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Électronique 1 (SP2 11/12) http://iut-tice.ujf-grenoble.fr/tice-espaces/MPH/EP-gallotLava/ Outils d’analyse
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Électronique 1

(SP2 11/12)

http://iut-tice.ujf-grenoble.fr/tice-espaces/MPH/EP-gallotLava/

Outils d’analyse (Quadripôle, Fonction de transfert, Diagramme de Bode) - Diodes - Transistors - Amplificateurs
Outils d’analyse (Quadripôle, Fonction de transfert, Diagramme de Bode) - Diodes - Transistors - Amplificateurs
Outils d’analyse (Quadripôle, Fonction de transfert, Diagramme de Bode) - Diodes - Transistors - Amplificateurs
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Outils d’analyse (Quadripôle, Fonction de transfert, Diagramme de Bode) - Diodes - Transistors - Amplificateurs
Outils d’analyse (Quadripôle, Fonction de transfert, Diagramme de Bode) - Diodes - Transistors - Amplificateurs

Outils d’analyse (Quadripôle, Fonction de transfert, Diagramme de Bode) - Diodes - Transistors - Amplificateurs Opérationnels

d’analyse (Quadripôle, Fonction de transfert, Diagramme de Bode) - Diodes - Transistors - Amplificateurs Opérationnels
d’analyse (Quadripôle, Fonction de transfert, Diagramme de Bode) - Diodes - Transistors - Amplificateurs Opérationnels
d’analyse (Quadripôle, Fonction de transfert, Diagramme de Bode) - Diodes - Transistors - Amplificateurs Opérationnels

Déroulement du module « Eln1 »

Déroulement du module « Eln1 » Formation: 8 heures de Cours Magistraux 14 heures de Travaux
Déroulement du module « Eln1 » Formation: 8 heures de Cours Magistraux 14 heures de Travaux
Déroulement du module « Eln1 » Formation: 8 heures de Cours Magistraux 14 heures de Travaux

Formation:

8 heures de Cours Magistraux 14 heures de Travaux dirigés 20 heures de Travaux pratiques

Évaluation:

dirigés 20 heures de Travaux pratiques Évaluation: C/TD 1 TEST « surprise » de 30 minutes

C/TD

1 TEST « surprise » de 30 minutes 1 DS de 2 heures 1 EP (Examen Pratique) de 2h

Objectif

Objectif Connaître les fonctions électroniques de bases et leurs caractéristiques CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt
Objectif Connaître les fonctions électroniques de bases et leurs caractéristiques CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

Connaître les fonctions électroniques de bases et leurs caractéristiques

fonctions électroniques de bases et leurs caractéristiques CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

Diapositive de résumé

Diapositive de résumé Quadripôle, fonction de transfert, filtre et diagramme de Bode (2h) Diodes à semi-conducteur
Diapositive de résumé Quadripôle, fonction de transfert, filtre et diagramme de Bode (2h) Diodes à semi-conducteur

Quadripôle, fonction de transfert, filtre et diagramme de Bode (2h) Diodes à semi-conducteur et montages usuels (2h) Transistors à jonction (bipolaires) et montages usuels (+variantes) (2h) Amplificateurs Opérationnels et montages usuels

(2h) Amplificateurs Opérationnels et montages usuels (2h) CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

(2h)

Quadripôle, fonction de transfert, filtre et diagramme de Bode (2h)

fonction de transfert, filtre et diagramme de Bode (2h) v 1 (t):entrée i (t) i (t)
fonction de transfert, filtre et diagramme de Bode (2h) v 1 (t):entrée i (t) i (t)
fonction de transfert, filtre et diagramme de Bode (2h) v 1 (t):entrée i (t) i (t)

v

1 (t):entrée

i (t) i (t) 1 2 Quadripôle optionnel optionnel
i
(t)
i
(t)
1
2
Quadripôle
optionnel
optionnel
Gain statique V s H p ( ) = = V e
Gain statique
V
s
H p
(
)
=
=
V
e

.p

Coefficient d'amortissement

2   p  p   p  K   L 1
2
p
p
p 
K
L
1
+
2
+ 
 1 +
k
k =
1
l
=
1
k
k
l
q
.
2
p
p
p 
M
N
1
+
2
+ 
 1 +
m
m =
1
n
=
1
m
m
n

Pulsations propres

v

2 (t):sortie

Pulsations de coupures

Créer un modèle équivalent

Caractériser le rapport sortie/entrée

Représenter un filtre électronique

-40db/dec 0 < < 0.707 résonant ω= ω 0 0 ω (rad/s) 0.707 < amorti
-40db/dec
0 <
< 0.707
résonant
ω= ω 0
0
ω (rad/s)
0.707 <
amorti
ω (rad/s)
ω= ω 0
0
-180°
Hdbφ(°)

Le quadripôle

Le quadripôle Il peut être parfois utile de modéliser un composant ou un circuit (ensemble de
Le quadripôle Il peut être parfois utile de modéliser un composant ou un circuit (ensemble de

Il peut être parfois utile de modéliser un composant ou un circuit (ensemble de composants) sous la forme de boîtes noires, dont on ne connaîtrait que les paramètres d’entrée/sortie

Circuit d’origine

Quadripôle équivalent

Quadripôle

Quadripôle

e s
e
s

I

I

I I e s Z Z e s V ou Z e ch V e
I
I
e
s
Z
Z
e
s
V
ou Z e ch
V
e
s
V
s0
I
s
I I I e s Z Z e s V ou Z e ch V e
I I I e s Z Z e s V ou Z e ch V e

V s :sortie

Eth (t) V e Z1 Z2 Z3 V s

Eth(t)

V e

Z1

Z2

Z3

V s

V e :entrée

I e

V e :entrée I e

Rch

Quadripôle

V s V e :entrée I e Rch Quadripôle Quadripôle CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

Quadripôle

Identification des paramètres du modèle en « Z simplifié »

des paramètres du modèle en « Z simplifié » Le modèle en Z est adapté à
des paramètres du modèle en « Z simplifié » Le modèle en Z est adapté à

Le modèle en Z est adapté à l’Électronique d’Instrumentation

en Z est adapté à l’Électronique d’Instrumentation Z = Z quand V = V /2 s
Z = Z quand V = V /2 s ch s s0 V s0 Z
Z
=
Z
quand V
=
V
/2
s
ch
s
s0
V
s0
Z
=
V
I
I
s
e
e
s
I
Z
=
s
e
V
=
0
s
I
e
I
=
0
s
Z
Z
V
e
s
s
Z
=
V
V
V
s
Rch
s
e
Z
=
e
I
s
ech
I
=
0
I
V
e
e
s0
V
=
V
s0
s
I
=
0
s

Modèles équivalents (généralisation)

Modèles équivalents (généralisation) Il existe 3 principaux modèles équivalents: Le modèle en « H » Le
Modèles équivalents (généralisation) Il existe 3 principaux modèles équivalents: Le modèle en « H » Le

Il existe 3 principaux modèles équivalents:

Le modèle en « H » Le modèle en « Z » Et le modèle en « Y »

« H » Le modèle en « Z » Et le modèle en « Y »
I I 1/H 22 1 2 H 11 V V 1 H 12 .V 2
I
I
1/H 22
1
2
H
11
V
V
1
H
12 .V 2
H 21 .I 1
 V 
 H
H
  I 
1
11
12
1
=
. 
- I
H
H
V
 
2 
2
 21
22

2

I I 1/Y 11 1/Y 22 1 2 V V 1 Y 12 .V 2
I
I
1/Y 11
1/Y 22
1
2
V
V
1
Y 12 .V 2
Y 21 .V 1
 I
 Y
Y   V 
1
11
12
1
=
.
 - I
Y
Y
V
 
2
21
22
2
I
I
1
2
Z
Z
11
22
V
V
1
2
-Z 12 .I 2
Z 21 .I 1
 V 
 Z
Z
  I
1
11
12
1
=
. 
V
Z
Z
- I
 
2
 21
22
2

2

Règles d’association de quadripôles

Règles d’association de quadripôles Association série: [Z] = [Z'] + [Z"] Association parallèle: [Y] =
Règles d’association de quadripôles Association série: [Z] = [Z'] + [Z"] Association parallèle: [Y] =
Règles d’association de quadripôles Association série: [Z] = [Z'] + [Z"] Association parallèle: [Y] =

Association série: [Z] = [Z'] + [Z"]

Association parallèle: [Y] = [Y'] + [Y"]

Association cascade: [C] = [C'] [C"]

I' 1 I' 2 I 1 I 2 V' 2 V' 1 Q' V I''
I' 1
I' 2
I 1
I 2
V' 2
V' 1
Q'
V
I'' 1
I'' 2
V
1
2
V'' 1
Q''
V'' 2

I

I I' 1 I' 2 I 1 2 V' 2 V' 1 Q' V I''
I
I' 1
I' 2
I
1
2
V' 2
V' 1
Q'
V
I'' 1
I'' 2
V
1
2
V'' 1
Q''
V'' 2
I' 1
I' 2
I'' 1
I'' 2 I 2
1
V'' 2
V' 1
Q'
Q''
V' 2
V'' 1

Fonctions de transfert d'un quadripôle

Fonctions de transfert d'un quadripôle Gain en tension Trans- admittance Admittance d'entrée   V s F
Fonctions de transfert d'un quadripôle Gain en tension Trans- admittance Admittance d'entrée   V s F

Gain en tension

Trans-

admittance

d'un quadripôle Gain en tension Trans- admittance Admittance d'entrée   V s F V = V

Admittance

d'entrée

 

V

s

F

V

=

V e

V

e

 

I

s

Y

T

=

V e

V

e

 

I

e

Y

 

=

Y   =

e

V

e

Gain en courant

Trans-

impédance

Impédance

d'entrée

F

Z

I

T

I s = I e V s = I e
I
s
=
I
e
V
s
=
I
e

Z

V e = e I e
V
e
=
e I
e

Forme canonique de la FT (gain en tension)

Forme canonique de la FT (gain en tension) H ( j ) 0 = H (
Forme canonique de la FT (gain en tension) H ( j ) 0 = H (
Forme canonique de la FT (gain en tension) H ( j ) 0 = H (

H

(

j

)

0

= H

(

p

)

p

0

=

H

0

Gain statique

(

H p

)

=

p ) p 0 = H 0 G a i n s t a t i

s

V

=

V

e

Coefficient d'amortissement

.p

q

.

K

k =

1

1

+ 2

 
p k

p

k

+

p

2

L

l

=

1

1 +

p

 

   

k

k

l

       

M

   

p

 

p

2

N

=

1

1 +

 

p

 

1

+ 2

+

+   
 

m =

1

 

m

 

m

m

n

 

n

Pulsations propres

Pulsations de coupures

Pulsation de coupure:

H

(

Fréquence de coupure:

fc =

c / 2

j

c

)

Constante de temps:

= 1/

db

= 20log(

H

( j ) max 2)
(
j
)
max
2)

c

=

H

db

= 1/ 2 fc

max

3

db

Facteur de mérite:

F

=

H

0

.

fc

=

H

(

j

.2

f

)

= 1

. f

Application…

Application… Calculer la FT d’un circuit RC V s € Zc = V . e R
Application… Calculer la FT d’un circuit RC V s € Zc = V . e R
Application… Calculer la FT d’un circuit RC V s € Zc = V . e R

Calculer la FT d’un circuit RC

V

s

Zc = V . e R + Zc
Zc
= V .
e
R
+
Zc

=la FT d’un circuit RC V s € Zc = V . e R + Zc

o

ù

ω

=

1

c RC

H

p

0

=

=

j

1

(Pont diviseur de tension)

H 0

1 +

p

c

c RC H p 0 = = j 1 (Pont diviseur de tension) H 0 1

V

e

H p 0 = = j 1 (Pont diviseur de tension) H 0 1 + p

H

I I e s R Zc=1/jCω
I
I
e
s
R
Zc=1/jCω

V

(

H p

)

=

V

s

V

e

2  p  p   K    p  L 1
2
p
p
K
  p 
L
1
+
2
+ 
  1 +
k
k =
1
l
=
1
k
k
l
q
=
.p
.
2
p
p
p 
M
N
1
+
2
+ 
 1 +
m =
m
1
n
=
1
m
m
n

s

Notion de filtrage

Notion de filtrage D'après la théorie de Fourier , tout signal réel peut être considéré comme
Notion de filtrage D'après la théorie de Fourier , tout signal réel peut être considéré comme

D'après la théorie de Fourier, tout signal réel peut être considéré comme composé d'une somme de signaux sinusoïdaux (en nombre infini si nécessaire) à des fréquences différentes Le rôle du filtre est de modifier la phase et l'amplitude de ces composantes Un filtre est caractérisé par sa fonction de transfert

Un filtre est caractérisé par sa fonction de transfert Phys. Fr. Joseph Fourier (1768 – 1830)
Un filtre est caractérisé par sa fonction de transfert Phys. Fr. Joseph Fourier (1768 – 1830)

Phys. Fr. Joseph Fourier (1768 – 1830)

de transfert Phys. Fr. Joseph Fourier (1768 – 1830) CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

Classification des filtres

Classification des filtres Passe-Bas 1 1 -BP- -BP- 0 0 1 1 Passe Haut 0 0
Classification des filtres Passe-Bas 1 1 -BP- -BP- 0 0 1 1 Passe Haut 0 0
Passe-Bas 1 1 -BP- -BP- 0 0 1 1 Passe Haut 0 0 fc fc
Passe-Bas
1 1
-BP- -BP-
0 0
1 1
Passe Haut
0 0
fc
fc
f f
(Hz)
(Hz)
-BP- -BP-
0 0
0 0
fc
fc
f f
(Hz)
(Hz)
1 1
Passe Bande
-BP- -BP-
0 0
0 0
fc1
fc1
fc2
fc2
f (Hz)
f (Hz)
1 1
Coupe Bande
-BP- -BP-
-BP- -BP-
0 0
0 0
fc1
fc1
fc2
fc2
f
f
(Hz)
(Hz)
1 1
Passe Tout
-BP- -BP-
0 0
0 0
f f
(Hz)
(Hz)
CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt
olivier.gallot-lavallee@grenoble.cnrs.fr
|H(f)|
|H(f)|
|H(f)|
|H(f)|
|H(f)|
|H(f)|
|H(f)|
|H(f)|
|H(f)|
|H(f)|

14

Filtre actif ou passif ?

Filtre actif ou passif ? Les filtres passifs = composants passifs F > MHz et Gain
Filtre actif ou passif ? Les filtres passifs = composants passifs F > MHz et Gain

Les filtres passifs = composants passifs

F > MHz et Gain 1

Les filtres actifs = composants actifs

MHz et Gain ≤ 1 Les filtres actifs = composants actifs F < MHz et Gain

F < MHz et Gain > 1

Eg:

R 1 =5,1[k]

C=10[nF]
C=10[nF]
C=10[nF]
C=10[nF]
C=10[nF]

C=10[nF]

C=10[nF]
C=10[nF]
C=10[nF]
C=10[nF]
< MHz et Gain > 1 Eg: R 1 =5,1[k Ω ] C=10[nF] v e (

ve(t)

vs(t)

Eg:

+ u R 2 - v ve R 1
+
u
R
2
-
v
ve
R
1

C

vs

Gain [dB]

Phase [deg]

Diagramme de Bode

Gain [dB] Phase [deg] Diagramme de Bode Représentation graphique d'une fonction complexe H(j ω ) Le
Gain [dB] Phase [deg] Diagramme de Bode Représentation graphique d'une fonction complexe H(j ω ) Le

Représentation graphique d'une fonction complexe H(jω) Le gain (ou l'amplitude): |H| en db = 20 log | H(jω)| La phase φ en degré: φ = arg (H(jω)) L'échelle log. des pulsations en rad/s ou en Hz.

)) L'échelle log. des pulsations en rad/s ou en Hz. Eg: Filtre RC 0 -10 -20

Eg: Filtre RC

0 -10 -20 -30 -40 0 -45 -90 10 2 10 3 10 4 10
0
-10
-20
-30
-40
0
-45
-90
10 2
10 3
10 4
10 5
10 6

Pulsation [rad/s]

Méthode de tracé du diagramme de Bode (diagramme asymptotique)

de tracé du diagramme de Bode (diagramme asymptotique) (1) Mise sous forme canonique de la fonction
de tracé du diagramme de Bode (diagramme asymptotique) (1) Mise sous forme canonique de la fonction
de tracé du diagramme de Bode (diagramme asymptotique) (1) Mise sous forme canonique de la fonction

(1) Mise sous forme canonique de la fonction de transfert (2) Approximation de la fonction de transfert: ω→0; (3) Approximation de la fonction de transfert: ω→∞; (4) Ecriture des équations du Gain Hdb et de la phase φ correspondants (5) Calcul du gain et de la phase au point particulièr ω tel que p/ωc (klm ou n) =j (6) Tracé des asymptotes, du point particulier et de la fonction réel à main levée

Application…

Application… (1) droite à -20db/dec 1 ( ) 1 H 20.log(1) = 0 H p =
Application… (1) droite à -20db/dec 1 ( ) 1 H 20.log(1) = 0 H p =
Application… (1) droite à -20db/dec 1 ( ) 1 H 20.log(1) = 0 H p =

(1)

droite à -20db/dec 1 ( ) 1 H 20.log(1) = 0 H p = (2)
droite à -20db/dec
1
(
)
1
H
20.log(1)
=
0
H p
=
(2)
H(p)
1
(3)
H p
(
)
db
(4)
p
0
1
+ RC.p
p
RC. p
1
1
H
20.log(
)
=
20.log(
) - 20.log(
)
db
RC.ω
RC
droite à 0db
c=1/RC
0
-3db
=
fonction
-10
passant
par
affine de pente -20 db /décades et
H db =0 en ω =1/RC (dans un
repère
ou
les
abscisses sont log.)
.
1
1
-20
H
=
20.log(
) = 20.log(
)
=
-3
db
db
1 +
1
2
(5)
1
-30
=
arg(
) =
arctg (1) = -45
1
+
j
-40
0
droite à 0°
arg(1) = 0∞
(4)
inflexion à
-45°
1
-45
arg(
) = -90∞
j.RC.
droite à
-90°
-90
10 2
10 3
10 4
Pulsation [rad/s]
10 5
10 6
Phase [deg]
Gain [dB]

Diagrammes de Bode des fonctions de transferts élémentaires du 1 er ordre

fonctions de transferts élémentaires du 1 e r ordre 0 0 ω=1/α 1 ω (rad/s) H
fonctions de transferts élémentaires du 1 e r ordre 0 0 ω=1/α 1 ω (rad/s) H
0 0 ω=1/α 1 ω (rad/s) H ( p ) = . H(p)= .p p
0
0
ω=1/α
1
ω (rad/s)
H (
p
)
=
.
H(p)= .p
p
+90°
0
ω (rad/s)
0
p
p
1 +
c
+20db/dec
Hdb
φ(°)
φ(°)
Hdb
ω= ωc 0 0 ω (rad/s) 1 H p ( ) = p 1 +
ω= ωc
0
0
ω (rad/s)
1
H p
(
)
=
p
1 +
+90°
0
ω (rad/s)
c
0
ω= ωc
+20db/dec
Hdbφ(°)
φ(°)
Hdb
ω= ωc 0 0 ω (rad/s) 1 H p ( ) = p 1 + +90°
ω= ωc 0 0 ω (rad/s) 1 H p ( ) = p 1 + +90°

(

H p

)

=

( H p ) = c

c

-20db/dec ω=α ω
-20db/dec
ω=α
ω

(rad/s)

ω (rad/s)

p ) = c -20db/dec ω=α ω (rad/s) ω (rad/s) -90° ω = ω c -20db/dec

-90°

ω= ωc

-20db/dec
-20db/dec

ω (rad/s)

ω= ωc

ω (rad/s)

ω = ω c -20db/dec ω (rad/s) ω = ω c ω (rad/s) -90° CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt
ω = ω c -20db/dec ω (rad/s) ω = ω c ω (rad/s) -90° CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

-90°

Hdb

φ(°)

Hdbφ(°)

Diagrammes de Bode des fonctions de transferts élémentaires du 2 ème ordre

de transferts élémentaires du 2 è m e ordre ( H p ) = ( H
de transferts élémentaires du 2 è m e ordre ( H p ) = ( H
de transferts élémentaires du 2 è m e ordre ( H p ) = ( H

(

H p

)

=

(

H p

)

=

p

2

 

 

0

1

2

+

p

+

p

2

 

0

 

0

 

1

1

2

+

p

+

p

2

 

0

 

0

0

0

0

0

-40db/dec 0 < < 0.707 ω= ω 0 résonant 0.707 < ω (rad/s) amorti 180°
-40db/dec
0 <
< 0.707
ω= ω 0
résonant
0.707 <
ω (rad/s)
amorti
180°
ω (rad/s)
ω= ω 0
0 <
< 0.707
résonant
ω= ω 0
ω (rad/s)
0.707 <
amorti
ω (rad/s)
ω= ω 0
-180°
40db/dec

Quelques règles de calculs

Quelques règles de calculs H ( j ) = H ( j ). 1 -20db/dec ω=
Quelques règles de calculs H ( j ) = H ( j ). 1 -20db/dec ω=
Quelques règles de calculs H ( j ) = H ( j ). 1 -20db/dec ω=
H ( j ) = H ( j ). 1 -20db/dec ω= ωc 0 ω
H (
j
)
= H
(
j
).
1
-20db/dec
ω= ωc
0
ω (rad/s)
ω (rad/s)
ω= ωc
0
-90°
Hdbφ(°)

H

+ 0 ω=1/α ω (rad/s) +90° ω (rad/s) 0 +20db/dec Hdb φ(°)
+
0
ω=1/α
ω
(rad/s)
+90°
ω
(rad/s)
0
+20db/dec
Hdb
φ(°)

2

(

(rad/s) +90° ω (rad/s) 0 +20db/dec Hdb φ(°) 2 ( j = ) k = n

j

=

)

k = n H . = H k k = 1
k
= n
H
. =
H
k
k = 1
H = 20 log H dB ω= ωc 0 ω (rad/s) +90° ω (rad/s) 0
H
=
20 log
H
dB
ω= ωc
0
ω (rad/s)
+90°
ω (rad/s)
0
ω= ωc
+20db/dec
Hdbφ(°)

=

k

= n

k = 1

k

=

H

1

dB

+ H

2

dB

+ H

n

dB

Quiz sur les outils d’analyse appliqués à l’électronique…

les outils d’analyse appliqués à l’électronique… Qu’est ce qu’un quadripôle ? A quoi sert ce
les outils d’analyse appliqués à l’électronique… Qu’est ce qu’un quadripôle ? A quoi sert ce
les outils d’analyse appliqués à l’électronique… Qu’est ce qu’un quadripôle ? A quoi sert ce

Qu’est ce qu’un quadripôle ?

A quoi sert ce formalisme ?

Quel est le modèle équivalent d’un quadripôle paramétré en Z ?

Comment identifie-t-on les paramètres du modèle en Z simplifié ?

Quelles sont les trois principales formes d’association des quadripôles ?

Qu’est ce qu’une fonction de transfert ?

Qu’est ce qu’une fonction de transfert de type gain en tension ?

Quelle est la forme canonique la plus universelle des fonctions de transfert ?

A quoi sert ce formalisme ?

Qu’est ce que la pulsation de coupure (sous entendu d’une FT du 1er ordre) ?

Qu’est ce que la fréquence de coupure (sous entendu d’une FT du 1er ordre) ?

Qu’est ce que la bande passante ?

Qu’est ce que la constante de temps (sous entendu d’une FT du 1er ordre) ?

Qu’est ce que le gain statique ?

Qu’est ce que le facteur de mérite ?

Qu’elle est la fonction de transfert d’un circuit RC (entrée sur RC et sortie sur C) ?

Quels sont les paramètres d’identification à la forme canonique de cette FT ?

Qu’est ce qui caractérise un filtre actif ?

Qu’est ce qui caractérise un filtre passif ?

Quelles sont les 5 principales classes de filtre ?

Qu’est ce qu’un diagramme de Bode ?

Quel est l’intérêt de cette représentation ?

Quelle est la méthode du tracé du diagramme de Bode asymptotique ?

Quel est le diagramme de Bode asymptotique et réel (à main levée) du circuit RC (entrée sur RC et sortie sur C) ?

Quels sont les diagrammes asymptotiques des 6 principales FT élémentaires ?

Quelle est la règle de construction du diagramme d’un produit de FT ?

Diodes à semi-conducteur et montages usuels (2h)

Diodes à semi-conducteur et montages usuels (2h) Les semi-conducteurs Jonction p-n Caractéristiques de la diode
Diodes à semi-conducteur et montages usuels (2h) Les semi-conducteurs Jonction p-n Caractéristiques de la diode
Diodes à semi-conducteur et montages usuels (2h) Les semi-conducteurs Jonction p-n Caractéristiques de la diode

Les semi-conducteurs Jonction p-n Caractéristiques de la diode Modèles équivalents Montages usuelles Diodes particulières

rd ou r∆ Anode Cathode Is Vs
rd ou r∆
Anode
Cathode
Is
Vs
Diodes particulières rd ou r∆ Anode Cathode Is Vs I U I U>0 I=0 U I=0
I U
I
U
particulières rd ou r∆ Anode Cathode Is Vs I U I U>0 I=0 U I=0 CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

I

I U>0 I=0 U I=0
U>0 I=0 U
U>0
I=0
U

I=0

Semi-conducteur intrinsèque

Semi-conducteur intrinsèque Les atomes de semi-conducteur sont tétravalents La concentration des électrons libres et
Semi-conducteur intrinsèque Les atomes de semi-conducteur sont tétravalents La concentration des électrons libres et

Les atomes de semi-conducteur sont tétravalents La concentration des électrons libres et des trous dépend très fortement de la température

Dans un barreau de Silicium à 300K il y a 1,5.10 10 électrons-trous /cm 3

Soit une paire électrons-trous pour 3,3.10 12 atomes

Mauvais conducteur et mauvais isolant = semi-conducteur

Mauvais conducteur et mauvais isolant = semi-conducteur Eg: Silicium (Si) 14e - : 1s² 2s² 2p
Mauvais conducteur et mauvais isolant = semi-conducteur Eg: Silicium (Si) 14e - : 1s² 2s² 2p

Eg: Silicium (Si) 14e - : 1s² 2s² 2p 6 3s² 3p 2

Silicium (Si) 14e - : 1s² 2s² 2p 6 3s² 3p 2 CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt
Silicium (Si) 14e - : 1s² 2s² 2p 6 3s² 3p 2 CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt
Silicium (Si) 14e - : 1s² 2s² 2p 6 3s² 3p 2 CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

Semi-conducteur extrinsèque de type n

Semi-conducteur extrinsèque de type n Substitution d’atomes tétravalents par des atomes pentavalents = dopage n
Semi-conducteur extrinsèque de type n Substitution d’atomes tétravalents par des atomes pentavalents = dopage n

Substitution d’atomes tétravalents par des atomes pentavalents = dopage n Atomes pentavalents = Impuretés = donneurs

Dans un barreau de Silicium dopé n il y env. 10 18 donneurs /cm 3 Soit autant d’électrons libres créés

Dans un barreau de Silicium dopé n il y env. 10 1 8 donneurs /cm 3
donneurs /cm 3 Soit autant d’électrons libres créés CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt
donneurs /cm 3 Soit autant d’électrons libres créés CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt
donneurs /cm 3 Soit autant d’électrons libres créés CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

Semi-conducteur extrinsèque de type p

Semi-conducteur extrinsèque de type p Substitution d’atomes tétravalents par des atomes trivalents = dopage p
Semi-conducteur extrinsèque de type p Substitution d’atomes tétravalents par des atomes trivalents = dopage p

Substitution d’atomes tétravalents par des atomes trivalents = dopage p Atomes trivalents = Impuretés = accepteurs

Dans un barreau de Silicium dopé p il y env. 10 18 accepteurs /cm 3 Soit autant de trous libres créés

Dans un barreau de Silicium dopé p il y env. 10 1 8 accepteurs /cm 3
accepteurs /cm 3 Soit autant de trous libres créés CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt
accepteurs /cm 3 Soit autant de trous libres créés CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt
accepteurs /cm 3 Soit autant de trous libres créés CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

La jonction p-n = Diode

La jonction p-n = Diode La jonction se polarise spontanément Zone de déplétion p A n
La jonction p-n = Diode La jonction se polarise spontanément Zone de déplétion p A n

La jonction se polarise spontanément

Zone de déplétion

La jonction se polarise spontanément Zone de déplétion p A n o d e ( A

p

La jonction se polarise spontanément Zone de déplétion p A n o d e ( A
La jonction se polarise spontanément Zone de déplétion p A n o d e ( A

Anode (A)

E

Cathode (K)

I
I

U

n

déplétion p A n o d e ( A ) E Cathode (K) I U n

Polarisation de la jonction p-n

Polarisation de la jonction p-n Direct Inverse U+ U- CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt olivier.gallot-lavallee@grenoble.cnrs.fr
Polarisation de la jonction p-n Direct Inverse U+ U- CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt olivier.gallot-lavallee@grenoble.cnrs.fr
Polarisation de la jonction p-n Direct Inverse U+ U- CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt olivier.gallot-lavallee@grenoble.cnrs.fr
Direct Inverse
Direct
Inverse

U+

U-

CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

olivier.gallot-lavallee@grenoble.cnrs.fr

Anode

olivier.gallot-lavallee@grenoble.cnrs.fr Anode Cathode Zone de déplétion E p n U+ U- Direct Zone de

Cathode

Zone de déplétion E
Zone de déplétion
E

p

n

U+ U-
U+
U-

DirectAnode Cathode Zone de déplétion E p n U+ U- Zone de déplétion E p n

Zone de déplétion

E
E

p

n

U-

Inverse U- U+
Inverse
U-
U+

Zone de déplétion

E
E

p

n

U+

28

Caractéristique I=f(V) de la jonction p-n

Caractéristique I=f(V) de la jonction p-n Ip =   U   nU exp 
Caractéristique I=f(V) de la jonction p-n Ip =   U   nU exp 

Ip

=

  U   nU

exp

T

1

In

=

Isn

exp

U

 

nU

T

1

avec U T =

kT

e

I

=

Ip

+

In

=

Is

exp

U

nU

T

1

avec Is

=

Isp

+

Isn

Isp

(tension de Boltzmann)

Cathode Résistance dynamique ou différentielle rd ou r∆
Cathode
Résistance
dynamique ou
différentielle
rd ou r∆
Résistance dynamique ou différentielle rd ou r∆ Courant inverse de saturation Is Tension seuil Vs

Courant inverse de saturation Is

Tension seuil Vs

rd ou r∆ Courant inverse de saturation Is Tension seuil Vs CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

Détermination de l'état d'une diode

Détermination de l'état d'une diode La diode devient passante si la tension à ses bornes U=(VA-VK)>0
Détermination de l'état d'une diode La diode devient passante si la tension à ses bornes U=(VA-VK)>0

La diode devient passante si la tension à ses bornes U=(VA-VK)>0 ou Vs

I>0

si la tension à ses bornes U=(VA-VK)>0 ou Vs I>0 U>0 ou Vs La diode devient
si la tension à ses bornes U=(VA-VK)>0 ou Vs I>0 U>0 ou Vs La diode devient

U>0 ou Vs

La diode devient bloquée si le courant qui la traverse

Vs La diode devient bloquée si le courant qui la traverse I A K =0 I=0

I AK =0

I=0

bloquée si le courant qui la traverse I A K =0 I=0 U ≤ 0 ou
bloquée si le courant qui la traverse I A K =0 I=0 U ≤ 0 ou

U0 ou Vs

Dét. de l'état d’un réseau de diodes

Dét. de l'état d’un réseau de diodes Dans un montage de diodes à cathodes communes ,
Dét. de l'état d’un réseau de diodes Dans un montage de diodes à cathodes communes ,

Dans un montage de diodes à cathodes communes, c'est la diode dont le potentiel d'anode est le plus haut qui devient l'unique diode passante

est le plus haut qui devient l'unique diode passante V V A A' V A'' Montage

V

V

A

A'

V A''

l'unique diode passante V V A A' V A'' Montage à cathodes communes Dans un montage

Montage à cathodes communes

Dans un montage de diodes à anodes communes, c'est la diode dont le potentiel de cathode est le plus bas qui devient l'unique diode passante

Montage à anodes communes

l'unique diode passante Montage à anodes communes V V K K' V K'' CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

V

V

K

K'

V K''

Dét. de l'état d’une diodes dans un circuit complexe

Dét. de l'état d’une diodes dans un circuit complexe Une dernière méthode consiste à supposer l’un
Dét. de l'état d’une diodes dans un circuit complexe Une dernière méthode consiste à supposer l’un

Une dernière méthode consiste à supposer l’un des deux états de la diode

…puis à vérifier que les conditions associées sont vérifiées. Si elles ne le sont pas, alors la diode est dans l’autre état

ne le sont pas, alors la diode est dans l’autre état CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

Modèles éq. de la diode bipolaire

Modèles éq. de la diode bipolaire Diode bloquée A n o d e ( A )
Modèles éq. de la diode bipolaire Diode bloquée A n o d e ( A )

Diode bloquée

Anode (A)

Cathode (K)

Diode bloquée A n o d e ( A ) Cathode (K) I=0 U ≤ 0

I=0

U0

bloquée A n o d e ( A ) Cathode (K) I=0 U ≤ 0 Diode

Diode passante

n o d e ( A ) Cathode (K) I=0 U ≤ 0 Diode passante 1

1 er modèle

) Cathode (K) I=0 U ≤ 0 Diode passante 1 e r modèle A n o

Anode (A)

Cathode (K)

2 i è m e modèle 3 i è m e modèle I>0 U>0

2 ième modèle

3 ième modèle

I>0 U>0
I>0
U>0
2 i è m e modèle 3 i è m e modèle I>0 U>0
2 i è m e modèle 3 i è m e modèle I>0 U>0
2 i è m e modèle 3 i è m e modèle I>0 U>0
modèle 3 i è m e modèle I>0 U>0 I=0 I I I Vs rd ou

I=0

modèle 3 i è m e modèle I>0 U>0 I=0 I I I Vs rd ou

I

I

I

3 i è m e modèle I>0 U>0 I=0 I I I Vs rd ou r∆
Vs rd ou r∆
Vs
rd ou r∆

Vs

Montage usuel à base de diodes:

Redressement double alternance

usuel à base de diodes: Redressement double alternance CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt
usuel à base de diodes: Redressement double alternance CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt
usuel à base de diodes: Redressement double alternance CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt
usuel à base de diodes: Redressement double alternance CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt
usuel à base de diodes: Redressement double alternance CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

Montage usuel à base de diodes:

Démodulation AM

Montage usuel à base de diodes: Démodulation AM Redressement Filtre passe bas Filtre passe haut C
Montage usuel à base de diodes: Démodulation AM Redressement Filtre passe bas Filtre passe haut C
Montage usuel à base de diodes: Démodulation AM Redressement Filtre passe bas Filtre passe haut C
Redressement Filtre passe bas Filtre passe haut C C R R
Redressement
Filtre passe bas
Filtre passe haut
C
C
R R

Montage usuel à base de diodes:

Montage usuel à base de diodes: Anti-retour Alim 5V Charge Accu 3.5V Ecrêteur Protection de contact
Montage usuel à base de diodes: Anti-retour Alim 5V Charge Accu 3.5V Ecrêteur Protection de contact
Montage usuel à base de diodes: Anti-retour Alim 5V Charge Accu 3.5V Ecrêteur Protection de contact

Anti-retour

Alim 5V Charge Accu 3.5V
Alim 5V
Charge
Accu 3.5V

Ecrêteur

de diodes: Anti-retour Alim 5V Charge Accu 3.5V Ecrêteur Protection de contact U+ Circuit à protéger

Protection de contact

U+

5V Charge Accu 3.5V Ecrêteur Protection de contact U+ Circuit à protéger CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

Circuit à protéger

Diodes spéciales…

Diodes spéciales… -Zener Résistance dynamique ou différentielle rd ou r ∆ R Limitation par Vz U
Diodes spéciales… -Zener Résistance dynamique ou différentielle rd ou r ∆ R Limitation par Vz U

-Zener

Diodes spéciales… -Zener Résistance dynamique ou différentielle rd ou r ∆ R Limitation par Vz U

Résistance dynamique ou différentielle rd ou r

Résistance dynamique ou différentielle rd ou r ∆

R

Résistance dynamique ou différentielle rd ou r ∆ R Limitation par Vz U I Courant inverse

Limitation par Vz

dynamique ou différentielle rd ou r ∆ R Limitation par Vz U I Courant inverse de

U

I

Courant inverse de saturation Is

∆ R Limitation par Vz U I Courant inverse de saturation Is Tension seuil Vs Tension

Tension seuil Vs

Tension Zener Vz

-6.4V Eg. Limiteur: Résistance dynamique ou différentielle rd ou r∆
-6.4V
Eg. Limiteur:
Résistance
dynamique ou
différentielle
rd ou r∆

Alim.

Charge

Diodes spéciales…

Diodes spéciales… -Électroluminescente U I Photo- U I -Schottky -Varicap -PIN PIN I I U I
Diodes spéciales… -Électroluminescente U I Photo- U I -Schottky -Varicap -PIN PIN I I U I
-Électroluminescente U I Photo- U I
-Électroluminescente
U
I
Photo-
U
I
spéciales… -Électroluminescente U I Photo- U I -Schottky -Varicap -PIN PIN I I U I U

-Schottky

-Varicap

-PIN

U I Photo- U I -Schottky -Varicap -PIN PIN I I U I U U CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

PIN

I

I

U

I

U
U
U
U
U I Photo- U I -Schottky -Varicap -PIN PIN I I U I U U CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt
U I Photo- U I -Schottky -Varicap -PIN PIN I I U I U U CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt
U I Photo- U I -Schottky -Varicap -PIN PIN I I U I U U CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

La cellule photovoltaïque

La cellule photovoltaïque = photo-diode CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt olivier.gallot-lavallee@grenoble.cnrs.fr 39
La cellule photovoltaïque = photo-diode CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt olivier.gallot-lavallee@grenoble.cnrs.fr 39
La cellule photovoltaïque = photo-diode CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt olivier.gallot-lavallee@grenoble.cnrs.fr 39
La cellule photovoltaïque = photo-diode CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt olivier.gallot-lavallee@grenoble.cnrs.fr 39

= photo-diode

La cellule photovoltaïque = photo-diode CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt olivier.gallot-lavallee@grenoble.cnrs.fr 39
La cellule photovoltaïque = photo-diode CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt olivier.gallot-lavallee@grenoble.cnrs.fr 39

Quiz sur les diodes…

Quiz sur les diodes… Qu’est ce qu’un semi-conducteur intrinsèque ? Qu’est ce qu’un semi-conducteur
Quiz sur les diodes… Qu’est ce qu’un semi-conducteur intrinsèque ? Qu’est ce qu’un semi-conducteur
Quiz sur les diodes… Qu’est ce qu’un semi-conducteur intrinsèque ? Qu’est ce qu’un semi-conducteur

Qu’est ce qu’un semi-conducteur intrinsèque ?

Qu’est ce qu’un semi-conducteur extrinsèque de type n ?

Qu’est ce qu’un semi-conducteur extrinsèque de type p ?

Que ce passe t’il lorsque l’on forme un jonction pn ?

Quelle est dans ce cas la distribution des charges, du champ et du potentiel électrique ?

Quel est le symbole de la diode ?

Quelles sont les distributions de charge, de potentiel, d’énergie et de courant en fonction de la polarisation appliquée à

la jonction pn ? Quelle est l’expression et la caractéristique électrique d’une jonction pn (ie. d’une diode) ?

Quels sont les 4 principaux modèles électriques d’une diode ?

Quels sont les méthodes permettant de déterminer l’état d’une ou de plusieurs diodes ?

Quelles est l’oscillogramme complet d’un redressement double alternance (chronogramme des diodes, courants

d’entrée et de sortie, tensions d’entrée et de sortie) ? Comment fonctionne une démodulation AM à base de diode ?

Quel est le principe du montage anti-retour ?

Quel est le principe du montage écréteur ?

Quel est le principe du montage protection de contact ?

Quelle est la caractéristique électrique d’une diode Zener ?

Quel peut être son application ?

Quel est le principe et le symbole d’une diode électroluminescente ?

Quel est le principe et le symbole d’une photo-diode ?

Quel est le principe et le symbole d’une diode Schottky ?

Quel est le principe et le symbole d’une diode Varicap ?

Quel est le principe et le symbole d’une diode PIN ?

Transistors à jonction (bipolaires) et montages usuels (+variantes) (2h)

jonction (bipolaires) et montages usuels (+variantes) (2h) Zones de déplétion Émetteur (p+) V CE Base (n)
jonction (bipolaires) et montages usuels (+variantes) (2h) Zones de déplétion Émetteur (p+) V CE Base (n)

Zones de déplétion

et montages usuels (+variantes) (2h) Zones de déplétion Émetteur (p+) V CE Base (n) V PNP
Émetteur (p+) V CE Base (n) V PNP CE V BE
Émetteur (p+)
V
CE
Base (n)
V PNP
CE
V
BE

p+

Émetteur (p+)

n

E

E

p

Collecteur (p)

Collecteur (p)

Collecteur (n)

V CE Base (p) V NPN CE V BE Émetteur (n+)
V
CE
Base (p)
V NPN
CE
V
BE
Émetteur (n+)
Base (n)
Base (n)

Zones de déplétion

C B E
C
B
E
p n n+ E E Émetteur (n+)
p
n
n+
E
E
Émetteur (n+)

Collecteur (n)

Base (p)

Physique du transistor

Caractéristique électrique Modèle éq. statique

Modele éq. dynamique Montages usuelles

éq. statique Modele éq. dynamique Montages usuelles E/(Re+Rc) E/(Re+Rc) Saturation I I B croissant
E/(Re+Rc) E/(Re+Rc) Saturation I I B croissant croissant B V CE croissant V croissant CE
E/(Re+Rc)
E/(Re+Rc)
Saturation
I
I B croissant
croissant
B
V CE croissant
V
croissant
CE
Point de fonctionnement
Point de fonctionnement
Droite de charge statique
Droite de charge statique
E E
Blocage
Signal amplifié s
Droite de commande statique
Droite de commande statique
V
V CE croissant
croissant
I B croissant
I
croissant
CE
B

Petit signal e

Amplificateur

Logique (inverseur)

C C I I F -I R -I F R I I BR BR B
C
C
I I F -I R
-I
F
R
I
I
BR
BR
B
B
I
I
I
I
B
B
BF
BF
E
E
ib ic Rc B C rbe vbe vce gm.vbe β.ib E
ib
ic
Rc
B
C
rbe
vbe
vce
gm.vbe
β.ib
E

La jonction npn ou pnp = Transistor

La jonction npn ou pnp = Transistor Le transistor bipolaire (Bipolar Junction Transistor) est un dispositif
La jonction npn ou pnp = Transistor Le transistor bipolaire (Bipolar Junction Transistor) est un dispositif
La jonction npn ou pnp = Transistor Le transistor bipolaire (Bipolar Junction Transistor) est un dispositif

Le transistor bipolaire (Bipolar Junction Transistor) est un dispositif à semi- conducteur formé par l'association de deux jonctions pn placées en opposition

Zones de déplétion

Émetteur (p+)

V CE Base (n) V PNP CE V BE p p+ Émetteur (p+) E n
V
CE
Base (n)
V PNP
CE
V
BE
p
p+
Émetteur (p+)
E
n E
Collecteur (p)
Collecteur (p)
C
Base (n)
B
Zones de déplétion
Collecteur (n)
E
V
CE
Base (p)
V NPN
CE
V
BE

n+

Émetteur (n+)

p n E E Collecteur (n)
p
n
E
E
Collecteur (n)

Base (p)

Émetteur (n+)

Polarisations de la jonction npn

… où « l’effet transistor » !

de la jonction npn … où « l’effet transistor » ! Repos Direct (F) Inverse (R)
de la jonction npn … où « l’effet transistor » ! Repos Direct (F) Inverse (R)
de la jonction npn … où « l’effet transistor » ! Repos Direct (F) Inverse (R)
Repos
Repos

Direct (F)

Inverse (R)

C (n) V V BC C (n) I F (I C ) C (n) V
C (n)
V
V
BC
C (n)
I F (I C )
C (n)
V BC=0
BC
I C=0
I BF (I B )
I BR (I B )
I B=0
B (p)
B (p)
B (p)
V CE
V CE
V CE
V
V
I R (I E )
BE
V BE
BE=0
I E=0
E (n+)
E (n+)
E (n+)
Transistor au repos
Jonction BE polarisée en sens direct (V
BC =0)
Jonction BC polarisée en sens direct (V
=0)
BE

Propriétés électriques en mode F et R

Propriétés électriques en mode F et R Mode Direct (Forward) I I I F F F
Propriétés électriques en mode F et R Mode Direct (Forward) I I I F F F
Propriétés électriques en mode F et R Mode Direct (Forward) I I I F F F

Mode Direct (Forward)

I I I F F F β β F F
I
I
I
F
F
F
β β
F F

Mode Inverse (Reverse)

I I I F F F β β F F Mode Inverse (Reverse) I I R
I I I F F F β β F F Mode Inverse (Reverse) I I R
I I R R β β R R
I
I
R
R
β
β
R
R

Modèle équivalent statique

Modèle équivalent statique Après avoir étudié séparément l'effet de chaque jonction, le modèle complet du
Modèle équivalent statique Après avoir étudié séparément l'effet de chaque jonction, le modèle complet du

Après avoir étudié séparément l'effet de chaque jonction, le modèle complet du transistor peut être obtenu par la simple superposition des modes F et R

Il s'agit du modèle de Ebers et Moll

des modes F et R Il s'agit du modèle de Ebers et Moll C U BC
C U BC I F -I R I BR B I B I BF U
C
U
BC
I
F -I R
I BR
B
I
B
I BF
U
BE
E

Zones de fonctionnements…

Zones de fonctionnements… C U BC -I R I BR B I B I BF U
Zones de fonctionnements… C U BC -I R I BR B I B I BF U
Zones de fonctionnements… C U BC -I R I BR B I B I BF U
C U BC -I R I BR B I B I BF U BE E
C
U BC
-I R
I
BR
B
I B
I BF
U BE
E
(R) (F) + (R) (*) (F)
(R)
(F) + (R)
(*)
(F)

C

U BC I F -I R I BR B I B I BF U BE
U BC
I F -I R
I BR
B
I B
I BF
U BE

E

C U BC I I F -I R BR B I B I BF U
C
U BC
I
I F -I R
BR
B
I B
I BF
U BE
E
C U BC I I F BR B I B I BF U BE E
C
U BC
I
I F
BR
B
I B
I BF
U BE
E

Propriétés électriques en régime saturé et normal direct

Propriétés électriques en régime saturé et normal direct Illustration de deux régimes de fonctionnement sur une
Propriétés électriques en régime saturé et normal direct Illustration de deux régimes de fonctionnement sur une
Propriétés électriques en régime saturé et normal direct Illustration de deux régimes de fonctionnement sur une

Illustration de deux régimes de fonctionnement sur une caractéristique de transfert et de sortie

sur une caractéristique de transfert et de sortie CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt
sur une caractéristique de transfert et de sortie CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

Montage à émetteur commun (EC)

Montage à émetteur commun (EC) ic Rc c Rb vce Ib b e E Re E/(Re+Rc)
Montage à émetteur commun (EC) ic Rc c Rb vce Ib b e E Re E/(Re+Rc)

ic

Rc c Rb vce Ib b e E Re
Rc
c
Rb
vce
Ib
b
e
E
Re
E/(Re+Rc) I B croissant Point de fonctionnement E/Rb E I B croissant E
E/(Re+Rc)
I B croissant
Point de fonctionnement
E/Rb
E
I B croissant
E

v: A+B.sin(2πωt)

V CE croissant

Droite de charge statique

πω t) V C E croissant Droite de charge statique Droite de commande statique V C

Droite de commande statique

V CE croissant

Montage d'amplification

Montage d'amplification Rc C is E: Rb1 c Ib 0 +ib Vce 0 +vce C b
Montage d'amplification Rc C is E: Rb1 c Ib 0 +ib Vce 0 +vce C b
Montage d'amplification Rc C is E: Rb1 c Ib 0 +ib Vce 0 +vce C b
Rc C is E: Rb1 c Ib 0 +ib Vce 0 +vce C b C
Rc
C is
E: Rb1
c
Ib 0 +ib
Vce 0 +vce
C b
C
e
s
e: AC
Rb2
Re
V CE croissant
E/(Re+Rc) Saturation I B croissant Point de fonctionnement E s I B croissant
E/(Re+Rc)
Saturation
I B croissant
Point de fonctionnement
E
s
I B croissant
I B croissant Point de fonctionnement E s I B croissant Blocage Droite de charge statique

Blocage

Droite de charge statique

Signal amplifié

Droite de commande statique

V CE croissant

Petit signal e

Modèle équ. Dynamique (petits signaux)

Modèle équ. Dynamique (petits signaux) ib ic Rc B C rbe vbe vce gm.vbe β.ib E
Modèle équ. Dynamique (petits signaux) ib ic Rc B C rbe vbe vce gm.vbe β.ib E
Modèle équ. Dynamique (petits signaux) ib ic Rc B C rbe vbe vce gm.vbe β.ib E
ib ic Rc B C rbe vbe vce gm.vbe β.ib E
ib
ic
Rc
B
C
rbe
vbe
vce
gm.vbe
β.ib
E

g m

r

be

=

dI c = = dV be Ic 0 dI c = dI b Ic dV
dI
c
= =
dV
be
Ic
0
dI
c
=
dI
b
Ic
dV
be
=
dI
b
Ic
0

Vbe

I

S

exp

U

T

0

=

Ic

0

 

U

T

U

T

0

   
 

=

=

dV be dI c
dV
be
dI
c

Ic

 

0

g

m

U

T

Ic

0

Montage à commutation

Montage à commutation Inverseur e E+ Rc ic c Rb Ib vce s b e e
Montage à commutation Inverseur e E+ Rc ic c Rb Ib vce s b e e
Montage à commutation Inverseur e E+ Rc ic c Rb Ib vce s b e e

Inverseur

e

E+

Rc ic c Rb Ib vce s b e
Rc
ic
c
Rb
Ib
vce
s
b
e
e t s E+ t
e
t
s
E+
t

Caractéristiques techniques

Caractéristiques techniques Quelques ordres de grandeurs Vbe=0.65V (Ic=mA) et Vbe=1V (Ic=1A) Ib=µA Pertes=10W et
Caractéristiques techniques Quelques ordres de grandeurs Vbe=0.65V (Ic=mA) et Vbe=1V (Ic=1A) Ib=µA Pertes=10W et

Quelques ordres de grandeurs

Vbe=0.65V (Ic=mA) et Vbe=1V (Ic=1A) Ib=µA Pertes=10W et Pertes=100W fmax=GHz

(Ic=1A) Ib=µA Pertes=10W et Pertes=100W fmax=GHz Diversité de boîtiers CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

Diversité de boîtiers

et Pertes=100W fmax=GHz Diversité de boîtiers CM-Eln1-PROF-2011-09-01.ppt

Transistors à effet de champ (JFET)

Transistors à effet de champ (JFET) ou linéaire ou linéaire V- V- V- V- V+ V+
Transistors à effet de champ (JFET) ou linéaire ou linéaire V- V- V- V- V+ V+
Transistors à effet de champ (JFET) ou linéaire ou linéaire V- V- V- V- V+ V+
ou linéaire ou linéaire V- V- V- V- V+ V+ 10mA 10mA V V DS
ou linéaire
ou linéaire
V-
V-
V-
V-
V+
V+
10mA
10mA
V
V DS fixé >3V
DS fixé >3V
V- V-
V-
V-
V++
3V
3V
-4V
-4V
V
V DS fixé
DS fixé
V-

Quiz sur les transistors…

Quiz sur les transistors… Quelles sont les structures (représentation physique) et symboles des transistors à jonction
Quiz sur les transistors… Quelles sont les structures (représentation physique) et symboles des transistors à jonction
Quiz sur les transistors… Quelles sont les structures (représentation physique) et symboles des transistors à jonction

Quelles sont les structures (représentation physique) et symboles des transistors à jonction npn et pnp ?

Quelles sont les distributions d’énergie et de courants en fonction de la polarisation appliquée (npn) ?

Quelles sont les caractéristiques électriques en mode direct (F) ?

Quelles sont les caractéristiques électriques en mode inverse (R) ?

Quel est le modèle équivalent statique du transistor dit d’Ebers et Moll ?

Quelles sont les 4 modes de fonctionnement d’un transistor ?

Quelle est la caractéristique Ic=f(Ube)=f(Uce) ?

Quels sont les modes saturé, normal direct et bloqué correspondants ?

Quelle est la relation fondamentale entre Ic, Ib et Ie ?

Quelle est la relation fondamentale entre Ic et Ib (en mode F) ou Ie et Ib (en mode R) ?

Quelle est la relation fondamentale entre Vce, Vcb et Vbe ?

Qu’est ce que des montages à EC, BC et CC ?

Quelle est la caractéristique statique complète d’un transistor monté en EC ?

Quel est le principe et la caractéristique électrique d’un montage amplificateur (EC) ?

Quel est le modèle équivalent dynamique simplifié (ou petits signaux) du transistor ?

Quelles sont les relations qui permettent d’en identifier les principaux paramètres ?

Quels sont les ordres de grandeurs caractéristiques d’un transistor (P, Vbe, Ic, Ib etc…) ?

Quel est le principe et le symbole d’un transistor à effet de champ dopé n (JFET n) ?

Quelles sont les caractéristiques Id=f(Vgs) et V(ds) du JFET ?

Amplificateurs Opérationnels et montages usuels (2h)

Amplificateurs Opérationnels et montages usuels (2h) Offset null NC 741 Offset null AmplificationAmplification
Amplificateurs Opérationnels et montages usuels (2h) Offset null NC 741 Offset null AmplificationAmplification
Offset null NC 741 Offset null AmplificationAmplification différentielledifférentielle PolarisationPolarisation
Offset null
NC
741
Offset null
AmplificationAmplification différentielledifférentielle
PolarisationPolarisation
GainGain etet décalagedécalage
SortieSortie

Technologie de l’AOP Représentation symbolique Caractéristiques électriques Modèle éq. réel et idéal Montages usuelles

+Vcc + u G - -Vcc v
+Vcc
+
u
G
-
-Vcc
v
et idéal Montages usuelles +Vcc + u G - -Vcc v s +Vsat ~ +Vcc-1 -(u-v)sat
s +Vsat ~ +Vcc-1 -(u-v)sat G 0 0 (u-v)sat zone linéaire -Vsat ~ -Vcc+1
s
+Vsat ~ +Vcc-1
-(u-v)sat
G 0
0
(u-v)sat
zone linéaire
-Vsat ~ -Vcc+1

zone de saturation positive u-v

zone de saturation négative

s

Amplificateurs Comparateurs

ib1 + Zs ib2 u Ze - G 0 (u-v) v
ib1
+
Zs
ib2
u
Ze
-
G
0 (u-v)
v

s

ie + u e - v R2 R1
ie
+
u
e
-
v
R2
R1

s

Technologie de l’Ampli-OP (eg. LM741)

Technologie de l’Ampli-OP (eg. LM741) Ce montage composé de transistors de résistances et d’une capacité, est
Technologie de l’Ampli-OP (eg. LM741) Ce montage composé de transistors de résistances et d’une capacité, est
Technologie de l’Ampli-OP (eg. LM741) Ce montage composé de transistors de résistances et d’une capacité, est

Ce montage composé de transistors de résistances et d’une capacité, est intégré dans une petit boîtier appelé « Circuit Intégré »

Offset null NC 741 Offset null Amplification différentielle Polarisation Gain et décalage Sortie
Offset null
NC
741
Offset null
Amplification différentielle
Polarisation
Gain et décalage
Sortie

Représentation symbolique

Représentation symbolique Tensions d’alimentation symétrique +Vcc et -Vcc +Vcc Entrée non inverseuse + u Sortie G
Représentation symbolique Tensions d’alimentation symétrique +Vcc et -Vcc +Vcc Entrée non inverseuse + u Sortie G