CD = 3V floating gate, burst mode + simul R/W
FL = 3V MirrorBit, serial peripheral interface BL = 3V floating gate, burst mode
F = 5V floating gate, standard
90 nm 110 nm 130 nm 200 nm 230+ nm

055
 NOR FLASH
4 Mb 8 Mb 16 Mb 32 Mb 64 Mb 128 Mb 256 Mb 512 Mb 1 Gb

48 FBGA
(0.8 mm
pitch)
S29AL004D S29AL008D S29AL016D S29AL032D
S29GL016A S29GL032A S29GL064A
S29PL032J S29PL064J
To
4Gb
64-Ball Fortified
BGA (1 mm pitch)

S29GL016A S29GL032A S29GL064A S29GL128N S29GL256N S29GL512N S29GL01GP

To
4Gb
56 TSOP

S29GL032A S29GL064A S29GL128N S29GL256N S29GL512N S29GL01GP

48 TSOP

S29AL004D S29AL008D S29AL016D S29AL032D

S29GL016A S29GL032A S29GL064A
S29JL032H S29JL064H

Los encapsulados de Spansion permite la máxima libertad

entre densidad, familia de producto y proceso de tecnología

056
 Codificación de las NOR FLASH

1. Codificación Base
S 2 9 GL 5 1 2 N Designación
de Tecnología
Tecnología

1 2 3 4 5 6 7 8 9
D 200 nm Floating Gate
Prefijo Serie Familia Densidad Tecno
logía

G 170 nm Floating Gate

+ H 130 nm Floating Gate

2. Opciones
J 110 nm Floating Gate
1 1 T A I 0 2 0 M 230 nm MirrorBit™
10 11 12 13 14 15 16 17
Velocidad de Encapsulado/ Rango Número de Tipo A 200 nm MirrorBit™
Encap
Acceso libre Pb Temp
Modelo sulad N 110 nm MirrorBit™
o

057
 ORNAND FLASH

 Nueva tecnología de Spansion que aprovecha lo mejor de las NOR

y de las NAND. Optimizada para aplicaciones que requieran gran
capacidad de almacenar datos.
 Alta capacidad (1Gb, 1.8v - 2Gb, 3.0v) en 90nm
 Tecnología MirrorBit®
 Rápida escritura y lectura.
 Ambos software y hardware interface (NOR y NAND)
 Bajo coste.
 Capaces de ejecutar código.
Product Description Sample Availability Production Release

S30ML512P 512Mb 3V ORNAND, 90nm MirrorBit ® Now Dec'06

S30ML256P 256Mb 3V ORNAND, 90nm MirrorBit ® Feb'07 Q1'07
S30ML128P 128Mb 3V ORNAND, 90nm MirrorBit ® Feb'07 Q1'07

058
 NOR FLASH StrataFlash™

 StrataFlash™: Es una memoria Flash con tecnología de célula multinivel (MLC Multil
Level Cell), de Intel que almacena 2 o 3 bits por célula, en lugar de un bit. El voltaje a
través de cada célula está dividido en cuatro niveles, permitiendo cualquiera de las
combinaciones posibles de dos bits: 00, 01, 10 o 11. Tres bits por célula se logran con
ocho niveles de voltaje.

 Serie P30 64Mbit hasta 512Mbit, 1,8V (I/O 3V) Boot Block, x16
 Nomenclatura: JS28F128P30B85 (56 TSOP) o PC28F128P30B85 (64BGA)

 Serie P33 64Mbit hasta 512Mbit, 3,3V Boot Block, x16
 Nomenclatura: JS28F128P33B85 (56 TSOP) o PC28F128P33B85 (64 BGA)

 Serie J3 32Mbit hasta 128Mbit, 3V, x8 o x16. Son de sectores iguales (no son
Boot Block).
 Nomenclatura: JS28F256J3 o PC28F256J3

 Letra B es “bottom” JS28F128P30B85, Letra T es “top” JS28F128P30T85

 http://www.intel.com/design/flash/nor/index.htm

059
 NOR FLASH Boot Block

 Este tipo de memoria tiene un área reservada para el arranque o “boot”,

normalmente de menor tamaño que el resto de sectores. Dependiendo de
si esta área está al principio o al final del mapa de memoria, será Top o
Bottom.
 Boot Block: Es un área de la Flash para la carga y ejecución del sistema
operativo necesario para arrancar la aplicación. Este sector es más
pequeño
 Son las más normales. No son Strataflash con tecnología MLC

 Desde 16Mbits hasta 32Mbit,

 Alimentación 3V,
 x16
 56 TSOP y 64 BGA

 Serie C3

 http://www.intel.com/design/flash/nor/index.htm

060
 NOR FLASH

 STM ofrece varias familias de NOR FLASH estándar en la industria.

 Nomenclaturas NOR FLASH de 5V

 29Fxxx (1, 2, 4, 8, 16, 32Mbit), x8, x16, 45ns, PLCC, TSOP, SOIC

 Nomenclaturas NOR FLASH de 3V

 M29Wxxx (1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128Mbit)
 M29DWxxx (32, 64, 128Mbit) TSOP48 y TFBGA63 hasta 64Mbit,
TSOP56 y TBGA64 para 128Mbit, 70/90ns
 M58BWxxx (16, 32Mbit), x32
 M28Wxxx (16, 32, 64Mbit), x16, TBGA, Boot Block

 www.st.com/flash

061
NOR Flash Secure o Kripto™ Flash

 Es una NOR Flash que incluye seguridad, procurando una autentificación

entre la Flash y la CPU, con prevención de cualquier operación ilegal por un
procesador no autorizado o memoria Flash conectada en paralelo.
 El sistema de seguridad incluye también un mecanismo de protección de
lectura con la reactivación automática. Esto decir, contra la prevención de la
lectura no autorizada de la memoria o la duplicación de sus datos en
dispositivos piratas, tanto para salvaguardar la Propiedad intelectual (IP) y el
código de programa almacenado.

 Solo las hacen en BGA

 La diferencia en la nomenclatura con las NOR Flash de STM normales es

que incluyen las letras FS y en la última letra si el block es: T(Top), B
(Bottom) o U(Uniform).
 M28W320FSB 32Mbits, 2Mbx16, B(Bottom)
 M28W640FST 64Mbits, 4Mbx16, T(Top)

 http://www.st.com/stonline/products/families/memories/fl_nor_emb/fl_secure.htm

062
 NAND FLASH

 STM ofrece memorias NAND Flash

 Nomenclaturas Flash NAND SLC Small Page
 Tamaño de pàgina: 528 bytes
 NANDxxx (128, 256, 512Mbit), x8, 1,8 y 3V. Ejemplo: NAND128W3A
 TSOP48, USOP48, VFBGA63

 Nomenclaturas Flash NAND SLC Large Page

 Tamaño de pàgina: 2112 bytes
 NANDxx (1, 2, 4, 8Gbit), x8, 1,8 y 3V. Ejemplo: NAND01GW3B
 TSOP48, USOP48, VFBGA63

 Flash NAND MLC Large Page

 Tamaño de pàgina: 2112 bytes
 NANDxx (4, 8Mbit), x8, 3V. Ejemplo: NAND04GW3C2A
 TSOP48
 www.st.com/nand

063
 NAND FLASH

 Intel ofrece memorias NAND FLASH. Single Level Cell (SLC).

 Desde 2 Gbits hasta 16 Gbits
 Alimentación 3V3
 Ancho de bus: x8
 Encapsulado 48 TSOP

 Nomenclatura JS29Fxx, ejemplo JS29F04G08

 www.intel.com/design/flash/nand/

064
NAND FLASH

Part Number Density Bus Voltage Plane Package RoHS Temp Status

Intel® SS92 NAND Flash Memory - SLC

JS29F02G08AANA 2 Gb x8 3.3V Singl 48L Yes 0C to Production

2 e TSO +70C
P
JS29F04G08BANA 4 Gb x8 3.3V Singl 48L Yes 0C to Production
2 e TSO +70C
P
JS29F08G08FANA2 8 Gb x8 3.3V Singl 48L Yes 0C to Production
e TSO +70C
P
Intel® SS72 NAND Flash Memory - SLC

JS29F02G08AANB 2 Gb x8 3.3V Singl 48L Yes 0C to Production

3 e TSO +70C
P
JS29F04G08BANB 4 Gb x8 3.3V Singl 48L Yes 0C to Production
3 e TSO +70C
P
JS29F08G08FANB3 8 Gb x8 3.3V Singl 48L Yes 0C to Production
e TSO +70C
P
Intel® SD74 NAND Flash Memory - SLC

JS29F04G08AANB 4 Gb x8 3.3V Singl 48L Yes 0C to Production

1 e TSO +70C
P
JS29F08G08CANB 8 Gb x8 3.3V Singl 48L Yes 0C to Production
1 e TSO +70C
P
JS29F16G08FANB1 16 Gb x8 3.3V Singl 48L Yes 0C to Production
e TSO +70C
P

065
 NAND FLASH

 Micron ofrece únicamente memorias NAND FLASH.

 NAND Flash desde 1Gb hasta 8Gb...x8 y x16 en encapsulados
TSOP y VFBGA. a 1.8V y 3.3V

Part Density Depth Width Voltage Package Pin I/O Op. Temp.
Count

MT29F16G08FAAWP 16Gb 2Gb x8 3.3V TSOP 48-pin Common 0C to +70C

MT29F2G08AACWP 2Gb 256Mb x8 3.3V TSOP 48-pin Common 0C to +70C

MT29F4G08AAAWP 4Gb 512Mb x8 3.3V TSOP 48-pin Common 0C to +70C

MT29F8G08DAAWP 8Gb 1Gb x8 3.3V TSOP 48-pin Common 0C to +70C

066
 Flash Serie (SPI)
 Las Flash Serie de ST están diseñadas para almacenar código, datos y parámetros,
permitiendo una reducción de tamaño de circuito impreso y simplificando el trazado
de pistas, siendo de alta velocidad y bajo consumo, encapsulados en 8 pins SO8,
TSSOP8, MLP8, Interface SPI, 3V
 La serie M25 es pin compatible con las Eeprom serie SPI, la serie M45 no.
 La serie P es para código, la serie PE es perfecta para guardar datos y parámetros.

 Nomenclaturas
 M25Pxxx (512Kbit, 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128Mbit), 50MHz, Sector erase.
 M25PExxx (1, 2, 4, 8, 16Mbit), 33-50MHz, Page erase, H/W Prot
 M45PExxx (1, 2, 4, 8, 16Mbit), 33-50MHz, Page erase

067
 Flash Serie (SPI)

 Spansion también ofrece memorias FLASH con

interface serie SPI. Encapsulados muy pequeños
(SOIC8 / 16, WSON..). Desde 4Mb hasta 64MB. 50Mhz.

Bus
Product Number Interface Voltage Density Sector Type MCP Technology
 Width

S25FL008A Serial 3 Volts 8Mb x1 Uniform No MirrorBit™

S25FL016A Serial 3 Volts 16Mb x1 Uniform No MirrorBit™

S25FL032A Serial 3 Volts 32Mb x1 Uniform No MirrorBit™

S25FL040A Serial 3 Volts 4Mb x1 Uniform No MirrorBit™

Boot Sector

S25FL064A Serial 3 Volts 64Mb x1 Uniform No MirrorBit™

S30MS-P Serial 1.8  512Mb x8/x1 No Mirror

Volt 1Gb 6 Bit™
s

068
Flash Serie (SPI)

 Intel ofrece memorias Flash serie de 16Mb, 32Mb y 64Mb. 3V.

 Incluyen seguridad, con un espacio OTP: Identificador único de 64
bits de factoría, 64 bits OTP programable por el usuario, 3920 bits
OTP adicionales programable por el usuario.

 Nomenclatura: Familia S33

 QH25F320S33B8

016 = 16 Mbit, SOIC-8

160 = 16 Mbit, SOIC-16
320 = 32 Mbit
640 = 64 Mbit
Letra B “bottom”, letra T “top”.

 http://www.intel.com/design/flash/index.htm

069
 Memorias PROM

PROM

EPROM
OTP MROM
STM
 EPROM

EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory), memoria que

puede ser programada y se puede borrar para volver a usar.
 Para borrarla se necesita poner luz ultravioleta que se aplica en la
ventana de cuarzo que hay en la parte superior de la Eprom.

 Nomenclaturas EPROM 5V
 M27Cxxx (64, 256, 512kbits, 1, 2, 4, 8Mbit), x8, 5V
 M27Cxxx (4Mbit), x16, 5V
 M27Cxxx (16, 32Mbit), x8 x16 5V
 Nomenclaturas EPROM Low Voltage
 M27Wxxx (256, 512kbit, 1, 2, 4, 8Mbit), x8, 3V
 M27Wxxx (4Mbit), x16, 3V3
 M27Vxxx (16, 32Mbit), x8 x16, 3V3

071
Convenciones

Conventions
 0x: Hexadecimal prefix
 0b: Binary prefix
 K: 1,000
 M: 1,000,000
 Nibble: 4 bits
 Byte: 8 bits
 Word: 16 bits
 Kword: 1,024 words
 Kb: 1,024 bits
 KB: 1,024 bytes
 Mb: 1,048,576 bits
 MB: 1,048,576 bytes
 Brackets:
 Square brackets ([]) will be used to designate group membership or to define a group of
 signals with similar function (i.e. A[21:1], SR[4,1] and D[15:0]).
 00FFh: Denotes 16-bit hexadecimal numbers
 00FF 00FFh: Denotes 32-bit hexadecimal numbers

072
Otros tipos de memorias
 PBSRAM

 PB SRAM
 Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama 'pipeline' a una
categoría de técnicas que proporcionan un proceso
simultáneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se
refiere a las operaciones de solapamiento moviendo
datos o instrucciones en una 'tuberia' conceptual con
todas las fases del 'pipe' procesando simultáneamente.
Por ejemplo, mientras una instrucción se está ejecutándo,
la computadora está decodificando la siguiente
instrucción. En procesadores vectoriales, pueden
procesarse simultáneamente varios pasos de
operaciones de coma flotante
 La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en
velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos.

074
VRAM

 VRAM :
 Siglas de Vídeo RAM, una memoria de propósito especial
usada por los adaptadores de vídeo. A diferencia de la
convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida
por dos diferentes dispositivos de forma simultánea. Esto
permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las
actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un
procesador gráfico suministra nuevos datos. VRAM
permite mejores rendimientos gráficos aunque es más
cara que la una RAM normal.

075
 Memoria Caché
Memoria Caché ó RAM Caché :
 Un caché es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un
área reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta
velocidad independiente. Hay dos tipos de caché frecuentemente usados en las
computadoras personales: memoria caché y caché de disco. Una memoria caché, llamada
tambien a veces almacenamiento caché ó RAM caché, es una parte de memoria RAM
estática de alta velocidad (SRAM) más que la lenta y barata RAM dinámica (DRAM) usada
como memoria principal. La memoria caché es efectiva dado que los programas acceden
una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta información en SRAM,
la computadora evita acceder a la lenta DRAM.
 Cuando un dato es encontrado en el caché, se dice que se ha producido un impacto (hit),
siendo un caché juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoria
caché usan una tecnología conocida por caché inteligente en el cual el sistema puede
reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente. Las estrategias para determinar
qué información debe de ser puesta en el caché constituyen uno de los problemas más
interesantes en la ciencia de las computadoras. Algunas memorias caché están
construidas en la arquitectura de los microprocesadores. Por ejemplo, el procesador
Pentium II tiene una caché L2 de 512 Kbytes.
 El caché de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria caché, pero en
lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos
más recientes del disco duro a los que se ha accedido (así como los sectores adyacentes)
se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del
disco, lo primero que comprueba es la caché del disco para ver si los datos ya estan ahí.
La caché de disco puede mejorar drásticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado
que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces más rápido que acceder
a un byte del disco duro.
076
 SIMM – DIMM - DIP

SIMM :
 Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una
pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en
un zócalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son más fáciles
de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son
medidos en bytes en lugar de bits.
 El primer formato que se hizo popular en los computadores personales tenía 3.5" de
largo y usaba un conector de 32 pins. Un formato más largo de 4.25", que usa 72
contactos y puede almacenar hasta 64 megabytes de RAM es actualmente el más
frecuente.
 Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits y un bit de paridad, en 9 chips de
memoria RAM dinámica) como memoria de ocho bits sin paridad. En el primer caso los
ocho primeros son para datos y el noveno es para el chequeo de paridad.
DIMM :
 Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una
pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un
zócalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.
DIP :
 Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip
de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.

077
 FPM - EDO

FPM
 Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de
RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila
y columna. Antes del modo paginado, era leido pulsando la fila y la columna de las líneas
seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las
columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en
modo paginado tambien es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM
RAM, FPM DRAM. El término "fast" fué añadido cuando los más nuevos chips empezaron
a correr a 100 nanoseconds e incluso más.

EDO
 Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el
rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto
de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page.
 Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los más rápidos chips
EDO, el rendimiento será el mismo que en el modo Fast Page.
 EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que
comienza el próximo ciclo.
 BEDO (Burst EDO) es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un
contador de dirección para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa
las operaciones.

078
 Flash CARD

FLASH
CARD

MULTIMEDIA
Compact Flash PCMCIA SD SMART MEDIA Especiales
CARD

MiniSD XD Picture Card

Mini SD Memory Stick

 Compact Flash

 CompactFlash (CF) fue originalmente un tipo de dispositivo de

almacenamiento de datos, usado en dispositivos electrónicos
portátiles.
 Principalmente hay dos tipos de tarjetas CF, el Tipo I y el Tipo II,
ligeramente más grueso. Hay dos velocidades de tarjetas (CF
original y CF de Alta Velocidad (usando CF+/CF2.0), pero pronto
pasarán a ser tres cuando se incluya el estándar CF3.0 más rápido
incluso que los anteriores, que está previsto ser adoptado en 2005.
La ranura CF de Tipo II es usada por Microdrives y algunos otros
dispositivos.
 El conector mide de ancho unos 43 mm y la carcasa tiene 36 mm de
profundidad y está disponible en dos grosores diferentes, CF (3,3
mm) y CF II (5 mm). Sin embargo, ambos tipos son idénticos. Las
tarjetas CF I pueden ser usadas en las ranuras para CF II, pero las
tarjetas CF II son demasiado gruesas para poder encajar en las
ranuras para CF I. Las tarjetas de memoria son habitualmente del
080
PCMCIA

 Una tarjeta PCMCIA es un dispositivo normalmente utilizado en

computadoras portátiles para expandir las capacidades de este.
 Estas tarjetas reciben su nombre del estándar PCMCIA (Personal
Computer Memory Card International Association), asociación de
la industria de fabricantes de hardware para ordenadores o
computadores portátiles encargada de la elaboración de
estándares. Se usan para ampliar capacidades en cuanto a
memoria, disco duro, tarjeta de red, capturadora de radio y TV,
puerto paralelo, puerto serie, puerto USB, etc.
 Las tarjetas PCMCIA de 16 bits pueden recibir el nombre de PC
Card y las de 32 bits el de Card BUS.
 Hoy día existe una evolución de dichas tarjetas, son las llamadas
Express Card, son más finas pero mantienen las mismas
funciones.

 http://www.pcmcia.org/ http://www.expresscard.org/ 081

 MMC (Multi Media Card)

 Multimedia Card (MMC) es un tipo de tarjeta de memoria,

presentes en muchos dispositivos electrónicos, como cámaras
digitales. Su forma es prácticamente igual a la SD, la diferencia
más palpable es que carecen de una pestaña para evitar
sobrescribir la información en ella contenida. Su forma está
inspirada en el aspecto que presentan los antiguos discos de 3'
1/2.

 Ancho de Bus x1, x4, x8 bits

 Trabajando a 52 MHz en modo x8 bit de ancho de bus, los Datos
se pueden transferir hasta 52MB/s, (o 416 Mbits/s)

 http://www.mmca.org/
082
 Secure Digital SD

 Segure Digital (SD) es un formato de tarjeta de memoria Flash. Se utiliza en

dispositivos portátiles como cámaras fotográficas digitales y ordenadores PDA.
Las tarjetas SD se basan en el formato precedente MultiMediaCard (MMC),
pero físicamente son un poco más gruesas, su tasa de transferencia de datos
es más alta, disponen de un interruptor en un lateral para evitar sobrescrituras
accidentales y tienen funciones de DRM (poco usadas).
 Las tarjetas SD miden 32 mm x 24 mm x 2,1 mm. Existen dos tipos: unos que
funcionan a velocidades normales, y las tarjetas de alta velocidad que tienen
tasas de transferencia de datos más altas.
 Los dispositivos con ranuras SD pueden utilizar tarjetas MMC, que son más
finas, pero las tarjetas SD no caben en las ranuras MMC. Las tarjetas SD se
pueden utilizar directamente en las ranuras de CF o de PC Card con un
adaptador. Las tarjetas MiniSD y MicroSD se pueden utilizar directamente en
ranuras SD con un adaptador. Hay algunas tarjetas SD que tienen un conector
USB integrado con un doble propósito, y hay lectores que permiten que las
tarjetas SD sean accesibles por medio de muchos puertos de conectividad
como USB, FireWire y a un común puerto paralelo.

083
MiniSD

 MiniSD es un formato de tarjeta de memoria flash. Presentada por primera

vez por SanDsik en CeBIT 2003, el miniSD se unió a la Memory Stick Duo
y xD-Picture en cuanto a dispositivos pequeños.

 La tarjeta miniSD fue adoptada en 2003 por la Asociación SD como una

extensión de tamaño ultra-pequeño para el estándar de tarjeta SD.

 Dado que las nuevas tarjetas se diseñaron especialmente para ser usadas
en teléfonos móviles, están envueltas por un adaptador miniSD que
permite la compatibilidad con todos los dispositivos equipados con una
ranura de tarjeta SD.

 También tiene interface SPI.

 http://www.sandisk.com/

084
 MicroSD

 microSD (Micro Secure Digital / Transflash)

 Transflash; Formato de tarjeta de memoria flash más
pequeña que la MiniSD, desarrollada por SanDisk; adoptada
por la Asociación de Tarjetas SD (SD Card Association) bajo
el nombre de microSD en Julio de 2005. Tarjeta que mide 15
milímetros por 11 por 1, lo cual le da un área de 165
milímetros cuadrados. Esto es tres y media veces más
pequeña que la miniSD, que era hasta ahora el formato más
pequeño de tarjetas SD, y es alrededor de un décimo del
volumen de una SD card.
 También tienen interface SPI

 www.transflash.org

085
Comparativa de memorias SD

Tarjeta
Tarjeta miniSD Tarjeta SD
MicroSD

Ancho 20mm 24mm 15mm

Largo 21,5mm 32mm 11mm

Grosor 1,4mm 2,1mm 1mm

Volumen de la tarjeta 589 mm³ 1,596 mm³ 165mm³

Peso 1g aprox. 2g aprox. < 1g aprox.

Voltaje de funcionamiento 2,7 - 3,6V 2,7 - 3,6V 2,7 - 3,6V

Interruptor de protección contra

No Sí No
escritura
Protectores de terminal No Sí No

Número de pines 11 pines 9 pines 8 pines

086
SmartMedia Card

 Tarjeta de memoria. Uno de los estándares de almacenamiento de

imágenes más difundido junto con las tarjetas "Compact Flash".
Por el diferente voltaje al que trabajan se pueden diferenciar dos
tipos de tarjeta: 3.3V y 5V. Actualmente la más utilizada es la de
3.3V, con una capacidad máxima de 128 MB.
 Interface 8 bits (16 bits en algunos casos). 2MB/s
 Este formato de tarjetas fue desarrollado por Toshiba y destaca
por su poco espesor, son muy usadas en reproductores MP3 y
PDA. Las medidas son 45mm x 37mm x 0,76mm

 http://ssfdc.or.jp/english/

087
 Memory Stick

 Memory Stick es un formato de tarjeta de memoria extraíble (memoria flash),

comercializado por Sony en 1998. El término también se utiliza para definir a la
familia entera de estos dispositivos de memoria (Memory Stick). Dentro de
dicha familia se incluye la Memory Stick Pro, una versión posterior que
permite una mayor capacidad de almacenamiento y velocidades de
transferencia de archivos más altas, y la Memory Stick Duo, una versión de
menor tamaño que el Memory Stick.
 Normalmente, la Memory Stick es utilizada como medio de almacenamiento de
información para un dispositivo portátil, de forma que puede ser fácilmente
extraído para tener acceso a un ordenador. Por ejemplo, las cámaras digitales
de Sony utilizan la tarjeta Memory Stick para guardar imágenes y videos. Con
un lector de Memory Stick (normalmente una pequeña caja conectada vía USB
o alguna otra conexión de serie) una persona puede transferir las imágenes
tomadas con la cámara digital Sony a su ordenador.

 http://www.memorystick.com/
088
XD Picture Card

 Tipo de tarjetas propietaria de Olympus que utilizan para sus cámaras de

fotos digitales. Actualmente se las puede encontrar en 8 diferentes
modelos: 16MB, 32MB, 64MB, 128MB, 256MB, 512MB, 1GB y 2GB.

 Al ser una tarjeta propietaria solamente funciona con cámaras Olympus y

Fujifilm, pero puede ser utilizada por otros dispositivos utilizando
adaptadores provistos por el fabricante, los cuales posibilitan su uso como
disco USB o que pueda ser conectado a una computadora portátil
mediante un adaptador de tarjeta PCMCIA.

 http://www.olympusamerica.com/cpg_section/cpg_xd.asp

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