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Convertidores cd ca cd cd
Transistores de potencia
1 BTT Corriente
2 MOSFET Tensión
3 IGBT
Siempre deben operar en las regiones de corte saturación
No operan amplificación
BIT Potencia
Generalmente hte ó p no son muy grandes en comparación a
los Bst de pequeña señal
Corte saturación
f IBIVBB
Y
Rt
VB.EE RB
RB Ic PIB ke 0
Kc
M t KE Vac Icrc
VB IB
f
VBE
Icmax Ve
Rc
Icmax IBmax Icmax
Icsativat g
µ
1
IKE
Sat KE
La relación de Icsat e IBI se conoce como BForzada
pr Icsat
IBF
Donde Irse
a
magnitud
la corriente
de
de
corriente
base de
de base
saturación
mayor
Los circuitos se diseñan de tal forma que IBF sea mayor a
IBsat La relación entre ellas se conoce como Factor de
sobre exitación
ODFIIBFIBs.at
PT VBFIB.tlcEIc
Ejemplo
Se tiene un BIT con p B Rc RVccr 200VVB.BE
0VSiVcElsatI
lVBElsat Datos fabricante
b Calcular
BF
c Calcular las perdidas de potencia Pi en el transistor
Solución
Icsatisat Icsat
Rc 200ft 18.0909A
IBsat I
psatIBs.at 1809
2.26lAIBF
0DrIBsat IBF 5 2.611 11.306A
de la unión a la cubierta
w
Roja Resistencia tecnica
al disipador termico 04W
Ro as Resistencia tecnica de la cubierta
Roja Resistencia tecnica del disipador termico al ambiente 0
de cubierta
Temperatura
Tca Tj Pr Roja
La temperatura del disipador de calor es
Ts Tc Pt Recs
La temperatura ambiente es PT perdidas de la
TA aTs Pi Roja potencia
Fra
Kelsat µ
Ése
va