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Le contact

Métal / Semiconducteur
4
La diode Schottky
Présentation du composant
Type de diode Symbole Utilisation
Diode Utilisation courante (basse
« classique » I fréquence) : non linéaire et
(jonction PN) linéaire
U

I
Diode Zener Stabilisation de tension
U

LED/photodiode I Optoélectronique
U
I
Diode Schottky Utilisation en haute
U fréquence
Chap: IVV -2-
Présentation du composant
Type de diode Symbole Utilisation
Diode Utilisation courante (basse
« classique » I fréquence) : non linéaire et
(jonction PN) linéaire
U

I
Diode Zener Stabilisation de tension
U

LED/photodiode I Optoélectronique
U
I
Diode Schottky Utilisation en haute
U fréquence
Chap: IV -3-
Jonctions Métal-Semiconducteur (MS)

 Les jonctions Métal-Semiconducteur (MS) sont d'une grande


importance car ils sont présents dans tous les dispositifs semi-
conducteur. Ils peuvent se comporter soit comme une barrière
de Schottky ou comme un contact ohmique suivant la nature du
métal et du semiconducteur donc des caractéristiques de
l'interface

 La diode métal semiconducteur est constituée d’un contact


établi entre un métal et un semiconducteur, en général dopé.
C’est le plus vieux dispositif électronique connu, datant de la fin
du 19ème siècle, les premiers redresseurs solides et les premiers
postes à galène étant par exemple basés sur cette structure. La
première théorie de fonctionnement, proposée par Bethe, ne
remonte cependant qu’à 1938.

Chap: IV -4-
Structure d'une jonction
métal-semiconducteur

Elle est constitué de:


- un métal en contact avec un morceau de semiconducteur.
- un contact ohmique idéale de l'autre côté du semi-conducteur.

semiconducteur
métal Contacte
Ohmique

Anode Cathode

Type-n

I
0 xd x

+ -
Va

Chap: IV -5-
Bandes d’énergie Metale Semiconducteur

Considérons d'abord le schéma de bandes d'énergie du métal et le


semiconducteur. Le niveau de Fermi du métal est dans sa bande de
conduction
Chap: IV -6-
Affinité électronique
Quelques définitions
– Travail de sortie qm : c’est l’énergie qu’il faut fournir à un
électron dans le métal pour l’extraire du métal. On l’appellera qm
et son unité sera l’électronvolt. Il est définit comme la différence
entre le niveau de vide et le niveau de Fermi dans le métal.

– Affinité électronique q : l’affinité électronique qui est la


différence d’énergie entre le niveau de vide et la bande de
conduction BC.
q   E0  EC
Quelques chiffres
o Li: m=2,3 eV ; Na: m=2,3 eV ; Pt: m=5,3 eV ; Ni: m=4,5 eV

o Si: q=4,05 eV ; Ge: q=4,13 eV ; GaAs: q=4,07 eV ; InAs: q=4,9 eV

Chap: IV -7-
Contact Schottky
Diagramme des bandes d’énergie
 Métal et semiconducteur séparés: le niveau d’énergie du vide est aligné
Métal Semiconducteur N
E0
niveau d’énergie du vide
q q
q s
m
EC
EFS
EFM
Metal
EV
Le travail de sortie Semiconducteur

L’affinité électronique
q  E0  EFM
m q   E0  EC
l’énergie nécessaire pour prendre un
électron situé au niveau de Fermi du métal
et l’emmener à l’infini.
Chap: IV -8-
Contact Schottky
Diagramme des bandes d’énergie
 Métal et semiconducteur au contact ici qm  qsc
Métal Semiconducteur N E
0

q q
q sc
m
EC
q  q(   )
Bn m EFS
EFM
Metal
EV
Semiconducteur

les énergies de Fermi du métal et le semiconducteur ne changent pas tout


de suite. Cela donne le schéma de bande plate « flatband »
La hauteur de la barrière, Bn, est défini comme la différence de potentiel
entre l'énergie de Fermi du métal et la limite de bande où les porteurs
majoritaires résident.
Chap: IV -9-
Contact Schottky
Diagramme des bandes d’énergie
 Métal et semiconducteur non séparés
Métal Semiconducteur N
E0
q
m q q
s

q  q(   )
Bn m EC
EFS
Metal EFM

EV
Semiconducteur
Pour les matériau de type p, la hauteur de la barrière , Bp, est donné
par la différence entre la limite de bande de valence et de l'énergie de
Fermi dans le métal:
q  Eg  q (   )
Bp m

Chap: IV -10-
Contact Schottky
Diagramme des bandes d’énergie
 Métal et semiconducteur après contacte
Métal Semiconducteur N
E0
q
m q q
s

q  q(   ) qVbi
Bn m EC
EFS
Metal EFM

EV
E Semiconducteur
Au contacte, des électrons passent du semiconducteur vers le métal ce qui
donne naissance à un champ électrique de rappel du aux ions fixes dans le
semiconducteur
En outre, nous définissons le potentiel de diffusion, Vbi, comme la différence
entre l'énergie de Fermi du métal et celle du semiconducteurs.
Chap: IV -11-
Barrière Schottky
 A l’équilibre thermodynamique, les niveaux de Fermi du métal et du
semiconducteur s’alignent.

 Loin du contact, du coté semiconducteur, les niveaux des BV, BC et


du vide conservent leur position respective par rapport à EF. Le niveau
d’énergie du vide est continu au contact.
 Parce que les travaux de sortie respectifs sont différents, une
courbure de bande apparaît essentiellement dans le
semiconducteur, près de la zone de contact.
 Comme pour une jonction PN, la barrière est abaissée ou renforcée
selon le signe de la polarité appliquée
 Une barrière de Schottky se réfère à un contact métal-
semiconducteur ayant:
- une barrière de potentiel élevée: Bn , Bp  kT
-une faible concentration de dopage (moins que la densité
d'états dans la bande de conduction ou de bande de valence)
 la zone déplétée est très mince: typiquement 5 nm
Chap: IV -12-
Evaluation théorique de métaux pour les contacts

Types de contacts
Ohmique:
-hauteur de la barrière des
électron ≤ 0.
-courbe I(V) Linéaire

Schottky:
-hauteur de la barrière des
électron> 0.
- courbe I(V) exponentielle.

Chap: IV -13-
Barrière Schottky

Au contacte, des électrons passent du semiconducteur vers le


métal  Champ électrique de rappel du aux ions fixes dans nSi

A l'équilibre, un nombre égal d'électrons traverse l'interface


dans des directions opposées.

Ainsi, le courant des électrons est égale à zéro.

La barrière pour les électrons pour passer du métal au semi-


conducteur est donnée par qbn = q(m - χs) qui est appelé
Barrière Schottky de contact MS.

Chap: IV -14-
Diagrammes de bandes d’énergies à l’équilibre
thermodynamique pour la jonction
métal-semiconducteurs type-n et type-p
semiconducteur type-n semiconducteur type-p

 Bn
  
M  
Eg
   M
Bn q
EC  EFn EC  EFp
Vbi  Bn  n  M    Vbi  Bn  n    M 
q q

Chap: IV -15-
Barrière Schottky
Nature électrique du contact MS idéal
Semiconducteur type -n Semiconducteur type -p

appauvrissement Ohmique

Métal Métal
M > s EC EC
EF EF

EV EV

Ohmique appauvrissement
M < s
Métal EC Métal EC
EF EF

EV EV

Chap: IV -16-
Barrière Schottky

Travail de sortie de quelque métaux et leurs hauteurs de


barrières mesurées sur Ge, Si et GaAs

Ag Al Au Cr Ni Pt W
M(dans le 4.3 4.25 4.8 4.5 4.5 5.3 4.6
vide)
n-Ge 0.54 0.48 0.59 0.49 0.48
p-Ge 0.5 0.3
n-Si 0.78 0.72 0.8 0.61 0.61 0.9 0.67
p-Si 0.54 0.58 0.34 0.5 0.51 0.45
n-GaAs 0.88 0.8 0.9 0.84 0.8
p-GaAs 0.63 0.42

Chap: IV -17-
Cas où : m > S
 Il y a appauvrissement du semiconducteur de type n dans la zone de
contact et création d’une zone de charge d’espace de largeur W. Cette
charge positive est compensée à la surface du métal par une charge
négative, donc très près de la jonction métallurgique.

 Du fait de la très forte concentration électronique dans le métal,


l’extension de la zone de charge d’espace côté métal s’effectue sur une
fraction de monocouche atomique.
E
Métal Semiconducteur

E0
La hauteur de barrière énergétique de
la diode Schottky à la jonction
q q métallurgique est définie comme :
m
s
EC
qBn
EF
qBn  EC  EF
EV

la désertion du semiconducteur et la création d’une barrière d’énergie


vont limiter la conduction à travers la structure. Un effet diode peut être
attendu.
Chap: IV -18-
Contact Schottky. Cas où : m > S
Diagramme des bandes d’énergie
Métal Semiconducteur N

Largeur de déplétion:
Eo
2 sVbi
q
Si W
m qN D

q qVbi
Bn
Équilibre (VA= 0)
Ec -> EF continu,
EF constant

 Bn  m  
Ev
W
Chap: IV -19-
Mesure de Hauteur de Barrière de potentiel pour un
contact métal-Semiconducteur type n

Résultats expérimentaux

Variations de
qB vs qm

Chap: IV -20-
Cas où : m < S
 Le niveau de Fermi se rapproche de la bande de conduction , Il est
près du contact métallurgique. Il y a donc accumulation d’électrons à
l’interface et le semiconducteur se comporte alors comme un matériau
très dopé.
Métal Semiconducteur
E E0

q
q
s

EC
EF

EV

 L’absence de barrière de potentiel et de zone désertée ne limite pas le


transport au contact et nous avons dans ce cas un contact électrique qui
peut être considéré comme « ohmique ». Ceci signifie que la conduction
est limitée par le volume du semiconducteur et non pas par le contact.
Chap: IV -21-
Cas où : m < S p-type

Métal Semiconducteur N
Eo

Largeur de déplétion:
Si
2 sVbi
W
qN A
Ec
M
Équilibre (VA= 0)
-> EF continu,
constant
EF
Ev
Bp qVbi = Bp– (EF – Ev)FB  Bp =  + EG -  M

W
Chap: IV -22-
Zone de charge d’espace
 La barrière de potentiel Vbi « built-in potential » correspond au
potentiel interne à l’équilibre thermodynamique
 les électrons doivent vaincre cette barrière de potentiel pour passer
de la BC du semiconducteur dans le métal.

 Vbi est compté positivement dans le sens métal/semiconducteur. Ci-


dessous, Vbi est négatif.

E  Equation de Poisson
Métal Semiconducteur
(dopages constants):
E0 
q V 
2

s
q qVbi  q(m  s )
m
q
qBn s
EC
EF

dE  q
EV E    ( p  n  ND )
dx  s  s

Chap: IV -23-
Zone de charge d’espace

 Hypothèse : on néglige dans la zone de charge


d’espace p et n devant ND.
0  x W  s  qN D
 s qN D dE qN D
V 2
 E  
s s dx s
 s ( x) qN D qN qN D
E   dE   dx  x  C1  D x  W
s s s s
E
 On retrouve la formule de Kingston-Neustader :

qN D qN D x2
E ( x)  (x W ) V ( x)  (Wx  )  Cte
s s 2 Em  
qN D
W
s

qN DW 2 2 s
Vbi  W Vbi
2 s qN D
-24-
Chap: IV
Zone de charge d’espace
 En ne négligeant plus la concentration des porteurs libres dans la zone
de charge d’espace, l’application de la fonction Kingston-Neustader
permet d’ajouter le terme correctif :

2 s kT
W Vbi 
qN D q

 Ce terme correctif peut prendre de l’importance lorsque la hauteur de


barrière Vbi est relativement faible, c-à-d inférieure à 0,3V à 300K.

 La densité de charge par unité de surface à l’équilibre


thermodynamique s’exprime par :
Exp : pour Si avec ND = 1017cm-3 et
Q  qN DW  2 s qN D ( Vbi  kT / q) Vbi = 0,5 Volt  QSC ≈ 10-7 C/cm2

 Le plus souvent on néglige le kT/q et la largeur de la Zone de charge


d’espace est donnée par:
2 s
W Vbi
qN D
Chap: IV -25-
Diagrammes de bandes d’énergies pour la jonction
métal/SC type-n et type-p en polarisation directe

Quand une tension est appliquée, la hauteur de la barrière qbn reste


fixe, mais la tension de diffusion change en augmentant en polarisation
inverse et diminuent en polarisation directe.
semiconducteur type-n semiconducteur type-p

En appliquant une tension V>0 sur le métal par rapport au SC, cela
diminue le champ interne et donc diminue la différence de potentiel total.
Donc beaucoup d'électrons se déplaceront à travers l'interface du SC
vers le métal en raison de la barrière réduit. Par conséquent, le courant
électronique circule de gauche à droite.
Chap: IV -26-
Diagrammes de bandes d’énergies pour la jonction
métal/SC type-n et type-p en polarisation inverse

semiconducteur type-n semiconducteur type-p

Quelques électrons traversent l'interface du métal vers le SC en raison


de la barrière inchangée, mais il est devenu plus difficile aux électrons
du SC de passer vers le métal.
Ainsi, un faible courant d’électrons circule donc de la droite vers la
gauche.
Chap: IV -27-
 En appliquant une tension V sur le métal par rapport au SC, la
concentration équivalente de porteurs traversant la structure reste faible
par rapport à la concentration d’atomes dopants ionisés.

 Si la tension appliquée V est positive, cela revient à diminuer le champ


interne et donc à diminuer la différence de potentiel total.

2 s
W (Vbi  V )
qN D

Distribution
de charge

Distribution du
champ électrique
Chap: IV
-28-
Capacité
Q q s N D 
C   s
V 2 Vbi  V  W

1 2 Vbi  V 
 pente 
2
C 2
q s N D q s N D

C’est une ligne droite


 profil de dopage constant

Pente donne la
concentration de dopage
 
2  1 
ND 
  
q s  d 1
C2
/ dV


Vbi Courbe 1/C2 en fonction de la tension
appliquée pour les diodes
Intersection = Vbi peut être
W-Si et W-GaAs
utilisé pour trouver  Bn
Si ce n'est pas une ligne droite, la courbe
Chap: IV -29- peut être utilisé pour trouver le profil.
Transport dans la jonction

Equilibre Polarisation Polarisation


Thermodynamique directe inverse

J = Jsm(V) – Jms(V)
Jms(V) = Jms(0) = Jsm(0)
Chap: IV -30-
Transport dans la jonction
Equilibre thermique

Nombre d'électrons aillant une énergie thermique suffisante


pour surmonter la barrière:

  qBn 
 
nth  N C e  kT 

À l'équilibre thermique, le courant est le


même des deux côtés:

  qBn 
 
jms  js m  C1 NC e  kT 

Chap: IV -31-
Théorie de transport dans la jonction
Polarisation directe
Dans une barrière Schottky, 4 différents mécanismes de transport de
charges peuvent exister simultanément ou séparément et être
responsables du passage du courant. On considère le cas d’un
semiconducteur de type n.

(1) Courant dû au transport Semiconducteur


Métal
d’électrons du semi-conducteur vers 1
le métal au dessus de la barrière. 2
3
4
(2) Courant dû au passage des EC
qV
électrons à travers la barrière par EF

effet tunnel

(3) Recombinaison dans la zone de EV


charge d’espace

(4) Recombinaison dans la région


neutre.
Chap: IV -32-
Transport dans la jonction
Polarisation directe
 Franchissement de la barrière par les Métal
1
Semiconducteur

électrons de la bande de conduction:


processus le plus fréquent. Plus la hauteur EC
de barrière sera faible, plus les électrons qV EF
pourront passer. Cette barrière peut être
abaissée en polarisant positivement le métal EV
par rapport au semiconducteur.

 Franchissement de la barrière par effet Semiconducteur


Métal
tunnel: les électrons de la BC traversent la 2
barrière par effet tunnel. Ce phénomène ne
peut se produire que lorsque la zone de qV
EC
EF
charge d’espace s’étend peu c-a-d pour des
dopages élevés du semiconducteur.
EV

Par exemple, si ND = 5. 1018cm-3, pour qΦB = 0,4eV, W ≈ 80Å,


ξmax ≈ 106V/cm.

Chap: IV -33-
Transport dans la jonction
Polarisation directe
 Processus de génération-recombinaison
Semiconducteur
dans la zone de charge d’espace: un électron Métal
de la BV passe dans le métal et laisse
3
derrière lui un trou dans le semiconducteur. EC
qV
Ce trou s’éloigne du métal dans la ZCE, et se EF

recombine avec un électron de la BC.


EV

 Processus de génération-recombinaison Métal


Semiconducteur

dans le volume neutre:


processus similaire au précédent, mais dans 4
EC
ce cas, la recombinaison se produit dans le qV EF
volume neutre du semiconducteur.
EV

 En régime de conduction direct, le processus dominant est le premier


(l’effet tunnel étant négligeable).

Chap: IV -34-
Emission au dessus de la barrière

Dans ce cas, le courant est dû au passage des porteurs au dessus


de la barrière. Ce courant a été décrit par plusieurs théories
dont l’application dépendra des propriétés du semi-conducteur à
savoir celle de:

o théorie thermoïonique

o théorie de la diffusion.

othéorie regroupant les deux premières.

La différence entre les théories de diffusion et de l’émission


thermoïonique est le comportement de quasi-niveau de Fermi
des électrons dans le semi-conducteur.

Chap: IV -35-
Cette différence peut être récapitulée comme suit:
1- Dans le cas de l’émission thermoïonique, les électrons du
semiconducteur qui traversent la barrière pour pénétrer dans le
métal ne sont pas en équilibre avec ceux de ce dernier. Ce sont
des électrons chaud, mobiles dans le métal qui perdent leurs
énergies à la suite de collisions. Le quasi-niveau de Fermi est plat
dans tout le semiconducteur et s’abaisse pour rejoindre le niveau
de Fermi de métal à l’intérieur du métal.
Métal Semiconducteur
Théorie
Thermoïonique
2- Dans le cas de la théorie de EC
qV
diffusion, le quasi-niveau de EFM EFS

Fermi coïncide avec le niveau de


Fermi du métal à l’interface. EV

Théorie
De Diffusion

Chap: IV -36-
Conduction des porteurs

 La théorie thermoïonique
E
Elle se limite aux phénomènes de transport Métal Semiconducteur
à l’interface métal/SC. Il n’y a pas de
contribution à la conduction, ni du volume
neutre, ni de la zone de charge d’espace. EC
qV
Le gradient du quasi-niveau de Fermi est EFS

négligé. Ceci implique que le quasi-niveau


de Fermi dans le SC est plat. EV

Le franchissement de barrière est alors fondé sur la probabilité


d’avoir des porteurs dont l’énergie, due à l’agitation thermique, est
supérieure à la hauteur de barrière qu’ils doivent franchir et dont
la composante des vitesses, normale au plan du métal, est orientée
vers le métal.

Cette théorie s’applique aux cas où les électrons ont une forte
mobilité dans le semiconducteur
Chap: IV -37-
Conduction des porteurs

 La théorie de la diffusion

E
cette théorie suppose que les électrons Métal Semiconducteur
migrent du SC au métal par dessus la
barrière en traversant la zone appauvrie
du SC, ce qui restreint le courant direct. qV
EC
EF
En effet ce dernier est limité par la EF

diffusion des porteurs à travers le champ


EV
électrique dans la zone de charge
d’espace.
Cette théorie s’applique aux cas où les électrons ont une faible
mobilité dans le SC.

Dans le cas le plus général, il faut utiliser une combinaison des


deux, appelée théorie mixte

Chap: IV -38-
Théorie thermoïonique

La théorie de l’émission thermoïonique part des hypothèses suivantes :

 la hauteur de barrière d’énergie est grande devant kT,

 l’équilibre thermique est établi,

 l’existence d’un courant n’affecte pas sensiblement cet équilibre.

 nous pouvons supposer l’existence de deux courants indépendants,


l’un injecté par le métal dans le SC, l’autre injecté par le SC dans
le métal.

Chap: IV -39-
Théorie thermoïonique
Calcul de la densité de courant injecté par le SC dans le métal : on
considère que les électrons dont l’énergie est supérieure à la hauteur
de barrière et dont la composante de vitesse, vx est orientée vers le
métal.


js  m   qvx dn x : direction de propagation
dn: la concentration en électrons
EF  qBn
vx la composante de la vitesse suivant
la direction x (normale à l’interface).

 E  EF
3/2
1  2m *  
dn  g ( E ) f ( E )dE  2  2  E  EC exp    dE
2    kT 
g(E) : densité d’état
f(E) : probabilité d’occupation

Chap: IV -40-
Théorie thermoïonique

En appliquant la tension V sur le métal par rapport au semiconducteur,


à l’interface :
E Semiconducteur
EF  EC  qBn  qV
Métal
EC

1 qBn
E  EC  m * v 2 ; dE  m * vdv qV
EC
EF
2
1
E  EC  v m * v 2  vx2  v y2  vz2 EV

 EC  EF  m * v2 
3/2
 2m *  
dn  2  2  exp    exp    4 v 2
dv
 h   kT   2kT 

v 2  vx2  vy2  vz2 avec 4 v 2 dv  dvx dv y dvz

en intégrant :
Chap: IV -41-

On a js  m   qvx dn
EF  qBn

 E  EF
3/2
1  2m *  
dn  g ( E ) f ( E )dE  2  2  E  EC exp    dE
2    kT 
 EC  EF  m * v2 
3
 2m *  
dn  2  2  exp    exp    4 v 2
dv
 h   kT   2kT 


 EC  EF   m * vx2 
3
 2m * 
js  m  2  2  exp     vx exp   dvx
 h   kT  vox  2kT 

 m * v y2    m * vz2 
  exp  
 2kT  y 
dv exp   dvz
     2kT 

 4 qm * k 2  2  EC  EF   m * v 2

 js m   T exp    exp  
0x

 
3
 h  kT  2 kT 
Chap: IV -42-
v0x est la vitesse minimale (dans la
direction x) nécessaire au franchissement 1
de la barrière. Vbi : chute de potentiel
m * vox2  q(Vbi  V )
2
(« built in ») à V = 0. Finalement :

 4 qm * k 2  2  EC  EF  qVbi   qV 
js  m   T exp   exp  
   
3
 h  kT kT
 4 qm * k 2  2  qBn   qV 
  T exp    exp  
 kT   
3
 h  kT

qBn qV

jsm  A*T 2 e kT
e kT

4 qm * k 2
A* est la constante de Richardson.
avec A* 
h3
Chap: IV -43-
A l’équilibre thermodynamique, le courant total est nul, c.a.d. que le
flux d’électrons injecté par le semiconducteur vers le métal doit être
égal au flux inverse. La valeur de la densité de courant injectée par le
métal est obtenue en prenant V=0.
qBn

js m  jms  0  jms   A T e * 2 kT

Cette valeur va rester la même sous polarisation


compte tenu des hypothèses initiales. Ainsi, le
courant total de la diode s’exprime par :

qBn
  qV 
j  A*T 2 e kT
 e kT
 1
 
Expression similaire à celle obtenue pour la jonction p n
Chap: IV -44-
Bilan final:
qBn
  qV   qV

js m  A*T 2 e kT
 e kT
 1 
 ST 
j e kT
 1
q
   
 Bn

avec : jST  A*T 2 e kT


appelée Constante de Richardson

Plus la hauteur de barrière sera importante, plus le courant


inverse (ou de saturation) sera faible, plus le courant direct sera
faible pour une même polarisation.

Exp: A* = 120A/cm2 à 300K si nous considérons m*=me

Résistance de contact
qBn
 j 
1 k
Rc   Rc  * e kT
 qA T
 V V 0
Chap: IV -45-
Densité de courant direct vs tension appliquée des diodes WSi et W-GaAs

Chap: IV -46-
Comparaison des caractéristiques I(V) d'une diode
Schottky , d’un contact ohmique et d’une jonction pn.

L'échelle de la
caractéristique en
polarisation inverse
est compressé par
rapport à l'échelle de
polarisation directe

Ohmic Contact

Chap: IV -47-
Théorie de la diffusion

Dans ce cas, ce n’est plus l’interface qui est bloquante mais la zone
de charge d’espace du semiconducteur. Les porteurs doivent transiter
par cette zone, et la densité de courant peut s’écrire directement en
fonction de la variation du pseudo niveau de Fermi dans cette zone et
de la mobilité des porteurs :
E Métal Semiconducteur

dEFn
jn  n n EF
qV
EC
EFn
dx EV

Il s’agit alors de déterminer le gradient de EFn. Sa variation totale


correspond à qV. La concentration des électrons dans le côté semi-
conducteur de l'interface de M/S est donnée par :

EC  EFn dEFn 1 dn dEC ( x)


n  NC e

kT  kT 
dx n dx dx
Chap: IV -48-
Théorie de la diffusion

La variation de EC(x) est directement liée au champ électrique dans


la zone de charge d’espace. On peut calculer le courant à l’interface
Métal/Sc en appelant ξs le champ à la surface du semiconducteur.

 dn 
jn   n  kT ( ) surf  qns s  Deux composantes de courant
 dx 

A l’interface, la concentration étant relativement faible, le gradient


l’est aussi. Dans ce cas, la composante de dérive est considérée avec
le champ électrique maximal très près de l’interface (en xm). La
concentration ns s’exprime alors en fonction de nso. En rajoutant la
densité de courant injectée par le métal, la densité totale de courant
est alors :
 qV 
 kT 1 
jn  q n ns 0 s e  

Chap: IV -49-
Théorie mixte
Dans ce cas, la conduction est contrôlée à la fois par l’interface et
le volume; la variation du niveau de Fermi est mixte, c’est-à-dire
varie dans la zone de charge d’espace et présente une discontinuité à
l’interface.

En prenant une vitesse de collection équivalente vc la densité de


courant s’exprime par :
E Métal Semiconducteur

Thermoionique
J  q(ns  n0 )vC qV
EC
EF EFn

Concentration dans EV
la région neutre
Diffusion

La vitesse de collection est inférieure à la vitesse thermique. Les


phénomènes intervenant dans cette limitation sont la mobilité dans la
Z.C.E. mais aussi la réflexion quantique, la présence d’oxyde natif
d’interface, etc….

Chap: IV -50-
Circuit équivalent en petits signaux

Éléments du circuit équivalent:


– Résistance dynamique
dV
Rd 
dI Cs
– Capacité différentielle
1
 eN d  SC  2
C d  A 
 2(Vbi  V ) 
– Résistance série de la diode
RS  Rcontacts  RRN
– Inductance parasite
LS
 SC A
– Capacité « géométrique » de la diode C géom 
L
Chap: IV -51-
Le contact ohmique
Un contact ohmique est défini comme un contact Métal/Sc qui
possède une résistance de contact négligeable vis-à-vis du matériau.
Un bon contact ohmique ne doit pas perturber les performances du
composant. 1
 j 
Rc   
 V V 0
Pour un contact Métal/Sc avec un faible dopage, le courant
d’émission thermoïonique est dominant. La hauteur de barrière doit
être faible pour obtenir une valeur de Rc la plus petite possible:
qBn
k
R 
c e *
kT
qA T
Pour des contacts avec des dopages plus importants, l’effet
tunnel domine la conduction. Dans ces conditions la valeur de Rc
dépend fortement de la concentration en dopage et varie
exponentiellement avec le facteur  Bn/kT.
2  s m* qBn

Rc  e
ND

Chap: IV -52-
Le contact ohmique
 La réalisation de contacts ohmiques est difficile avec des SCs à grand-
gap. Le métal ne possède en général pas un travail de sortie suffisant pour
produire une barrière avec une hauteur suffisamment faible.

Fort dopage et/ou


hauteur de barrière
faible pour la
réalisation de
contacts ohmique

 La technique communément utilisée pour la réalisation de contact


ohmique est l’utilisation de couche de surface fortement dopée comme les
jonctions métal-n+-n, métal-p+-p.

 Pour des contacts ohmiques sur Ge et Si, un alliage Au-Sb (avec 0,1 %
de Sb) est en premier évaporé sur un SC de type n.

 Pour GaAs et les SCs III-V de nombreuses technologies ont été


développées pour la réalisation de contacts ohmiques.
Chap: IV -53-
Le contact ohmique

réalisation d’un contact ohmique


– Il faut sur-doper le SC à l’interface
– Le courant passe essentiellement par
effet « tunnel ».

Chap: IV -54-
Comparaison entre les propriétés d’une
diode pn et une diode Schottky

Diode p-n Diode schottky

Métal Semiconducteur
Semiconducteur Semiconducteur
n-Si
p+-Si n-Si

V > 0
qBn V < 0
V > 0
V < 0

• La Barrière n'est pas fixée • La Barrière du côté métal est fixée

Chap: IV
-55-
Comparaison entre les propriétés d’une
diode pn et une diode Schottky

Diode p-n Diode schottky

p+ n
M n-Si

dominant
négligeables

qBn
Ir-g
IR-G

négligeables

dominant

Chap: IV
-56-
Comparaison entre les propriétés d’une
diode pn et une diode Schottky

Diode p-n Diode schottky

Courant inverse due à la Courant inverse due aux


diffusion des porteurs porteurs majoritaires qui
minoritaires vers la couche de surmontent la barrière 
déplétion  forte dépendance Moins de dépendance de la
de la température température

Courant directe due à Courant directe due à


l'injection des porteurs l'injection des porteurs
minoritaires à partir des côtés majoritaires du semi-
n et p conducteur

La polarisation directe La tension de coupure est


nécessaire pour rendre le assez faible
dispositif conducteur (la
tension de coupure) est
grande.
Chap: IV
-57-
Comparaison entre les propriétés d’une
diode pn et une diode Schottky

Diode p-n Diode schottky

La vitesse de commutation est La vitesse de commutation


commandé par recombinaison commandés par thermalisation
des porteurs minoritaires des électrons "chaud" injecté
injectés à travers la barrière ~
quelques picosecondes

Facteur d'idéalité dans les Essentiellement pas de


caractéristiques I(V) ~ 1.2 à recombinaison dans la région
2.0 due à la recombinaison de déplétion, facteur
dans la région de déplétion d'idéalité ~ 1,0

Chap: IV
-58-
Example-1
Find barrier height, built-in voltage, maximum E-field, and the
depletion layer width at equilibrium for W-Si (n-type) contact.
Given: M = 4.55eV for W; (Si) = 4.01eV; Si doping = 1016 cm3
Draw the band diagram at equilibrium.

Solution:
Find EF – Ei EF – Ei = 0.357eV
Find EC – EF EC – EF = 0.193eV

B = M –  = 0.54eV

S    ( EC  EF ) FB  4.203 eV

Vbi = 0.347 V
W = 0.21 m
E(x = 0) = Emax = 3.4  104 V/cm
Chap: IV -59-
Example-2

A Schottky junction is formed between Au and n-type semiconductor of


ND = 1016 cm-3. Area of junction = 10-3 cm2 and me*= 0.92 m0. Work function
of gold is 4.77 eV and eχs = 4.05 eV. Find current at VF = 0.3 volts.

*
A**  A* e  120  0.92  110 A/  cm 2 .K 
Solution m
m0
 em   s  / kT
J s  A**T 2e
J  J s  eeV / kT  1

 110  3002   e    4.77  4.05  /0.0259 


.  e 0.3/0.0259
 1

 0.897 A/(cm 2 )
I  A  J  103   0.897   0.897 mA

Chap: IV -60-
Example-3
Ex. Si-Schottky diode of 100 μm diameter has (1/C2) v.s. VR slope of
3 x 1019 F-2V-1. Given r = 11.9 for Si. Find NB for this
semiconductor.

Solution 1 2 Vbi  VR  C
 ; Cj  [F/cm 2 ]
2
Cj e s N B Area
2
slope  [cm 4 F-2 V -1 ]
e s N B
2
NB 
slope  Area 2  e s
2
NB 
 4 2 
2

  100  10  
3  1019       1.6  10 19
 8.85  10 12
 11.9 
  2   
  
 6.414  1019 cm -3
Chap: IV -61-
Diode Schottky
IAK
Energie
Flux "thermoionique"

Métal EC
EF VAK

EV 0 ~ 0,3 V sur Si
Semiconducteur N
ND  1017 cm-3
IAK
Energie
Effet tunnel
Métal EC
EF VAK
0
EV
Semiconducteur N
ND  1019 cm-3

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