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Université de Blida 1/Dépt d’Electronique Année 2018-2019

Licence Télécom/ 3ème année Semestre 5


Cours : Communications Analogiques

Chapitre 2 (Annexe) : Amplificateurs

 Amplificateurs à ampli-op

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Exercice 1 : soit le montage à amplificateur opérationnel suivant :

Sachant que R1 = 2.5 kΩ et R2 = 45kΩ trouvez


le gain de l'amplificateur de la figureci-contre.

Exercice 2 : Sachant que R1 = 2.5k et R2 = 25k, trouvez le gain de l'ampli-op suivant :

Exercice 3 : Sachant que R1 = 1k, R2 = 20k et R3 = 100k, trouvez le gain de l'ampli-op suivant :

….Autres exercices, voir série d’exercices

 Amplificateur à transistor (Rappels) :

Un transistor bipolaire est un semi-conducteur formé de deux jonctions PN. On dispose donc de deux types de
transistors qui sont complémentaires : un transistor NPN et un transistor PNP

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 Quelques exemples de boitiers de transistors :

Caractéristiques statiques du transistor : Afin d'étudier la mode de fonctionnement du transistor, on utilise le montage
suivant:

RVB et RVA sont des résistances variables.

Potentiomètre Ajustable

h11 : est la résistance d’entrée du transistor. C’est


également la pente de la caractéristique d’entrée.
β
h11 = 26 , h11 en Ω et IC en mA
Ic

IC
h21 = à VCE constante est le gain en courant. h21 ≈ β
IB

h22 est l’admittance de sortie du transistor, elle est très


faible et correspond à la pente des caractéristiques des
réseaux de sortie : h22 est fonction du courant du
collecteur.h−1
22 est de l’ordre de 20 kΩ pour des courants de
l’ordre du mA.
VBE
h21 = à IB constant. C’est la pente des
VCE
caractéristiques des réseaux de transfert. Ce paramètre est
voisin de 0 (10−5 à 10−6 ) et est souvent négligé.

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 Relations fondamentales (résumé)

En fonctionnement linéaire : le transistor est alors, le plus souvent, utilisé dans un montageamplificateur.

IC = βIB

α
β=
1−α

(α varie entre 0,99 et 0,995 donc β est de l'ordre de 100)

IC 1
IE = IC + IB = IC + = IC (1 + ) ≈ IC
β β

VBE = 0,6 à 0,7 V (silicium)

NB : Le constructeur ne peut préciser la valeur exacte du gain en courant β (ou h21) car sa valeur varie d’un
échantillon à l’autre pour une même série de transistor. Dans les Data Book, on trouve un intervalle de valeur : par
exemple, 100 < 𝛽 < 300. Ainsi, les montages d’utilisation devront tenir compte de cette dispersion.

 Puissance dissipée par un transistor - domaine utilisable

Les constructeurs précisent, pour chaque type de transistor, les valeurs à ne pas dépasser sous peine de détruire le
composant. Voici un extrait de la documentation constructeur du transistor 2N2222 (valeurs typiques) :

VCEmax = 30 V , IC max = 800 mA et Ptot max = 0,5 W, qui est la puissance totale que peut dissiper le transistor au
maximum. Théoriquement cette puissance est donnée par :

Pd = VCE . IC + VBE . IB

Cette puissance n’est autre que la somme des puissances fournies au transistor par les circuits d’entrée et de sortie. En
fonctionnement linéaire, le terme 𝑉𝐵𝐸 . 𝐼𝐵 est négligeable (quelques µW) devant 𝑉𝐶𝐸 . 𝐼𝐶 . Ainsi, la puissance dissipée
par le transistor est donnée par :

Pd = VCE . IC

 Polarisation du transistor

Il faut maintenant imposer le mode de fonctionnement du transistor (bloqué, saturé ou linéaire). C'est à dire qu'il faut
se fixer les grandeurs I𝐶 , IB , I𝐸 , V𝐵𝐸 , VCE . Ces grandeurs vont être imposées par les éléments extérieurs au transistor.

 Polarisation par résistance de base, montage :

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Suivant les valeurs de I𝐶 , IB , V𝐵𝐸 , VCE , le transistor fonctionnera en régime linéaire, bloqué ou saturé.
L’expérimentation suivante montre ces trois zones de fonctionnement :

 Droite de charge statique :

D'après la loi des mailles appliquée sur le circuit précédent nous avons:

VCE = Ec − R C IC : Équation de la droite de charge

VBE = Eb − R B IB : Équation de la droite d’attaque

Le point d'intersection entre la droite de charge statique et les caractéristiques du transistor nous donne le point F ou A
ou B de fonctionnement du montage (ou point de polarisation) . Ce sont les éléments extérieurs au transistor
(résistances et alimentation) qui vont fixer ce point de fonctionnement :

 Si le point de fonctionnement est en PF alors le transistor fonctionne dans la zone linéaire.


 Si le point de fonctionnement est en A alors le transistor est saturé.
 Si le point de fonctionnement est en B alors le transistor est bloqué.

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 Transistor en régime linéaire: le mode de fonctionnement en régime linéaire est fixé par les éléments de
polarisation du transistors. Dans ce cas de fonctionnement on doit avoir:

IC = β. IB , IE ≈ IC , VBE = 0,7 V et VCE > VCEsat .

o montages les plus utilisés sont :


- polarisation par résistance de base,
- polarisation par résistance d’émetteur et,
- polarisation par pont de base.
o Transistor en commutation (saturé-bloqué) : quand le transistor passe du mode saturé au mode bloqué et vice
versa on dit qu’il fonctionne en mode de commutation. On utilise cette propriété du transistor pour commander un
relais, une LED, un moteur…etc.

Relais électronique LED(s)

Le transistor est bloqué si : Ve ≤ 0, IB=0, IC=0 et IE=0 et


VCE=VCEbloc ≈ VCC(Voir fig. 7b et 8a). En pratique, on bloque un
transistor avec une tension Ve < 0.

Le transistor est saturé si : 0 <IC< β.IBet VCE= VCEsatsoit :


(𝑉𝐶𝐶− 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 ) 𝛽(𝑉𝑒𝑚𝑎𝑥 −𝑉𝐵𝐸 )
0 < < (Voir fig. 7b et 8a)
𝑅𝐶 𝑅𝐵

𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 =0,3 à 0,4V. En pratique, 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 ≈ 0V.


Remarque : Si 𝑉𝑒𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐶 alors la condition pour saturer un transistor
est :
𝑉𝐶𝐶 𝛽(𝑉𝑐𝑐 −𝑉𝐵𝐸 ) 𝑉𝐶𝐶 𝛽.𝑉𝑐𝑐
< → <
𝑅𝐶 𝑅𝐵 𝑅𝐶 𝑅𝐵

→ 𝑅𝐵 < 𝛽𝑅𝐶 . Exple : Rc=1 kΩ, β=120 alors RB<120 kΩ

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o Régime dynamique d’un transistor.


 Schéma équivalent d’un transistor. Paramètres hybrides.

On suppose que le transistor est placé à son point de fonctionnement, c.à.d., dans la zone linéaire des caractéristiques
et ce par application de potentiels continus convenables sur les trois électrodes (un point de repos convenable).

NB : Des capacités parasites existent entre les électrodes d’un transistor. Ces capacités sont faibles et présentent en basses
1
fréquences (BF) des impédances si grandes (𝑍𝐶 = → ∞ ) que l’on peut négliger leur effet. Par contre en hautes fréquences
𝐶𝜔 𝜔→0
(HF) les impédances de ces capacités modifient le fonctionnement du transistor.

En régime dynamique « petits signaux » (signaux de faible amplitude autour du point de repos), on peut décrire le
comportement d'un transistor à l'aide des paramètres h (hybrides) d'un quadripôle . Ces paramètres sont appelés
hybrides car ils donnent 𝑢1 et 𝑖2 (une tension d’entrée et un courant de sortie) à partir du produit de la matrice des
paramètres hybrides et du vecteur formé par𝑖1 et 𝑢2 (les deux autres grandeurs : courant d'entrée et tension de sortie).

𝑢1 ℎ ℎ12 𝑖1
( 𝑖 ) = ( 11 )( )
2 ℎ21 ℎ22 𝑢2

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Le transistor monté en émetteur commun (émetteur vers la masse directement ou à travers une résistance) admet le
schéma équivalent en dynamique (basses fréquences) représenté ci dessous. Dans ce cas :

ℎ12 → 0
et
−1
ℎ22 → +∞

𝑖1 = 𝑖𝐵 , 𝑢1 = 𝑣𝐵𝐸 , 𝑖2 = 𝑖𝐶 𝑒𝑡 𝑣2 = 𝑣𝐶𝐸

On obtient donc le système d’équation :

𝑣𝐵𝐸 (𝑡) = ℎ11 𝑖𝐵 (𝑡) + ℎ12 𝑣𝐶𝐸 (𝑡)

𝑖𝐶 (𝑡) = ℎ21 𝑖𝐵 (𝑡) + ℎ22 𝑣𝐶𝐸 (𝑡)

• ℎ11 est l'impédance d'entrée du transistor.

• ℎ21 (β) est le gain du transistor.

• ℎ12 est un terme de réaction interne. Sa valeur est très faible, il sera le plus souvent négligé.

1
• ℎ est l'impédance de sortie du transistor
22

o Montages amplificateurs à transistor.


Amplificateur émetteur commun : dans ce montage, le signal à amplifier est injecté entre la base et la masse, le
signal amplifié est récupéré entre le collecteur est la masse et, l’émetteur est connecté à la masse.

Dans ce schéma électrique, le transistor étant placé par la polarisation, dans une zone où ses caractéristiques sont
linéaires (figure 10, les points :IB0 , VBE0 , IC0 etVCE0). On utilise de préférence une polarisation par pont de base et
résistance d’émetteur car cette polarisation est presque indépendante de β. On désire obtenir un montage dit « en
émetteur commun » ou émetteur vers la masse, pour cela il est nécessaire d’exciter le montage entre la base et la
masse par un générateur sinusoïdal 𝑣𝑒 (𝑡). La tension de sortie 𝑣𝑠 (𝑡) du montage doit alimenter une résistance
d’utilisation (ou de charge) RL. On doit dans un premier temps résoudre un problème :

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Régime statique (𝑣𝑒(𝑡) = 0):

• On fixe le courant collecteur de repos IC0

• On fixe le potentiel d'émetteur VE0 (au maximum à Vcc/3).

𝑉𝐸0
• On calcule alors la résistance R 𝐸 par la formule R 𝐸 =
𝐼𝐶0

• On se fixe la tension VCE0 : en général, on la prendra égale à la moitié de la tension disponible qui est égale à 𝑉𝐶𝐶 −
VCE0

Vcc−VE0 −VCE0
• On en déduit la résistance Rc = IC0

• On fixe le courant du pont de base (on prendra une valeur moyenne pour le β du transistor, cette valeur n'étant pas
IC0
critique ici) : IP0 = 10IB0 = 10
β

VE0 +VBE0
• On calcule R 2 (en règle générale, on prendra 𝑉𝐵𝐸0 égal à 0,7V) : R 2 = IP0

Vcc
• On en déduit R1 = − RE
IP0

La tension entre la base et la masse VB0 doit rester fixe, égale à 1,25 v dans l’exemple pratique et ce afin de maintenir
le transistor dans son point de fonctionnement Sans le condensateur Ce, toute tension continue ajoutée au signal
variable à amplifier sera ajoutée à VB0 ce qui perturbera la polarisation du transistor, exemple à un signal audio auquel
est ajoutée une tension continue (voir Fig.14)

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Dans notre montage, Ce et Cs sont des condensateurs de liaison. Leur rôle est de permettre le passage des signaux
1
d’entrée et de sortie (alternatifs). Leur impédance infinie pour un signal continu (𝑍𝐶 = → ∞ ) doit être très
𝐶𝜔 𝜔→0

faible pour un signal alternatif. On utilise donc des condensateurs polarisés de forte valeur (>50μF) pour que leurs
1
impédances restent très faibles (𝑍𝐶 = → 0 ) et cela même pour les basses fréquences (voir tableau 1).
𝐶𝜔 𝐶→∞

Sur ce tableau , on remarque qu’au-delàs de


quelques kHz, un condensateur parfait de
quelques µF, voire moins, peut être considéré
comme un court-circuit devant des branches
présentant des kΩ d’impédance.

D’une manière générale, on élimine une composante continue à l’aide d’un condensateur de forte valeur :

Sur l’illustration de la figure 14, on remarque que le


condensateur C coupe la composante continue : le
signal variable en Va est portée par une tension
constante qui est modifiée (ou annulée) en Vb.

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La résistance d’émetteur RE est nécessaire pour polariser correctement le transistor (voir TD), mais sa présence
diminue beaucoup le gain de l’amplificateur (en régime variable) . On place, en parallèle à cette résistance, un
condensateur de forte valeur (Cd) qui se comporte comme un court-circuit en alternatif et comme une impédance
infinie en continu. Cd est un condensateur de découplage et souvent ce montage est nommé «émetteur commun
découplé».

Schéma équivalent en régime dynamique :

La source de tension continue Vcc est une source de tension nulle en petits signaux. Pour les petits signaux et dans la
bande passante, les condensateurs de liaison Ce et Cs ainsi que CD ont des impédances négligeables devant celles du
circuit et la structure se comporte comme le schéma suivant :

La droite de charge dynamique s’écrit : 𝑖𝐶 = 𝑓(𝑣𝐶𝐸 )

On distingue deux cas :


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Amplificateur à vide : 𝑅𝐿 → ∞, dans ce cas : 𝑖𝐶 = − 𝑅 𝑣𝐶𝐸
𝐶

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Amplificateur en charge : 𝑖𝐶 = − 𝑅 𝑣𝐶𝐸
𝐶 //𝑅𝐿

Les petits signaux à amplifier sont injectés au travers d’un condensateur de liaison Ce

On applique sur la base du transistor un signal variable 𝑣𝑒 (𝑡)qui va provoquer des variations 𝑖𝐵 (𝑡) du courant base
𝐼𝐵0 . Ces variations sont amplifiées par le transistor et son courant de sortie 𝐼𝐶 présente des variations 𝑖𝐶 (𝑡) par rapport
à la valeur au repos𝐼𝐶0 . Le transistor étant considéré comme un quadripôle ; il a deux bornes d'entrée et deux bornes de
sortie (une patte sera alors commune à l'entrée et à la sortie) et va être défini par 4 signaux :

- courant et tension d'entrée,


- courant et tension de sortie.

Pour le montage émetteur commun : il s'agit du courant 𝐼𝐵 et de la tension 𝑉𝐵𝐸 pour l'entrée, du courant 𝐼𝐶 et de la
tension 𝑉𝐶𝐸 pour la sortie.En fait, ces signaux se décomposent en deux parties: les tensions et courants continus
de polarisation (régime statique) notés en lettres majuscules 𝐼𝐵0 , 𝑉𝐵𝐸0 , 𝐼𝐶0 𝑒𝑡𝑉𝐶𝐸0, et les petites variations alternatives
(régime dynamique) autour du point de repos qui sont respectivement 𝑖𝐵 , 𝑣𝐵𝐸 , 𝑖𝐶 𝑒𝑡𝑣𝐶𝐸 notés en lettres minuscules. Il
y a donc superposition de signaux continus et variables.

𝐼𝐵 = 𝐼𝐵0 + 𝑖𝐵

𝐼𝐶 = 𝐼𝐶0 + 𝑣𝐶𝐸

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸0 + 𝑣𝐶𝐸

𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐸0 + 𝑣𝐵𝐸

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On remarque que la variation de la tension 𝑣𝐵𝐸 (𝑡) qui n’est autre que la tension 𝑣𝑒 (𝑡) autour de la tension 𝑉𝐵𝐸0 de 0,7
Ventraine la variation du courant de collecteur𝑖𝐶 (𝑡) autour de sa valeur de repos 𝐼𝐶0 = 6,5 𝑚𝐴 qui lui-même entraine
en sortie des variations dynamiques de la tension 𝑣𝐶𝐸 (𝑡) qui n’est autre que la tension 𝑣𝑠 (𝑡) de part et d’autre de sa
valeur de repos 𝑉𝐶𝐸0 = 6,35 𝑉

L’amplitude de la tension d’entrée 𝑣𝑒 (𝑡) = 𝑣𝐵𝐸 (𝑡) doit être faible (petits signaux) pour éviter des distorsions en
sortie. En effet, si on augmente l’amplitude de 𝑣𝐵𝐸 (𝑡) , la non linéarité de la caractéristique d’entré va provoquer une
tension de sortie 𝑣𝑠 (𝑡) non sinusoïdale. La tension de sortie 𝑣𝑠 (𝑡) ne peut pas dépasser les deux limites qui
correspondent au blocage et la saturation du transistor.

À partir de la figure 16 et moyennent quelques calculs on en déduit:

Si le signal d’entrée est de la forme 𝑣𝑒 (𝑡) = 𝑉𝑒 . sin(2𝜋𝑓𝑡 + 𝜑𝑒 )

et

le signal sortie de la forme 𝑣𝑠 (𝑡) = 𝑉𝑆 . sin(2𝜋𝑓𝑡 + 𝜑𝑠 )

alors :

- L’amplification en tension dans la bande passante:

−1
𝑉 ℎ22 //𝑅𝐶 //𝑅𝐿
𝐴𝑣 = 𝑉𝑠 =- 𝛽 ℎ11
𝑒

- Le signe (-) indique qu’il y a une inversion de phase :

𝜑𝑠 -𝜑𝑒 = 𝜋.

- L’impédance d’entrée de l’amplificateur dans la bande passante :


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𝑍𝑒 = 𝑅1 // 𝑅2 //ℎ11

- L’impédance de sortie dans la bande passante :

−1
𝑍𝑠 = (𝑅𝐶 //ℎ22 ).

Un des aspects aussi très important est celui de l’analyse en fréquence d’un amplificateur. La fréquence la plus
hautes à laquelle notre amplificateur ne peut plus suivre et subit une atténuation est appelée fréquence de
coupure haute. Elle a pour origine les fréquences parasites CCBqui cause cette atténuation appellée « coupure
haute ». De la même façon à cause des fréquences de liaison ou de couplage nous avons des atténuations pour des
fréquences basses ou « fréquences de coupure basse ». Le domaine fréquentiel d’un amplificateur est caractérisé
par sa largeur de bande fréquentielle comprise entre la fréquence de coupure basse et la fréquence de
coupure haute.

Montage collecteur commun : dans ce montage (voir Fig.21a), le signal à amplifier est injecté entre la base et la
masse, le signal amplifié est récupéré entre l’émetteur est la masse et, le collecteur est connecté à la masse.

La source de tension continue Vcc est une source de tension nulle en petits signaux. Pour les petits signaux et dans la
bande passante, les condensateurs de liaison Ce et Cs ont des impédances négligeables devant celles du circuit. On en
déduit :
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𝑉
- L’amplification en tension dans la bande passante: 𝐴𝑉 = 𝑉𝑠 ≈ 1.
𝑒

−1
- L’impédance d’entrée de l’amplificateur dans la bande passante : 𝑍𝑒 = (𝑅1 //𝑅2 //[ℎ11 + 𝛽(ℎ22 //𝑅𝐸 //𝑅𝐿 )])

11 ℎ
- L’impédance de sortie dans la bande passante : 𝑍𝑠 = 𝛽+1

Cette structure se comporte en étage suiveur avec une relativement forte impédance d’entrée et une faible impédance
de sortie.

Montage base commune : dans ce montage , le signal à amplifier est injecté entre l’émetteur et la masse, le signal
amplifié est récupéré entre le collecteur est la masse et, la base est connecté à la masse.

La source de tension continue Vcc est une source de tension nulle en petits signaux. Pour les petits signaux et dans la
bande passante, les condensateurs de liaison Ce et Cs ont des impédances négligeables devant celles du circuit On en
déduit :

- L’amplification en tension dans la bande passante :

𝑉𝑠 (𝑅𝐶 //𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 = =𝛽
𝑉𝑒 ℎ11

- L’impédance d’entrée de l’amplificateur dans la bande passante :

ℎ11 ℎ11
𝑍𝑒 = //𝑅𝐸 ≈
𝛽+1 𝛽+1

- L’impédance de sortie dans la bande passante :

𝑍𝑠 = 𝑅𝑐.

Cette structure se comporte en amplificateur non inverseur.

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 Amplificateurs à transistor JFET


 Rappels :

Le transistor JFET (Junction FET) fait partie de la famille des transistors à effet de champ ou FET (Field Effect
Transistor). Le transistor MOSFET appartient également à cette famille. Il possède trois bornes :

- la grille (G)
- le drain (D)
- la source (S)

Il existe deux types de transistors JFET :


- JFET à canal N - JFET à canal P

o Caractéristiques statiques u JFET-N

La source de tension Eg doit être négative (inversion de la polarité)

Pour un JFET à canal N en fonctionnement normal :

- la tension VDS est positive


- la tension VGS est négative ou faiblement positive (< 0,6 V) : généralement, on utilise une tension négative ou
nulle
- le courant de grille est quasiment nul IG = 0 : impédance d’entrée très importante

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- le courant entre dans le transistor par le drain (ID )


- le courant sort du transistor par la source (IS )
- Loi des nœuds : IS = ID
- Le transistor JFET est commandé par la tension de grille VGS (alors que pour un transistor bipolaire NPN ou
PNP la grandeur de commande est le courant de base)

o Zone de blocage :
- La tension VGS règle le courant ID qui circule dans le transistor
- ID est maximal (IDSS = 17 mA typique) pour VGS = 0 V
- Lorsque |VGS | augmente ID diminue
- Pour VGS < VGSoff , on peut considérer que le courant ID est nul (< 10 nA) : le transistor est bloqué (off)
- D diminue quand |VGS| augmente.
o Zone ohmique :
- Pour de faibles niveaux de la tension VDS la caractéristique de sortie est linéaire : le transistor se comporte
comme une résistance (R DSon ). Par exemple, pour VGS = −2𝑉 R DSon = 200 Ω typique.
- Pour VDS > 4 V environ, la caractéristique de sortie est quasiment horizontale, le transistor se comporte
comme une source de courant .Par exemple, pour VGS = −2𝑉 : ID = 9 mA (voir caractéristique de transfert)

Remarque : La caractéristique électrique du transistor JFET à canal P, où le sens des courants et le signe des tensions
sont inversés ne sera pas introduite dans ce résumé.

 Amplificateur du JFET.

Parmi les applications du JFET on trouve :

- résistance commandée en tension


- interrupteur électronique
- amplificateur de tension
- …etc.

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Amplificateur de tension :

- Définition de la transconductance notée g fs

g fs est la pente de la caractéristique de transfert ID = f(VGS )

ΔID
g fs =
ΔVGS

D’après la figure , g fs augmente lorsque ID augmente. On peut lire, pour ID = 17 mA g fs = 6 mA/V

- Schéma de principe de l’amplificateur de tension :

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UE est une tension sinusoïdale de petite amplitude. La loi des mailles en sortie donne :

E = RID + US

En régime dynamique, tous les courants et tensions intermédiaires varient :

ΔE = 0 car E est constante, le symbole Δ représente l’écart avec la moyenne

ΔUS = −R ΔID

or :

ΔID ΔID
g fs = = ⇔ ΔID = g fs ΔUE
ΔVGS ΔUE

l’amplification est donc :

ΔUS
A= = −R ΔID = −R g fs
ΔUE

Application numérique :

VGS = −3.0 V, ID = 5.5 mA , g fs = 3.5 mS

A = − 4700 x 0,0037 = −17 (Valeur typique).

Expérimentalement, on a mesuré -9,6 avec UE (= ΔVGS) est une tension sinusoïdale négative de petite amplitude

(fréquence 1 kHz, amplitude ± 230 mV, valeur moyenne – 3,0 V).

US est également sinusoïdale (amplitude ± 2,2 V, valeur moyenne + 6,1 V) : le transistor fonctionne en régime
linéaire.

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L’écart est dû à la dispersion des caractéristiques du transistor.

Remarques :

- Les transistors JFET ont un faible bruit électrique (inférieur à celui des transistors bipolaires).
- Les transistors JFET sont couramment utilisés dans les amplificateurs (et oscillateurs) à hautes fréquences
(plusieurs centaines de MHz).
- Certains amplificateurs opérationnels ont un étage d’entrée à transistors JFET (par exemple le TL071) :

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