Physiques des Composants

Contenu
Chapitre 1: Le Semiconducteur à l’équilibre
thermodynamique

Chapitre 2: Le Semiconducteur hors équilibre

Chapitre 3: Jonction PN

Chapitre 4: Le contact métal/semiconducteur

La diode Schottky

Chapitre 5: Transistor Bipolaire BJT

(Bipolar Junction Transistor)

Chapitre 6: Structure M.O.S.

 Références bibliographiques
– C. Kittel, « physique de l’état solide », dunod université, 5° ed.,
1983

– H. Mathieu, « Physique des semiconducteurs et des composants

électroniques », dunod, 5° ed., 2004

– J. Singh, « semiconductors devices: an introduction »,Mc.Graw

Hill, 1994

– D.A.Neamen, « semiconductor physics and devices: basic

principles », Mc.Graw Hill, 2003

– Cours de Physique des semiconducteurs, Pr. Rouzeyre,

Université de Montpellier II, 1985

– McMurry and Fay, « Chemistry », Prentice Hall; 4th edition (April

7, 2003) ( les figures du chapitre 2 proviennent majoritairement
de cet ouvrage)
3
Le semiconducteur à l’équilibre
thermodynamique 1
Avant-propos
Les composants électroniques

 Composants électroniques non à semi-conducteurs

 Certains composants passifs

- Résistance - Condensateurs - Bobines

5
Avant-propos
Les composants électroniques
 Composants électroniques à semi-conducteurs

 Les composants à semi-conducteurs

Diode Diode Diode
simple Zener Schottky

6
Avant-propos
Les composants électroniques
 Composants électroniques à semi-conducteurs

 Les composants optoélectroniques

Diode Laser Photodiode Diode

luminescente photovoltaïque

7
Avant-propos
Les composants électroniques
 Composants électroniques à semi-conducteurs

 L’électronique intégrée-puissance

Transistors Bipolaires Transistors MOSFET Microprocesseur

Pour touts ces composants le matériau de base est un semi-

conducteur.
Leur fonctionnement ne peut s’expliquer que par la théorie
quantique. 8
Avant-propos
Les composants électroniques
 Qu’a-t-on besoin de connaître pour comprendre le fonctionnement d’un tel
système ?

 La physique de classique

 La cristallographie de S5

 La mécanique quantique de S4 et S5

 La physique des composants de S5

 La physique statistique
 Les lois de l’électrostatique
− Pour pouvoir comprendre et prévoir la réaction des charges et du cristal soumis à
un champ électrique.

9
 Rappel sur les Semi-conducteurs, conducteurs et Isolants

Si l’on classe les éléments chimiques solides à la température

ambiante en fonction de leurs résistivités, on constate qu’il se place
dans leurs grande majorités en deux groupes.
Isolant

[ 1011 ≤ ρ ≤ 1019 ] Ω Cm
Conducteur

[ 1.5 10-6 ≤ ρ ≤ 10-4 ] Ω Cm

Semi-conducteur Quelques éléments ont une résistivité

intermédiaires. Pour cette raison ils ont le nom de semi-conducteur

[ 10-3 ≤ ρ ≤ 106 ] Ω Cm

Chap: I -10-
 On considère le cas des éléments de la colonne 4
Toutes les liaisons sont covalentes

Elément Rayon atomique (Å)/ Bande

Constante du réseau(Å) Interdite (eV)
C 0,91/3.56 5,47
SI 1.46/5.43 1,12
Ge 1.52/5.65 0,66
-Sn 1.72/6.49 0,08
Pb 1.81/** Métal
 Définition des semi-conducteurs
Il s'agit d'une question de configuration électronique

Extrait du tableau périodique: silicium (Si)

Germanium (Ge)
IB IIB IIIB IVB VB VIB

13 14 15 Arséniure de gallium (GaAs)

Al Si P
29 31 32 33 34
Cadmium-Telluride (CdTe)
Cu Ga Ge As Se
48 49 51 52
Phosphore d'indium (InP)
Cd In Sb Te

Aluminium-Antimon (AlSb)

Cuivre, Indium, Gallium, Sélénium

(CIS)

Chap: I -12-
 Semi-conducteurs
Sont fait des éléments de la colonne

Colonne Semiconducteur
IV Ge, Si, C
IV-IV SiC, SiGe
Binaire GaAs, GaP, InP, InSb…
III-V
Ternaire AlxGa1-xAs, GaAsyP1-y
Quaternaire AlxGa1-xAsyP1-y
Binaire CdS; CdTe, ZnSe, ZnS
II-VI 13 14 15 16
Ternaire CdxHg1-xTe….
Al Si P S
29 30 31 32 33 34

Cu Zn Ga Ge As Se
48 49 50 51 52

Cd In Sn Sb Te
IB IIB IIIB IVB VB VIB

Chap: I -13-
 Barreau de silicium
Monocristal de silicium
polycristallin

Chap: I -14-
 Structure diamant
Semiconducteurs
élémentaires
Il sont fait des éléments de
la colonne IV
IIB IIIB IVB VB VIB
B C N O

Al Si P S

Zn Ga Ge As Se

Cd In Sn Sb Te
Exp: diamant
Hg Tl Pb Bi Po Eg = 5,4 eV
incolore

Configuration
sp3

Chap: I -15-
 semi-conducteurs Structure zinc-Blende
composés
Il sont fait des éléments des
colonnes III-V et II-VI
IIB IIIB IVB VB VIB
B C N O

Al Si P S

Zn Ga Ge As Se
Structure de zinc cubique
Cd In Sn Sb Te (diamant avec 2 atomes différents)
Hg Tl Pb Bi Po

III-V: GaAs, InP, GaN, etc Configuration

sp3
II-VI: ZnSe, CdTe, HgSe, etc

Chap: I -16-
 Exercice
Considérons 1 cm3 de silicium.
• Combien d’atomes contient-il?

Réponse: La masse atomique du silicium est de 28.1 g qui contient

le nombre d’Avagadro d'atomes.

 Le nombre d’Avagadro N est 6.02 x 1023 atomes/mol .

 La densité de silicium est : 2.3 x 103 kg/m3

 Ainsi 1 cm3 de silicium pèse 2.3 2,3 grammes et contient donc:

6.02 1023
 2.3  4.93 1022 atomes
28.1

Chap: I -17-
 L’atome

Orbitale de
Valence

Electron Orbites
de valence intérieure

Electron Orbites de
Du cœur première excitation
Noyau Temperature ambiante
+14

Ionisation ou le niveau d'énergie zéro Porteur Longueur

Distance
0 Energie d'ondes
Electrons 10-100 nm
3p
Niveau de première niveau de valence Phonons 1 nm
énergie d’excitation 3s
2p Photons 0.1-10mm
2s
1s

+14
Noyau
Chap: I -18-
 Formation des bandes d’énergie
 Mécanique quantique pour un atome isolé :

Niveaux d’énergie discrets

Modèle qualitatif pour le Silicium:

Structure électronique (14 électrons): 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
Electron
de valence

3p2

Si
Electron
Du cœur: 3s2
fortement liés

19
Chap: I
 Formation des bandes d’énergie
 Si on approche 2 atomes :

-Fonctions d’ondes des électrons

perturbées 3s2 3p2
-Deux fois plus d’électrons sur le États
même niveaux anti-liants
-Chaque niveau → 2 niveaux
2 atomes

Si Si

États liants

20
Chap: I
 Formation des bandes d’énergie

 Si on approche N atomes?

Chap: I
 Formation des bandes d’énergie
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si S
 Si on approche N atomes?

Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si S

Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si S

Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si S

4 électrons mis
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si S
en commun par
des liaisons de
valence
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si S

Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si S
22
 Formation des bandes d’énergie

 Si on approche N atomes?

Bande
d’énergie
3s2 3p2

Bande
de
2 atomes N atomes conduction
Bande interdite

Bande
de valence

23
Chap: I
 Formation des bandes d’énergie
 Si on approche N atomes?
États anti-liants (4N)

Bande
d’énergie
3s2 3p2

Bande
de
2 atomes N atomes conduction
Bande interdite

Bande
de valence

États liants (4N)

Chap: I -24-
 Mécanique ondulatoire : Equation de
Schrödinger
– On considère électron dans un solide unidimensionnel de
longueur L. L’électron est libre de se déplacer dans le solide
– A un électron dans un solide on associe une fonction d’onde:

 ( x)
– Démarche:
• On cherche des solutions de l’E.S

 2 ( x) 2m
 2 E ( x)  0
x 2

• On ne garde que celles qui satisfont les conditions de

continuités
• On forme un paquet d’ondes avec les conditions aux limites
pour représenter l’électron.
Chap: I -25-
 Gaz d’électrons libres
Conditions aux limites périodiques

Solution de l’ES:  ( x)  Ae ikx

 Be  ikx
U=0

 ( x)  Aeikx Déplacement d’onde positif

 ( x)  Beikx Déplacement d’onde négatif 0 L

On choisi le Déplacement d’onde positif  ( x)  Aeikx

Conditions aux limites périodiques:

 ( x  L)  ( x)
Aei ( x  L ) k  Aeixk  eiLk  1
2
kn  n avec n 
L
 2
2

2 2
En  k  
2
n n
Chap: I
2m 2m  L 
-26-
 Relation de dispersion
2
k2
 ( x, t ) 
2 i ( kx t )
e Traçons: E ( k ) 
L E 2m
hCk
Pour les
Probabilité: photons
Pour les
électrons

   *
2
Ef
Quantité de mouvement:
hn

Δkph
 d  Ei
p   *    dx
0  i dx 
kk
 k ou  k 
4

3

2

 0

k
2
ia
3
kf 4
a a a a a a a

Zone 2 Zone 1 Zone 2

Chap: I
-27-
 Théorie de bande des solides:
Potentiel périodique

En réalité le potentiel cristallin dans lequel se « balade »

l’électron n’est pas constant

La forme exacte du potentiel cristallin V(x) dépend de la

structure cristalline.

Pour une forme périodique de V(x) la résolution de l’équation

de Schrödinger:

 2 ( x) 2m( E  V ( x))
  ( x)  0
x 2 2

Montre que les valeurs possibles de l’énergie forment des

bandes permises séparées par des bandes interdites
 Structure en bandes d’énergie
Schéma de zone étendue
2
k2
E
2m La Gamme de valeurs k
Bande interdite
permises du vecteur d’onde k
est appelée zones de
Brillouin.
Bandes
permises zone 1:
-/a < k < /a;
zone 2:
-2/a <k<- /a;
Bande interdite
zone 2:
Bandes
/a < k < 2/a etc
permises

Bande interdite
Bandes
permises
   0    k
3 2  2 3
a a a a a a
Cette étude montre un arrondissement des bandes d’énergie au voisinage de la
limite des zones de Brillouin et des cassures de ces bandes à la limiter des ces ZB;
d ’où apparition des bandes interdites.
-29-
Chap: I
 Structure en bandes d’énergie
Schéma de zone réduite
E Représentation de la
zone étendue
Les flèches rouges indiquent les
directions dans lesquelles ces segments
de bande doivent être translaté pour
coïncider avec la représentation zone 
réduite. 2
a

La théorie peut expliquer pourquoi

certains matériaux sont des
conducteurs, d'autres des
Isolateurs et d'autres des
Semiconducteurs
hn

k
   0   
3 2  2 3
a a a a a a

Chap: I -30-
 Structure en bandes d’énergie

E
2
k2 E
EC (k)= EC 
2mC*
Ec énergie Ec
énergie
potentielle cinétique EF
Eg Eg

Ev 2 Ev
k2
EV (k)= EV 
2mV*
k
x

Chap: I -31-
 Structure de bande du silicium
Bande de conduction:
c’est la bande
immédiatement au
dessus et vide à T=0K
EC
Eg bande
interdite
EV

Bandes “p”
Bande de valence:
c’est la dernière bande
remplie à T=0K

Bandes “s”

Chap: I -32-
 Structure de bande réelle!

Si

Eg

(111) (000) (0 0 0.85)

(001)

Chap: I -33-
 Notion de trous (+e !)

Si Si Si Si Si Si Si
• La notion de
bandes permet
d’introduire le
porteur de Si Si Si Si Si Si Si
charge positif :
un trou
Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si

 Aux températures différentes de 0 K, électrons « montent »

dans BC, laissent des « trous » dans la BV 34
 Répartition des porteurs sur les états quantiques

Les répartitions de porteurs obéissent à des lois qui peuvent dépendre

du type de particules. Trois types de lois peuvent être utilisées:
 Em 
•La statistique de BOLTZMANN n  n0 exp  
qui s’applique aux gaz parfaits  B 
k T

1
•La statistique de FERMI-DIRAC pour n  n0
les particules de spin demi-entier
 Em 
1  exp  
 B 
k T
1
•La statistique de BOSE-EINSTEIN n  n0
pour les particules de spin entier
 Em 
(photons, phonons).
exp   1
 k BT 

Le cas qui nous intéresse correspond à celui des électrons et suit donc
la statistique de FERMI-DIRAC.
Chap: I -35-
 Fonction de distribution de Fermi-Dirac

La probabilité de présence d’un électron sur un niveau

énergétique E sera notée f ( E ) . Elle est donnée par la formule

1 Appelée fonction
f (E)  ( E  EF ) / kT
de distribution de
e 1 Fermi-Dirac.

Cette expression fait apparaître un niveau énergétique EF qui

correspond à une probabilité de présence égale à ½:

Ce niveau correspond, au zéro absolu, à la séparation entre les

niveaux vides et les niveaux pleins. On parle parfois « d’énergie
moyenne » ou de « taux moyen de remplissage ».

Chap: I -36-
 Fonction de Fermi – Dirac
1 E  EF  f ( E )  1
f (E)  ( E  EF ) / kT À T= 0K:
e 1 E  EF  f ( E )  0
A T = 0, tous les niveaux d'énergie sont remplis à l'énergie EF,
appelée énergie de Fermi.
BC
EF
1
BV
f(E)

E1 E2 E3 E4 E5
énergie E=EFermi

Chap: I -37-
 Influence de la température

1 EF
f (E) 
e( E  EF ) / kT  1 T 0

Ex: T=300K,
si E – EF = 3kT, f(E) ?

E1 E2 E3 E4 E5
Chap: I -38-
 Densité d’états:
• Cristal 3D de longueur Lx Ly et Lz:
kz
 Les états permis pour les électrons sont
toujours quantifiés. (2 )3
Lx Ly Lz
 L’énergie en bord de bande est toujours
approximée par:
ky
2
2 2 k
Ek  Emin  (k x  k y  k z )  Emin 
2 2 2

2m * 2m * kx

 La densité est alors donnée ( LxLyLz=1 ie par

unité de volume):
3/ 2
dN  2m* 
g3D(E)   4π  2  (E  Emin )1/ 2 J -1m-3 bas de bande
dE  h 
3/ 2
dN  2 m*  sommet de bande
g3 D (E)   4π  2  (Emax  E)1/ 2
dE  h 
Chap: I -39-
 Densité d’états:

Emax
??

Emin

  g(E)
a a
Les masses effectives ne sont pas les mêmes et l’approximation de la m*
n’est valable qu’en bord de bande !

Chap: I -40-
 Le semiconducteur à l’équilibre
thermodynamique
• C’est quoi l’équilibre?

– Pas de forces extérieures:

• Pas de tension appliquée

• Pas de champ magnétique
• Pas de gradient de température

Chap: I -41-
 Questions:

- Combien d’électrons existe-t-il dans la

bande de conduction?

-Combien de trous existe-t-il dans la

-bande de valence?

Chap: I -42-
 Question: Combien d’électrons
dans la bande de conduction?

Chap: I -43-
 Distribution des porteurs de charges dans la bande de
conduction (BC) et dans la bande de valence (BV) et
distribution de Fermi dans un semiconducteur intrinsèque à
T=0K et à T>0K

Chap: I -44-
 Distribution des porteurs de charges dans la bande de
conduction (BC) et dans la bande de valence (BV) et
distribution de Fermi dans un semiconducteur intrinsèque à
T=0K et à T>0K

Chap: I -45-
 EB
Combien d’électrons dans la bande de
conduction?
EB
n  2
Ec

énergie
gC ( E ) f ( E )dE Ev
EC

E1

g(E)

Chap: I -46-
 EB
Combien d’électrons dans la bande de
conduction?
EB
n  2
Ec

énergie
gC ( E ) f ( E )dE Ev
EC

E E
E
E1

g(E)

EC
EF

g(E) g(E) f(E)

f(E)

Chap: I -47-
 EB
Combien d’électrons dans la bande de
conduction?
EB
n  2
Ec

énergie
gC ( E ) f ( E )dE Ev
EC

E E
E
E1

g(E)

EC
EF

g(E) g(E) f(E)

1
f(E) f (E) 
3/2 e( E  EF ) / kT  1
1  2mC* 
gC ( E )  2   2  ( E  EC )1/2 Probabilité d’occupation des électrons
4  
Or cette expression n’est valable qu’au voisinage des extremums (EC). On ne
commet pas de grande erreur en faisant cet intégrale
Chap: I -48-
 EB
n  2 gC ( E ) f ( E )dE
EC
3/2
EB 1  2m  *
( E  EC )1/2
n  2 
2  
C
dE
EC 4  
2
e ( E  EF )/ kT
1
E  EC EF  EC E  EF
Posons:  , F  ;   F
kT kT kT
3/2
1  2m  *
B 3
 1/2
n  2   0 (kT ) ( F ) d
C

2  2
 e 1
EB  EC 1
or  B    400
kT 1/ 40
f ( EB )  e 400  0
3/2
 2m 
1 *
 3
 1/2
n  2 
2 


2
C
0
(kT )
e (  F )
1
d

Chap: I -49-
 3/ 2
1  2m kT *
Soit : N C   
C

2 3/ 2  
2

2   1/ 2
n  NC 
 0
e( F )  1
d

2
 NC  F1/ 2 ( F )

Intégrale de Fermi

Chap: I -50-
 Question: Combien de trous dans
la bande de valence?

Chap: I -51-
 EB
Combien de trous dans la bande de valence?

gV ( E ) 1  f ( E )  dE
EV
p  2
Ec

énergie
Ev
E1

3/2
1  2m 
*
E1
gV ( E )  2   V
 ( EV  E ) 1/2

4  2
 g(E)
Probabilité d’occupation
des trous
Or cette expression n’est valable
qu’au voisinage des extremums (EV) e( E  EF ) / kT
On ne commet pas de grande erreur 1  f ( E )  ( E  EF ) / kT
e 1
en faisant cet intégrale
1
 ( EF  E ) / kT
e 1

Chap: I -52-
 gV ( E ) 1  f ( E )  dE
EV
p  2
E1
3/2
EV 1  2m  *
( EV  E )1/2
p  2 
2  
V
dE
E1 4  
2
e ( EF  E )/ kT
1

Posons:
EV  E EV  EF EF  E
' ,   '
F ;   '  F'
kT kT kT
3/ 2
1 2m  *
V  '1/ 2
p 
2 
2 


2
V
0
e ( '  F' )
1
d '

3/ 2
 2m kT 
1 *
Soit : NV  3 / 2   
V

2  
2

2 V  '1/ 2 2
p  NV      '
d ' N F ( n F)
 ( '  F' )

V 1/ 2
0
e 1
Chap: I -53-
 2 EF  EC GaAs
n  NC  F1/ 2 ( )
 kT

2 EV  EF
p  NV  F1/ 2 ( )
 kT

Chap: I -54-
 Dans le cas d’un semiconducteur non dégénéré

Le niveau de Fermi se trouve dans la bande interdite E

EC  EF  kT et EF  EV  kT
EC
EF
 E  EF  E  EC  EC  EF  kT
EV
 kT

( E  EF )/ kT 1
e  1  f (E)   e ( E  EF )/ kT
e( E  EF )/ kT  1
  1/ 2 
F1/ 2 ( F )   d  0  1/ 2 (  )
e d eF
0
e( F )  1
 /2


 eF
2
Chap: I -55-
 semiconducteurs
EC
Les approximations faites sont:

EC  EF  kT et EF  EV  kT
n  N C et p  NV EV

( EF  EC ) / kT
n  NC e

( EV  EF )/ kT
p  NV e
Chap: I -56-
 Le silicium, Si, Atom

Le silicium est de Cette image montre les

valence de 4 à savoir 4 électrons partagés
électrons dans son
couche externe
Chaque atome de
silicium partage ses 4
électrons externes avec
4 atomes voisins
Ces électrons partagés
- liaisons - sont
représentées par des
lignes horizontales et
verticales entre les
atomes

Chap: I -57-
 Silicium - le réseau cristallin

Si l'on étend cet

arrangement à
travers un morceau
de silicium ...

Nous avons le réseau

cristallin de silicium

C'est le silicium quand

il est froid (T=0K)

Il n'a pas d'électrons libres - il ne peut pas conduire l'électricité -

par conséquent, il se comporte comme un isolant

Chap: I -58-
 Mouvement des électrons dans le Silicium

Cependant, si l'on
applique un peu de
chaleur au silicium ....

Un électron peut
gagner assez
d'énergie pour se
libérer de sa liaison ...
Il est alors disponible
pour la conduction et
libre de se déplacer à
travers le matériau

Chap: I -59-
 Mouvement des trous dans le Silicium

Regardons de plus
près ce que l'électron
a laissé derrière lui

Il ya un espace dans
la liaison - ce que nous
appelons un trou

Donnons-lui un peu
plus de caractère ...

Chap: I -60-
 Mouvement des trous dans le Silicium

Ce trou peut
également se
déplacer ...
Un électron - proche
d’une liaison - peut
sauter dans ce trou ...
Effectivement
provoquant le
déplacement du trou…
comme ça …

Chap: I -61-
 Chauffage du silicium

Nous avons vu que,

dans le silicium, la
chaleur libère des
électrons de leurs
liaisons …

Cela crée des paires

électrons-trous qui
sont alors disponibles
pour la conduction

Chap: I -62-
 Semiconducteur intrinsèque

Prenons un morceau
de silicium …

Et appliquons une
différence de
potentiel à ses
bornes…
Ceci crée un champ
électrique à travers
le silicium - vu ici en
traits pointillés

Lorsqu’une chaleur est appliquée un

électron est libéré et …
Chap: I -63-
 Conduction intrinsèque

L'électron sent une

force et se déplace
dans le champ
électrique

Il est attiré vers

l'électrode positive
et réémise par
l'électrode négative

Chap: I -64-
 Conduction intrinsèque

Maintenant, nous
allons appliquer un
peu plus de chaleur …

Un autre électron se
libère…
Et se déplace dans le
champ électrique.
Nous avons
maintenant un courant
plus élevé qu'avant …
Et le silicium a moins
de résistance …

Chap: I -65-
 Conduction intrinsèque

Si plus de chaleur
s'applique le
processus se poursuit
…
Plus de chaleur …
Plusb de courant…
Moin de resistance…
Le silicium agit comme
une thermistance

Sa résistance diminue
avec la température

Chap: I -66-
 Génération Thermique des électrons libres
Électron
libre
EC

EV

Atomes de
Silicium
Trou libre
“hole”
Silicium
Intrinsèque
(pas de dopants) Pour le silicium à 300K
à 0K (température amiante),
n=p=0 n=p=ni = 1.5 x 1010 / cm3

Chap: I -67-
 Génération Thermique des électrons libres
Trou
Électron
libre
libre
électron EC
libre

EV

Atomes de
Silicium
Trou libre
“hole”
Silicium
Intrinsèque
(pas de dopants) Pour le silicium à 300K
à 0K (température amiante),
n=p=0 n=p=ni = 1.5 x 1010 / cm3

Chap: I -68-
 La thermistance

• La thermistance est une résistance sensible à la

chaleur

• Au froid, elle se comporte comme un isolant i.e.

elle a une très grande résistance

• Lorsqu‘elle est chauffé, les paires électron-trou

sont libérés et sont alors disponibles pour la
conduction comme cela a été décrit - donc sa
résistance est réduite

Thermistance
Symbol

Chap: I -69-
 La thermistance

• Les thermistances sont utilisées pour mesurer la

température

• Ils sont utilisés pour mettre en marche ou

Arrêter des dispositifs, lorsque la température
change

• Ils sont également utilisés dans les circuits

d’alerte de feu ou d'alerte de gel

Thermistance
Symbol

Chap: I -70-
 Absorption de la lumière

Chap: I -71-
 Absorption de la lumière

Eph<EG
Bande de
Energie conduction

Gap
d'énergie

Bande de
valence

Position
Lorsque l'énergie des photons est inférieure à l'énergie du
gap, le photon n’est pas absorbé et le photon passe
directement à travers le semi-conducteur.

Chap: I -72-
 Absorption de la lumière
Eph=EG
Bande de
Energie conduction

Gap
d'énergie

Bande de
valence

Position
Lorsque l'énergie des photons est égale à l'énergie du gap, le
photon est absorbé, mais aucune énergie thermique n’est
générée.

Chap: I -73-
 Absorption de la lumière
L'électron perd de l'énergie thermique dans le
Eph>Eg réseau par des collisions et se déplace vers le
bas de la bande de conduction

Bande de
Energie conduction

Gap
d'énergie

Bande de
valence

Position
Lorsque l'énergie des photons est supérieure à l'énergie du gap, le
photon est absorbé et un électrons quitte une liaison et se déplace de la
bande de valence vers la bande de conduction.

Chap: I -74-
 Coefficient d'absorption ()

Le coefficient d'absorption a une forte dépendance du matériau et

de la longueur d'onde de la lumière (l'énergie du photon).

Chap: I -75-
 La résistance dépendante de lumière (LDR)
The Light Dependent Resistor (LDR)

• Le LDR est très similaire à la thermistance –

mais il utilise l'énergie lumineuse à la place
de l'énergie thermique
• A l’obscurité sa résistance est élevée
• Sous l'énergie lumineuse, il libère des
paires électron-trou
• Ces charges sont alors libres pour la
conduction
• Ainsi, la résistance est réduite

LDR Symbol

Chap: I -76-
 La résistance dépendante de lumière (LDR)
The Light Dependent Resistor (LDR)

• LDR sont utilisés comme luxmètres

• LDR sont également utilisés pour

contrôle automatique de l'éclairage

• LDR sont utilisés là où la lumière est

nécessaire pour contrôler un circuit -
par exemple, sonnette d'alarme
fonctionnant à la lumière

LDR Symbol

Chap: I -77-
 Semiconducteur intrinsèque
 Semiconducteur pur : n = p=ni, EF=Ei
3/ 2
( EF  Ec )/ kT ( Ei  Ec )/ kT  2m* kT 
n  ni  Nce  Nc e
1
avec NC    C2 
BC 2 3/ 2  
Energie

3/ 2
 2mV* kT 
p  ni  Nve( Ev EF )/ kT  Nve( Ev Ei )/ kT
1
BV avec NV 
2 3/ 2


2 


3/ 2
 kT 
ni  2 
 2 2 

m m *
C V 
* 3/ 4
e
 Eg / 2 kT

 Eg / kT
n  p  n  NC NV e
2
i  cte
Chap: I -78-
 Concentration des porteurs intrinsèques:

 2 kT 
3/ 2

m m 
3/ 4
Calculer ni pour le Si à 300K: ni  2  
*
n
*
p e Eg / 2 kT
 
2
h
3
 2 1.38 10 J / K  300 K 
23 3 1.11

 
2 
31
ni  2  34  1.1  0.56  9.11  10 kg 2 4
e 20.0259
 (6.63 10 J  s ) 2

3 3
ni  2  5.91771 1046 / J  s   5.112 10
2 2 61
kg 
2 4
e 21.236
1 46 10
ni  2 1.4396  1070  6.04593  10 kg 3/2
 5.99143  10
kg 3/2 m 3

ni  1.043 1016 m 3

ni  1.043 1010 cm 3

Chap: I -79-
 Concentration des porteurs intrinsèques:

L’énergie de Fermi pour un semi-conducteur intrinsèque

s’exprime par la relation :
n  p
 ( EC  EFi ) / kT  ( EFi  EV ) / kT
NC e  NV e

EC  EV kT  NV 
EFi    ln   Si mv*  mc* le
2 2  C
N niveau intrinsèque
est au dessus du
EC  EV 3  mV*  milieu de la bande
EFi   kT  ln  *  interdite si non c’est
2 4  mC  l’inverse

~10 meV

Si on fait l’hypothèse que mv*  mc* alors le niveau de Fermi d’un semi-
conducteur intrinsèque est situé au milieu de la bande interdite.

Chap: I -80-
 Niveau de Fermi dans un semiconducteur intrinsèque

– Quelques valeurs numériques

mc* mv* NC NV Eg ni
m0 m0 (1019 cm-3) (1019 cm-3) (eV) (cm-3)
Si 1,06 0,59 2,7 1,1 1,12 1,5x1010
Ge 0,55 0,36 1 0,5 0,66 2,4x1013
GaAs 0,067 0,64 0,04 1,3 1,43 2x106
GaN 0,2 1,4 0,223 4,6 3,39
4H-SiC 1,69 2,49 2,86
InP 0,073 0,87 0,05 2 1,27

Chap: I -81-
 Calcul de la sensibilité en température
L’expression des densités de porteurs s’écrit:
3
 k 
n  4
2
i
 2
2 

 mC mV 
* * 3/2 3  Eg / kT
T e

La dérivation de cette équation donne:

ni2
3 3
 k   k 
   C mV 
* * 3/2 2  Eg / kT
Eg * * 3/2 3  Eg / kT
 3 4  2 
m m T e   4  2 
m T e
T  2  2
C V
 kT 2 
2
On peut dans cette équation mettre ni en facteur

3  Eg / kT  3
ni2  k 
3
Eg 
2   C V 
* 3/2
 4 m *
m T e   2 
T  2   T kT 

Il suffit donc de diviser les deux termes par ni2 pour obtenir:

1 ni2  3 Eg 
  2 
ni T  T kT 
2
 Concentration des porteurs intrinsèques:

Application numérique:

Autour de la température ambiante=300 °K

Germanium:
Eg = 0,67 eV→Variation de 9,63% par degré Kelvin

Silicium:
Eg = 1,12 eV → Variation de 15,43% par degré Kelvin

Arséniure de Gallium:
Eg= 1,4 eV → Variation de 19,04% par degré Kelvin

Germanium Silicium Gallium

Arsenide
300 K 2.02 1013 8.7 2 109 2.03 106

400 K 1.38 1015 4.52 1012 5.98 109

500 K 2.02 1016 2.16 1014 7.98 1011

600 K 1.18 1017 3.07 1015 2.22 1013

Chap: I -83-
 Semiconducteurs intrinsèques

 Désavantages des semiconducteurs intrinsèques:

 faible conductivité à basse température;
 la conductivité dépend fortement de la
température.

 Il faut chercher un moyen pour surmonter ces

problèmes

 C’est le dopage!!!

Chap: I -84-
 Semiconducteurs dopés
 On fera intervenir le dopage pour augmenter la
concentration des porteurs et ainsi s’affranchir de la
dépendance en température.

 L’introduction de dopants va permettre de changer et

surtout contrôler les propriétés électriques du SC

 L’introduction d’impuretés (dopants) qui vont modifier la

relation n = p:
• Impuretés de type donneur  n > p  type n
• Impuretés de type accepteur  p > n  type p

La position des espèces chimiques dopantes dans le tableau de

Mendeleïev et la position des atomes constituants le réseau
cristallin hôte définissent le rôle des impuretés

Chap: I -85-
 Semiconducteurs extrinsèque

 Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur dopé. Les

propriétés électriques d’un cristal semi-conducteur sont
profondément modifiées si l’on remplace certains atomes du réseau
par des atomes ayant, par rapport à l’atome substitué, un électron
de plus ou en moins dans son cortège électronique.
 On désigne sous le nom de dopage toute opération qui revient à
introduire des impuretés dans le cristal.
 création de niveaux d’énergie dans la bande interdite
 Les atomes dopants doivent être placés en position substitutionnelle
dans le cristal i.e ils doivent prendre la place d’un atome de
silicium. Les dopants placés en position interstitielle ne conduisent
pas à une modification notable des propriétés électriques.

Chap: I -86-
• Semiconducteur dopé de type n
Type n : insertion d’atomes
possédants 5 électrons de
valence dans le réseau
cristallin du Si, l’électron
excédant se libère facilement
pour la bande de conduction,
le dopage produit ainsi des
porteurs de charge négative
(électrons), d’où dopage de
type n.

Silicium
Dopants
“Donneurs”
Chap: I -87-
 Le phosphore
Silicium (Si) Phosphore (P)
L’électron
supplémentaire de P
est faiblement
attaché à son atome.
C’est un électron
Le phosphore (P) est le numéro 15 libre
dans la classification périodique
des éléments

Bande
Il possède 15 protons et 15 normale
électrons - 5 de ces électrons avec deux
sont dans la couche extérieure electrons
(électrons de valence)

 Le Phosphore est lié dans le silicium

Chap: I -88-
 Semiconducteurs dopés n

Si Si Si Si Si Si Si

Si Si P Si Si Si Si

Si Si Si Si Si P Si

Si P Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si

Chaque dopant de type N apporte un électron supplémentaire au réseau

Chap: I -89-
 Semiconducteur dopé de type n

Supposons que nous

enlevons un atome de
silicium du réseau cristallin
...

 on remplace l’atome de
silicium par un atome de
phosphore (P).

Nous avons maintenant un électron qui n'est pas lié - il est donc libre pour la conduction

Chap: I -90-
 Dopage - silicium de type n

Enlever un autre atome

de silicium ...

et le remplacer par un
atome de phosphore

Comme plus d'électrons

sont disponibles pour la
conduction, nous avons
augmenté la
conductivité du
matériau

Le phosphore est appelé Si nous appliquons maintenant une différence de

dopant potentiel à travers le silicium ...

Chap: I -91-
 La conduction extrinsèque
silicium de type n

Un courant circule

Remarque:
Les électrons
négatifs se
déplacer vers la
borne positive

Chap: I -92-
 Niveaux d’énergie des impuretés

 Substitution  modification du potentiel électrique.

- On suppose que la perturbation due à l’impureté est faible et de longue
portée.
- Dans un cristal de silicium dopé au phosphore (P). Le cinquième électron
voit donc l’ion de l’impureté P+ (charge >0).

Modélisation de l’impureté en deux parties :

1- un « quasi-Si» (Noyau Si, électrons de cœur, 4 électrons de valence).
2- le cinquième électrons de valence du phosphore qui crée un nouveau
niveau d’énergie proche de la bande de conduction. Cet électron est lié au
proton supplémentaire provenant du noyau du phosphore.
Le problème est similaire à un atome d’hydrogène ou l’électron et le
proton ne se trouvent pas dans le vide mais dans le cristal de silicium
(  0).

Chap: I -93-
 Niveaux d’énergie des impuretés
L’énergie d’ionisation de l’atome d’hydrogène est:

H  H   e
m0 q 4
EH   13.6 eV
32 2 02 2

La situation dans le silicium dopé est similaire à l’atome

d’hydrogène:.
 
D D  e
mc*q 4 mc*  02
ED   13.6  0.047eV
32 2 Si2 2
m0  Si
2

L’existence d’un proton excédentaire crée une énergie de liaison Ed qui

diminue l’énergie de l’électron supplémentaire et le fait passer sous la
bande de conduction. Ed= EC- ED

Chap: I -94-
 Niveaux d’énergie des impuretés

Si + colonne V (avec 5 e- de valence )

Ec
+ + + + + ED = Niveau d'énergie des donneurs (peu profond)
Eg centres donneurs
ionisés (+ve)
Le Gap est de 1,1 eV pour le silicium
5ème Electron
Ev
Atomes ionisés

Semiconducteur type-n

Chap: I -95-
 Niveaux d’énergie des impuretés

Exemples
 SC
• Ge: me* = 0.04m0;  16  E D   2.1meV (avec 1meV = 10-3 eV)
0

• GaAs: me*= 0.067m0;  SC  13  E D   5.4meV

0

 SC
• Si: me* = 0.26m0;  12  E D   25meV
0

 SC
• ZnSe: me *= 0.21m0; 9  E D   35meV
0

Chap: I -96-
 Energie d'ionisation (eV)
des impuretés dans Si et Ge

Impureté
Si Ge
Comportement Type

P 0.045 0.012
Donneur
As 0.049 0.013

Energie d'ionisation (eV) des impuretés dans GaAs

Colonne du
tableau II IV VI
de classification

Éléments Be Si Ge S Se

Type " N" 0.0058 0.0061 0.0061 0.0059

Chap: I -97-
 Ionisation des impuretés

Chap: I -98-
 Niveau de Fermi
  le type de dopage la neutralité électrique doit être préservée
(loi d’action de masse) :
  q( p  N D  n  N A )  0
p  N D  n  N A
 La probabilité d’occupation d’un niveau donneurs peut
s’écrire:
1
fD 
1 ( ED  EF ) / kT
1 e
g
g: dégénérescence de l’état fondamental du niveau de l’impureté:
g=2 pour un niveau donneur (le niveau fondamental peut
accepter un électron avec un spin  ou aucun).
g=4 pour un niveau accepteur (le niveau de dégénérescence
est double en raison du « splitting » des bandes de valence
en k=0).

Chap: I -99- -99-

 Nombre de dopant donneurs ionisés

Le nombre ND de dopant donneurs ionisés peut s’écrire :

1
N  N D 1 

D 
1 ( ED  EF ) / kT
1 e
g

 ND
Soit:
N D ED  EF
( )
1  g e kT


Aux températures ordinaires on a: N D  ND

Chap: I -100-
 Détermination du Niveau de Fermi
 la neutralité électrique pour un semiconducteur type n donne:

n  p  N D
 A température T le dopant est connu (ED, ND connus) ainsi que le
semiconducteur ( Nc, NV, Ei, EC connus) :

(EC  EF )/kT (EF  EV )/kT ND

NC e  NV e  ED  EF
( )
1  g e kT

La seule inconnue c’est EF

Il faut résoudre cette équation pour obtenir EF

Chap: I -101-
  On fait une résolution graphique de l’équation pour
déterminer le niveau de Fermi (type n) :

n  p  N D

p  N D
N C e (EC  EF )/kT  ND

NV e (EF  EV )/kT  n
p
ND
ED  EF
( )
1  ge kT

EF
Chap: I -102-
 
Aux températures ordinaires on a: N D  ND

n  Naccepteurs  p  Ndoneurs
2
n  p  ni
2
ni
n  p  Nd n  Nd
n
N d  4ni  N d
2 2

n  Nd
2
(EC  EF )/kT
n  NC e

EC  EF  kT ln  NC N D  -103-
Chap: I
 Concentration des électrons dans un
semiconducteur dope

n  N C exp (EC  EF )/kT  

N C exp (EC  Ei  Ei  EF )/kT  
N C exp (EC  Ei )/kT exp (Ei  EF )/kT 

ni

n  ni exp(E F  Ei )/kT 

Chap: I -104-
 Semiconducteur type p
Type P : insertion d’atomes possédants 3 électrons de valence dans
le réseau cristallin du Si.
Un lien laissé vacant est rempli par un électron de l’atome de Si
voisin, ce qui créé un trou dans la bande de valence. Le dopage
produit des porteurs chargés positivement (trous), d’où dopage de
type P.

Bore (B) Silicium (Si)

Silicium
type-p (trous)
dopants
“accepteurs”
Chap: I -105-
 L’atome de bore
Le Bore (B) est le numéro 5
dans le tableau périodique

Il dispose de 5 protons et
5 électrons.
3 de ces électrons sont
dans sa couche externe

Chap: I -106-
 Semiconducteurs dopés p
Si Si Si Si Si Si Si

Si B Si Si B Si Si

Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si B Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si

Chaque atome dopant de type p prend un électron, il y a donc création d'un

trou dans le réseau
Chap: I -107-
 Dopage - Rendre le silicium de type p
Comme précédemment, on
enlève un atome de silicium
du réseau cristallin ...

Cette fois ci, il est

remplacé par un atome de
bore

Notons que nous avons un

trou dans une liaison - ce
trou est donc libre pour la
conduction

Chap: I -108-
 Dopage - Rendre le silicium de type p
Enlevons un autre atome de
silicium ...

et le remplacer par un
autre atome de bore

Comme d'autres trous sont

disponibles pour la conduction,
nous avons augmenté la
conductivité du matériau

Le bore est le dopant dans Si nous appliquons maintenant une différence de

ce cas, potentiel à travers le silicium ...

Chap: I -109-
 Dopage - Rendre le silicium de type p

Un courant
circule - cette
fois porté par les
trous positifs
note:
Les trous
positifs se
déplacer vers la
borne négative

Chap: I -110-
 Energie d'ionisation (eV)
des impuretés dans Si et Ge

Impureté
Si Ge
Comportement Type

B 0.045 0.010
Accepteur
Ga 0.065 0.011

Energie d'ionisation (eV) des impuretés dans GaAs

Colonne du
tableau II IV VI
de classification

Éléments Be Si Ge S Se

Type "P" 0.028 0.035 0.040

Chap: I -111-
 Ionisation des impuretés
énergie d’ionisation des impuretés

ionisation complète
des accepteurs:

p  NA

S.M.Sze

Chap: I -112-
 Nombre de dopant accepteurs ionisés

Le nombre NA de dopant accepteurs ionisés peut s’écrire :

 NA
N  ( E A  EF ) / kT
1  g e
A

Aux températures ordinaires on a: N A  N A

Chap: I -113-
 concentration des trous dans
semiconducteur dope

p  NV exp (E F  EV )/kT  
NV exp (E F  Ei  Ei  EV )/kT  
NV exp (Ei  EV )/kT exp (E F  Ei )/kT 

ni

p  ni exp(Ei  EF )/kT 

Chap: I -114-
 Loi d’action de masse

p  n  ni exp (Ei  EF )/kT  ni exp (EF  Ei )/kT 

10 3
ni ~ 10 cm ( Si )
n  p  Nc Nve
 Eg / kT
n p  n 2
i 6 3
ni ~ 10 cm (GaAs)

Neutralité de charge
En générale
les accepteurs
et les
n  N A  p  ND
donneurs
peuvent être
présents
ions négatifs
Chap: I -115- ions positifs
 Porteurs majoritaires et minoritaires

électrons trous

Dopé -n porteurs Porteurs

(ND > NA) MAJORITAIRES MINORITAIRES

dopé - p Porteurs porteurs

(ND < NA) MINORITAIRES MAJORITAIRES

Chap: I -116-
 Porteurs majoritaires et minoritaires

de: p n nn  n 2
i
et nn  N A pn  N D
électrons majoritaires :

1
nn  ND  N A  N D  N A   4n 
2 2

2  
i

N D  N A  nn  N D  N A

Trous minoritaires : pn  ni2 / nn

Chap: I -117-
 Porteurs majoritaires et minoritaires

de: ppnp  n 2
i
et n p  N A p p  N D
Trous majoritaires:

1
pp  N A  ND  N D  N A   4n 
2 2

2  
i

N A  N D  p p  N A  N D

électrons minoritaires :
n p  ni2 / p p

Chap: I -118-
 Semiconducteur non-dégéneré

n  N C  EF  EC
et

p  NV  EF  EV
 Le niveau de Fermi sera repositionné selon le type de dopage
suivant les expressions :

NC
 E FN  EC  kT ln dopage de type N
ND
NV
 E FP  EV  kT ln dopage de type P
NA
Chap: I -119-
 En général, les concentrations de porteurs obtenues par
dopage sont beaucoup plus grandes que les
concentrations générées thermiquement donc:

 n ≈ ND pour un semiconducteur dopé N,

 avec ND : concentration de donneur.

 p ≈ NA pour un semiconducteur dopé P,

 avec NA : concentration d’accepteur.

Chap: I -120-
 Semiconducteur à l’équilibre
Le niveau de Fermi dans une structure à l’équilibre

Propriété fondamentale: quelle que soit la structure du matériau

(homogène ou non), le niveau de Fermi est le même partout à
l’équilibre thermodynamique.

 Illustration

Quelle est la particularité du dopage pour ces deux figures ?

Chap: I -121-
 Influence de la température
sur la concentration des porteurs

Variation du Niveau de Fermi en fonction de la température

S.M.Sze

Chap: I -122-
 Variation de la conduction d’un semi-conducteur
dopé en fonction de la température

Tous les « donneurs

sont ionisés

3 régimes:
•Extrinsèque
•Épuisement des donneurs
•Intrinsèque

-123-
 Détermination de la loi de variation de la densité des
porteurs en fonction de la température

Zone d’ionisation des donneurs: T ~ 0°K: L’ionisation des

donneurs suit la statistique de Fermi-Dirac. On a donc:

ND
N D 
ED  EF
1  g  exp 
kT
1
  N  f p ( E D)
   D
1  exp   E D E F  Ionisation
 kT  des
Donneurs

La densité des électrons étant égale à

celle des donneurs ionisés, on a donc:

nN
1/T1
D

La variation asymptotique est donc une droite.

 Détermination de la loi de variation de la densité des
porteurs en fonction de la température

Zone d’épuisement des donneurs:

Lorsque tous les donneurs sont ionisés, la

densité des porteurs reste constante
tant que l’énergie n’est pas suffisante
pour faire sauter des électrons de la
bande de valence (EG >>EC-ED).
Epuisement
des

La densité des porteurs vaut alors:

Donneurs

Ln (n) = Ln ( ND). Ionisation

des
Donneurs

1/T1
 Détermination de la loi de variation de la densité des
porteurs en fonction de la température

Zone Intrinsèque :
Lorsque la température devient suffisamment élevée, il est possible de faire passer
des porteurs de la BV à la BC.

On génère alors des paires électron-trou. La

BV permettant de créer un nombre très Zone intrinsèque

important de porteurs , ceux issus du niveau

donneur sont rapidement en quantité
Epuisement
négligeable et le matériau se comporte alors des
comme un matériau intrinsèque. Donneurs

Ionisation
L’intersection des asymptotes permet de des
Donneurs
déterminer les températures T1 et T2 qui limitent
les différentes zones. Il faut donc calculer les 1/T2
valeurs correspondantes afin de positionner la 1/T1

température ambiante. Le calcul montre qu’elle se

situe sur le plateau, dans la zone d’épuisement. La
courbe représentative est tracée en bleu.
 Equation des asymptotes à la courbe Ln(n)=f(T).


Dans la zone d’ionisation, la densité des atomes d’impuretés ionisées s’écrit: N D  N D
1  N Dexp E DE F 
  
1exp  E D E F   kT 
Cette expression fait apparaître le niveau de Fermi dont on ne connaît pas la position.  kT 
Il faut donc disposer d’une deuxièmeéquation faisant intervenir celui-ci. C’est l’équation de définition de la densité des porteurs que nous
avons établi au début de ce cours. n N *exp ECE F En égalant ces deux expressions, on peut éliminer E F. On obtient alors la loi de
kT
variation n=f(T) dans cette première zone.
 
On obtient: Ln (n) 1 Ln(NN D) ECE D On a donc une droite de pente  EC E D Et d’ordonnée à l’origine: 12 Ln(N N D)
2k
2 2kT

La zone d’épuisement des donneurs permet d’écrire: Ln (n) Ln(N D)

Pour la zone intrinsèque, le niveau de Fermi se situe au milieu de la bande interdite donc, E F = (EC-EV)/2. En reportant dans l’équation qui

donne n, on obtient: Ln(n )Ln (N)  E2CkTEV On obtient aussi une droite de pente  ECEV et d’ordonnée à l’origine Ln(N) .
2k

La détermination des valeurs des températures limites des zones se fait en égalant deux à deux les équations.
 
Pour T1: Ln (N D) 1 Ln(NN D) EC E D soit: T 1 EC END
2 2kT 1 kLn( )
ND
ECEV
Pour T2: Ln(N D)Ln(N)  ECEV soit: T 2
2kT 2 2kLn( N )
ND
Application numérique:
ND = 10 15 cm-3 On obtient:

EC-ED = 0,04 eV T1 = 50 °C T2 = 636,8 °C

Silicium: EG = 1,12 eV, N = 2,7 10 19 cm-3

On peut remarquer que la température ambiante est bien au milieu du plateau. Le matériau est donc stable
en température et on peut affirmer que, à température ambiante, toutes les impuretés sont ionisées.
 Variation de la conduction d’un semi-
conducteur dopé en fonction de la
température

Tous les « donneurs

sont ionisés

3 régimes:
•Extrinsèque
•Épuisement des donneurs
•Intrinsèque

Chap: I -128- 128

 Exercice: Un échantillon de Si est dopé avec 1017 atomes d’As/cm3.
-Quelle est la concentration d'équilibre trou p à T=300 K?
- Où se trouve EF relatifs à Ei ?
- Quelle est l'expression de ni à T?
- Si ni à T est égale à Nd, quelle est l'expression de n et p à T?
Puisque N d  ni , on peut approcher n = Nd et
Ec
EF
ni2 2.25 1020 cm-3 0.407 eV
p   2.25  10 3
Ei
n 1017
n
EF  Ei  kT ln  0.407 eV Ev
ni
 2kT 
3/ 2

ni (T )  2 2  (m n* m *p ) 3 / 4 exp( E g / 2kT )
 h 
Puisque N d  ni , on ne peut pas négliger ni ou p
 5 1
 n  N d  1.618  N d

2
n 2
n  N d  p  N d  i  
n  p  5  1 N  0.618  N
Chap: I -129-  2
d d
 Exercice: Quel genre de mécanisme d'excitation peut provoquer
une transition d’un e- du haut de la BV vers le bas de la BC?

• Energie thermique ?
• Champ électrique ?
• Rayonnement électromagnétique ?

Pour avoir une configuration bande remplie en partie dans un SC, on

doit utiliser un de ces mécanismes d'excitation

Chap: I -130-
 Réponse
1-Energie thermique? :
Energie thermique = k xT = 1.38 x 10-23 x300= 25 meV
Taux d’éxcitation = constant x exp(-Eg / kT)
Bien que l'énergie thermique à température ambiante, BC
partiellement
TA, est très faible, soit 25 meV, quelques électrons
rempli
peuvent promouvoir vers la BC.
Eg
Les électrons peuvent promouvoir vers la BC par le
BV
biais de l'énergie thermique partiellement
rempli

Diagramme de bande d'énergie

Cela est dû à l'augmentation exponentielle de la
d'un SC à une température finie.
fréquence d'excitation lorsque la température
augment
Le taux d’éxcitation est une fonction
fortement dépendante de la température.

Chap: I -131-
 2- Un champ électrique :
• Pour les champs faibles, ce mécanisme ne permet pas de
promouvoir les électrons dans la BC. point commun des sc, tels
que Si et GaAs.

• Un champ électrique de 1018 V / m peut fournir une énergie de

l'ordre de 1 eV. Ce champ est énorme.

Ainsi, l'utilisation du champ électrique comme mécanisme d'excitation

n'est pas bonne façon de promouvoir les électrons dans les

Chap: I -132-
 3- Rayonnement électromagnétique :
c 1.24
E  hn  h  (6.62 x1034 J  s)  (3x108 m / s) /  (m)  E (eV ) 
  (en m m)

h = 6.62 x 10-34 J-s

c = 3 x 108 m/s
1 eV=1.6x10-19 J
Proche
infrarouge

1.24
Pour le silicium Eg  1.12eV ;  ( m m)   1.1m m
1.12

Pour promouvoir des électrons de la BV vers la BC de silicium, la

longueur d'onde des photons doit de 1.1 μm ou moins

Chap: I -133-
 -134-
Exercice:Pour GaAs, calculer l’énergie de photon typique
(Eg  1.43 eV ) et sa quantité de mouvement, et la comparer avec
l’énergie de phonon typique et sa quantité de mouvement dont on
pourrait s'attendre dans ce matériau

Photon Phonon

Ephoton  Eg (GaAs)  1.43 eV Vs Vs

E phonon  hn  h h
 a0
C
E photon  hn  h  phonon a0  constante du réseau

 5.65 1010 m
C  3 108 m / s
Vs  5 103 m / s (vitesse du son)
h
Pphoton  avec h  6.63  1034 J  s
 Vs
E phonon  h  0.0037 eV
1.24 a0
 photon   0.88 m m
1.43
h
h Pphonon   1.17  10 24 Kg  m / s
Pphoton   7.53 1028 Kg  m / s a0

 • L'énergie du photon = 1,43 eV
• L'énergie des phonons= 37 meV
• impulsion du photon= 7.53 x 10-28 kg.m/s
• impulsion du phonon = 1.17 x 10-24 kg.m/s

Le Photon porte une grande énergie, mais une

quantité de mouvement négligeable.

D'autre part, le phonon portent très peu d'énergie,

mais une quantité de mouvement significative
.

Chap: I -135-
 4 4
GaAs bande de bande de
Si
conduction conduction
3 3

2 2
Energie (eV)

Energie (eV)
ΔE=0.31
1 1
Eg Eg

0 0

-1 -1
bande de bande de
Valance Valance
-2 -2
[111] 0 [100] k [111] 0 [100] k

Structures de bandes d'énergie de GaAs et de Si

Chap: I -136-
 4
GaAs bande de Largeur de bande est la plus petite
conduction
séparation d’énergie entre les bords
3
la bande de valence et la bande de
conduction.
2
Energie (eV)

ΔE=0.31
1
Eg La plus petite différence d'énergie a lieu à
la même valeur de la quantité de
0
mouvement

-1
bande de
Valance semi-conducteurs à bande interdite
-2
0 k
direct
[111] [100]
Structure de bande d'énergie de GaAs

Chap: I -137-
 4
Le plus petit gap d’’énergie se trouve Si bande de
entre la partie supérieure de la VB conduction
pour k = 0 et un des minima de la CB 3
loin de k = 0
2

Energie (eV)
semi-conducteurs à bande interdite 1
indirecte Eg

-1
bande de
Valance
-2
[111] 0 [100] k

Structures de bandes d'énergie de Si

Chap: I -138-
 25
Couleurs dues à des impuretés

(semi-conducteurs extrinsèques)

BC

Défauts dans la bande interdite donneur

accepteur

BV

Eg = 5,4 eV
exemple du diamant
incolore

Chap: I -139-
 Diamant jaune
B.C.
Impureté N C = 12 e
e-
N = 13 e N

4 eV Ed = 2,2 ev

5,4eV

niveau donneur 4 eV N donneur

5,4 eV

B.V.

transition N bande de conduction

bande d’impureté large
absorption dans le violet (2,2 eV) jaune

Chap: I -140-
 Diamant bleu ‘Hope’
e-
C = 12 e
Impureté B
B = 11 e B

niveau accepteur 0,4 eV 5,4 eV

transition bande de valence B

absorbe dans le rouge bleu

Chap: I -141-
 Exercice:
Pourquoi le silicium est Noir et brillant?

Chap: I -142-
 Réponce:
•Nous devons savoir que la bande interdite de Si est:

Egap = 1.2eV

•Nous devons aussi savoir que, pour la lumière visible, l'énergie du

photon est dans la gamme:

Evis ~ 1.8 – 3.1eV

Ainsi, pour le silicium, Evis est plus grand que Egap

•Donc, toute la lumière visible est absorbée et silicium apparaît en

noir

Alors, pourquoi est Si est il brillant?

•La réponse est un peu subtile: l'absorption de photons important

se produit dans le silicium, car il y a un nombre important
d'électrons dans la bande de conduction. Ces électrons sont
délocalisés. Ils diffusent des photons.

Chap: I -143-
 Exercice:
Pourquoi GaP est-il jaune?
Pour répondre à cette question:
• Nous devons savoir que la bande interdite
de GaP est:
Egap = 2.26 eV

Ceci est équivalent à un Photon de longueur d'onde  = 549 nm.

• Donc les photons avec E = hn > 2.26 eV (c.-à-vert, bleu, violet)
sont absorbés.
• Et les Photons aussi avec E = hn < 2.26eV (c.-à-jaune, orange,
rouge) sont transmis.
• En outre, la sensibilité de l'oeil humain est plus grand pour le
jaune que pour le rouge , de sorte que

GaP apparaît Jaune / Orange.

Chap: I -144-
 Couleurs des Semi-conducteurs
Evis= 3.1eV 1.8eV

UI B V J O R

Si l'énergie des photons est Evis > Egap  Les photons sont absorbés

Si l'énergie des photons est Evis < Egap  Photons sont transmis

Si l'énergie de photon est dans la gamme de Egap ceux ayant une

énergie supérieure à Egap sera absorbée.

On voit la couleur de la lumière transmise.

Si toutes les couleurs sont transmis la lumière est blanche

Chap: I -145-
 ZnS
ZnSe
Eg = 3,6 eV
Zn Eg = 2,58 eV S

Cd Se

CdS CdTe

Eg = 2,42 eV Eg = 1,50 eV

Chap: I -146-
 Exercice:
Pourquoi le verre est transparent?
•Le verre est un isolant (largeur bande interdite). Il est
difficile pour les électrons de sauter à travers une
grande bande d'énergie : Egap >> 5eV

Egap >> E(lumière visible) ~ 2.7- 1.6eV

•Tous les photons de couleur sont transmis, sans

absorption, d'où la lumière est transmise et le matériau
est transparent.

Chap: I -147-
 Transmission et Absorption
•On définit la transmission et l'absorption par
La Loi de Lambert : I = Ioexp(-x)

Io = intensité du faisceau incident,

I = intensité du faisceau transmis
x = distance de pénétration de la lumière dans un
matériau à partir d'une surface
  coefficient d'absorption linéaire totale (m-1)
 tient compte de la perte d'intensité à partir des
centres de diffusion et des centres d'absorption.  tend
vers zéro pour un isolant pur

Chap: I -148-
 Exercice:
Comment se déroule le processus d'absorption
de photons?

Les photons interagissent avec le réseau

Les photons interagissent avec des défauts

Les photons interagissent avec les électrons de valence

Les photons interagissent avec .....

Chap: I -149-
 Processus d'absorption dans les semiconducteurs

Coefficient d'absorption (, cm-1)

UV IR
Important
region:

Eg ~ Evis

Photon Energy (eV)

Spectre d'absorption d'un semi-conducteur.
Chap: I -150-
 Absorption

Un des phénomènes importants dans la description des

propriétés optiques des semi-conducteurs

• La lumière (rayonnement électromagnétique) interagit avec la

structure électronique de la matière.
L'interaction initiale est Absorption

• Cela se produit parce que les électrons de valence sur la surface

d'un matériau absorbent l'énergie du photon et se déplacent vers
des Etats plus énergétiques.

• Le degré d'absorption dépend, parmi bien d'autres choses, du

nombre d'électrons de valence capables de recevoir l'énergie du
photon.

Chap: I -151-
 Processus d'absorption dans les semiconducteurs

Le processus d'interaction photons-électrons dépend évidemment

fortement de l'énergie du photon.

Photons d’énergie plus faible interagissent principalement par

ionisation ou excitation des électrons de valence du solide.

Photons à faible énergie (<10 eV) sont dans l'infrarouge (IR), le

visible et l’ultraviolet (UV) dans le spectre électromagnétique.

Photons à haute énergie (>104 eV) sont dans la région des rayons X &
Gamma du spectre électromagnétique.

L'énergie des photons minimum pour exciter et / ou ioniser les

électrons de valence d'un solide est appelée

Limite d'absorption ou Seuil d'absorption.

Chap: I -152-