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505
GUIA PARA LAS PRÁCTICAS DE VERSIÓN: 2.0
FECHA ULTIMA REVISIÓN:
LABORATORIO, TALLER O CAMPO. 12/04/2017
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base, formado por tres regiones semiconductoras,
entre las cuales se forman unas uniones (uniones PN). Siempre se ha de cumplir que el dopaje de las regiones sea alterno, es
decir, si el emisor es tipo P, entonces la base será tipo N y el colector tipo P. Esta estructura da lugar a un transistor bipolar tipo
PNP. Si el emisor es tipo N, entonces la base será P y el colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN. En la figura 1
se encuentran los símbolos de circuito y nomenclatura de sus terminales.
La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN esta
flecha apunta hacia fuera del transistor; en un PNP la flecha apunta hacia dentro. Además, en funcionamiento normal, dicha
flecha indica el sentido de la corriente que circula por el emisor del transistor
El transistor BJT puede operar como dispositivo de conmutación. El transistor está en la región de corte porque la unión base-
emisor no está polarizada en directa. En esta condición, existe, idealmente, una abertura entre el colector y el emisor. El
transistor está en la región de saturación porque la unión base-emisor y la unión base-colector están polarizadas en directa y
la corriente en la base llega a ser suficientemente grande para provocar que la corriente en el colector alcance su valor de
saturación. En esta condición, existe, idealmente, un corto entre el colector y el emisor. En realidad, normalmente ocurre una
pequeña caída de voltaje a través del transistor de unos cuantos décimos, conocido como el voltaje de saturación, VCE(sat).
OBJETIVOS:
Determinar el funcionamiento del transistor BJT.
Establecer cada uno de los parámetros en diferentes configuraciones del transistor.
MATERIALES:
INSUMOS:
REACTIVOS: 1 Transistor 2N3904
1 Resistencia de 330KΩ
1 Resistencia de 1KΩ
1 Resistencia de 100KΩ
CÓDIGO: SGC.DI.505
GUIA PARA LAS PRÁCTICAS DE VERSIÓN: 2.0
FECHA ULTIMA REVISIÓN:
LABORATORIO, TALLER O CAMPO. 12/04/2017
1 Resistencia de 560Ω
1 LED rojo
1 Fotoresistencia
EQUIPOS:
Multímetro
Fuente de alimentación de CD
Protoboard
MUESTRA:
INSTRUCCIONES:
Verifique que cuenta con todos los materiales indicados en la guía de laboratorio.
Verifique el funcionamiento de los equipos a utilizar en la práctica.
Mantenga el orden en su mesa de trabajo.
Presente el trabajo preparatorio
1. Identifique cada uno de los terminales del transistor (Base, Colector, Emisor).
Voltajes [ V ]
VCE VBC VBE VC VB VE
6,940 6,334 0,6084 6,940 0,6165 0
5. Compruebe el funcionamiento del circuito, al pasar la mano por encima de la fotocelda, el LED cambia de estado
(on – off).
APAGADO ENCENDIDO
Voltajes [ V ]
VCE VBC VBE VLED
7,965 8,565 0,60 1,8445
7. Halle el valor de la resistencia de la fotocelda en el momento en que el LED está encendido plenamente (saturación)
y en el momento en que está apagado (corte).
Resistencias [Ω]
(saturación) (corte)
10,534
4,8
RESULTADOS OBTENIDOS:
1. Realice los cálculos teóricos correspondientes para el circuito de polarización que se presenta en las actividades
a desarrollar.
Corrientes
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0
10𝑉 − 𝐼𝐵 (330𝐾Ω) − 0,7𝑉 = 0
9,3𝑉
𝐼𝐵 = = 0,0282𝑚𝐴
330𝐾Ω
𝐼
𝛽 = 𝐼𝐶
𝐵
𝐼𝐶
100 =
0,0282𝑚𝐴
𝐼𝐶 = 2,82𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 0,0282𝑚𝐴 + 2,82𝑚𝐴 = 2,8482𝑚𝐴
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LABORATORIO, TALLER O CAMPO. 12/04/2017
Voltaje
𝑉𝐸 = 0𝑉
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝑐 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0
10𝑉 − 2,82𝑚𝐴(1𝐾Ω) − 𝑉𝐶𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐸 = 7,18𝑉
𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0,7𝑉 + 0𝑉 = 0,7𝑉
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 = 10𝑉 − 2,82𝑚𝐴(1𝐾Ω) = 7,18𝑉
𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵 = 7,18𝑉 − 0,7𝑉 = 6,48𝑉
Ejercicio 2
−1
1 1
𝑅𝑇𝐻 = ( + ) = 5,13𝐾Ω
10𝐾Ω 10,534𝐾Ω
(10𝑉)(10,534𝐾Ω)
𝑉𝑇𝐻 = = 5,13𝑉
10𝐾Ω + 10,534𝐾Ω
Corrientes
𝐼
𝛽 = 𝐼𝐶
𝐵
𝐼𝐶
100 =
0,86𝑚𝐴
𝐼𝐶 = 86,35𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 0,86𝑚𝐴 + 86,35𝑚𝐴 = 87,21𝑚𝐴
𝑉𝐿𝐸𝐷 = 1,8𝑉
𝑉𝑇𝐻 − 𝑅𝑇𝐻 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0
5,13𝑉 − 𝐼𝐵 (5,13𝐾Ω) − 0,7𝑉 = 0
𝐼𝐵 = 0,86𝑚𝐴
𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉
𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵 = 7,18𝑉 − 0,7𝑉 = 6,48𝑉
1. Compare los valores medidos y los calculados. Calcule el error en los resultados obtenidos.
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LABORATORIO, TALLER O CAMPO. 12/04/2017
Ejercicio 1
Valores Calculados
Voltajes [ V ] Corrientes [mA], [µA]
VCE VBC VBE VC VB VE IC IB IE
𝟕, 𝟏𝟖𝑽 6,48𝑉 0,7𝑉 7,18𝑉 0,7𝑉 0𝑉 2,82𝑚𝐴 0,0282𝑚𝐴 2,8482𝑚𝐴
Valores Medidos
Voltajes [ V ] Corrientes [mA], [µA]
VCE VBC VBE VC VB VE IC IB IE
𝟔, 𝟗𝟒𝟎𝑽 6,334𝑉 0,6084𝑉 6,940𝑉 0,6165𝑉 0𝑉 2,428𝑚𝐴 0,0244𝑚𝐴 2,449𝑚𝐴
Margen de error
Ejercicio 2
Valores Calculados
Voltajes [ V ] Corrientes [mA], [µA]
VCE VBC VBE VLED IC IB IE
𝟖, 𝟒𝟔𝟓𝑽 8,865𝑉 0,7𝑉 1,8𝑉 0,908𝑚𝐴 0,01314𝑚𝐴 0,9188𝑚𝐴
Valores Medidos
Voltajes [ V ] Corrientes [mA], [µA]
VCE VBC VBE VLED IC IB IE
𝟕, 𝟗𝟔𝟓𝑽 8,565𝑉 0,6𝑉 1,8445𝑉 0,7965𝑚𝐴 1,314𝑚𝐴 0,7188𝑚𝐴
La polarización por divisor de voltaje es la polarización más estable respecto al punto de trabajo Q.
Los valores de ICQ, VCEQ se mantendrán casi inalterables.
CONCLUSIONES:
Se determinó el funcionamiento del transistor y al medir con el multímetro se pudo identificar cual es la base, el emisor y el
colector.
Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse las siguientes condiciones: la zona de base de ser muy
estrecha, el emisor debe de estar muy dopado.
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LABORATORIO, TALLER O CAMPO. 12/04/2017
RECOMENDACIONES:
Se debe tener en cuenta que la intensidad este a 0,5 de la fuente para que no haya problemas al medir en las
resistencia
Los multímetros deben estar en buen estado
FIRMAS
Nombre: Ing. Paola Velasco Nombre: Ing. Marcelo Silva Nombre: Ing. Mayra Erazo
COORDINADOR DE ÁREA DE COORDINADOR/JEFE DE LABORATORIO
DOCENTE CONOCIMIENTO