FASE 2 - PRESENTAR SOLUCIÓN AL PROBLEMA DEL AMPLIFICADOR DE

BAJA SEÑAL CON JFET

Presentado por:
KEVIN MUÑOZ BARCELÓ
DARWIN DURAN MYLES
CARLOS ANDRÉS GRANDA
YUBER ZAPATA
GABRIELA MEÑACA ESPAÑA

Grupo: 243006_37

Presentado a
JORGE ELIECER RAMÍREZ

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD

INGENIERÍA ELECTRÓNICA
ELECTRÓNICA ANÁLOGA
CEAD MEDELLÍN
2019
 Introducción

En la aplicación de electrónica los amplificadores JEFT son muy

populares por su variedad de aplicaciones, con el fin de conocer la
ingeniería que hay detrás de este tipo de circuitos en este documento
analizaremos un ejemplo de este tipo de amplificadores en donde
analizaremos el funcionamiento, comprenderemos la matemática
necesaria para hacer que este tipo de circuitos sean óptimos y cumplan
de forma correcta su función.
 Objetivos

Hacer uso de los principios de funcionamiento de dispositivos

semiconductores como JFET, MOSFET y Tiristores para el desarrollo de
sistemas electrónicos análogos a partir de la solución a problemas
teórico - prácticos.
 Planteamiento

Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y
comercializa instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es
presentar trabajando en equipo con cuatro compañeros, una solución
llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual permite restaurar
señales débiles en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de
información las especificaciones dadas para el diseño son las siguientes:

Señal de entrada: 300mV a 1Khz.

Referencia del JFET: J201

ID= 327uA, VD= 4.6V, VGS (off)= -1.5V, VCC= 20V.

De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 1mA a 100mA… para este
diseño se trabajara IDSS=3mA.

Actividades a desarrollar
1. Fundamentación Teórica.

Figura No. 1. Diagrama Esquemático del Amplificador

Fuente Autor.

1.1. Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la

Unidad 2, Cada estudiante debe describir con sus propias palabras
la teoría de funcionamiento del circuito anterior.
Darwin Duran

La mayoría de los sistemas electrónicos requieren amplificar la señal,

uno de los componentes de mayor importancia para poder obtener este
resultado es funcionamiento es el transistor que, bajo ciertas
condiciones y parámetros, genera una potencia de señal mayor a la
recibida.

Paso 1: explicación proceso del transistor

Cuando logramos que el voltaje Vgs sea cero vamos a obtener la máxima
corriente de saturación de drenaje IDss, cuando notamos que va
disminuyendo el voltaje llega al punto de llamarse voltaje Vgs, en su
defecto va disminuyendo la corriente.

El efecto de la región óhmica se produce en consecuencia a la polarización

inversa producida por Vgs, en esta región el canal conductor entre
drenado y fuente se comporta como una resistencia RDS, esto quiere decir
que al aplicar una tensión drenaje fuente hay un momento que se genera
la pendiente llamada región óhmica.

4 componentes importantes de este circuito amplificador

Resistencia RG: esta resistencia por lo general lleva un valor óhmico muy
alto, su función principal es evitar que la baja señal que llega no se pierda
en el polo tierra, sino que pase directamente por el transistor y así
funcione la región activa, haciéndole creer que está conectada al polo
tierra, pero en si pasa por el transistor.

Resistencia RS (potenciómetro): tiene una caída de tensión haciendo que

el transistor lo vea como voltaje negativo, generando una polarización
inversa.
Resistencia RD: resistencia de drenaje, su función crear un límite de
corriente haciendo que la señal no se exceda de lo normal provocando
que la señal no sea ruidosa o defectuosa.

En conclusión podemos decir que:

Debemos polarizar la compuerta y la fuente de manera inversa (valor

óhmico negativo) para llegar de manera directa al canal drenaje fuente.
Cuando tenemos una fuente de voltaje podemos lograr la auto
polarización de manera independiente.

Los transistores deben ser llevados a puntos de operación estables,

estos puntos de operación son los que van a decir en qué zona están
trabajando, (en la zona de saturación, amplificación o zona de corte).

Gabriela Meñaca

En electrónica la mayoría de proyectos utilizan un amplificador de señales,

en este momento entra a jugar un papel muy importante el transistor que
es un dispositivo mediante el cual se puede controlar el paso de una cierta
cantidad de corriente haciendo variar una tensión, este transistor JFET
actúa como amplificador de señal, es decir, aumenta las señales.

Un amplificador JFET conduce entre los terminales RD y RS cuando la

tensión entre los terminales RG y RS (VGS) es igual a cero se considera
la región de saturación, la caída de voltaje es la que el JFET considerará
como caída VGS. Es decir, la compuerta lo toma como un voltaje negativo,
qué es lo que se requiere para hacer funcionar el transistor, La resistencia
RD, o también llamada resistencia de drenaje, limita la corriente para que
la señal no se exceda y que no haya ruido que implique la pérdida de
información, pero cuando esta tensión aumenta en módulo y con la
polaridad adecuada, la resistencia entre los terminales RD y RS aumenta,
entrando así en la región óhmica, hasta cuando deja de conducir y pasa
a estado de corte. luego tenemos una resistencia conectada al drenaje y
un potenciómetro conectado a la fuente, una resistencia RG y el
condensador C1, están conectadas al transistor por la compuerta. Este
circuito se encuentra en modo de auto polarización, esto sucede porque
sólo existe una fuente de alimentación; en el transistor la corriente que
pasa al final del drenaje es igual a la corriente que pasa por el por la
fuente esto actúa como un circuito en serie, siempre se asegura que a la
compuerta llegue la tensión de polarización utilizando una resistencia RG;
La resistencia RS y la resistencia RG en conjunto hacen creer al transistor
JFET esté conectado a tierra.
TRANSISTOR JFET:

Es un dispositivo electrónico que se utiliza como interruptor electrónico

controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje. Tiene tres
terminales, comúnmente llamados drenaje (D), compuerta (G) y fuente
(S).

Es un dispositivo controlado por un voltaje de entrada, no necesita de una

corriente de polarización. La carga eléctrica fluye a través de un canal,
que normalmente se halla entre el drenaje y la fuente. Cuando se aplica
una tensión eléctrica inversa a la compuerta, el canal ofrece una
resistencia al paso de la corriente eléctrica.

Carlos Andres Granda

El diseño del circuito tiene como finalidad amplificar una señal débil, existe
un transistor JFET que esta polarizado y a su vez está configurado en
auto polarización que podemos deducir por la fuente de alimentación de
20V; dicha fuente alimenta el circuito para mantenerlo activo, además,
cuenta con un receptor de señal que se encuentra conectado al dispositivo
transistor que es el que amplifica la señal, dicho transistor cuenta con un
drenaje “RG“, una compuerta “RG”, y una fuente “RS”, que se encargan
de regular el funcionamiento del amplificador que representa el circuito.

La resistencia RG se encarga de hacer que la señal no llegue a tierra (por

así decirlo) para que esta no se pierda y sea transportada al transistor,
generalmente este tipo de resistencias son de gran tamaño para que
puedan simular la señal a tierra; para que exista la amplificación de señal
y esta ingrese al amplificador, el transistor JFET debe estar activo para
que actué con la resistencia RS en conjunto a RG para que actúen como
si el amplificador estuviese conectado a tierra y mantener la operatividad.

Kevin Muñoz

Para nuestro circuito tenemos un amplificador de baja señal el cual es

controlado principalmente por un transistor JFET de canal “N” (Junction
Field Effect Transistor o transistor de unión de efecto de campo), este
transistor funciona con un voltaje de entrada (Gate=G) y de acuerdo a
su diseño realiza una variación en la corriente de salida (de drenaje a
fuente ¨Drain-Source¨); el transistor JFET de canal “N” está conformado
por un material semiconductor tipo “N” en el cual interconecta el
drenaje (Drain=D) y la fuente (Source=S) y dos conexiones a un

semiconductor tipo “P” a cada lado del material “N” (en realidad es una
sola al rededor del semiconductor “N”) al cual está conectado a la
compuerta (G), cuando alimentamos el material semiconductor tipo “P”
con una carga negativa de una señal (conectado en inversa junto con la
fuente= 𝑉𝐺𝑆 ) se crea un campo magnético conocido como la región de
agotamiento, este campo impide el paso de corriente por el canal “N”
(de drenaje a fuente=𝐼𝐷𝑆 , esta parte esta alimentada por una fuente, no
una señal), cuando 𝑉𝐺𝑆 es lo suficientemente pequeño (la señal
conectada en inversa se hace más negativa) se dice que el campo de
agotamiento estrangula completamente el canal y no hay paso de
corriente de “D” a “S” (𝐼𝐷𝑆 = 0), esto es conocido como voltaje de
estrangulamiento (𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = 𝑉𝑃 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑔𝑒 𝑑𝑒 "𝑝𝑖𝑛𝑐ℎ 𝑜𝑓𝑓"), hay otro caso y es
cuando (𝑉𝐺𝑆 = 0), lo que sucede es que la región de agotamiento esta
reducida al máximo, lo que implica que la intensidad de corriente que
recorre de “D” a “S” es la máxima y se conoce como intensidad de
saturación máxima (𝐼𝐷𝑆𝑆 ); Existen tres zonas en las cuales trabaja este
transistor y son la zona de corte (cuando 𝑉𝐺𝑆 ≥ 𝑉𝑃 ), la zona óhmica (𝑉𝐷𝑆 <
𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 ) y la zona de saturación (𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 ); los valores de 𝑉𝑃 y de
𝐼𝐷𝑆𝑆 son intrínsecos de la construcción del transistor, así que con una
variación de 𝑉𝐺𝑆 entre 0 y 𝑉𝑃 obtengo una variación en 𝐼𝐷𝑆 y es de esta
manera como trabaja un transistor JFET.

A partir de este punto podemos hacer un análisis de nuestro circuito en

el cual vemos una batería de 20V como fuente de alimentación
conectada a una serie de resistencias que evitan que se excedan los
límites de trabajo del transistor y que debido a su ubicación hacen que
este se encuentre auto polarizado trabajando en una de las zonas
mencionadas anteriormente, para este caso lo que queremos es que
trabaje en la zona de saturación donde la tensión que deja pasar es
estable y nos sirve para la amplificación que se quiere realizar; adicional
hay una fuente de corriente alterna que suponemos representa la señal
de entrada que queremos amplificar, esta señal ingresa a la compuerta
(G) del transistor, existe una resistencia conectada en paralelo entre la
señal y compuerta para evitar que la señal se vaya a tierra por la
impedancia alta que maneja el circuito en la entrada (compuerta G) y
por esto la resistencia de compuerta (RG) tiene un valor óhmico alto. Se
usa un capacitor entre la señal y la compuerta del transistor, debido a
que los capacitores tienen una impedancia variable en función de la
frecuencia (la impedancia es inversamente proporcional a la frecuencia)
este permite el paso de la corriente alterna pero no de la continua, esta
función que realiza se llama condensador de acoplo, por supuesto
debemos tener otro en la señal de salida; tenemos también el caso
inverso, un condensador de desacoplo el cual se encuentra conectado al
transistor en la fuente (S)

Argumentación.

Dadas Las Fórmulas:

RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

1.1 Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los

siguientes cálculos.
a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.
Vamos a utilizar la siguiente Fórmulas:

𝑅𝐷 = (𝑉𝐶𝐶 – 𝑉𝐷) / 𝐼𝐷

Datos:

𝑉𝐶𝐶 = 20 𝑉
𝑉𝐶 = 4.6 𝑉
𝐼𝐷 = 3𝑚𝐴

Hacemos cambio de términos:

(20𝑉 – 4.6𝑉)
𝑅𝐷 = = 5.13 𝐾Ω
3𝑚𝐴

b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.

IDSS = 3mA = 0.003 A

Rs =?
RS = VGS (off) / IDSS

𝑉𝐺𝑆 (𝑜𝑓𝑓) −1,5 𝑣

𝑅𝑆 = = = -500Ω
𝐼𝐷𝑆𝑆 0,003 𝐴

𝑅𝑆 = −500Ω

c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque

el valor de RG debe ser alto?

La compuerta y a fuente se polariza siempre es en inversa y el

drenaje se repolariza con el positivo.

El JFET puede ser usado como interruptor electrónicamente

controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje. Posee
tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta o
compuerta (G) y fuente (S).

A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser un

dispositivo controlado por un voltaje de entrada, no necesita de
corriente de polarización. La carga eléctrica fluye a través de un
canal semiconductor (de tipo N o P) que se halla entre el drenaje y
la fuente. Aplicando una tensión eléctrica inversa al terminal de
puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece resistencia al
paso de la corriente eléctrica. Un JFET conduce entre los terminales
D y S cuando la tensión entre los terminales G y S (VGS) es igual a
cero (región de saturación), pero cuando esta tensión aumenta en
módulo y con la polaridad adecuada, la resistencia entre los
terminales D y S crece, entrando así en la región óhmica, hasta
determinado límite cuando deja de conducir y entra en corte. La
gráfica de la tensión entre los terminales D y S (VDS) en el eje
horizontal contra la corriente del terminal D (ID o corriente de
drenaje) es una curva característica y propia de cada JFET.

d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de

acople.

La reactancia capacitiva es la propiedad que tiene un capacitor para

reducir la corriente en un circuito de corriente alterna. Se consigue
1
a través de la fórmula: 𝑋𝑐 = 2𝜋𝑓𝐶

Donde 𝑋𝑐 = reactancia capacitiva (Ω), f= la frecuencia en Hertz (HZ)

y C= la capacitancia del condensador (F)

El capacitor 1 y 2 tienen la misma capacitancia (10uF):

1
𝑋𝑐1−2 = = 15,91Ω
2𝜋(1000𝐻𝑍)(0.00001𝐹)

El capacitor 3 es de desacoplo.

e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.

𝐼𝐷 = 327𝑢𝐴
𝑅𝑆 = 500Ω
𝑅𝐷 = 5133Ω
𝐴𝑣 = −𝐺𝑚 ∗ 𝑅𝐷

𝐼𝐷
𝐴𝑣 = − ( )𝑅
𝑉𝐺𝑆 𝐷

𝐼𝐷
𝐴𝑣 = − ( )𝑅
−𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑆 𝐷

327𝑢𝐴
𝐴𝑣 = − ( ) 5133Ω
−327𝑢𝐴 ∗ 500Ω

1
𝐴𝑣 = ∗ 5133Ω
500

𝐴𝑣 = 0.002 ∗ 5133Ω

𝐴𝑣 = 10.266𝑉

Simulación
SIMULACIÓN CORRIENDO

SEÑAL DE ENTRADA
 FUNCIONAMIENTO DEL OSCILOSCOPIO

VALOR AMPLITUD DE LA SEÑAL DE SALIDA USANDO EL OSCILOSCOPIO

Entrada voltaje pico: 301.00mV

Salida voltaje pico: 1,90V
VALOR VGS: -0,12V

VALOR VDS: 3,25V

VALOR VGD: 3.37 V

Corriente ID 353 uA
Conclusiones
 Bibliografía

Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica Análoga para

Ingenieros (pp. 37-51). Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action
?ppg=48&docID=10498503&tm=1482090196645

González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos (pp.127-167).

Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action
?ppg=127&docID=11201676&tm=1482089571374

Grob, B. Fournier, J. (1983). Circuitos electrónicos y sus aplicaciones

(pp.154-178). Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action
?ppg=171&docID=10433916&tm=1482091898589

Clausi, P. (Productor). (2017). OVI Transistores MOSFET. [Video]

Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=IPSdGSJheOk