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Avant tout, je remercie ALLAH le tout puissant de m’avoir donné la force, la volonté et le
Je tiens à remercier très vivement Monsieur Ferhat Hamida Abelhak, Professeur à l’Université
de Sétif 1 pour la bienveillance avec laquelle il a guidé mes travaux, pour son soutien, ainsi que pour les
précieux conseils qu'il m'a prodigués tout au long de ce mémoire. J’ai eu beaucoup de plaisir de
Mes plus vifs remerciements vont à Monsieur Zegadi Ameur, Professeur à l’Université de Sétif
l’Université de Sétif 1 pour l’honneur qu’elle me fait en acceptant de faire partie du jury.
Enfin, j’adresse mes remerciements à touts ceux qui ont contribué de prés ou de loin à la
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Sommaire
Introduction générale ...................................................................................................3
CHAPITRE I : La structure MIS idéale
1.1Introduction : ............................................................................................................5
1.2 Conditions d’une structure MIS idéale :.................................................................5
1.3 Régimes de fonctionnement .....................................................................................6
1.3.1 Régime d’accumulation ............................................................................................... 7
1.3.2 Régime de bandes plates .............................................................................................. 9
1.3.3 Régime de déplétion ..................................................................................................... 9
1.3.4 Régime d’inversion .................................................................................................... 11
1.4 Région de charge d’espace ............................................................................. 14
1.5 Expression du potentiel de surface .................................................................. 20
1.6 Conclusion ...................................................................................................... 21
CHAPITRE II : La structure MIS réelle
2.1 Introduction ............................................................................................................23
2.2 Différence des travaux de sortie ............................................................................23
2.3 Les défauts dans la structure MIS réelle ..............................................................25
2.4 Les différents types de charges dans l’oxyde ........................................................26
2.5 Différentes origines du courant à travers l’oxyde ................................................28
2.6 Influences des défauts sur le fonctionnement de MIS .........................................30
2.7 Influences des défauts sur la capacité MIS réelle ................................................31
2.7.1 Influence de la différence des travaux de sortie sur la caractéristique C(Vg)......... 32
2.7.2 Influence des charges dans l’oxyde sur la caractéristique C(Vg) ............................ 32
2.7.3 Influence des états d’interfaces sur la caractéristique C(Vg)................................... 33
2.8 Conclusion ..............................................................................................................35
CHAPITRE III : Le modèle analytique
3.1 Introduction ............................................................................................................36
3.2 Diagramme des bandes d’énergie dans le modèle ................................................36
3.3 Les différents courants existants dans le modèle..................................................38
3.3.1 Courant de diffusion .................................................................................................. 38
3.3.2 Courant de génération-recombinaison ..................................................................... 40
3.3.3 Courant tunnel bande à bande (direct): ................................................................... 40
3.3.4 Courant des états de surface...................................................................................... 40
3.3.5 Le courant total .......................................................................................................... 42
3.4. L’algorithme du modèle ........................................................................................42
3.5 Conclusion ..............................................................................................................44
CHAPITRE IV : Simulation et résultats
4.1 Introduction ............................................................................................................45
4.2 Résultats pour une structure MIS idéale ..............................................................46
4.2.1 Variation de potentiel de surface avec la tension de grille: ..................................... 46
a-Variation en fonction de φm ........................................................................................ 46
Introduction générale
La structure Métal-Isolant-Semiconducteur (MIS) est le dispositif le plus utile dans les
études des surfaces semiconductrices. Comme la plus part des problèmes pratiques dans la
fiabilité et la stabilité de tous les dispositifs à semiconducteurs sont intimement liés à leurs
conditions de surface, une compréhension de la physique des surfaces à l'aide de la capacité
MIS est de grande importance aux opérations des dispositifs.
La structure MIS a d'abord été proposée comme un condensateur variable en 1959 par
Moll [1] et par Pfann et Garrett [2]. Ses caractéristiques ont été ensuite analysées par Fränkel
[3] et Lindner [4]. La première structure MIS réussie a été faite de SiO2 par Ligenza et
Spitzer en 1960 [5]. Ces succès expérimentaux ont immédiatement conduit au premier rapport
du MOSFET par Kahng et Atala [6]. Plus d’études sur ce système SiO2-Si a été rapporté par
Terman [7] et par Lehovec et Slobodsky [8].
Aujourd’hui, les logiciels de simulations jouent un rôle très important dans tous les
domaines de l’électronique générale. En effet, avant la fabrication d’un composant
électronique, on procède à une simulation. Cette simulation est définit dans le cas général
comme une technique permettant de reproduire de façon virtuelle le comportement d'un
phénomène réel préalablement décrit par un ensemble de modèles, et dans ce cas, les résultats
obtenus sont très satisfaisantes, car la simulation gagne en terme de cout et de temps par
rapport à la fabrication. Ces logiciels de simulation sont utilisés pour résoudre numériquement
les systèmes d’équations obtenues par les lois de la physique qui sont difficiles à résoudre
analytiquement [9].
3
Introduction générale
Notre travail consiste à simuler les phénomènes de transport dans la structure MIS,
tout d’abord en comprenant la physique de la structure puis étudiant son comportement sous
différentes conditions (pour différentes valeurs des paramètres influençant sur une telle
structure comme le dopage de silicium, le type de métal, l’épaisseur de l’isolant…etc.).
Nous avons scindé notre mémoire en quatre chapitres principaux entourés d’une brève
introduction et d’une conclusion générale.
Le deuxième chapitre est consacré à l’étude de la structure MIS réelle, on présente les
defaults existants dans la couche d’oxyde et l’influence de ces defaults sur le fonctionnent de
la structure. On donne tout d’abord les origines du courant électrique.
Dans le troisième chapitre, on expose notre modèle analytique, on décrit en détail les
équations des courants existants dans notre modèle et l’algorithme numérique utilisé pour
résoudre les équations de transport.
Le quatrième chapitre est destiné à la présentation des différents résultats obtenus par
notre simulation. D’abord pour une étude classique, puis pour une étude avec tunnel à travers
les états de surface.
4
Chapitre I La structure MIS idéale
1.1Introduction :
Dans ce chapitre nous allons étudier la structure métal-isolant-semiconducteur MIS
idéale, où nous allons présenter les hypothèses concernant cette structure et les diagrammes
des bandes énergétiques et les régimes de fonctionnement (comme le régime d’accumulation,
régime de bandes plates, régime de déplétion et le régime d’inversion), on va présenter aussi
la charge d’espace dans le semiconducteur et la capacité de chaque régime, sans oublier
l’étude de la potentiel de surface et la tension de seuil.
Eg
φms = φm − χ + − φFi = 0 pour type - n
2 (1.1)
Eg
φms = φm − χ + + φFi = 0 pour type - p
2
5
Chapitre I La structure MIS idéale
Les seules charges qui existent dans la structure sont celles contenues dans le
semiconducteur et celles contenues dans la surface métal isolant en même quantité
mais de signes opposés.
Il n'y a aucun transport des porteurs de charges à travers l'isolant sous l'application
d'une tension (la résistivité de l'isolant étant infinie).
La structure atomique et cristalline du silicium à l’interface Isolant/Semiconducteur
n’est pas perturbée par la présence de l’isolant.
Dans la pratique il existe toujours des défauts en particulier a l’interface
Isolant/Semiconducteur nous les citons dans la deuxième chapitre.
Le potentiel de grille dans une structure MIS est donc la somme des potentiels :
Vg = Vi +ψ s (1.2)
6
Chapitre I La structure MIS idéale
les semiconducteurs dont les porteurs majoritaires sont les trous (semiconducteur de type P),
le régime d’accumulation apparaît pour Vg < 0 .
εi
Qm = Vi = Ci Vi (1.5)
d
Alors Qm = Ci (Vg −ψ s ) (1.6)
La différentiation conduit à :
dQm = Ci (dVg − dψ s ) (1.7)
−dQsc dQm
Csc = = (1.8)
dψ s dψ s
7
Chapitre I La structure MIS idéale
dQm
On a dQm = Ci (dVg − ) (1.9)
Csc
1 1 1
On obtient : = + (1.10)
C Ci Csc
Etant donné que les porteurs sont accumulés à l’interface isolant-semiconducteur,
dans une première approximation, la capacité de l’interface peut être négligeable et la
capacité équivalente de la structure s’écrit alors :
1 1 1 1
= + ≃ (1.11)
C Ci Csc Ci
8
Chapitre I La structure MIS idéale
Dans le modèle idéal, il n’y a pas de charges dans l’isolant donc la chute de potentiel est nulle
Vi = 0 .
1 1 L
= + D (1.13)
CFB Ci ε sc S
kT ε s c
LD = (1.14)
N q2
9
Chapitre I La structure MIS idéale
La ZCE créée à l’interface comprend une charge Qsc qui provient des dopants du
semiconducteur. La répartition des dopants étant considérée comme homogène, la répartition
10
Chapitre I La structure MIS idéale
de la charge dans la ZCE est considérée constante dans tout le semiconducteur. La quantité de
charge dans le semiconducteur en régime de déplétion est donnée par :
Qsc = − qNW (1.15)
Nous définirons alors la quantité de charge maximale dans la ZCE due aux dopants du
semiconducteur par :
QW = − qNWmax (1.19)
11
Chapitre I La structure MIS idéale
En régime de faible inversion, la charge à l’interface est conditionnée par les charges
de déplétion car les porteurs minoritaires sont en quantité négligeable devant la densité des
dopants.
Au contraire, en régime de forte inversion, la charge à l’interface est conditionnée par
les porteurs minoritaires dont la densité, en surface, est beaucoup plus grande que la densité
des dopants. Le seuil de ψ s , pour lequel la densité de porteurs minoritaires est équivalente à
la densité des dopants ( p = N d pour le type N ou n = N a pour le type P), est défini par :
ψ s = 2φ Fi (1.21)
La tension de grille correspondant à cette condition est la tension de seuil VTh [11]
4qε sc N φFi
VTh = 2φFi + (1.22)
Ci
12
Chapitre I La structure MIS idéale
13
Chapitre I La structure MIS idéale
La charge totale dans le substrat est la somme des charges issues des dopants du
semiconducteur QW dans la ZCE et des porteurs minoritaires accumulés à l’interface isolant-
On a :
dQsc dQ dQ
Csc = − = − W − inv (1.24)
dψ s dψ s dψ s
Avec :
QW = −qN W
dQW (1.25)
CW = −
dψ s
La capacité de l’interface Csc est maximale en régime d’inversion, car la ZCE est
1 1 1
= + (1.26)
C Ci CW + Cinv
Avec C i la capacité de l’isolant, CW capacité due a la ZCE et Cinv capacité due aux porteurs
minoritaires accumulés à l’interface isolant-semiconducteur (Figure 1.8) .
14
Chapitre I La structure MIS idéale
EF − Ev
(1.27)
−
p = Nve KT
qφFi
(1.28)
p0 = ni e KT
qψ ( x ) q (ψ ( x ) −φFi )
n( x) = n0 e KT
= ni e KT
− qψ ( x ) q (ψ ( x ) −φFi )
(1.29)
−
p( x) = p0 e KT
= ni e KT
q (ψ s − φ F i )
(1.30)
−
p s = ni e KT
15
Chapitre I La structure MIS idéale
ψ s = 0 , ns = n0 et ps = p0 : bandes plates.
0 < ψ s < φ Fi , ns > n0 et p s < p0 avec p s > ns : régime de désertion.
d 2ψ ρ ( x)
=− (1.31)
dx 2
ε sc
ρ ( x) = q N D + − N A− + p( x) − n( x) (1.32)
N d + − N a − = p0 − n0 (1.33)
d 2ψ q
=− p exp ( − βψ ) − 1 − n0 exp ( βψ ) − 1 (1.34)
dx 2
ε sc 0
d 2ψ d dψ d dψ dψ dE
= ( )= ( ) =E (1.35)
dx 2
dx dx dψ dx dx dψ
En portant cette expression dans (1.34) on obtient une équation à variables séparées.
Le champ varie de E = 0 dans la région neutre à E s à l’interface isolant-semi-conducteur.
L’intégration donne :
kT
E = sign(ψ s ) F (ψ ( x) ) (1.36)
qLD
16
Chapitre I La structure MIS idéale
Où :
1
2
F (ψ ( x) ) = ( e − βψ + βψ − 1) + 0 ( e βψ − βψ − 1)
n
(1.37)
p0
kT ε sc
Et LD = est la longueur de Debye.
2 p0 q 2
Pour obtenir la densité totale de charge par unité de surface Qsc dans le semi-
conducteur, on utilise le théorème de Gauss :
Qsc
Es = − (1.38)
ε sc
Ce qui donne :
ε sc kT
Qsc = − sign (ψ s ) F (ψ s ) (1.39)
qLD
La figure 1.10 représente les tracés des différentes expressions (simplifiées ou non) de
la charge par unité de surface Qsc en fonction du potentiel de surface ψ s dans le cas d'un
17
Chapitre I La structure MIS idéale
Pour ψ s négatif, Qsc est positive. C’est le régime d’accumulation. La fonction F dans
(1.37) est dominée par le premier terme et Qsc varie selon Qsc ∼ exp( − βψ s / 2) .
La capacité dynamique vaut:
dQsc ε
Csc = − = sc e − βψ s /2 (1.40)
dψ s 2 LD
Les porteurs libres (trous) forment une couche d'épaisseur très faible dans le
semiconducteur de sorte que dans ce régime C sc >> Ci . La capacité complète peut
( )
1/2
Pour ψ s = 0 , Qsc = 2 ε sc qN a e− βψ s − 1 +ψ s .C’est le régime de bande plate. Un
fonction F est dominée par le deuxième terme et Qsc varie selon Qsc ∼ ψ s .
Cette charge est due aux ions accepteurs, son extension dans le volume est importante.
Une couche d'électrons libre commence à apparaître en surface. Mais leur densité
restant inférieure à la densité de trous, les ions accepteurs constituent l'essentiel de la
charge d'espace (de densité N a ). Ce ne sera plus le cas en régime de forte inversion.
Les capacités dynamiques par unité de surface respectivement du semiconducteur et
de la structure complète s'expriment de la façon suivante:
q ε sc N a
Csc = (1.42)
2ψ s
Ci
C= (1.43)
2 Ci 2 ψ s
1+
q ε sc N a
18
Chapitre I La structure MIS idéale
19
Chapitre I La structure MIS idéale
La charge stockée dans le métal (et qui compense exactement celle injectée dans le
semi-conducteur) est toujours localisée à sa surface.
• En accumulation, la charge dans le semi-conducteur est constituée de porteurs libres,
localisés près de l’isolant.
• En désertion et faible inversion, la charge est constituée par les accepteurs ionisés d la zone
de charge d’espace. Son extension spatiale est importante.
• En forte inversion, la charge est constituée par les accepteurs ionisés et par les porteurs
minoritaires devenus majoritaires en surface. L’extension spatiale des premiers est
comparable au régime de désertion, tandis que les seconds sont localisés près de la surface.
Notons que lorsque le régime de forte inversion est atteint, la largeur de la ZCE devient
pratiquement constante (elle ne varie plus avec la tension appliquée).
Qm
Vi = Vg −ψ s = Ei d = d (1.47)
εi
Avec, Ei le champ électrique dans l’isolant, d l’épaisseur de l’isolant et ε i la permittivité
diélectrique de l’isolant. Comme la charge accumulée dans le métal est la même que la
charge accumulée dans le semiconducteur, en l’absence de charges dans l’isolant l’équation
[1-35] s’écrit :
20
Chapitre I La structure MIS idéale
εi
Qsc = (ψ s − Vg ) (1.48)
d
L’expression quantitative du potentiel de surface ψ s du semiconducteur en fonction
1.6 Conclusion
Nous avons pu au sein de ce chapitre, présenter la structure métal-isolant-
semiconducteur parfaite pour laquelle nous avons expliqué la physique de cette structure, son
diagramme énergétique et ces régimes de fonctionnement : accumulation, désertion et régime
d’inversion, ce qui nous permet de présenter dans ce qui suit notre modèle analytique qui
nous aidera lors de la compréhension de cette structure.
Dans notre étude de la structure métal-isolant-semiconducteur MIS idéale nous avons
trouver que la courbure des bandes se fait vers le haut ou vers le bas selon le type de
21
Chapitre I La structure MIS idéale
semiconducteur N ou P sauf dans le régime de bandes plates où les bandes sont plates, et pour
une intervalle des valeurs de la tension appliquée (tension de grille) un régime apparaitre (soit
régime d’accumulation, déplétion ou inversion) , chaque régime caractérisé par son charge
d’espace donc par sa capacité.
22
Chapitre II La structure MIS réelle
2.1 Introduction
Dans le chapitre précédent, nous avons étudié des structures idéales dont l’oxyde est
supposé être dépourvu de charges et la différence entre le travail de sortie du métal et celui du
semiconducteur est égale à zéro. Dans ce chapitre nous allons étudier la structure MIS réelle.
La structure MIS réelle diffère de la structure MIS idéale par:
Les travaux de sortie du métal et du semiconducteur sont en général différents.
L’oxyde peut contenir des charges parasites.
L’interface isolant-semiconducteur présente des états d’énergies permis dans la bande
interdite du semiconducteur appelés états d’interface.
L’oxyde est traversé par un courant de fuite (courant tunnel) qui affecte la capacité de
la structure MIS.
E F − EFi
φFi = (2.52)
q
23
Chapitre II La structure MIS réelle
Le travail de sortie d’un semiconducteur φsc est la différence d’énergie qui existe entre
le niveau de Fermi et le niveau vide. Le travail de sortie dans le semiconducteur varie en
fonction du dopage. Alors que pour un métal donné, le travail de sortie φm reste constant. On
va donc dire que la barrière de potentiel φms varie en fonction du dopage du semiconducteur.
L’un des métaux les plus utilisés dans la fabrication des MIS est l’aluminium qui possède un
travail de sortie d’environ φms = 4.1V et le silicium polycristallin (Polysilicium) dont le
travail de sortie est φms = 4.05V pour le n+ polysilicium et φms = 5.05V pour le p+
polysilicium.
La figure 2.13 montre la variation de la barrière de potentiel en fonction du dopage
pour les trois types de métaux de grille.
24
Chapitre II La structure MIS réelle
25
Chapitre II La structure MIS réelle
26
Chapitre II La structure MIS réelle
Figure 2.16 Représentation de la charge portée par des états donneurs (a) ou accepteurs
(b) dans une structure MIS réelle pour une tension de surface donnée. [46]
29
Chapitre II La structure MIS réelle
Les charges d’interface et les charges présentes dans l’oxyde provoquent un décalage
de la tension de bandes plates que l’on notera ∆VFB :
d
Qss + ∫ ρ ( x) dx
Q
∆VFB = ox = 0
(2.53)
Cox Cox
Avec ρ(x) la distribution continue quelconque de la charge dans le volume de l’oxyde, Cox la
capacité de la structure MIS en accumulation, Qox la charge totale présente dans l’oxyde et
Qss les charges d’interface.
La tension de bandes plates, s’écrit :
Qox
VFB = φms − ∆VFB = φms − (2.54)
Cox
30
Chapitre II La structure MIS réelle
Qss
VFB = φms − (2.55)
Cox
En conséquence, la tension de seuil de la structure MIS réelle s’écrira :
4 N ε sc φ F i
VTH − V F B = 2φ F i +
C ox
(2.56)
⇔
4 N ε sc φ F i Q ss
VTH = 2φ F i + + φ ms −
C ox C ox
La présence de charges dans l’oxyde a donc une grande incidence sur les paramètres
clés de la structure. Si on représente la quantité de charges dans la Figure (2.18), on constate
que la structure possède un point de fonctionnement différent suivant la présence ou l'absence
de charges dans l’oxyde. En effet, ici la structure évolue du régime de déplétion au régime
d’inversion sous l’effet des charges dans l’oxyde.
31
Chapitre II La structure MIS réelle
QSC
Vg = Vox +ψ s + VFB = ψ s + φms −
Cox (2.57)
Figure 2.19 la caractéristique C(Vg) d’une structure MIS réelle en haute fréquence
pour ( a ) φms = 0 et (b ) φms ≠ 0. [ 46 ]
Les charges présentes dans l’oxyde et a l’interface Si/SiO2 modifient la répartition des
potentiels entre l’oxyde et le semiconducteur ; il en résulte une modification des
caractéristiques C(Vg).
32
Chapitre II La structure MIS réelle
au cours du temps ou en fonction du champ électrique dans la structure MIS. Ceci exclut les
pièges dans l’oxyde et les états d’interface dont la charge varie avec la tension Vg appliquée.
La présence de charges dans l’oxyde se traduit par un simple décalage de la
caractéristique C(Vg) de la structure idéale. La valeur de ce décalage VFB2 correspond à la
valeur de la tension de bandes plates.
La figure 2.20 présente la caractéristique C(Vg) en haute fréquence d’une structure
MIS réelle.
Figure 2.20 La caractéristique C(Vg) en haute fréquence d’une structure MIS réelle
pour (a ) φms = 0, Qox = 0 (b) φms ≠ 0, Qox = 0 et (c) φms ≠ 0, Qox ≠ 0. [ 46 ]
dQss
Cit (ψ s ) = Css = − = qDit
dψ s (2.58)
Le schéma électrique équivalent de la capacité pour une structure MIS parfaite (sans
états d’interface) et pour une structure MIS réelle prenant en compte la capacité Cit associée
33
Chapitre II La structure MIS réelle
aux états d’interface, est représenté dans la Figure (2.21). La structure MIS est modélisée par
l’association en série de deux capacités : la capacité de l’oxyde Cox et celle du
semiconducteur Csc (Figure 2.21-a). La contribution des états d’interface complique
légèrement ce schéma, avec la mise en parallèle de Csc, d’une capacité Cit (Figure 2.21-b).
Figure 2.21 Schéma équivalent de la capacité pour (a)MIS idéale et (b) MIS réelle en
présence des états d’interface. [46]
La figure 2.22 représente schématiquement la caractéristique C(Vg) à haute fréquence
d’une structure MIS sans et avec états d’interface.
Figure 2.22 La caractéristique C(Vg) haute fréquence d’une structure MIS pour
(a) sans pièges d’interface et (b) avec des pièges d’interface. [46]
En résume, les états d’interface contribuent à la fois à déformer et à étirer la caractéristique
C(Vg).
34
Chapitre II La structure MIS réelle
2.8 Conclusion
Dans ce chapitre nous avons étudie la structure MIS réelle où nous avons présenté les
defaults existant dans la couche d’oxyde (les charges fixes, les charges mobiles, les charges
pigées et les charges d’interface), la présence de ces defaults est inévitable, on a présenté
aussi les différentes origines du courant à travers la couche d’oxyde et le fonctionnement de
cette structure.
35
Chapitre III Le modèle analytique
3.1 Introduction
La physique de la structure MIS a été discutée dans de nombreux travaux .Plusieurs
modèles de la structure MIS ont été proposées comme par : Green et al [13],[14] , Sze [12],
Card et Rhoderick [15],[16], Olsen [17], Ng et Card [18] et Doghish et Ho [19],[20].
Green et al [13], [14] ont proposé un modèle théorique qui comprend à la fois les
effets des états de surface et l’effet tunnels à travers la couche de l’oxyde, mais ce modèle ne
considère que le courant tunnel de la bande de conduction et de la bande de valence de métal.
Sze [12], Card et Rhoderick [15],[16], Green et al [13],[14] et Olsen [17] ont
introduit un modèle qui comprend le courant de l'effet tunnel, le courant de diffusion et le
courant généré par la lumière, mais le modèle ne tient pas compte les effets des états de
surface.
Ng et Card [18] a proposé un autre modèle qui comprend les courants tunnels et les
courants des états de surface. Ils ont négligé l'effet des états de surface sur le potentiel de
surface et l'effet de la zone de transition.
Doghish et Ho [19], [20] ont introduit un modèle analytique qui comprend les
paramètres négligés par les autres auteurs : les effets des états de surface, l’épaisseur de
l’oxyde, le dopage du substrat, les charges fixes dans l’oxyde et le travail de sortie du métal.
Dans le modèle que nous sommes sur le point de développer une série complète
d'équations est inclus qui prend en compte tous les courants présents dans le dispositif. Notre
modèle est un cas particulier de modèle de Doghish et Ho car il prend l’état d’équilibre en
considération c’est le cas où φ s = 0 , φ s c’est l’écart entre les quasi niveaux de Fermi ,en plus
c’est un modèle unique qui introduire les effets de la variation de la température sur la
caractéristique I-V de la structure MIS et sur le potentiel de surface.
36
Chapitre III Le modèle analytique
Figure 3.23 Digramme des bandes d’énergie dans la structure MIS de type P. [20]
∆ = Eg + χ s − φm −ψ s − V (3.59)
di
∆=− (Qsc + Qss + QF ) (3.60)
εi
Avec QF est la charge fixe dans l’oxyde elle est donnée par :
QF = q N F (3.61)
Dit est la densité des états d’interface, φ s est l’écart entre les quasi niveaux de Fermi, φ0 étant
le niveau de neutralité des états de surface, υ p est l’écart entre le niveau de Fermi des porteurs
37
Chapitre III Le modèle analytique
EFP − Ec K T
υp = = ln ( N v / N a ) (3.63)
q q
1/2
n2
Na
( )
Qsc = ± 2 K T ε s N a βψ s + e− βψ s − 1 + i 2 e βφs e βψ s − 1 − βψ s
(3.64)
On a alors :
di
−( Eg + χ s − φm −ψ s − V ) = (Qsc + Qss + QF ) (3.65)
εi
courant de génération-recombinaison J rg .
d 2 (n p − n p 0 ) n p − n p 0
Dn − =0 (3.66)
dx 2 τn
D0
Dn = 0.6
+ A0 (3.67)
N
1 + 17a
10
38
Chapitre III Le modèle analytique
Et τ n c’est la durée de vie des électrons, pour un semiconducteur de type P, τ n est calcule par
Passari et Susi [23] :
A x =W : (
n p − n p 0 = ns e − βφs − n p 0 = n p 0 e βφs −1 ) (3.70)
d 2 (n p − n p 0 )
A x=H : Dn = − Sn (n p − n p 0 ) (3.71)
dx 2
F ( H − x)
n p − n p 0 = n p 0 e βφs −1 2 (3.72)
F1 ( H ')
Avec :
H ' = H −W
S L y y
F1 ( y ) = n n sinh + cosh (3.73)
Dn Ln Ln
Sn Ln y y
F2 ( y ) = cosh + sinh
Dn Ln Ln
39
Chapitre III Le modèle analytique
dn qD F ( H ') βφs
J Dn = q Dn p = n np0 2 e − 1 (3.74)
dx x =W Ln F1 ( H ')
qni W βφs /2
J rg = e −1 (3.75)
τn
2εsψ s
W= (3.76)
q Na
Le courant tunnel des électrons à travers l’isolant peut être donné par l’expression :
β ψ +v )
e ( s p e βV − e βφs
− di χ n − E g / kT
J nt = An*T 2 e − e (3.78)
χ p et χ n sont les barrières de potentiel effective de l’oxyde pour le tunnel des trous (des
e ( s ) −1
β φ −V
τs
J ns = qDit vthσ n ni 2 βφ
{
τ t vthσ p e s − 1 +
τ t + τ s
}
p1 + ps e − βV
(3.79)
Le courant des trous à travers les états de surface peut être donné par l’expression :
40
Chapitre III Le modèle analytique
τs ps σ p 1 − e − β V
J ps = qDit vthσ n ni 2 τ v σ
τ t + τ s t th p
e βφs
−{1 + }
n1 σ n p1 + ps e − βV
(3.80)
D’où :
qDit vthσ n ni τ s β (φs −V ) p σp
2
J ss =
p1 + ps e − βV e
τt + τs
{
−1 − s
n1 σ n
( }
1 − e− βV ) (3.82)
Avec Dit c’est la densité des états de surface, σ n et σ p sont les sections de capture des
41
Chapitre III Le modèle analytique
Et on a
J rg + J Dn + J ns − J nt = 0 (3.89)
42
Chapitre III Le modèle analytique
Début
Initialisation
i = 0, V=0, ψs0
Calcul de ψsi+1
(Équation 3.65)
NON
∆ψs=ψsi+1 - ψsi < précision
ψs = ψsi+1
Varier (V)
Fin
43
Chapitre III Le modèle analytique
3.5 Conclusion
Dans ce chapitre nous avons présenté notre modèle analytique de la structure MIS où
nous avons cité les travaux et les modèles précédents, et décrit tout les équations concernant
notre model comme le diagramme des bandes et les courants existant (courant tunnel bande a
bande des trous et des électrons et le courant tunnel a travers les états de surface pour les
trous et les électrons) et l’algorithme utilisée pour la programmation. Notre model étudie le
cas d’équilibre on a introduit l’effet de la variation de température sur la caractéristique I-V
qu’il n’existe pas dans les modèles précédents.
44
Chapitre IV Simulation et résultats
4.1 Introduction
Dans ce chapitre, on va présenter d’abord les résultats des simulations numériques
obtenues par la résolution des équations des phénomènes de transport d’une structure MIS
(métal-isolant-semiconducteur) idéale (potentiel de surface, caractéristique courant-tension).
On étudiera l’influence du travail de sortie, de la concentration de dopage, de l’épaisseur de
l’oxyde, de l’épaisseur du substrat et de la température sur les caractéristiques électriques I-V.
Concernant l’étude d’une structure MIS réelle en présence des états de surface et des
charges fixes dans l’oxyde, on va simuler d’abord les propriétés électriques d’une structure
MIS. Ensuite, on va étudier l’influence du travail de sortie, la densité des états de surface, la
densité des charges fixes, de l’épaisseur d’oxyde, de l’épaisseur du substrat et de la
température sur les caractéristiques I-V de cette structure.
Ce travail a été réalisé avec le logiciel MATLAB R2010a pour une structure MIS de
type P.
Les paramètres physiques, électriques et technologiques utilisés dans la simulation
sont :
45
Chapitre IV Simulation et résultats
a-Variation en fonction de φm
À l’aide de l’algorithme décrit au chapitre précédemment, les valeurs du potentiel de
surface peuvent être déterminées pour différentes valeurs de V.
La figure (4.25) présente l’évolution des potentiels de surface ψ s pour une structure
MIS idéale de type P en fonction de la tension appliquée de gamme [-1V ,1V] pour
différentes valeurs de travail de sortie de métal φm dans une gamme [3.5V , 5.3V], une
46
Chapitre IV Simulation et résultats
Figure (4.25) Variation de potentiels de surface ψ s pour une structure MIS idéale de
type P en fonction de la tension appliquée pour différentes valeurs
de travail de sortie de métal.
47
Chapitre IV Simulation et résultats
b-Variation en fonction de d i
48
Chapitre IV Simulation et résultats
Figure 4.27 La caractéristique I-V d’une structure MIS idéale de type P pour
différentes valeurs de φm .
On peut observer que les courbes représentant les variations de la caractéristique I-V avec
les différentes valeurs de φm se répartissent en deux régions :
Le courant inverse prend la plus basse valeur, au même temps le courant direct croit
linéairement avec la tension appliquée et le courant tunnel est du aux électrons ( J nt ).
Pour φm > 4.3V , on voit que le courant change complètement l’allure et l’équation
(4.92) n’est pas valide. Dans ce cas, le courant direct croit légèrement avec la tension
appliquée et le courant inverse prend une valeur plus grande, le courant tunnel est du
à des trous J pt . Quand φm augmente le potentiel de surface diminue cette diminution
49
Chapitre IV Simulation et résultats
La figure montre qu'il existe une valeur critique N ac dans laquelle la caractéristique I-V
suite l'équation (4.92) de la diode idéale. Cette N ac se trouve à environ 1017 cm −3 . Au-dessus
de cette valeur, la caractéristique I-V est plus compliquée.
Pour Na < N ac : l’équation (4.92) reste valide, où le courant inverse est assez faible
par rapport au courant direct dont ce dernier croit presque linéairement avec la tension
de polarisation et le courant tunnel est du a des électrons J nt .
50
Chapitre IV Simulation et résultats
Pour Na > N ac l’équation de la diode idéale n’est plus valide. Par conséquence on
remarque que la croissance du courant directe devienne abrupte mais elle n’atteint pas
la valeur atteinte lorsque Na < N ac et le courant inverse devient assez important.
51
Chapitre IV Simulation et résultats
4.2.5. Effet de changement de densité des charges fixes sur la caractéristique I-V
Les charges fixes dans l’oxyde N F sont localisées à l'interface isolant-semiconducteur.
Ils sont généralement des charges positives. Ils ne changent pas avec le potentiel de surface et
ils n'ont pas d'effet dynamique, car ils n'interagissent pas avec les porteurs tunnel.
52
Chapitre IV Simulation et résultats
La figure 4.31 montre la variation du courant d’une structure MIS idéale de type P en
fonction de la tension appliquée pour différentes valeurs de la densité des charges fixes dans
l’oxyde N F , pour un travail de sortie du métal φm = 4.1V .
On remarque que lorsque la densité des charges fixes augmente le courant de
dispositif diminue et vis versa. La caractéristique I -V de la structure MIS peut être
représentée par une équation similaire à celle d’une diode simple l’équation (4.92).
53
Chapitre IV Simulation et résultats
La caractéristique I-V peut être représentée par une équation similaire à celle d’une
diode simple (équation 4.92). On voit que le courant augmente avec l’augmentation de la
température et diminue avec sa diminution.
54
Chapitre IV Simulation et résultats
densité des charges fixes dans l’isolant est N F = 5*1011 cm−2 et pour une gamme de la densité
55
Chapitre IV Simulation et résultats
une densité des charges fixes dans l’isolant N F = 5*1011 cm−2 et une densité des états de
57
Chapitre IV Simulation et résultats
Figure 4.36 La caractéristique I-V d’une structure MIS réelle de type P pour
différentes valeurs de φm , Dit = 5.1011 eV −1cm −2
Dans cette figure, on peut remarquer facilement qu’il y a deux régions différentes pour le
travail de sortie, φm < 4.3V et φm > 4.3V .
courant dominant c’est le courant des états de surface des électrons ( J ns ) .En direct,
l’augmentation de la valeur de travail de sortie diminue le potentiel de surface ce qui
entraine d’augmenter le courant des états de surface des trous J ps qui devient
états de surface des porteurs majoritaires J ps .Le courant tunnel des trous J pt devient
grand que J nt .Le courant des états de surface des électrons J ns et le courant tunnel
pour les porteurs minoritaires peuvent être négligées.(voir Figure 3.38).
58
Chapitre IV Simulation et résultats
59
Chapitre IV Simulation et résultats
Par conséquent, l’existence des états de surface dans une structure MIS augmente le
courant de dispositif.
densité des charges fixes dans l’isolant est N F = 5*1011 cm−2 et pour une gamme de la densité
des états de surface de 0 −1013 etat / (cm2 eV ) et une concentration de dopage
N a = 2*1015 cm−3 .
Figure 4.39 La caractéristique I-V pour une structure MIS réelle de type P
pour différentes valeurs de densité d’états de surface Dit
Dans cette figure, on peut remarquer facilement qu’il y a deux régions différentes
pour la densité des états de surface ; lorsque Dit < 1012 eV −1cm−2 et Dit > 1012 eV −1cm−2 .
60
Chapitre IV Simulation et résultats
Lorsque Dit < 1012 eV −1cm−2 : le courant inverse est assez faible par rapport au courant
direct qui croît presque linéairement avec la tension appliquée et la caractéristique
I -V de la structure MIS peut être représentée par une équation similaire à celle d’une
diode simple l’équation (4.92).
Pour des tensions négatives appliquées, la structure MIS est une dispositif de porteurs
minoritaires et la composante dominante du courant c’est le courant tunnel a travers
les états de surface pour les électrons ( J ns ). Dans ce cas, le courant tunnel des
électrons J nt devient plus grand que le courant tunnel des trous J pt et le courant des
réduction de ψ s augmentera le courant tunnel des trous a travers les états de surface
61
Chapitre IV Simulation et résultats
Lorsque Dit > 1012 eV −1cm−2 : la caractéristique I -V devient perturbée, malgré que le
courant direct croit d’une manière abrupte, le courant inverse devient par conséquence
assez important. Pour des tensions négatives appliquées, les composantes du courant
tunnel des porteurs minoritaires J nt et du courant des états de surface des électrons
J ns peuvent être négligées. Le courant tunnel des trous J pt devient plus grand que J nt
et le composant dominant du courant c’est le courant tunnel des trous à travers les
états de surface J ps .
62
Chapitre IV Simulation et résultats
H = 250 µ m , pour une température T = 300 K , la densité des charges fixes dans l’isolant
est N F = 5*1011 cm−2 et pour une densité des états de surface Dit = 5*1011 etat / (cm2 eV ) .
Dans cette figure on voit clairement que les courbes sont reparties en deux régions :
lorsque N a < 1017 cm −3 et lorsque N a > 1017 cm−3 .
courant tunnel des électrons J nt devient plus grand que le courant tunnel des trous J pt
63
Chapitre IV Simulation et résultats
Lorsque N a > 1017 cm−3 : le composant du courant dominant c’est le courant des états
par les trous ( J pt ). Le dispositif est appelé dispositif de porteurs majoritaires. (voir la
Figure 4.44)
64
Chapitre IV Simulation et résultats
T = 300 K , la densité des charges fixes dans l’isolant est N F = 5*1011 cm−2 et pour une
On observe que la caractéristique I-V a une allure similaire à celle d’une diode idéale
décrit par l’équation 4.92, et que la densité du courant augmente avec la diminution de
l’épaisseur de l’oxyde. À l’existence des états de surface le courant augmente. En inverse, la
composante du courant dominante c’est le courant tunnel des électrons a travers les états de
surface J ns .En polarisation direct, la composante dominante c’est J ps et le courant tunnel
direct des électrons J nt devient grand que celle des trous J pt comme il montre la figure 4.46.
65
Chapitre IV Simulation et résultats
sortie de métal φm = 4.9 V , une densité des états de surface Dit = 5.1011 eV −1cm −2 .
66
Chapitre IV Simulation et résultats
des trous J pt est inferieur par rapport le courant tunnel des électrons J nt .
Pour la polarisation directe la composante du courant dominante est celle qui du a des
trous J ps . (Voir Figure 4.48).
4.3.6 Effet de changement de densité des charges fixes sur la caractéristique I-V
La variation de la caractéristique I-V de la structure MIS de type P pour différentes
valeurs de la densité des charges fixes dans l’oxyde N F et un travail de sortie φm = 4.1V et
pour une densité d’états de surface Dit = 5.1011 eV −1cm −2 est illustrée sur la Figure 4.49.
Il apparait que la densité de courant augmente avec la diminution de densité des
charges fixes dans l’oxyde.
67
Chapitre IV Simulation et résultats
Le courant tunnel bande a bande des électrons J nt est plus grand que le courant tunnel
des trous J pt .
l’isolant di = 20*10−8 cm ,hauteur de substrat H = 250 µ m , une densité des charges fixes
dans l’isolant est N F = 5*1011 cm−2 et une concentration de dopage N a = 2*1015 cm−3 .
68
Chapitre IV Simulation et résultats
Le composant du courant dominant est le courant tunnel des électrons a travers les
états de surface J ns pour des tensions appliquées négatives (en polarisation inverse). En
polarisation directe, le composant dominant est le courant tunnel des trous a travers les états
de surface J ps comme il a présente la figure 4.51.
La présence des états de surface dans une structure MIS de type P augmente le
courant de cette dernière.
69
Chapitre IV Simulation et résultats
4.4 Conclusion
Dans ce chapitre nous avons utilisé les valeurs réelles de la permittivité ε i et les
barrières de potentiel effectives de l’oxyde pour le tunnel des électrons χ n et des trous χ p
vers le métal pour une étude et modélisation plus réalistes pour les dispositifs MIS.
Le choix d’un paramètre dépend principalement du choix des autres paramètres, le
choix de la valeur de chaque paramètre qui influe sur la structure à une grande importance
pour l’amélioration des performances de la structure MIS. Ces paramètres ont des valeurs
critiques sont de l’ordre de 4.3V pour le travail de sortie du métal φm , 1017 cm −3 pour la
densité de dopage du silicium N a , 1012 eV −1cm−2 pour la densité des états de surface Dit et
70
Chapitre IV Simulation et résultats
71
Conclusion générale
Conclusion générale
Les caractéristiques densité de courant – tension d’une structure MIS, ont été étudiées.
Cette étude qui constitue l’essentiel de notre travail s’est appuyée sur la simulation
numérique des phénomènes de transport dans cette structure.
Pour une étude classique on a vu comment le courant tunnel bande à bande varie avec
la tension appliquée pour des paramètres différents tels que le travail de sortie de métal, la
concentration de dopage et l’épaisseur de l’oxyde. On a trouvé une valeur critique sur lequel
le courant a une allure caractéristique de diode conventionnelle ou non.
Pour une étude avec tunnel a traves les états de surface on a vu la variation de la
caractéristique I-V pour différentes paramètres comme le travail de sortie de métal, la densité
des états de surface, la concentration des dopants dans la semiconducteur,l’épaisseur de la
couche d’oxyde et la densité des charges fixes dans l’oxyde. On a défini une valeur critique
pour laquelle cette caractéristique est représentée par une équation similaire à celle d’une
diode simple ou non. On a vu aussi que les composants du courant tunnel à travers les états
de surface deviennent dominants et contrôlent la performance de la structure MIS.
On a trouvé pour les deux études que la caractéristique I-V est varie comme suit :
72
Conclusion générale
Effet des charges fixes dans l’oxyde : la densité de courant augmente avec la
diminution de densité des charges fixes et vice-versa.
Effet de température : la densité de courant augmente avec l’augmentation de
température et diminue avec la diminution de température.
73
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REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUE
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Résumé
Mots clés : Mécanismes de transport, Structure MIS, Courant tunnel, Modèle, Simulation, MATLAB.
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Abstract
Keywords: Mechanisms of transport, MIS structure, tunneling current, Model, Simulation, MATLAB.