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CÓDIGO: SGC.DI.

505
GUIA PARA LAS PRÁCTICAS DE VERSIÓN: 2.0
FECHA ULTIMA REVISIÓN:
LABORATORIO, TALLER O CAMPO. 12/04/2017

DEPARTAMENTO: ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA CARRERA: INGENIERÍA PETROQUÍMICA


PERíODO
ASIGNATURA: ELECTRÓNICA GENERAL 201950 NIVEL: 5to
LECTIVO:
DOCENTE: PAOLA VELASCO SÁNCHEZ NRC: 2404 PRÁCTICA N°: 3

LABORATORIO DONDE SE DESARROLLARÁ LA PRÁCTICA Circuitos Electrónicos


TEMA DE LA
PRÁCTICA: Transistores Bipolar de Unión BJT
 Albán Liliana
INTEGRANTES:  Cando Verónica
 Coello Jessika
INTRODUCCIÓN:

El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base, formado por tres regiones semiconductoras,
entre las cuales se forman unas uniones (uniones PN). Siempre se ha de cumplir que el dopaje de las regiones sea alterno, es
decir, si el emisor es tipo P, entonces la base será tipo N y el colector tipo P. Esta estructura da lugar a un transistor bipolar tipo
PNP. Si el emisor es tipo N, entonces la base será P y el colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN. En la figura 1
se encuentran los símbolos de circuito y nomenclatura de sus terminales.

La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN esta
flecha apunta hacia fuera del transistor; en un PNP la flecha apunta hacia dentro. Además, en funcionamiento normal, dicha
flecha indica el sentido de la corriente que circula por el emisor del transistor

El transistor BJT puede operar como dispositivo de conmutación. El transistor está en la región de corte porque la unión base-
emisor no está polarizada en directa. En esta condición, existe, idealmente, una abertura entre el colector y el emisor. El
transistor está en la región de saturación porque la unión base-emisor y la unión base-colector están polarizadas en directa y
la corriente en la base llega a ser suficientemente grande para provocar que la corriente en el colector alcance su valor de
saturación. En esta condición, existe, idealmente, un corto entre el colector y el emisor. En realidad, normalmente ocurre una
pequeña caída de voltaje a través del transistor de unos cuantos décimos, conocido como el voltaje de saturación, VCE(sat).

OBJETIVOS:
 Determinar el funcionamiento del transistor BJT.
 Establecer cada uno de los parámetros en diferentes configuraciones del transistor.

MATERIALES:
INSUMOS:
REACTIVOS:  1 Transistor 2N3904
 1 Resistencia de 330KΩ
 1 Resistencia de 1KΩ
 1 Resistencia de 100KΩ
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 1 Resistencia de 560Ω
 1 LED rojo
 1 Fotoresistencia

EQUIPOS:
 Multímetro
 Fuente de alimentación de CD
 Protoboard

MUESTRA:

INSTRUCCIONES:

Verifique que cuenta con todos los materiales indicados en la guía de laboratorio.
Verifique el funcionamiento de los equipos a utilizar en la práctica.
Mantenga el orden en su mesa de trabajo.
Presente el trabajo preparatorio

ACTIVIDADES POR DESARROLLAR:

1. Identifique cada uno de los terminales del transistor (Base, Colector, Emisor).

2. Arme el circuito que se muestra en la figura.


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3. Mida los voltajes y corrientes en el circuito. Registre los valores en la tabla.

Voltajes [ V ]
VCE VBC VBE VC VB VE
6,940 6,334 0,6084 6,940 0,6165 0

Corrientes [mA], [µA]


IC IB IE
2,428 mA 0.0244 2,449 mA

4. Arme el circuito de la figura.


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5. Compruebe el funcionamiento del circuito, al pasar la mano por encima de la fotocelda, el LED cambia de estado
(on – off).

APAGADO ENCENDIDO

6. Mida los voltajes y corrientes en el circuito. Registre los valores en la tabla.

Voltajes [ V ]
VCE VBC VBE VLED
7,965 8,565 0,60 1,8445

Corrientes [mA], [µA]


IC IB IE
0,7965 1,314 0,7188
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7. Halle el valor de la resistencia de la fotocelda en el momento en que el LED está encendido plenamente (saturación)
y en el momento en que está apagado (corte).

Resistencias [Ω]
(saturación) (corte)
10,534
4,8

RESULTADOS OBTENIDOS:
1. Realice los cálculos teóricos correspondientes para el circuito de polarización que se presenta en las actividades
a desarrollar.

Mida los voltajes y corrientes en el circuito. Registre los valores en la tabla.

Corrientes

 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0
10𝑉 − 𝐼𝐵 (330𝐾Ω) − 0,7𝑉 = 0
9,3𝑉
𝐼𝐵 = = 0,0282𝑚𝐴
330𝐾Ω
𝐼
 𝛽 = 𝐼𝐶
𝐵
𝐼𝐶
100 =
0,0282𝑚𝐴
𝐼𝐶 = 2,82𝑚𝐴
 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 0,0282𝑚𝐴 + 2,82𝑚𝐴 = 2,8482𝑚𝐴
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Voltaje

 𝑉𝐸 = 0𝑉
 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝑐 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0
10𝑉 − 2,82𝑚𝐴(1𝐾Ω) − 𝑉𝐶𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐸 = 7,18𝑉
 𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉
 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0,7𝑉 + 0𝑉 = 0,7𝑉
 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 = 10𝑉 − 2,82𝑚𝐴(1𝐾Ω) = 7,18𝑉
 𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵 = 7,18𝑉 − 0,7𝑉 = 6,48𝑉
Ejercicio 2

−1
1 1
𝑅𝑇𝐻 = ( + ) = 5,13𝐾Ω
10𝐾Ω 10,534𝐾Ω

(10𝑉)(10,534𝐾Ω)
𝑉𝑇𝐻 = = 5,13𝑉
10𝐾Ω + 10,534𝐾Ω

Corrientes
𝐼
 𝛽 = 𝐼𝐶
𝐵
𝐼𝐶
100 =
0,86𝑚𝐴
𝐼𝐶 = 86,35𝑚𝐴
 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 0,86𝑚𝐴 + 86,35𝑚𝐴 = 87,21𝑚𝐴

 𝑉𝐿𝐸𝐷 = 1,8𝑉
 𝑉𝑇𝐻 − 𝑅𝑇𝐻 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0
5,13𝑉 − 𝐼𝐵 (5,13𝐾Ω) − 0,7𝑉 = 0
𝐼𝐵 = 0,86𝑚𝐴
 𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉
 𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵 = 7,18𝑉 − 0,7𝑉 = 6,48𝑉

1. Compare los valores medidos y los calculados. Calcule el error en los resultados obtenidos.
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Ejercicio 1
Valores Calculados
Voltajes [ V ] Corrientes [mA], [µA]
VCE VBC VBE VC VB VE IC IB IE
𝟕, 𝟏𝟖𝑽 6,48𝑉 0,7𝑉 7,18𝑉 0,7𝑉 0𝑉 2,82𝑚𝐴 0,0282𝑚𝐴 2,8482𝑚𝐴

Valores Medidos
Voltajes [ V ] Corrientes [mA], [µA]
VCE VBC VBE VC VB VE IC IB IE
𝟔, 𝟗𝟒𝟎𝑽 6,334𝑉 0,6084𝑉 6,940𝑉 0,6165𝑉 0𝑉 2,428𝑚𝐴 0,0244𝑚𝐴 2,449𝑚𝐴

Margen de error

Voltajes [ V ] Corrientes [mA], [µA]


VCE VBC VBE VC VB VE IC IB IE
𝟔, 𝟗𝟒𝟎𝑽 6,334𝑉 0,6084𝑉 6,940𝑉 0,6165𝑉 0𝑉 2,428𝑚𝐴 0,0244𝑚𝐴 2,449𝑚𝐴

Ejercicio 2
Valores Calculados
Voltajes [ V ] Corrientes [mA], [µA]
VCE VBC VBE VLED IC IB IE
𝟖, 𝟒𝟔𝟓𝑽 8,865𝑉 0,7𝑉 1,8𝑉 0,908𝑚𝐴 0,01314𝑚𝐴 0,9188𝑚𝐴

Valores Medidos
Voltajes [ V ] Corrientes [mA], [µA]
VCE VBC VBE VLED IC IB IE
𝟕, 𝟗𝟔𝟓𝑽 8,565𝑉 0,6𝑉 1,8445𝑉 0,7965𝑚𝐴 1,314𝑚𝐴 0,7188𝑚𝐴

2. ¿Cuáles son las dos ventajas de la polarización con divisor de voltaje?

La polarización por divisor de voltaje es la polarización más estable respecto al punto de trabajo Q.
Los valores de ICQ, VCEQ se mantendrán casi inalterables.

CONCLUSIONES:

 Se determinó el funcionamiento del transistor y al medir con el multímetro se pudo identificar cual es la base, el emisor y el
colector.
 Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse las siguientes condiciones: la zona de base de ser muy
estrecha, el emisor debe de estar muy dopado.
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RECOMENDACIONES:
 Se debe tener en cuenta que la intensidad este a 0,5 de la fuente para que no haya problemas al medir en las
resistencia
 Los multímetros deben estar en buen estado

FIRMAS

F: ……………………………………………. F: ………………………………………………. F: ……………………………………………………

Nombre: Ing. Paola Velasco Nombre: Ing. Marcelo Silva Nombre: Ing. Mayra Erazo
COORDINADOR DE ÁREA DE COORDINADOR/JEFE DE LABORATORIO
DOCENTE CONOCIMIENTO

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