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SYSTÈME DE SORTIE

SYSTÈME DE SORTIE
Table des
matières
Introduction 3

I - La séquence d'évaluation pour le  chapitre 1 : 4

II - Réponses 4

III - La séquence d'évaluation pour le  chapitre 2 : 4

IV - La séquence d'évaluation pour le  chapitre 3 : 7


Introduction

L'évaluation se décline comme suit :

La séquence d'évaluation pour le  chapitre1 doit dépasser 70%.

La séquence d'évaluation pour le  chapitre 2 doit dépasser 70%.

La séquence d'évaluation pour le  chapitre 3 doit dépasser 80%.

remarque :
La note d'évaluation devrait à la fin dépasser 75%

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I
La séquence d'évaluation pour le  chapitre 1 : 4
Réponses 4
La séquence d'évaluation pour le  chapitre 2 : 4
La séquence d'évaluation pour le  chapitre 3 : 7

1. La séquence d'évaluation pour le  chapitre 1 :


Exercice : QCM

1. Dans un matériau quelconque, les électrons mobiles se trouvent dans la bande valence.

-Vrai -Faux

2. La principale déférence entre des matériaux isolants et conducteurs réside dans la présence ou non
d'une bande interdite qui empêche ou autorise les électrons à se mouvoir librement dans le matériau.

-Vrai -Faux

3. Dans un matériau semi-conducteur, la bande interdite possède une largeur d'environ 1 eV.

-Vrai -Faux

4. Un semi-conducteur dopé N est enrichi en atomes pentavalents.

-Vrai

-Faux

2. Réponses
1. Faux. Les électrons libres se trouvent dans la bande de conduction.

2. Vrai. Il n'y a aucune bande interdite dans un matériau conducteur tandis qu'il en existe une dans les
matériaux isolants.

3. Vrai. Les matériaux semi-conducteurs possèdent une bande interdite de taille intermédiaire entre les
isolants et les conducteurs.

4. Vrai. Les atomes pentavalents sont en quelque sorte des donneurs d'électrons au sein d'un cristal de
Silicium.

3. La séquence d'évaluation pour le  chapitre 2 :

4
La séquence d'évaluation pour le  chapitre 2 :
3. La séquence d'évaluation pour le  chapitre 2 :
Exercice : 01

Détermination de l'état d'une diode parfaite polarisée dans un pont diviseur

Dans le circuit représenté sur la figure 1, déterminer l'état (passant ou bloqué) de la diode. Dans le cas
où la diode est passante, déterminer le courant I qui la traverse. On supposera que la diode est parfaite
et possède une tension de seuil égale à 0,7 V. (caractéristique de la

figure 1).

Conseil méthodologique

La technique la plus efficace pour démontrer qu'une diode est passante ou bloquée consiste à
supposer apriorique est dans un de ces deux états, par exemple qu'elle est bloquée. Si tel est le cas,
ceci est très facile à vérifier ; dans le cas contraire, si elle est passante, on aboutit très vite à une
absurdité qui montre qu'elle ne peut être bloquée. Dans cet exercice, on supposera que la diode est
bloquée et on cherchera la différence de potentiels à ses bornes.

Exercice : 02

Limitation de puissance dans un circuit à diodes

Deux diodes supposées parfaites supportent chacune une puissance maximale Pmax = 200 mW. Ces
diodes sont placées dans le circuit de la figure 2 et on se propose d'ajuster la valeur de R pour
qu'aucune des deux diodes ne consomme une puissance supérieure à Pmax.

a. Montrer que les deux diodes sont passantes.

b. Calculer les expressions des courants circulant dans les deux diodes. En déduire que la puissance
dissipée dans la diode D1 est la plus importante.

c. Déterminer la condition sur R pour que la puissance dissipée dans chaque diode soit inférieure à
Pmax.

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La séquence d'évaluation pour le  chapitre 2 :

Remarque
Conseil méthodologique

Une fois prouvé l'état passant de chacune des deux diodes, l'objectif consiste à chercher laquelle des
deux diodes dissipe le plus de puissance. C'est bien cette puissance qu'il faut alors limiter.

Texte légal : Réponses

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La séquence d'évaluation pour le  chapitre 3 :

4. La séquence d'évaluation pour le  chapitre 3 :


Exercice 01 :

Point de fonctionnement de la jonction base-émetteur d'un transistor bipolaire

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La séquence d'évaluation pour le  chapitre 3 :

On souhaite déterminer le point de fonctionnement de la jonction base-émetteur du transistor placé


dans le montage ci-contre.

a) Exprimer la relation Vbe en fonction de Ib pour le dipôle constitué de la source « e » et de la


résistance « Rb » (à gauche des points A et B)

Sachant que et que , représenter le graphe de cette fonction sur le graphe ci-dessus.

b) La caractéristique déjà présente (en trait gras) sur le graphe ci-dessus représente la relation entre la
tension et le courant dans le dipôle base-émetteur (à droite des points A et B).

En déduire graphiquement la valeur de et la valeur de dans le montage ci-dessus.

c) Lorsque le courant est supérieur à quelques , on peut modéliser la jonction base-émetteur par une
source de tension . Calculer la valeur numérique de obtenue avec ce modèle

(En l'absence de calculette, le résultat sera donné sous forme d'une fraction)

Exercice 02 :

Un capteur de position délivre une tension « e » positive. Cette tension doit être « adaptée » pour
piloter en tout ou rien une charge qui se comporte comme une résistance alimentée sous . Dans ce but,
on propose de mettre en œuvre le montage ci-contre.

Le transistor utilisé possède les caractéristiques suivantes : ; ; ( ) ;

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La séquence d'évaluation pour le  chapitre 3 :

a) Déterminer l'intervalle des valeurs de « e » pour lesquelles le transistor est bloqué. Justifier en
quelques mots

b) Lorsque , on souhaite que le transistor soit saturé avec un coefficient de sursaturation (ou de
sécurité) au moins égal à 2. Calculer le courant de base nécessaire ainsi que la valeur maximum de .