Amplificadores de RF

AMPLIFICADORES DE RF DE
PEQUEÑA SEÑAL
DISEÑO USANDO PARÁMETROS Y y S

POLARIZACIÓN
REDES TÍPICAS DE ADAPTACIÓN EN LA ENTRADA Y
SALIDA
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequeña Señal
ING. RAFAEL SOTELO
Ing. Rafael Sotelo 2

INTRODUCCIÓN
El presente trabajo aborda la problemática del diseño de amplificadores de

radiofrecuencia de pequeña señal, dando un proceso sistemático para llevarlo
adelante.
Está basado en la siguiente bibliografía, tanto desde el punto de vista teórico como
de los ejemplos e imágenes que se incluyen:
RF CIRCUIT DESIGN – Chris Bowick – Howard W. Sams & Co., Inc. – 1982 –
ISBN 0-672-21868-2
MICROWAVE TRANSISTOR AMPLIFIERS, Analysis and Design – Guillermo

González – Prentice-Hall, Inc. – 1984 – ISBN 0-13-581646-7
AN215A – RF Small Signal Design Using Two-Port Parameters – Motorola

Semiconductors
AN-267 – Matching Network Design With Computer Solutions – Motorola

Semiconductors

POLARIZACIÓN
Comenzamos nuestro trabajo sobre amplificadores de radiofrecuencia estudiando

su comportamiento en corriente continua. El lector podrá preguntarse por qué lo
hacemos justamente por el extremo opuesto a las frecuencias de interés.
La respuesta es que la polarización de continua tiene un efecto importante sobre
el comportamiento en RF. Esto se debe a que los parámetros relevantes en RF de
un transistor son muy dependientes de su polarización de continua, en particular
de su corriente de colector.
Debemos conseguir una polarización estable frente a cambios de temperatura.
Hay dos características importantes que tienen un efecto profundo sobre el punto
de funcionamiento de continua del transistor: ΔV BE y Δβ
Pretendemos minimizar los efectos de estos parámetros.
El voltaje base emisor baja cuando la temperatura sube 2,5 mV/ºC. Recordamos
que un transistor de silicio tiene VBE=0,7V a 25ºC.
Veamos el proceso: si VBE baja, se permite fluir más corriente de base, lo que
produce más corriente de colector. Buscaremos métodos para evitar este
comportamiento porque tal como dijimos deseamos mantener estable la corriente
de colector para mantener estables los parámetros del transistor aunque cambie la
temperatura.
En primer lugar, veamos el efecto del voltaje de emisor, V E. (Ver Fig. 1). El
descenso en VBE con la temperatura causaría un aumento en la corriente de
emisor, y así un aumento en VE. Este aumento en VE constituye una
realimentación negativa que tiende a polarizar en reversa la unión base emisor,
logrando un descenso en la corriente de colector.
Téngase en cuenta que tampoco es deseable un V E demasiado alto ya que puede
causar pérdida de potencia y una señal de AC menor.
Puede agregarse un capacitor en paralelo con R E para anular su comportamiento
en RF y mejorando la ganancia de AC.
Como norma general Ve se puede elegir entre 2 y 4 V.
El segundo factor es la ganancia de corriente en continua del transistor, .

Se debe tener una polarización estable frente a los cambios de . Éstos pueden
provenir de:
- cambios en temperatura. Puede variar alrededor de 0,5% por ºC.
- dispersión en fabricación. Variación entre unidad y unidad producida del mismo
modelo.
El cambio en la corriente de colector respecto de  es:

Ecuación 1
   RB 
I C  I C1  1  
 1  2  RE 
Donde,
IC1= la corriente de colector en β = β1,
β1= el valor menor de β
β2= el valor mayor de β
Δβ= β2 - β1
RB = el paralelo entre R1 y R2 (en Fig. 1)
RE= la resistencia del emisor.
Vemos que para disminuir la influencia de  debemos mantener pequeño RB/ RE.
Debemos notar que de esta forma se disminuye además la ganancia de corriente
del amplificador. A grandes rasgos, esa relación debe ser menor de 10.
Veamos algunos ejemplos de polarizaciones en transistores:
Ejemplo
Figura 1. Red de polarización 1
1. Escoger el punto de operación para el transistor.
IC = 10 mA, VC = 10V, VCC = 20 V, β = 50
2. Asumir un valor para VE que considere estabilidad de polarización.
VE = 2,5 volts.
3. Asumir IE ≈ IC para transistores de alto beta.
4. Conociendo IE y VE, se calcula RE.

RE = VE / IE
= 2.5 / (10 x 10-3)

= 100 ohms.
5. Conociendo VCC, VC e IC, se calcula RC
RC = (VCC - VC) / IC
= (20 - 10) / 10 x 10-3
= 1000 ohms.
6. Conociendo IC y β, se calcula IB.
IB= IC / β
= 0, 2 mA.
7. Conociendo VE y VBE, se calcula VBB.
VBB = VE + VBE
= 2.5 + 0.7
= 3.2 volts.
8. Asuma un valor para IBB, cuanto más grande mejor.
IBB = 1. 5 mA
9. Conociendo IBB y VBB, se calcula R1
R1 = VBB / IBB
= 3.2 / 1.5 x 10-3 ohms
= 2133 ohms
10. Conociendo VCC, VBB, IBB e IB, se calcula R2.
R2 = (VCC - VBB) / (ICC - IB)

= (20 - 3.2) / (1.7 x 10-3)
= 9882 ohms.
Ejemplo
Figura 2. Red de polarización 2.

IC = 10 mA, VC = 10V, VCC = 20 V, β = 50
2. Asumir valores para VBB e IBB para proveer una corriente constante, IB.
VBB = 2 volts.
IBB = 1 mA.
IB = IC / β
= 0.2 mA.
4. Conociendo VBB, VBE = 0.7 V, e IB, se calcula RE.
RB = (VBB - VBE) / IB
=(2 - 0.7) / (0.2 x 10-3)
= 6500 ohms.
5. Conociendo VBB e IBB, se calcula R1.
R1 = VBB / IBB
= 2 / (1 x 10-3)
= 2000 ohms
6. Conociendo VBB, IBB, IB, y VC, se calcula RF.
RF = (VC - VBB) / (IBB + IB)

= (10 - 2) / (1.2 x 10-3)
= 6667 ohms
7. Conociendo VCC, VC, IC, IB, e IBB, se calcula RC.

RC = (VCC - VC) / (IC + IB + IBB)

= (20 - 10) / (11.2 x 10-3)
= 893 ohms
Ejemplo
1. Escoger el punto de operación para el transistor (V C, IC).
IC = 10 mA, VC = 10V, VCC = 20 V, β = 50
IB = IC / β
= 0.2 mA.
3. Conociendo VC, VB = VBE = 0.7 V, e IB, se calcula RF
RF = (VC - VB) / IB
= (10 - 0.7) / (200 x 10-6)
= 46.5 K
4. Conociendo IB, IC, VCC y VC, se calcula RC.
RC = (VCC - VC) / (IB + IC)

= (20 - 10) / (10.2 x 10-3)
= 980 ohms.
Veamos una red de polarización de DC activa:

Se usa un transistor bipolar pnp para estabilizar la polarización del transistor de

RF. Los transistores de bypass C1 y C2 son típicamente de 0,01 uF. Las bobinas de
radiofrecuencia (RFC) son típicamente hechas con dos o tres vueltas de alambre
No. 36 en un núcleo de aire de 0.1 pulgadas.
Funciona así: Si IC2 tiende a crecer, la corriente I3 aumenta y el voltaje emisor a
base de Q1 decrece. Esto hace que baje IE1, que a su vez decrece IC2 y IB2. Esta
disminución produce la estabilidad de polarización deseada.
La selección del punto de operación para un transistor bipolar depende de la

aplicación.
Para aplicaciones de bajo ruido y baja potencia se recomienda el punto A ya que el

transistor trabaja a valores bajos de la corriente de colector.
Para aplicaciones de bajo ruido y ganancias de potencia altas se recomienda el
punto B.
Para gran potencia de salida, en operación clase A, se recomienda el punto C.
Para potencia de salida alta y mejor eficiencia, el transistor trabaja en clase AB o B
usando el punto D.
En el FET, tenemos un caso similar. Nos basamos en la fórmula
Ecuación 2

 V 
I D  I DSS 1  GS 
 Vp 
 
Donde, ID es la corriente drain

IDSS es la corriente drain con VGS=0
VGS es el voltaje gate a source
VP es el voltaje de pinch-off
Ejemplo
ID = 10 mA, VD = 10V, VCC = 20 V
2. Conociendo VCC, VD, e ID, se calcula Rd.
Rd = (VCC - VD) / ID
= 10 V / 10 mA
= 1000 ohms.
3. Determinar VP e IDSS desde la hoja de datos.
VP = -6 volts.
IDSS = 5 mA.
4. Conociendo ID, IDSS, y VP, se calcula VGS.
VGS = VP ( 1 - √ ID / IDSS )
= -6 ( 1 - √ 10x10-3 / 5x10-3)
= 2.48 volts.
5. Asumir un valor para VS en el rango de 2 a 3 volts.

VS = 2.5 volts
6. Conociendo VS e ID, se calcula RS.
RS = VS / ID
= 2.5 / 10 x 10-3
= 250 ohms.
7. Conociendo VS y VGS, se calcula VG
VG = VGS + VS
= 2.48 + 2.5
= 4.98 volts.
8. Asumir un valor para R1 basado en las necesidades de resistencia de entrada

en DC.
R1 = 220 K
9. Conociendo R1, VG, y VCC, se calcula R2.
R2 = [R1 ( VCC - VG)] / VG

= [220 x 103 (20 - 4.98)] / 4.98
= 664 K
Ejemplo
Figura 5. Red de polarización 5
1. Escoger un punto de operación para el transistor.

ID = 10 mA, VD = 10V, VCC = 20 V
2. Conociendo VCC, VD, e ID, se calcula RD.
RD = (VCC - VD) / ID
= (20 - 10) / (10 x 10-3)
= 1000 ohms
3. Determinar VP, e IDSS usando la hoja de datos del transistor.
VP = - 6 volts
IDSS = 5 mA
4. Conociendo ID, IDSS, y VP, se calcula VGS.
VGS = VP ( 1 - √ ID / IDSS )
= -6 ( 1- √ 10x10-3 / 5x10-3 )
= 2.48 volts.
5. Conociendo IG = 0, VGS = VS, e ID, se calcula RS.
RS = VS / ID
= VGS / ID
= 2.48 / (10 x 10-3)
= 248 ohms
6. Como IG = 0, RG puede ser elegido con un valor alto – aproximadamente 1

megohm.
En la siguiente figura se muestran cinco redes de polarización típicas para FETs.

La columna “How” indica la polaridad de las fuentes y la secuencia de aplicación

de las mismas para prevenir que el FET se queme en el encendido.
En las polarizaciones (d) y (e) hay una resistencia en el source, que provee
automáticamente protección en transitorios. Tener en cuenta que esta resistencia
puede degradar la figura de ruido, y el capacitor de bypass en la fuente pued
causar oscilaciones de baja frecuencia.
Los capacitores de desacople a veces son puestos en paralelo con un diodo zener
para otorgar protección adicional contra transitorios, polarización inversa y
sobrevoltajes.
En la siguiente figura se observan distintos puntos de operación para un FET, cada

uno se selecciona según la aplicación.

Para aplicaciones de bajo ruido, baja potencia se usa el punto A. El FET actúa en
un valor bajo de corriente.
Para bajo ruido y ganancia de potencia más alta, se recomienda B.
Para potencia más alta, aunque aun usando clase A, punto C.
Para mayor eficiencia, operando en clase AB o B, la corriente drain a source se
debe decrecer, punto D.
En la siguiente figura se muestra una red de polarización activa para un FET.

DISEÑO UTILIZANDO PARÁMETROS DE REDES DE DOS PUERTOS
Describiremos un proceso sistemático y matemático para el diseño de

amplificadores de RF de pequeña señal. Es un procedimiento exacto. Las posibles
fuente de error en el diseño será la incertidumbre de las medidas y de la
dispersión en los parámetros de los transistores del mismo modelo.
Usaremos resultados obtenidos en el trabajo de Linvill (“Transistors and Active
Circuits.”, by Linvill and Gibbons, McGraw-Hill, 1961), Stern (“Stability and Power
Gain of Tuned Transistor Amplifiers.” By Arthur P. Stern, Proc.IRE, March, 1957 ) y
otros.
El requerimiento habitual es el de una ganancia específica a una frecuencia dada.
Otros objetivos pueden ser ancho de banda, estabilidad, aislación entrada-salida y
bajo ruido.
Los circuitos se pueden categorizar como realimentación (neutralización,
unilateralización, o sin realimentación) y adaptación en las terminales del transistor
(admitancias de circuito adaptadas o no a las admitancias de entrada y salida del
transistor).
USANDO PARÁMETROS Y
Un factor muy importante en el diseño es la estabilidad potencial del transistor.

Puede calcularse por el factor de estabilidad de Linvill:
Ecuación 3
yr y f
C
2 g i g o  Re y r y f 
Donde,
││= la magnitud del producto entre corchetes
yr = admitancia de transferencia reversa,
yf = admitancia de transferencia directa,
g1 = conductancia de entrada,
g0 = conductancia de salida
Re = la parte real del producto entre paréntesis.
Cuando C<1 el transistor es estable incondicionalmente. Cuando C>1 el transistor

es potencialmente inestable.
El factor C es una prueba de estabilidad bajo la condición de peor caso, es decir
con las terminales de entrada y salida del transistor en circuito abierto. Sin
realimentación externa, un transistor estable incondicionalmente no oscilará con
ninguna combinación de de fuente y carga. Por el contrario, si es potencialmente
inestable, algunas combinaciones de fuente y carga producirán oscilación.
Se debe tener en cuenta que si C es menor pero cercano a 1, cambios en la
polarización DC (debidos por ejemplo a la temperatura) pueden causar que pase a

ser mayor que 1, tornándose potencialmente inestable. Recordemos que los

parámetros Y están especificados a un punto de polarización determinado.
Por lo tanto, cuanto menor sea C, mejor es.
A pesar de que el factor C puede ser usado para determinar la estabilidad

potencial de un transistor, las condiciones de circuito abierto en fuente y carga no
son aplicables a un amplificador real. Por ello Stern definió un factor de estabilidad
k que toma en cuenta admitancias finitas en fuente y carga conectadas al
transistor.
Ecuación 4
2 g i  G S  g o  G L 
K
y r y f  Re y r y f 
donde,
GS = La conductancia de la fuente
GL = La conductancia de la carga
ECUACIONES GENERALES DE DISEÑO
GANANCIA DE POTENCIA
La ecuación general es:
2
yf Re(YL )
G
2 yr y f
YL  yo Re( yi  )
yo  YL
Dicha ecuación se aplica a circuitos sin realimentación. También puede ser usado
con circuitos con realimentación externa si son usados los parámetros Y
compuestos.
Se puede apreciar:
a) No tiene en cuenta pérdidas en la red. No computa pérdidas por desadaptación
a la entrada ni a la salida del transistor.
b) La ganancia es independiente de la admitancia de la fuente.
Si quisiéramos incluir los efectos de la adaptación de la entrada en el cálculo de

ganancia de potencia podríamos contemplar el uso de G T (Ganancia de
Transductor). Se la define como la potencia de salida enviada a una carga por el
transistor dividida por la máxima potencia de entrada disponible desde la fuente.
2
4G S G L y f
GT 
 yi  YS  y o  YL   y f y r
2

YL es la admitancia vista por el transistor hacia la salida. Incluye la red de

adaptación y la carga.
Análogamente YS es la admitancia vista por el transistor hacia la entrada.
Definimos Ganancia Máxima Disponible (MAG por su sigla en inglés) como:
Ecuación 6
2
y f
MAG 
4 gig o
Es la ganancia de potencia teórica de un transistor con y r=0 y cuando YL y YS son

las conjugadas complejas de yo e yi.
yr=0 se debe a que en condiciones normales yr actúa como una realimentación
negativa. Teniendo yr=0 no hay realimentación y por lo tanto la ganancia está al
máximo.
En la práctica, no se puede obtener yr=0 y por lo tanto no se puede conseguir una
ganancia como la MAG. Por ello la MAG es una figura de mérito.
Sin embargo, se obtienen valores cercanos a través de la adaptación conjugada
simultánea. Por lo que este valor se nos revela como útil.
TRANSISTOR ESTABLE INCONDICIONALMENTE
Cuando el factor de estabilidad de Linvill es menor que uno nos asegura que el
transistor es incondicionalmente estable. No van a ocurrir oscilaciones para
ninguna combinación de fuente y carga que sean utilizadas. Así que la estabilidad
se elimina como un requerimiento para el resto del diseño.
AMPLIFICADORES SIN REALIMENTACIÓN

Como el transistor es incondicionalmente estable es lógico pensar en un
amplificador sin realimentación debido a menos componentes y un simple
procedimiento de sintonización.
Para obtener la máxima ganancia elegimos Y S e YL adaptados conjugadamente a
yi e yo. Lo llamamos adaptación conjugada simultánea.
Ecuación 7
2g g
i o  Re y f y r   2
 y f yr
2
GS 
2g o
Ecuación 8
Im y f y r 
BS   jbi 
2go
Ecuación 9
2g gi o  Re y f y r   2
 y f yr
2
GL 
2 g1
Ecuación 10
GS g o

gi
Ecuación 11
Im y f y r 
B L   jbo 
2gi
Donde,
GS = la conductancia de la fuente.
BS = la susceptancia de la fuente.
GL = la conductancia de la carga.
BL = la susceptancia de la carga.
Im = la parte imaginaria del producto entre paréntesis.
Veamos un ejemplo
Ejemplo 1.
Un transistor tiene los siguientes parámetros Y a 100 MHz, con V CE = 10 volts e IC

= 5 mA.
y1 = 8 + j5.7 mmhos
y0 = 0.4 + j1.5 mmhos
yf = 52 - j20 mmhos
yr = 0.01 - j0.1 mmho
Diseñe un amplificador el cual provea ganancia de potencia máxima entre una

fuente de 50-ohm y una carga de 50-ohm a 100 MHz.
Solución
Primero, calcular la estabilidad Linvill utilizando la ecuación 3
C = |yfyr| / [2g1g0 - Re (yfyr)]

= |(52 - j20) (0.01 - j0.1)| / { 2(8)(0.4) - Re [(52 - j20)(0.01 - j0.1)]}
= 5.57 / [6.4 - (-1.47)]
= 0.71
Como C es menor que 1, el dispositivo es incondicionalmente estable, y podemos

proceder con el diseño. Si C hubiera sido mayor que 1, sin embargo, tendríamos
que haber sido extremadamente cautelosos al adaptar el transistor a la fuente y la
carga ya que podría aparecer inestabilidad.
El MAG del transistor se computa con la Ecuación 6:
MAG = |yf|2 / 4g1g0
= |52 - j20|2 / [4(8)(0.4)]
= 242.5
= 23.8 dB
La ganancia real que podemos lograr será un poco menor que esto debido a yr y a
pérdidas en los componentes.
Utilizando las ecuaciones 7 a 11, se calculan las admitancias de la fuente y la
carga para adaptación simultánea conjugada.
Para la fuente, usando la Ecuación 7:
GS = √ {[2g1g0 - Re(yfyr)]2 - |yfyr|2} / 2g0
= √{[6.4 + 1.47]2 - (5.57)2} / 2(.4)
= 6.95 mmhos
Y, con la Ecuación 8:
BS = -jbi + [Im (yfyr) / 2go]
= j5.7 - j [-5.37 / 2(.4)]
= j12.41 mmhos
Por consiguiente, la admitancia de la fuente que el transistor debe "ver" para

transferencia de potencia óptima es 6.95 - j12.41 mmhos.
La admitancia de entrada real del transistor es el conjugado de este número, o
6.95 + j12.1 mmhos. Para la carga, utilizando la Ecuación 10:
GL = (GSg0) / g1
= (6.95)(0.4) / 8
= 0.347 mmho
Y, con la Ecuación 11:
BL = jb0 +[Im (yfyr) / 2g1]
= -j1.5 + [-5.37 / 2(8)]
= -j1.84 mmhos
De este modo, para transferencia de potencia óptima, la admitancia de la carga

debe ser 0.347 - j1.84 mmhos. La admitancia de salida real del transistor es el
conjugado de la admitancia de la carga, o 0.347 + j1.84 mmhos.
El próximo paso es diseñar las redes de adaptación de impedancias de entrada y

salida que va a transformar la fuente y carga de 50 ohms a la impedancia que el
transistor le gustaría ver para transferencia de potencia óptima. El diseño de la
adaptación de la entrada se muestra en el primer Ábaco de Smith del ejemplo.
Este ábaco es normalizado de modo que el centro del mismo representa 50 ohms
o 20 mmhos. Por lo tanto, el punto, YS = 6.95 - j12.42 mmhos, está normalizado
en:
YS = 50 (6.95 - j12.41) mmhos

= 0.34 - j0.62 mho
Esta admitancia normalizada se muestra graficada en dicho ábaco.

Nótese que su correspondiente impedancia puede ser leída directamente desde el
ábaco como ZS = 0.69 + j1.2 ohms. La red de la adaptación de la entrada debe
transformar la impedancia de la fuente de 50 ohm a la impedancia representada
por este punto. Como es sabido, existen numerosas redes de adaptación de
impedancia disponibles para resolver el problema. Aquí se eligió la red L de dos
elementos por simplicidad y conveniencia.
Arc AB = C en serie = -j1.3 ohms

Arc BC = L en paralelo = -j1.1 mhos
El circuito de salida es diseñado y graficado en el segundo ábaco de Smith.

Ya que los valores de admitancia necesarios en el circuito de salida son tan
pequeños, este ábaco debió ser normalizado a 200 ohms (5mmhos). Por lo tanto,
la admitancia normalizada en el ábaco es:
YL = 200 (0.347 - j1.84) mmhos

= 0.069 - j0.368 mho
o,
ZL = 0.495 + j2.62 ohms
La carga normalizada de 50 ohm debe ser transformada a esta impedancia para

transferencia máxima de potencia. Nuevamente, los dos elementos de la red L
fueron elegidos para hacer la adaptación.
Arc AB = C en serie = -j1.9 ohms

Arc BC = L en paralelo = -j0.89 mho
Las redes de adaptación de la entrada y la salida se muestran en la Figura 8. Para

mayor claridad, el circuito de polarización no es mostrado.
Figura 8.
C1 = 1 / ωXN
= 1 / [2π (100 x 106) (1.3) (50)]
= 24.5 pF
y,
L1 = N / ωB
= 50 / [2π (100 x 106) (1.1)]
= 72 nH
De forma similar, para la red de salida:
C2 = 1 / [2π (100 x 106) (1.9) (200)]
= 4.18 pF
y,

L2 = 200 / [2π (100 x 106) (0.89)]
= 358 nH
El circuito final, incluyendo la red de polarización, puede aparecer como se

muestra en la Figura 9. Los condensadores de 0.1μF son un by-pass para la RF
de 100 MHz.
Figura 9



Ejemplo 2
Encontrar la ganancia del circuito que fue diseñado en el Ejemplo 1. No tomar en

cuenta pérdidas en los componentes.
Solución.
La ganancia de transductor para el amplificador se determina sustituyendo los

valores dados en el Ejemplo 1 en la Ecuación 5.
GT= 4(6.95)(0.347) |52 - j20|2 /

{|(8 + j5.7 + 6.95 - j12.41)(0.4 + j1.5 + 0.347 - j1.84) - (52 - j20)(0.01 - j0.1)| 2}
= 29943 / [|8.88 - j10.1 +1.47 + j5.37|2]
= 231. 2
= 23.64 dB
EL AMPLIFICADOR UNILATERALIZADO
La unilateralización consiste en el empleo de una red externa de realimentación Y f

para oponerse a yr. Yf =-yr. Así la admitancia de transferencia-reversa yrc se hace
cero.
En general se utiliza para convertir un transistor potencialmente inestable en
estable incondicionalmente.
Pero también puede ser buscado por otros aspectos interesantes como la
aislación entre la entrada y la salida.
Admitancia de entada caso unilateralizado:
YIN=yi+yr
Admitancia de salida caso unilateralizado:

YOUT=yo+yr
Ganancia de potencia caso unilateralizado:

GPU=|yf-yr|2.GL/|YL+yo+yr|2gi
Ganancia de potencia caso unilateralizado con Y L adaptado conjugadamente con

YOUT:
GU=|yf-yr|2/4(gi+gr)(go+gf)
Ganancia de transductor caso unilateralizado:

GTU=4GSGL|yf-yr|2/|(YS+yi+yr) (YL+yo+yr)|2

Estas ecuaciones se han dado en términos de los parámetros y del transistor, no

de los de la red de realimentación ni de los compuestos.
Vemos que YIN es completamente independiente de YL e YOUT independiente de YS.
Esto significa que en un amplificador de múltiples etapas unilateralizados, el hecho
de sintonizar una etapa no afectará la sintonía de las otras.
NEUTRALIZACIÓN
Es similar a unilateralización. Se usa una realimentación para reducir y r pero no

llega a cancelarlo. Típicamente cancela la parte imaginaria. B f=-br.
En muchos transistores gr<<br por lo que la neutralización sirve en la práctica para
eliminar yr. Y es más fácil de conseguir que la unilateralización.
Veamos circuitos de neutralización:
Figura 10. Circuitos de neutralización.
(A) Para yr =+jb. (B) Para yr = -jb.
EL TRANSISTOR POTENCIALMENTE INESTABLE
Tenemos tres maneras de tratarlo:

1) Buscar otro punto de polarización.
2) Realimentación: Unilateralizar o neutralizar el transistor.
3) Elegir una combinación de admitancias de fuente y carga que provean
estabilidad.
1) Como los parámetros Y (y los S) del transistor son dependientes de la

polarización, cambios en ésta ocasionarán un funcionamiento distinto del transistor
en RF. De esta forma se puede conseguir fácilmente la estabilidad.
Se debe ser cuidadoso recordando que cambios en la temperatura pueden afectar
la polarización.

2) La unilateralización y la neutralización fueron discutidas anteriormente.
3)Proviene del hecho que el factor de Stern es dependiente de G S y GL y

haciéndolas los suficientemente grandes se consigue un circuito estable más allá
del grado de inestabilidad potencial del transistor.
Para conseguir un circuito estable con un transistor potencialmente inestable
podemos hacer el siguiente proceso.
Se selecciona un valor para el factor de estabilidad K.
Podemos elegir:
a.- GS adaptada y GL desadaptada
b.- GL adaptada y GS desadaptada
c.- GS y GL desadaptadas
Una vez elegidas GS y GL el resto del diseño sigue por el procedimiento ya visto
para el amplificador sin realimentación.
Existe un método más sistemático para determinar las admitancias carga y fuente
para circuitos que exigen máxima ganancia de potencia por grado de estabilidad
del circuito. Stern analizó este problema y desarrolló ecuaciones para calcular la
conductancia y susceptancia de YS y de YL para máxima ganancia de potencia
para un factor de estabilidad particular. Son las ecuaciones que siguen.
GS 

k yr y f  Re yr y f   gi
 gi
2 go
GL

k yr y f  Re yr y f   go
 go
2 gi
BS 
 GS  g i  Z o  bi

k yr y f  Re yr y f  
BL 
 GL  g o  Z o  bo

k yr y f  Re yr y f  
Donde,
 BS  bi  G L  g o    B L  bo  k  L  M  2 G L  g o 
Z
k L  M 
L  yr y f
M  Re y r y f 

Definiendo D como el denominador en la ecuación que define G T:
Z 4  k  L  M   2M  Z 2
D   2 NZ k  L  M   A2  N 2
4 2
Donde,
k L  M 
A M,
2
N  Im yr y f ,
y,
Z0= el menor valor de Z que resulta en el menor mínimo de D, calculado a partir de

igualar a cero la siguiente expresión:
dD
 Z 3   k  L  M   2M  Z  2 N k  L  M 
dZ
El cálculo de YS y de YL usando las ecuaciones anteriores es tedioso para hacerlo

frecuentemente. Sin embargo, se pueden utilizar ciertos atajos:
A) CÁLCULO SÓLO DE GS Y DE GL. Si para BL se elige el valor –bo, la YL
resultante estará muy cerca de la YL de máxima ganancia. El YIN del
transistor puede ser calculado a partir de YL usando
yr y f
YIN  yi  y BS puede ser tomada como igual a –Im(YIN).
yo  YL
Esto permite obviar la parte más compleja del cálculo de
Stern (BS y BL) obteniendo una solución muy cercana. Además el circuito
puede ser realizado con elementos ajustables creando así en la práctica la
posibilidad de obtener valores para BS y BL que den la máxima potencia.
B) Desadaptar GS a gi y GL a go por un mismo ratio conduce a una solución

verdadera de Stern para GS y GL.
A partir de las ecuaciones anteriores obtenemos
GL GS

go gi
Si un ratio de desadaptación, R, se define así
G L GS
R 
go gi
R se puede calcular para cualquier factor de estabilidad usando la ecuación:

 y f yr  Re y f yr  
1  R  2  k  
 2 gi go 
Obteniendo R se despejan GS y GL. BS y BL se pueden obtener de la misma

manera que en el método (A).
Este segundo método puede ser ventajoso si se quieren las admitancias de fuente
y carga y ganancias de potencia para muchos valores de K diferentes. Una vez
determinado R para un K particular, R para cualquier otro K se calcula así:
1  R1  2  k1
1  R2  2 k2
C) Diseño por computadora. Hoy en día es muy fácil realizar cálculos
programados en computadora, lo nos da soluciones exactas a la solución
de Stern.
SENSITIVIDAD
Salvo en el caso del amplificador unilateralizado, Y IN es función de la admitancia

de carga. Cualquier cambio de sintonización en la salida causará cambios en Y IN,
lo que puede ser molesto. Por eso puede ser interesante calcular cuánto varía Y IN
con cambios en YL. Definimos entonces la sensitividad
YL g K
  i 
yo  YL yi yo  YL g i
 Ke j
go yi
donde,
y f yr
K
gi go
  arg   y f yr  
Ke j  K  cos   j sin  

Amplificadores de RF

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AMPLIFICADORES DE RF DE

DISEÑO USANDO PARÁMETROS Y y S

ING. RAFAEL SOTELO

Ing. Rafael Sotelo 2

El presente trabajo aborda la problemática del diseño de amplificadores de

MICROWAVE TRANSISTOR AMPLIFIERS, Analysis and Design – Guillermo

AN215A – RF Small Signal Design Using Two-Port Parameters – Motorola

AN-267 – Matching Network Design With Computer Solutions – Motorola

Ing. Rafael Sotelo 3

Comenzamos nuestro trabajo sobre amplificadores de radiofrecuencia estudiando

El segundo factor es la ganancia de corriente en continua del transistor, .

El cambio en la corriente de colector respecto de  es:

Ing. Rafael Sotelo 4

Veamos algunos ejemplos de polarizaciones en transistores:

Figura 1. Red de polarización 1

1. Escoger el punto de operación para el transistor.

IC = 10 mA, VC = 10V, VCC = 20 V, β = 50

2. Asumir un valor para VE que considere estabilidad de polarización.

3. Asumir IE ≈ IC para transistores de alto beta.

4. Conociendo IE y VE, se calcula RE.

Ing. Rafael Sotelo 5

= 2.5 / (10 x 10-3)

5. Conociendo VCC, VC e IC, se calcula RC

6. Conociendo IC y β, se calcula IB.

7. Conociendo VE y VBE, se calcula VBB.

8. Asuma un valor para IBB, cuanto más grande mejor.

9. Conociendo IBB y VBB, se calcula R1

10. Conociendo VCC, VBB, IBB e IB, se calcula R2.

R2 = (VCC - VBB) / (ICC - IB)

Ing. Rafael Sotelo 6

1. Escoger el punto de operación para el transistor.

IC = 10 mA, VC = 10V, VCC = 20 V, β = 50

3. Conociendo IC y β, se calcula IB.

4. Conociendo VBB, VBE = 0.7 V, e IB, se calcula RE.

5. Conociendo VBB e IBB, se calcula R1.

6. Conociendo VBB, IBB, IB, y VC, se calcula RF.

RF = (VC - VBB) / (IBB + IB)

7. Conociendo VCC, VC, IC, IB, e IBB, se calcula RC.

Ing. Rafael Sotelo 7

RC = (VCC - VC) / (IC + IB + IBB)

1. Escoger el punto de operación para el transistor (V C, IC).

IC = 10 mA, VC = 10V, VCC = 20 V, β = 50

2. Conociendo IC y β, se calcula IB.

3. Conociendo VC, VB = VBE = 0.7 V, e IB, se calcula RF

4. Conociendo IB, IC, VCC y VC, se calcula RC.

RC = (VCC - VC) / (IB + IC)

Veamos una red de polarización de DC activa:

Ing. Rafael Sotelo 8

Se usa un transistor bipolar pnp para estabilizar la polarización del transistor de

La selección del punto de operación para un transistor bipolar depende de la

Para aplicaciones de bajo ruido y baja potencia se recomienda el punto A ya que el

En el FET, tenemos un caso similar. Nos basamos en la fórmula

Ing. Rafael Sotelo 9

Donde, ID es la corriente drain

1. Escoger el punto de operación para el transistor.

ID = 10 mA, VD = 10V, VCC = 20 V

2. Conociendo VCC, VD, e ID, se calcula Rd.

3. Determinar VP e IDSS desde la hoja de datos.

4. Conociendo ID, IDSS, y VP, se calcula VGS.

5. Asumir un valor para VS en el rango de 2 a 3 volts.

Ing. Rafael Sotelo 10

6. Conociendo VS e ID, se calcula RS.

7. Conociendo VS y VGS, se calcula VG

8. Asumir un valor para R1 basado en las necesidades de resistencia de entrada