CM Eln1 PROF ORAL 2011 09 01

Électronique 1
(SP2 11/12) http://iut-tice.ujf-grenoble.fr/tice-espaces/MPH/EP-gallotLava/
Outils d’analyse (Quadripôle, Fonction de

transfert, Diagramme de Bode) - Diodes -
Transistors - Amplificateurs Opérationnels
CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt olivier.gallot-lavallee@grenoble.cnrs.fr 1
Déroulement du module « Eln1 »
Formation:
8 heures de Cours Magistraux
C/TD
14 heures de Travaux dirigés
20 heures de Travaux pratiques
Évaluation:
1 TEST « surprise » de 30 minutes
1 DS de 2 heures
1 EP (Examen Pratique) de 2h
Objectif
Connaître les fonctions électroniques de bases et
leurs caractéristiques
Diapositive de résumé
Quadripôle, fonction de transfert, filtre et
diagramme de Bode (2h)
Diodes à semi-conducteur et montages usuels (2h)
Transistors à jonction (bipolaires) et montages
usuels (+variantes) (2h)
Amplificateurs Opérationnels et montages usuels
(2h)
Quadripôle, fonction de transfert,
filtre et diagramme de Bode (2h)
i1(t) i2(t)
v1(t):entrée Quadripôle v2(t):sortie
Créer un modèle équivalent
optionnel optionnel Caractériser le rapport sortie/entrée
Représenter un filtre électronique
0 < ξ < 0.707
Hdb
Coefficient d'amortissement
Gain statique
 2

1 + 2ξ p +  p   L 1 + p 
résonant ω= ω0
∏  ω  ∏l =1  ω 
K
k =1  k
ω  k   l 
V
H(p ) = s = α .p q .  k
Pulsations de coupures
 
0
0.707 < ξ
2
Ve p  p  N  p  ω (rad/s)
-4
∏m=1 1 + 2ξ m ω +  ω  ∏n=1 1 + ω 
M
0d
 m  m   n 
b/d
amorti
φ(°)
Pulsations propres
ec
ω= ω0 ω (rad/s)
0
-180°
Le quadripôle
Il peut être parfois utile de modéliser un composant ou un
circuit (ensemble de composants) sous la forme de boîtes
noires, dont on ne connaîtrait que les paramètres
d’entrée/sortie
Circuit d’origine Quadripôle équivalent
Quadripôle Quadripôle
Ie Is Ie Is
Z2 Ze Zs
Z1 Z3 Rch Ve ou Ze ch Vs
Eth(t) Vs0
Ve Vs
Quadripôle
Ie Is
Ve:entrée Quadripôle Vs:sortie
Identification des paramètres du
modèle en « Z simplifié »
Le modèle en Z est adapté à l’Électronique d’Instrumentation
Zs = Zch quand V s = V s0 /2
V s0
Ve Ie Is Zs =
Ze = Is V s =0
Ie Is =0
Ze Zs Vs
V Ve Vs Rch Zs =
Ze ch = e Is Ie =0
Ie Vs0
V s0 = V s Is =0
Modèles équivalents (généralisation)
Il existe 3 principaux modèles équivalents:
Le modèle en « H »
I1 1/Y11 1/Y22 I2
Le modèle en « Z »
Et le modèle en « Y » V1 V2
Y12.V2 Y21.V1
I1 I2  I1   Y11 Y12   V1 
1/H22 - I  =  Y .
Y 22  V 2 
 2   21
H11
V1 V2 I1 I2
H12.V2
H21.I1 Z11 Z22
 V1   H11 H12   I1  V1 V2
- I  =  H .
H 22  V 2  -Z12.I2 Z21.I1
 2   21
 V1   Z11 Z12   I1 
V  =  Z .
Z 22  - I 2 
 2   21
Règles d’association de quadripôles
I1 I'1 I'2 I2
V'1 Q' V'2

Association série: [Z] = [Z'] + [Z"] V1 I''1 I''2 V2
V''1 Q'' V''2
I1 I'1 I'2 I2
V'1 Q' V'2

Association parallèle: [Y] = [Y'] + [Y"]
V1 I''1 I''2 V2
V''1 Q'' V''2
I1 I'1 I'2 I''1 I''2 I2

Association cascade: [C] = [C'] [C"] V'1 Q' Q'' V''2
V'2 V''1
Fonctions de transfert d'un quadripôle
Gain en Vs Gain en Is
FV = FI =
tension Ve courant Ie
Is Vs
Trans- YT = Trans- ZT =
admittance Ve impédance Ie
Ie Ve
Admittance Ye = Impédance Ze =
d'entrée Ve d'entrée Ie
Forme canonique de la FT (gain en tension)
H ( jω ) ω → 0 = H ( p ) p → 0 = H 0
Coefficient d'amortissement
Gain statique
 2

1 + 2ξ p +  p   L 1 + p 
 
∏k =1   ω  ∏l =1  ω 
K
ω
k
Vs   k   l 
H(p ) =
k Pulsations de coupures
= α .p .
q
Ve  p  p 
2
 N  p 
∏m=1 
1 + 2ξ 
∏
M
+ 
 
 
n =1 
1 + 
m
ωm  ωm    ωn 
 
Pulsations propres
Fréquence de coupure: fc = ωc / 2π
Constante de temps: τ = 1 / ωc ⇔ τ = 1 / 2πfc
Pulsation de coupure: H ( jωc) db = 20 log( H ( jω ) max 2 ) = H db max − 3db
Facteur de mérite: F = H 0 . fc = H ( j.2πf ) =1 . f
Application…
Calculer la FT d’un circuit RC
Zc
Vs = Ve . (Pont diviseur de tension)
R + Zc H
Ie Is
⇔ H( jω ) =
Vs H0
= R
Ve 1 + p Ve Vs
ωc Zc=1/jCω
 1
ω c = RC

où  H 0 = 1
 p = jω K
 2

1 + 2ξ p +  p   L 1 + p 
∏k =1  ∏
ω k  ω k   l =1  ωl 

k
H(p ) =
Vs
= α .p .
q  
  
2
Ve
1 + 2ξ p +  p   N 1 + p 
∏m=1  ∏
M
m
ω m  ω m   n =1  ω n 
 
Notion de filtrage
D'après la théorie de Fourier, tout signal réel peut
être considéré comme composé d'une somme de
signaux sinusoïdaux (en nombre infini si
nécessaire) à des fréquences différentes
Le rôle du filtre est de modifier la phase et
l'amplitude de ces composantes
Un filtre est caractérisé par sa fonction de transfert
Phys. Fr. Joseph Fourier (1768 – 1830)
Classification des filtres
|H(f)|
Passe-Bas
1
|H(f)|
-BP-
0
1
Passe Haut 0 fc f (Hz)
|H(f)|
-BP-
0
0 fc f (Hz)
1
Passe Bande -BP-
|H(f)|
0
0 fc1 fc2 f (Hz)
1
Coupe Bande 0
-BP- -BP-
|H(f)|
0 fc1 fc2 f (Hz)
Passe Tout -BP-

0
0 f (Hz)
Filtre actif ou passif ?
Les filtres passifs = composants passifs
F > MHz et Gain ≤ 1
Les filtres actifs = composants actifs
F < MHz et Gain > 1
R1=5,1[kΩ] +
u
R2
-
v vs
ve(t) C=10[nF] vs(t) ve
R1
Eg:
Eg:
C
Diagramme de Bode
Représentation graphique d'une fonction complexe H(jω)
Le gain (ou l'amplitude): |H| en db = 20 log | H(jω)|
La phase φ en degré: φ = arg (H(jω))
L'échelle log. des pulsations en rad/s ou en Hz.
0
-10
Gain [dB]
-20
-30
-40
0
Phase [deg]
-45
Eg: Filtre RC -90 2

10
3
10 10
4
10
5 6
10
Pulsation [rad/s]
Méthode de tracé du diagramme de
Bode (diagramme asymptotique)
(1) Mise sous forme canonique de la fonction de transfert
(2) Approximation de la fonction de transfert: ω→0;
(3) Approximation de la fonction de transfert: ω→∞;
(4) Ecriture des équations du Gain Hdb et de la phase φ
correspondants
(5) Calcul du gain et de la phase au point particulièr ω tel
que p/ωc (klm ou n) =j
(6) Tracé des asymptotes, du point particulier et de la
fonction réel à main levée
Application…
H db ≈ 20.log(1) = 0
(1) H(p ) =
1
(2) H (p )p →0 ≈ 1 (3) H (p )p →∞ ≈
1
(4)
1 + RC. p RC. p 1 1
H db ≈ 20.log( ) = 20.log( ) - 20.log(ω )
RC.ω RC
droite à 0db ωc=1/RC
0
-3db = fonction affine de pente -20db /décades et
-10 passant par Hdb=0 en ω =1/RC (dans un
dro
Gain [dB]
repère ou les abscisses sont log.)

ite
1 1 à- .
-20 H db = 20.log( ) = 20.log( ) = -3db 20
1+1 2 db
(5) /de
1 c
-30 ϕ = arg( ) = − arctg (1) = -45°
1+ j
-40
0
droite à 0°
Phase [deg]
ϕ ≈ arg(1) = 0°
inflexion à -45° (4) 1
-45 ϕ ≈ arg( ) = -90°
j.RC.ω
droite à -90°
-90 2 3 4 5 6
10 10 10 10 10
Pulsation [rad/s]
Diagrammes de Bode des fonctions de
transferts élémentaires du 1er ordre
Hdb
Hdb
-2
c
de
0d
b/
b/
0d
de
+2
c
0 0
H(p ) = α .
ω=1/α ω (rad/s) 1 ω=α ω (rad/s)
H(p ) = α . p
φ(°)
p
φ(°)
ω (rad/s)
+90° 0
ω (rad/s)
0 -90°
Hdb
Hdb
ω= ωc
p ω= ωc 0
0 -2 ω (rad/s)
0d
c
ωc
ω (rad/s)
de
b/
H(p ) = H(p ) =
1
b/
de
0d
φ(°)
+2
p p
1+ 1+
φ(°)
ω= ωc ω (rad/s)
+90°
ωc ω (rad/s) ωc 0
0 -90°
ω= ωc
Diagrammes de Bode des fonctions de
transferts élémentaires du 2ème ordre
0 < ξ < 0.707
Hdb
résonant ω= ω0
2
 p  0
  0.707 < ξ ω (rad/s)
 ω0 
c
H(p ) =
/de
amorti
db
φ(°)
40
2
p  p  180°
1 + 2ξ +  
ω0  ω0  ω (rad/s)
0
ω= ω0
0 < ξ < 0.707
Hdb
résonant ω= ω0
0
H (p ) =
1 0.707 < ξ ω (rad/s)
-40
db
2 amorti
 p 
/de
φ(°)
p
1 + 2ξ +  
c
ω0  ω0  ω= ω0 ω (rad/s)
0
-180°
Quelques règles de calculs
H ( jω ) = H1 ( jω ).H 2 ( jω )
k =n
Hdb
ω= ωc H . = ∏ Hk
0 -2 k =1
0d ω (rad/s)
b/
de
c
φ(°)
ω= ωc ω (rad/s) H dB
= 20 log H = H1 dB + H 2 dB ... + H n dB
Hdb
0
-90° ω= ωc
0
c
ω (rad/s)
de
b/
+ =
0d
Hdb
+2
c
de
b/
φ(°)
0d
+90°
+2
0 ω (rad/s)
ω=1/α ω (rad/s) 0
ω= ωc
φ(°)
+90° k =n
0
ω (rad/s)
ϕ = ∑ϕk
k =1
Quiz sur les outils d’analyse appliqués
à l’électronique…
Qu’est ce qu’un quadripôle ?
A quoi sert ce formalisme ?
Quel est le modèle équivalent d’un quadripôle paramétré en Z ?
Comment identifie-t-on les paramètres du modèle en Z simplifié ?
Quelles sont les trois principales formes d’association des quadripôles ?
Qu’est ce qu’une fonction de transfert ?
Qu’est ce qu’une fonction de transfert de type gain en tension ?
Quelle est la forme canonique la plus universelle des fonctions de transfert ?
A quoi sert ce formalisme ?
Qu’est ce que la pulsation de coupure (sous entendu d’une FT du 1er ordre) ?
Qu’est ce que la fréquence de coupure (sous entendu d’une FT du 1er ordre) ?
Qu’est ce que la bande passante ?
Qu’est ce que la constante de temps (sous entendu d’une FT du 1er ordre) ?
Qu’est ce que le gain statique ?
Qu’est ce que le facteur de mérite ?
Qu’elle est la fonction de transfert d’un circuit RC (entrée sur RC et sortie sur C) ?
Quels sont les paramètres d’identification à la forme canonique de cette FT ?
Qu’est ce qui caractérise un filtre actif ?
Qu’est ce qui caractérise un filtre passif ?
Quelles sont les 5 principales classes de filtre ?
Qu’est ce qu’un diagramme de Bode ?
Quel est l’intérêt de cette représentation ?
Quelle est la méthode du tracé du diagramme de Bode asymptotique ?
Quel est le diagramme de Bode asymptotique et réel (à main levée) du circuit RC (entrée sur RC et sortie sur C) ?
Quels sont les diagrammes asymptotiques des 6 principales FT élémentaires ?
Quelle est la règle de construction du diagramme d’un produit de FT ?
Diodes à semi-conducteur et
montages usuels (2h)
Les semi-conducteurs
Jonction p-n
Caractéristiques de la diode
Modèles équivalents
Montages usuelles
Diodes particulières
rd ou r∆
I I Anode Cathode
U>0
I=0 I=0 U Is Vs
U
Semi-conducteur intrinsèque
Les atomes de semi-conducteur sont tétravalents
La concentration des électrons libres et des trous dépend
très fortement de la température
Dans un barreau de Silicium à 300K il y a 1,5.1010 électrons-trous /cm3
Soit une paire électrons-trous pour 3,3.1012 atomes
Mauvais conducteur et mauvais isolant = semi-conducteur
Eg: Silicium (Si) 14e- : 1s² 2s² 2p6 3s² 3p2
Semi-conducteur extrinsèque de type n
Substitution d’atomes tétravalents par des atomes
pentavalents = dopage n
Atomes pentavalents = Impuretés = donneurs
Dans un barreau de Silicium dopé n il y env. 1018 donneurs /cm3
Soit autant d’électrons libres créés
Semi-conducteur extrinsèque de type p
Substitution d’atomes tétravalents par des atomes trivalents
= dopage p
Atomes trivalents = Impuretés = accepteurs
Dans un barreau de Silicium dopé p il y env. 1018 accepteurs /cm3
Soit autant de trous libres créés
La jonction p-n = Diode
La jonction se polarise spontanément
Zone de déplétion
p n
Anode (A) Cathode (K)
I
U
Polarisation de la jonction p-n
Direct Inverse Anode Cathode
Zone de déplétion
p n
Direct
U+ U-
Zone de déplétion
U+ E
U-
p n
Inverse
U- U+
Zone de déplétion
U- E U+
CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt olivier.gallot-lavallee@grenoble.cnrs.fr p n 28
Caractéristique I=f(V) de la jonction p-n
  U     U   kT
Ip = Isp exp  − 1 In = Isn exp  − 1 avec U T = (tension de Boltzmann )
  nU T     nU T   e
  U  
⇒ I = Ip + In = Is exp  − 1 avec Is = Isp + Isn
  nU T  
Résistance
Cathode dynamique ou
différentielle
rd ou r∆
Courant inverse Tension seuil Vs

de saturation Is
Détermination de l'état d'une diode
La diode devient passante si la tension à ses bornes
U=(VA-VK)>0 ou Vs
I>0
U>0 ou Vs
La diode devient bloquée si le courant qui la traverse

IAK=0
I=0
U≤0 ou Vs
Dét. de l'état d’un réseau de diodes
Dans un montage de diodes à cathodes communes, c'est
la diode dont le potentiel d'anode est le plus haut qui
devient l'unique diode passante
VA
VA' Montage à cathodes communes

VA''
Dans un montage de diodes à anodes communes, c'est la

diode dont le potentiel de cathode est le plus bas qui
devient l'unique diode passante
VK
VK'
Montage à anodes communes
VK''
Dét. de l'état d’une diodes dans un
circuit complexe
Une dernière méthode consiste à supposer l’un des
deux états de la diode
…puis à vérifier que les conditions associées sont
vérifiées.
Si elles ne le sont pas, alors la diode est dans
l’autre état
Modèles éq. de la diode bipolaire
Diode bloquée I=0 I=0
U≤0
Diode passante
1er modèle I
2ième modèle I>0

I
U>0 Vs
3ième modèle
I rd ou r∆
Vs
Montage usuel à base de diodes:
Redressement double alternance
Démodulation AM
Redressement Filtre passe bas Filtre passe haut
C
C R R
Anti-retour
Alim 5V
Charge
Ecrêteur
Accu 3.5V
Circuit à protéger
Protection de contact
U+
Diodes spéciales…
-Zener
U Résistance
dynamique ou
I
différentielle
rd ou r∆
Courant inverse Tension seuil Vs

de saturation Is
Tension Zener Vz
-6.4V
R
Résistance
Eg. Limiteur: Alim.
dynamique ou
différentielle Limitation par Vz Charge
rd ou r∆
Diodes spéciales…
-Électroluminescente U
Photo- U
-Schottky U
-Varicap U
I
PIN
U
-PIN
I
La cellule photovoltaïque
= photo-diode
Quiz sur les diodes…
Qu’est ce qu’un semi-conducteur intrinsèque ?
Qu’est ce qu’un semi-conducteur extrinsèque de type n ?
Qu’est ce qu’un semi-conducteur extrinsèque de type p ?
Que ce passe t’il lorsque l’on forme un jonction pn ?
Quelle est dans ce cas la distribution des charges, du champ et du potentiel électrique ?
Quel est le symbole de la diode ?
Quelles sont les distributions de charge, de potentiel, d’énergie et de courant en fonction de la polarisation appliquée à
la jonction pn ?
Quelle est l’expression et la caractéristique électrique d’une jonction pn (ie. d’une diode) ?
Quels sont les 4 principaux modèles électriques d’une diode ?
Quels sont les méthodes permettant de déterminer l’état d’une ou de plusieurs diodes ?
Quelles est l’oscillogramme complet d’un redressement double alternance (chronogramme des diodes, courants
d’entrée et de sortie, tensions d’entrée et de sortie) ?
Comment fonctionne une démodulation AM à base de diode ?
Quel est le principe du montage anti-retour ?
Quel est le principe du montage écréteur ?
Quel est le principe du montage protection de contact ?
Quelle est la caractéristique électrique d’une diode Zener ?
Quel peut être son application ?
Quel est le principe et le symbole d’une diode électroluminescente ?
Quel est le principe et le symbole d’une photo-diode ?
Quel est le principe et le symbole d’une diode Schottky ?
Quel est le principe et le symbole d’une diode Varicap ?
Quel est le principe et le symbole d’une diode PIN ?
Transistors à jonction (bipolaires) et
montages usuels (+variantes) (2h)
Zones de déplétion Émetteur (p+)
VCE
Physique du transistor
Base (n) VPNP
Caractéristique électrique
CE
VBE
p+ n p
E E Collecteur (p)
Émetteur (p+) Collecteur (p)
C
Base (n)
Zones de déplétion
B
E Collecteur (n)
VCE
Modèle éq. statique
n+ p n
Base (p)
VBE
VNPN
CE
Modele éq. dynamique
E E Émetteur (n+)
Collecteur (n)
Émetteur (n+)
Base (p) Montages usuelles
Saturation
E/(Re+Rc)
Amplificateur
IB croissant Logique (inverseur)
VCE croissant Point de fonctionnement
C
Droite de charge statique
ib B C ic Rc
E IF-IR
Blocage IBR
B
vbe rbe vce
Signal amplifié s IB IBF
gm.vbe β.ib
Droite de commande statique
E
VCE croissant IB croissant
E
Petit signal e
La jonction npn ou pnp = Transistor
Le transistor bipolaire (Bipolar Junction Transistor) est un dispositif à semi-
conducteur formé par l'association de deux jonctions pn placées en opposition
Zones de déplétion Émetteur (p+)

VCE
Base (n) VPNP
CE
VBE
p+ n p
E E Collecteur (p)
Émetteur (p+) Collecteur (p)
C
Base (n) B
Zones de déplétion E Collecteur (n)
VCE
Base (p) VNPN
CE
VBE
n+ p n
E E Émetteur (n+)
Émetteur (n+) Collecteur (n)
Base (p)
Polarisations de la jonction npn
… où « l’effet transistor » !
Repos Direct (F) Inverse (R)
C (n) C (n) C (n)

VBC VBC=0 VBC
IC=0 IF (IC )
IB=0 IBF (IB ) IBR (IB )
B (p) VCE B (p) VCE B (p) VCE
VBE IE=0 VBE VBE=0 IR (IE )
E (n+) E (n+) E (n+)
Transistor au repos Jonction BE polarisée en sens direct (VBC=0) Jonction BC polarisée en sens direct (VBE=0)
Propriétés électriques en mode F et R
Mode Direct (Forward)
IF
βF
Mode Inverse (Reverse)

IR
βR
Modèle équivalent statique
Après avoir étudié séparément l'effet de chaque jonction, le
modèle complet du transistor peut être obtenu par la simple
superposition des modes F et R
Il s'agit du modèle de Ebers et Moll
C
UBC
IF-IR
IBR
B
IB IBF
UBE
E
Zones de fonctionnements…
C C
UBC UBC
-IR IF-IR
IBR IBR
B B
IB IBF IB IBF
(R) (F) + (R)
UBE UBE
E E
(*) (F) C
C UBC
UBC
IF
IF-IR IBR
IBR B
B
IB IBF
IB IBF
UBE
UBE E
E
Propriétés électriques en régime
saturé et normal direct
Illustration de deux régimes de fonctionnement sur
une caractéristique de transfert et de sortie
Montage à émetteur commun (EC)
ic
Rc
Rb c
vce v: A+B.sin(2πωt) E/(Re+Rc)
Ib b
e
E IB croissant
Re

E/Rb
E
Droite de commande statique
E
Montage d'amplification
Rc C is
E: Rb1
c
DC Ib0+ib
Vce0+vce E/(Re+Rc)
C b Saturation
e C s
e: AC Rb2
Re IB croissant
E
Blocage
Signal amplifié
Droite de commande statique s
Petit signal e
Modèle équ. Dynamique (petits signaux)
Vbe0
ib B C ic Rc I S exp
dI c UT Ic0
gm = = =
dVbe Ic0
UT UT
vbe rbe vce

gm.vbe β.ib dI c
β=
E dI b Ic0
dVbe dVbe β UT
rbe = =β = =β
dI b Ic0
dI c Ic0
gm Ic0
Montage à commutation
Inverseur
E+
e
Rc
ic
Rb Ib c
t
vce s
b s
e e E+
Caractéristiques techniques
Quelques ordres de grandeurs
Vbe=0.65V (Ic=mA) et Vbe=1V (Ic=1A)
Ib=µA
Pertes=10W et Pertes=100W
fmax=GHz
Diversité de boîtiers
Transistors à effet de champ (JFET)
ou linéaire V- V- V+
10mA
VDS fixé >3V

V-
V- V- V++
-4V 3V
VDS fixé
V-
Quiz sur les transistors…
Quelles sont les structures (représentation physique) et symboles des transistors à jonction npn et pnp ?
Quelles sont les distributions d’énergie et de courants en fonction de la polarisation appliquée (npn) ?
Quelles sont les caractéristiques électriques en mode direct (F) ?
Quelles sont les caractéristiques électriques en mode inverse (R) ?
Quel est le modèle équivalent statique du transistor dit d’Ebers et Moll ?
Quelles sont les 4 modes de fonctionnement d’un transistor ?
Quelle est la caractéristique Ic=f(Ube)=f(Uce) ?
Quels sont les modes saturé, normal direct et bloqué correspondants ?
Quelle est la relation fondamentale entre Ic, Ib et Ie ?
Quelle est la relation fondamentale entre Ic et Ib (en mode F) ou Ie et Ib (en mode R) ?
Quelle est la relation fondamentale entre Vce, Vcb et Vbe ?
Qu’est ce que des montages à EC, BC et CC ?
Quelle est la caractéristique statique complète d’un transistor monté en EC ?
Quel est le principe et la caractéristique électrique d’un montage amplificateur (EC) ?
Quel est le modèle équivalent dynamique simplifié (ou petits signaux) du transistor ?
Quelles sont les relations qui permettent d’en identifier les principaux paramètres ?
Quels sont les ordres de grandeurs caractéristiques d’un transistor (P, Vbe, Ic, Ib etc…) ?
Quel est le principe et le symbole d’un transistor à effet de champ dopé n (JFET n) ?
Quelles sont les caractéristiques Id=f(Vgs) et V(ds) du JFET ?
Amplificateurs Opérationnels et
montages usuels (2h)
Technologie de l’AOP
Représentation symbolique
Caractéristiques électriques
Offset null

NC
741
Offset null
Modèle éq. réel et idéal

Amplification différentielle Polarisation Gain et décalage Sortie
Montages usuelles
+Vcc
u
+
G
Amplificateurs
s
v
-
-Vcc Comparateurs
ie
u +
s
+Vsat ~ +Vcc-1 e -
zone de saturation ib1 v s
positive +
G0 u-v Zs
-(u-v)sat u ib2 Ze
0 s R1 R2
(u-v)sat - G0(u-v)
zone linéaire v
zone de saturation
négative -Vsat ~ -Vcc+1
Technologie de l’Ampli-OP (eg. LM741)
Ce montage composé de transistors de résistances et d’une capacité, est

intégré dans une petit boîtier appelé « Circuit Intégré »
Offse t null NC
741
Offse t null
Amplification différentielle Polarisation Gain et décalage Sortie
Représentation symbolique
Tensions d’alimentation
symétrique +Vcc et -Vcc
+Vcc
Entrée non inverseuse
+
u G Sortie
Entrée inverseuse
- s
v
-Vcc
Gain en boucle ouverte ou
Gain de l’AOP
Caractéristiques électriques
s = −Vsat ≅ −Vcc + 1 ∀ u - v < −Vsat / G0 s = + Vsat ≅ +Vcc − 1 ∀ u - v > Vsat / G0
+Vsat ~ +Vcc-1
zone de saturation
positive
G0 u-v
-(u-v)sat
0
(u-v)sat
zone de saturation zone linéaire
négative Application numérique:
-Vsat ~ -Vcc+1
(u-v)sat = (Vcc-1)/G0
AN: (u-v)sat=(15-1)/105=140µV
s = G 0 (u - v) ∀ u - v < Vsat / G0
Modèle équivalent réel et idéal
REEL IDEAL
Impédance d’entrée
Courants d’entrée (input impedance)
(input current) Impédance de sortie Ib1=0
ib1 (output impedance) +
+ Zs=0
Zs u Ib2=0 Ze=∞
u ib2 Ze s
s G0(u-v)
v - G0(u-v) v -
G0 Gain en boucle ouverte G0= ∞

(Open-loop gain)
s s
G0 G0=∞
0 u-v 0 u-v
u
+ s s
« La contre-réaction » v G0
-
≡ u +-
v
G0
Construire un AOP avec G0 >> Gain du montage "A"

Prélever une "partie" de S pour la réinjecter sur V-
"A" = f(composants externe) ≠ f(G0).
"A" peu sensible aux variations T et Vcc
u + s/u=A=G/(1+KG)
G0
-
K
v
Montage non inverseur (Noninverting amplifier)
ie
u +
e - R1 + R 2 R2
v s Ao = s/e = = 1+
R1 R1
R1 R2 Ze' = e/ie = Ze = ∞
Démo:
Hypothèse : u - v < Vsat / G 0 (ie.régime linaire) ⇒ (u - v) = s/G 0 = s / ∞ = 0 ⇒ u = v = e (1)
e 0 s
+ +
Ze R1 R 2 ⇒ v = s/R 2 s.R1.R 2 s.R1
Millman : v = = = ( 2)
1 / Ze + 1 / R1 + 1 / R 2 1 / R1 + 1 / R 2 ( R1 + R 2) R 2 ( R1 + R 2)
R1 + R 2 R2
(1)et (2) ⇒ s/e = = 1+
R1 R1
ie = 0 car Ze = ∞ ⇒ Ze' = e / ie = ∞
Montage inverseur (Inverting amplifier)
u +
R1
-
ie v s R2
e Ao = s/e = −
R2 R1
Ze' = R1
Démo:
Hypothèse : u - v < Vsat / G 0 (ie.régime linaire) ⇒ (u - v) = s/G 0 = s / ∞ = 0 ⇒ u = v = 0 (1)

e s
+
Millman : v = R1 R 2 ( 2)
1 / R1 + 1 / R 2
e s R2
(1)et (2) ⇒ 0 = + ⇒ s/e = −
R1 R 2 R1
ie = e / R1 ⇒ Ze' = e / ie = e.R1 / e = R1
Filtre passe-bas du 1er ordre (filtre à 20 dB/déc)
u +
R1 1
- H ( p) = H 0
e
v s 1+τ .p
R2 avec : H 0 = − R 2 / R1 ; τ = R 2.C ; fc = 1 / 2π .τ
C Démo:
Hypothèse : ie.régime linaire ⇒ u = v = 0 (1)
e s
+
|H(f)|db
H0db
R1 Re q
Millman : v = ( 2)
1 / R1 + 1 / Re q
0 -2
fc=1/2π.τ 0d f (Hz) e s Re q
b/
de (1)et (2) ⇒ 0 = + ⇒ s/e = −
c R1 Re q R1
or Re q = R 2 /(1 + jR 2Cω )
R2 1
⇒ s/e = − .
R1 1 + jR 2Cω
Comparateurs à référence non nulle
s
+Vsat ~ +Vcc-1
u =Vref zone de saturation
+Vcc G0 = positive
+ u=x+Vref
u G Vref
v 0
- s
-Vcc zone de saturation
Vref négative
-Vsat ~ -Vcc+1
si u - Vref > 0 ⇒ u > Vref ⇒ s = + Vsat ≅ +Vcc − 1

si u - Vref < 0 ⇒ u < Vref ⇒ s = −Vsat ≅ −Vcc + 1
Comparateurs à hystérésis (non inverseur)
s +Vsat ~ +Vcc-1
R2
R1
+Vcc a=R1/R2
+ u'
u
u' v G -aVsat 0 +aVsat
- s
-Vcc
-Vsat ~ -Vcc+1
u' s
+
Millman : u = R1 R 2 = (u '.R 2 + s.R1) /( R1 + R 2)
1 / R1 + 1 / R 2
R1
Si s = + Vsat ≅ +Vcc − 1 ⇒ u - v > 0 ⇒ u > 0 ⇒ u ' > −a.Vsat avec a =
R2
R1
Si s = −Vsat ≅ −Vcc + 1 ⇒ u - v < 0 ⇒ u < 0 ⇒ u ' < +a.Vsat avec a =
R2
Quiz sur les AOPs…
Quels sont les trois principaux étages qui constituent un AOP ?
Quelles sont les trois principales représentations symbolique d’un AOP ?
Quels sont les deux régimes de fonctionnement d’un AOP ?
Quels sont les caractéristiques entré/sortie des AOPs et leur représentation graphique ?
Quel est le modèle équivalent d’un AOP ?
Quels sont les caractéristiques entré/sortie des AOPs idéaux et leur représentation graphique ?
Quel est le modèle équivalent d’un AOP idéal ?
Quel est le principe et la conséquence d’une contre-réaction ?
Quel est la théorème de Millman ?
Quel est le théorème des nœuds ?
Quel est le schéma et la caractéristique d’un amplificateur non-inverseur ?
Quel est le schéma et la caractéristique d’un suiveur ?
Quel est le schéma et la caractéristique d’un amplificateur inverseur ?
Quel est le schéma et la caractéristique d’un additionneur ?
Quel est le schéma et la caractéristique d’un passe bas actif du 1er ordre ?
Quel est le schéma et la caractéristique d’un passe haut actif du 1er ordre ?
Quel est le schéma et la caractéristique d’un comparateur à zéro ?
Quel est le schéma et la caractéristique d’un comparateur à référence non nulle ?
Quel est le schéma et la caractéristique d’un comparateur à hystérésis inverseur ?
Quel est le schéma et la caractéristique d’un comparateur à hystérésis non-inverseur ?
Comment distingue-t-on un montage inverseur d’un montage non-inverseur ?
Comment distingue-t-on un montage disposé à fonctionner en régime linéaire d’un montage disposé à fonctionner en
régime saturé ?
Pourquoi appel t’on ce composant un AOP ?
Pourquoi ce composant est le compagnon idéal de la mesure physique ?
Théorème de Millman et méthode des nœuds
(Annexe)
Théorème de Millman Méthode des noeuds
i1 i2 i3 ik in
Z1 Z2 Z3 Zk Zn
Vm
e1 e2 e3 ek en

CM Eln1 PROF ORAL 2011 09 01

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Électronique 1

(SP2 11/12) http://iut-tice.ujf-grenoble.fr/tice-espaces/MPH/EP-gallotLava/

Outils d’analyse (Quadripôle, Fonction de

0 < ξ < 0.707

V'1 Q' V'2

V''1 Q'' V''2

V'1 Q' V'2

V''1 Q'' V''2

I1 I'1 I'2 I''1 I''2 I2

Phys. Fr. Joseph Fourier (1768 – 1830)

Passe Bande -BP-

0 fc1 fc2 f (Hz)

Passe Tout -BP-

Eg: Filtre RC -90 2

repère ou les abscisses sont log.)

0 < ξ < 0.707

Eg: Silicium (Si) 14e- : 1s² 2s² 2p6 3s² 3p2

Anode (A) Cathode (K)

Courant inverse Tension seuil Vs

La diode devient bloquée si le courant qui la traverse

VA' Montage à cathodes communes

Dans un montage de diodes à anodes communes, c'est la

Anode (A) Cathode (K)

2ième modèle I>0

Redressement Filtre passe bas Filtre passe haut

Courant inverse Tension seuil Vs

Zones de déplétion Émetteur (p+)

C (n) C (n) C (n)

Mode Inverse (Reverse)

Droite de charge statique

Droite de commande statique

VCE croissant IB croissant

VCE croissant Point de fonctionnement

Droite de charge statique

VCE croissant IB croissant

vbe rbe vce

VDS fixé >3V

Modèle éq. réel et idéal

Ce montage composé de transistors de résistances et d’une capacité, est

Amplification différentielle Polarisation Gain et décalage Sortie

s = −Vsat ≅ −Vcc + 1 ∀ u - v < −Vsat / G0 s = + Vsat ≅ +Vcc − 1 ∀ u - v > Vsat / G0

G0 Gain en boucle ouverte G0= ∞

Construire un AOP avec G0 >> Gain du montage "A"

Hypothèse : u - v < Vsat / G 0 (ie.régime linaire) ⇒ (u - v) = s/G 0 = s / ∞ = 0 ⇒ u = v = 0 (1)

si u - Vref > 0 ⇒ u > Vref ⇒ s = + Vsat ≅ +Vcc − 1

Théorème de Millman Méthode des noeuds

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