Electromagnetismo, - Circuitos - y - Semiconductores - (PG - 255 - 269) PDF

Uniones p-n 239
As B
As B B
As B
Si
As
Figura 19.4. Unión p-n sobre un sustrato de Si. A la derecha del cristal, se introducen
impurezas aceptoras (B). A la izquierda, impurezas donadoras (As).
figura 19.3 es constante. Si el campo tiene un valor máximo Em en la superficie y

decrece linealmente en el interior del semiconductor, como vemos en la figura 19.3,
podemos escribir la pendiente como
dE Em
= . (19.5)
dx X
Intregrando esta ecuación, se puede calcular la caı́da de potencial en esta región y
resulta V = 12 Em X, que es el área encerrada por la recta de la figura 19.3. Empleando
la expresión (19.4) se obtiene
1/2 1/2
2εr ε0 V 2εr ε0 ϕ
X= = , (19.6)
eNd e2 Nd
ası́ como el valor máximo del campo eléctrico,

1/2 1/2
2eNd V 2Nd ϕ
Em = = . (19.7)
εr ε0 εr ε0
En resumen, la anchura de la barrera de potencial en un semiconductor está deter-

minada por el nivel de dopaje. Dada la altura de la barrera ϕ = e V , su anchura es
inversamente proporcional a la raı́z cuadrada de la concentración de impurezas. Para
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semiconductores débilmente dopados esta anchura puede tener el tamaño de miles de

capas atómicas (decenas de micras), mientras que para semiconductores fuertemente
dopados puede ser de sólo unas pocas capas atómicas (milésimas de micras).
19.2. Uniones p-n

Si un cristal semiconductor se dopa de manera que una parte sea tipo p y la otra tipo
n, se forma una unión p-n como puede verse en la figura 19.4. La frontera entre esas
dos regiones posee propiedades especı́ficas que estudiaremos.
Para obtener una unión p-n no se puede coger un semiconductor tipo p, otro
semiconductor tipo n, y pegarlos. Una condición esencial es que la red cristalina del
semiconductor se distorsione lo menos posible, ya que si no se alterarı́an las propieda-
des de conducción en la unión. Durante mucho tiempo los especialistas han intentado
obtener uniones lo más perfectas posibles. La idea para crear el tipo de unión que
Arrayás, Manuel. <i>Electromagnetismo, circuitos y semiconductores</i>, Dykinson, 2007. ProQuest Ebook Central,
http://ebookcentral.proquest.com/lib/unadsp/detail.action?docID=3175802.
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240 Barreras y Uniones
queremos es la siguiente: se toma un cristal tipo n o p y se introducen impurezas

del tipo contrario. En la parte del cristal en donde se han introducido las nuevas
impurezas el tipo de conductividad (por electrones o huecos) cambia. Esto se llama
sobrecompensación de la impureza inicial. La unión p-n aparece en la frontera entre la
región en donde el tipo de conductividad ha cambiado y la región en la que permanece
igual.
Una manera de introducir impurezas es creando aleaciones. Un disco de In se
pone sobre la superficie de un cristal de Ge, que es de tipo n. El conjunto se calien-
ta lentamente hasta alcanzar la temperatura a la que el In se funde (unos 156◦ C).
Cuando la temperatura de la gota de In lı́quido sigue aumentando, la forma de la
gota cambia y se extiende sobre la superficie a una temperatura de unos 500◦ C. El Ge
cristalino se disuelve en In lı́quido a una temperatura menor de 500◦ C. La disolución
continúa hasta que se satura y ya no se disuelve más Ge en In. Entonces, al bajar
la temperatura, parte del Ge precipita de la disolución recristalizando sobre el sus-
trato de Ge que no ha sido disuelto, enriquecido con átomos de In que actúan como
impurezas aceptoras.
Otro método hace uso del proceso de difusión. Un cristal semiconductor se pone
en contacto con un gas con alta concentración de átomos que actuarán como donantes
o aceptores en el cristal. Como ya sabemos, en la superficie del cristal la red tiene la
mitad de los enlaces rotos, con lo cual las impurezas gaseosas son fácilmente captura-
das por la superficie. Los átomos capturados empiezan un proceso de difusión hacia
el interior del semiconductor. En un cristal ideal, a cero absoluto de temperatura, no
serı́a posible este movimiento atómico de difusión. Sin embargo, no existen cristales
perfectos, ya que siempre existen defectos en el cristal y las oscilaciones térmicas de
la red hacen que los iones salten y ocupen lugares vacı́os de la misma. La distancia a
la que llega la impureza hacia el interior depende del coeficiente de difusión, que a su
vez se puede controlar variando la temperatura. De esta manera se forma una unión
p-n entre la región a la que no ha llegado la impureza y la región a la cual sı́ lo ha
hecho.
La barrera de la unión
Como consecuencia de la diferencia entre el tipo de impurezas en las dos regiones de la

unión p-n, aparece una barrera de energı́a. En condiciones normales, el semiconductor

tipo p contiene huecos cargados positivamente, y el tipo n contiene electrones. Al
unirlos, una corriente de difusión de huecos tendrá lugar desde la región de tipo p
hacia la región de tipo n, y una corriente de difusión electrónica en sentido contrario
(es por esto la importancia de que la red cristalina se deforme lo menos posible al
crear la unión). En una capa del semiconductor p cercana a la frontera aparecerá una
carga neta negativa, mientras que a consecuencia de la migración de electrones, en el
semiconductor tipo n aparecerá una zona con carga neta positiva. Es claro entonces
que cerca de la unión p-n aparecerá una capa doble de carga, negativa en la región p
y positiva en la región n. Esto frena que más huecos emigren a la región n y electrones
a la región p, llegándose a un equilibrio y creándose una barrera de potencial para los
portadores libres.
En la figura 19.5 se muestra el diagrama de bandas de una unión p-n. Podemos
ver que para que los electrones de la banda de conducción en la región tipo n puedan
Uniones p-n 241
p n
EC
ϕpn
EC
EV
ϕpn
EV
X
Figura 19.5. Formación de la barrera de potencial en una unión p-n. La presencia de una
capa dipolar es equivalente a la existencia de una barrera energética como las que aparecen
en el contorno del cristal. Los electrones de la capa de conducción en la región n (cı́rculos
negros) tienen que superar esa barrera para pasar a la otra parte, mientras que los huecos
en la capa de valencia (cı́rculos blancos) tienen que bajarla.
pasar a la región tipo p, deben de superar una barrera de altura ϕpn . Los huecos de la
región p, situados en la capa de valencia, deben superar la misma barrera para pasar
de la región p a la n. En este caso, gráficamente serı́a bajar la barrera, ya que los
huecos tienen carga positiva. El valor de la altura de la barrera viene dado por
ϕpn ≈ ϕp − ϕn ≈ Eg . (19.8)
Puede entenderse esta aproximación de la siguiente manera. Un electrón en un semi-

conductor tipo p debe de superar una barrera de altura ϕp para escapar del cristal.
En un semiconductor tipo n deberı́a de saltar una altura ϕn menor. Por tanto, para
pasar de una región tipo n a una tipo p, la barrera de potencial ϕpn que debe superar
será cercana a la diferencia de energı́as para escapar del cristal en cada región.
La anchura de la barrera
Para uniones p-n en Ge, la altura tı́pica de la barrera es del orden de 0,7 eV, en Si de
1,2 eV, y en GaAs de 1,4 eV. Normalmente los electrones en la banda de conducción
tienen una energı́a del orden de kB T y a temperatura ambienten esto equivale a 0,026
eV. Está claro que la barrera que ven estos electrones es muy grande. Por consiguiente
la región de la barrera es una región prácticamente vacı́a de portadores (electrones y
huecos) y es por ello que tiene sentido el nombre de región de agotamiento.
La región de agotamiento se extiende de manera desigual por la parte tipo n
y por la parte tipo p. Para la parte p de la región de agotamiento la densidad de
carga es ρ = −eNa , mientras que para la parte n es ρ = eNd . Empleando los mismos
argumentos que llevan a la expresión (19.6), la anchura total de la barrera se puede
aproximar por
1/2 1/2
2εr ε0 ϕpn 2εr ε0 ϕpn
X = Xp + Xn = + . (19.9)
e2 Na e2 Nd
19.3. Diodos
Un diodo no es más que un dispositivo semiconductor con una unión p-n asimétrica,
en donde la concentración de impurezas Na en la región p es normalmente mucho
menor que la concentración de impurezas Nd en la región n. Consta pues de tres
regiones: la región p, la región n y la región de la barrera entre ellas.
Si intentamos medir alguna corriente eléctrica conectando las regiones p y n a los
terminales de un amperı́metro el resultado será nulo. En equilibrio, no puede existir
ningún transporte neto de carga a través del diodo, ya que no se puede obtener energı́a
gratuitamente (en los cables que se conectan al amperı́metro, si hubiera corriente,
estarı́amos disipando energı́a en forma de calor). Debido a la barrera aparece un
campo eléctrico que cancela la corriente de difusión de portadores.
En el caso de la unión existe además otro equilibrio. Se trata de la corriente de
saturación js debida a los pocos portadores minoritarios. Los electrones en la banda
de conducción en la región p y los huecos en la banda de valencia en la región n, tan
pronto como alcanzan la región de la barrera se ven favorecidos por el campo eléctrico
a cruzarla. Esta corriente se ve compensada con la debida a los portadores calientes
que poseen suficiente energı́a térmica para cruzar la barrera en la otra dirección.
19.4. Polarización inversa de un diodo

Veamos qué ocurre cuando se conecta el diodo a una fuente capaz de mantener una
diferencia de potencial U0 . En relación con esta fuente, las tres regiones del diodo
están conectadas en serie y se quiere conocer cómo se distribuye el voltaje aplicado
entre esas regiones.
Si conectamos la región p del diodo al polo negativo de la fuente, y la región
n al polo positivo como podemos ver en la figura 19.6, tenemos lo que se llama el
diodo conectado en polarización inversa. La región de la barrera está prácticamente
vacı́a de portadores, con lo cual será la región de máxima resistencia y por lo tanto
el potencial aplicado U0 cae principalmente en esta región. Debido a que la dirección
del campo externo E0 aplicado coincide con la del campo dentro de la unión E, el
voltaje de la fuente se añade al voltaje de la unión Upn = ϕpn /e. Como resultado, la
altura energética de la barrera se hace igual a ϕpn + eU0 .
Podemos además calcular la anchura de la barrera y el campo máximo en ella. Si

suponemos que la barrera es muy asimétrica, podemos escribir usando las expresiones
(19.6) y (19.7),
1/2
2εr ε0 (Upn + U0 )
X ≈ Xn ≈ , (19.10)
eNd
1/2
2eNd (Upn + U0 )
Em = . (19.11)
εr ε0
Curva caracterı́stica
En la figura 19.7 podemos ver la curva caracterı́stica de un diodo polarizado inversa-
mente. En ella se representa la intensidad frente al voltaje de polarización. La primera
cosa que llama la atención es la corriente de saturación. Si tuviéramos una resistencia,
Polarización inversa de un diodo 243
EC p n
p n
eU0
ϕpn I
EV U0
eU0 EC
ϕpn EV
X
Figura 19.6. Diagrama de bandas para un diodo polarizado inversamente. Las lı́neas discon-
tinuas representan el caso sin voltaje aplicado, las continuas el caso de polarización inversa
mediante un voltaje U0 . La altura de la barrera aumenta la cantidad eU0 .
μA I
2 Is
1
Ui U0
0
5 10 15 V
Figura 19.7. Curva caracterı́stica de corriente-voltaje de un diodo inversamente polarizado.
la curva caracterı́stica intensidad-voltaje serı́a una lı́nea recta. Sin embargo, en pola-
rización inversa, con un voltaje tan pequeño como unos pocos decimales de voltio, la
corriente deja de ser dependiente del voltaje aplicado e igual a la corriente de satura-
ción. En ausencia de potencial externo, la corriente de saturación se compensa por la
corriente de portadores calientes, que al tener suficiente energı́a térmica son capaces
de saltar la barrera de potencial hacia el otro lado. Al añadir una altura extra a la
barrera, estos portadores son incapaces de saltarla, con lo cual resulta una corriente
en un sentido no compensada por otra en sentido contrario. Esta corriente depende de
los portadores minoritarios y recordando la expresión (18.8) resulta Is proporcional
a n2i .
Existe un valor máximo del campo eléctrico que puede soportar una unión que
denotaremos por |Ei |. Si se sobrepasa, los electrones y huecos son capaces de adquirir
tanta energı́a que al colisionar con los átomos de la red generan nuevos electrones y
huecos produciéndose una avalancha de portadores. Este proceso recibe el nombre de
ionización por impacto. Para diodos de Si o GaAs, el valor máximo del campo que
pueden soportar es del orden de ×105 V/cm. Aunque este valor es constante para
un tipo dado de semiconductor, el valor de lo que se denomina voltaje de ruptura Ui

depende del nivel de dopaje. Si hacemos Em = |Ei | en la ecuación (19.11), se obtiene
εr ε0 |Ei |2
Ui ≈ . (19.12)
2eNd
Existe otro proceso que da lugar a la llamada ruptura Zener. Si el campo eléctrico
en la barrera llega a ser suficientemente grande, puede liberar electrones de valencia,
produciéndose entonces un flujo masivo de portadores minoritarios. Estos procesos
explican el aumento de la corriente al final de la curva de la figura 19.7.
Los diodos Zener están diseñados para funcionar a voltajes mayores Ui . Estos
diodos son muy útiles como reguladores de potencia, ya que el voltaje se hace inde-
pendiente de la corriente que circula por ellos.
Reactancia capacitiva
Cuando al voltaje de polarización inversa U0 le añadimos un voltaje alterno V (t) =
V1 cos(ωt), tal que V1 U0 , la unión p-n se comporta como un condensador. La
reactancia capacitiva de la unión p-n se define como la de cualquier condensador, es
decir Zc = 1/iωC, siendo C la capacidad de la unión. Podemos emplear la fórmula
para la capacidad de un condensador plano y estimar el valor de C como
εr ε0 A
C= , (19.13)
X
donde A es el área de la unión y X la anchura de la barrera.
Si consideramos una unión que ha sido polarizada inversamente, la altura de
la barrera aumenta durante medio semiperiodo del voltaje alterno, la anchura de la
misma se hace mayor, y por tanto portadores libres que antes ocupaban esa región son
expulsados de ella. Por el contrario, en el siguiente semiperiodo la altura de la barrera
disminuye, la anchura se hace menor, y los portadores libres del resto del circuito
ocupan parte de la región que se encontraba vacı́a de ellos cuando el potencial era
U0 . Ası́ la unión p-n es capaz de almacenar carga y de devolverla, permitiendo la
circulación de corriente alterna por el circuito al que se conecte.
Es importante notar que la capacidad de la unión depende de la anchura de la
barrera, y por tanto del voltaje aplicado. Los condensadores cuya capacidad depende
del voltaje aplicado reciben el nombre de condensadores no lineales. Ası́ la unión
p-n se comporta como un condensador no lineal. Esta propiedad es útil en algunas
aplicaciones pero limita la operación de los diodos a altas frecuencias. Un ejemplo
son los circuitos de microondas en donde este comportamiento no es deseable. Una
manera de hacer la capacidad de la barrera lo menor posible es reducir su área, y es
éste uno de los motivos de reducir el tamaño de los diodos.
19.5. Polarización directa

En la figura 19.8 se muestra un diodo polarizado directamente. El terminal positivo
de la fuente se conecta a la región p del diodo, mientras que el terminal negativo
a la región n. En este caso, el campo E0 debido al voltaje externo U0 tiene sentido
contrario al del campo en la barrera.
Polarización directa 245
p n
eU0 p n
ϕpn
EC
I
U0
ϕpn eU0 EC
EV
EV
X
Figura 19.8. Diagrama de bandas para un diodo polarizado directamente. Las lı́neas discon-
tinuas representan el caso sin voltaje aplicado, las continuas el caso de polarización directa
mediante un voltaje U0 . La altura de la barrera disminuye la cantidad eU0 .
La altura energética de la barrera disminuye en este caso a ϕpn − eU0 como pode-
mos ver en la figura 19.8. Al introducir los diodos se ha visto que existe un equilibrio
de corriente hacia un lado y otro de la barrera que hace que el transporte neto de
carga sea nulo. Al disminuir la altura de la barrera rompemos este equilibrio. Ahora
existen más electrones en la región n capaces ser inyectados en la región p debido a
que tienen suficiente energı́a térmica para ello. La concentración de tales electrones
viene dada por n1 ≈ N0 exp[−(ϕpn − eU0 )/kB T ]. En el equilibrio, el número de elec-
trones que eran capaces de saltar la barrera venı́a dado por ns ≈ N0 exp(−ϕpn /kB T ).
Ahora existe ahora un flujo de electrones no compensado proporcional a la diferencia
n1 − ns . El mismo razonamiento vale para los huecos.
Sigamos con un poco más de detalle el destino de los portadores minoritarios
responsables de la corriente al polarizar directamente un diodo. A consecuencia de
que la barrera se hace menor, electrones de la región n se inyectan en la región p, y
huecos de la región p pasan a la región n. En los diodos, las regiones n y p suelen ser
asimétricas (ver Ejercicios). Por consiguiente la cantidad de portadores que pueden ser
inyectados por la región altamente dopada es mucho mayor que la cantidad inyectada
desde la región débilmente dopada. Esto es por lo que una región altamente dopada
de un diodo recibe el nombre de emisor y una región débilmente dopada el de base.
En polarización inversa es la región menos dopada la que determina la anchura de
la barrera según la expresión (19.10). Supongamos que se trata de la región n. Si ahora
aplicamos polarización directa, habrá una inyección masiva de huecos desde el emisor
a la región n o base. Esos huecos se aniquilan cuando se difunden por la región de la
base con los electrones que provienen de la fuente externa U0 . En cada instante de
tiempo, la fuente externa introduce a través de la base el mismo número de electrones
que huecos llegan a ella. Al mismo tiempo, para mantener el estado estacionario del
emisor, el mismo número de electrones sale del emisor hacia el polo positivo de la
fuente externa a través del otro contacto metálico, dejando en el emisor el mismo
número de huecos que habı́a inicialmente. Ésta es la manera en que la corriente fluye
A I
0.5
0.25
U0
0
0.1 0.2 V
Figura 19.9. Curva caracterı́stica de corriente-voltaje de un diodo directamente polarizado.
a través de un diodo polarizado directamente.
Curva caracterı́stica
Con todo lo discutido vemos que, para un diodo polarizado directamente existe una
densidad de corriente electrónica proporcional a la diferencia n1 − ns dada por
jn ≈ n1 − ns = N0 exp[−(ϕpn − eU0 )/kB T ] − N0 exp(−ϕpn /kB T ), (19.14)
siendo N0 una constante que depende de la concentración de impurezas. Los huecos

dan lugar a una contribución de la misma forma, con lo que la densidad de corriente
total que circula por el circuito será la suma de ambas
j = jp + jn = js [exp(eU0 /kB T ) − 1], (19.15)
donde js es una constante que depende de Np , Ne y ϕpn . En la figura 19.9 podemos

ver la curva caracterı́stica de un diodo polarizado directamente. En ella se representa
la intensidad frente al voltaje de polarización y se puede observar efectivamente un
crecimiento exponencial de la corriente con el voltaje aplicado.
La expresión (19.15) vale también para el caso de polarización inversa conside-
rando que en este caso el voltaje aplicado es negativo. En polarización directa, el
voltaje U0 se debe tomar con signo positivo, pero cuando la polarización es inversa,
el voltaje cambia de signo y la corriente se satura a j = −js para valores de U0 igual

a varias veces kB T /e.
El valor mı́nimo de la barrera

Al polarizar un diodo directamente la barrera de potencial disminuya. Para el Si
por ejemplo, con U0 ≈ 1,1V , la altura de la barrera se hace cero. ¿Qué pasará si se
aumenta este valor de U0 ? ¿Se producirá una barrera de altura negativa? Veamos que
la respuesta es no.
Al empezar a hablar de la polarización de los diodos distinguı́amos tres regiones
conectadas en serie: la región tipo n, la unión y la región tipo p. Cada región presenta
una resistencia diferente. Se ha supuesto en toda la discusión anterior que la diferencia
de voltaje externo U0 cae en la región de la unión, que se encuentra vacı́a de portadores
libres. Es decir, la resistencia de esa región es mucho mayor que la resistencia de
la región n, de la región p y la de los contactos metálicos del diodo. Al polarizar
Aplicaciones de los diodos 247
directamente el diodo, con el aumento del valor de U0 la resistencia de la unión llega

a ser tan pequeña que una parte importante del voltaje decae en las otras regiones
(recordemos que no sólo la altura, sino también el tamaño de la barrera disminuye).
El voltaje aplicado se reparte entre todas las regiones, siendo imposible que en la
barrera se aplique un voltaje mayor que la altura inicial Upn ≈ Eg /e. Lo máximo
que se puede hacer al aumentar el valor del potencial es disminuir la altura en la
región de la unión hasta que la caı́da de potencial sea muy pequeña. En ese caso, la
concentración de portadores donde “solı́a haber una barrera” se hace muy grande, al
igual que la densidad de corriente que pasa a través del diodo.
19.6. Aplicaciones de los diodos

Las propiedades de las uniones p-n son la base del funcionamiento de multitud de
dispositivos. Dependiendo de su diseño, del material del cual están hechos, del nivel
de dopaje de cada región, y del voltaje externo aplicado, los diodos tienen diversas
funciones. Se usan para rectificar corriente alterna, para transformar luz solar en
corriente eléctrica, para generar y modificar y analizar señales eléctricas y luminosas,
etc. En este apartados discutiremos algunos ejemplos.
Fotodiodos
Los fotodiodos son dispositivos capaces de analizar la luz. Se usan en sistemas de
seguridad basados que disparan una alarma cuando un haz de luz se interrumpe, o que
detectan la presencia de fuego, o descubren la fuga de un gas tóxico, etc. También para
controlar procesos quı́micos, mantener un nivel dado de lı́quido, detectar partı́culas
nucleares o medir la temperatura. Funcionan de forma más precisa que el ojo humano
y se basan en alguna propiedad eléctrica, tal como la resistencia, corriente o voltaje,
que cambia bajo iluminación.
Un fotodiodo es una unión p-n inversamente polarizada. Si la energı́a del fotón
incidente Ef es mayor que Eg (la energı́a de la banda prohibida), entonces cada fotón
absorbido es capaz de generar un par electrón-hueco como vimos cuando tratábamos
el efecto fotoeléctrico. Si este par aparece en la región de la barrera, entonces se
verá atraı́do por el campo existente en ella. En la oscuridad, por efectos térmicos
pueden generarse electrones y huecos. Cuando se ilumina la unión con fotones de

energı́a Ef > Eg , la corriente que aparece es mucho mayor que antes, ya que el
número de portadores creados es ahora mucho mayor. Esta fotocorriente, amplificada
y transformada por el resto de la electrónica, actúa como alarma, señal, etc, en las
aplicaciones.
En la figura 19.10 podemos ver el diseño fotodiodo. El contacto superior tiene la
forma de anillo. La región de la unión dentro del anillo recibe el nombre de ventana.
Normalmente el plano de la unión p-n está localizado a una distancia de alguna micras
de la superficie. El valor del voltaje U0 suele estar en el rango de 10 V a 30 V y el
valor de la región de vacı́o (o barrera) X es de unas pocas micras. Los semiconductores
con una banda de energı́a prohibida pequeña Eg se usan para detectar luz con una
longitud de onda grande, mientras que para crear detectores de ultravioleta Eg debe
de ser mayor.
Una de las ventajas de los fotodiodos es su rápida respuesta. Si la luz que incide
luz
ventana
1
0
0
1 1
0
0
1
p
n contactos
11111111
00000000
00000000
11111111
Figura 19.10. Diodo con unión p-n polarizada inversamente.
en el diodo se apaga de repente, la fotocorriente cesa tan pronto como los electrones
y huecos creados son transportados por la acción del campo fuera de la región de la
barrera. Los valores tı́picos del campo eléctrico en la unión polarizada inversamente
son grandes, del orden 104 − 105 V/m. Cuando hemos hablado de los portadores
calientes, veı́amos que en tales campos eléctricos la velocidad de arrastre se hacı́a del
orden de la velocidad térmica, es decir de unos 107 cm/s (ver capı́tulo 18) y se hacı́a
independiente del campo aplicado. Por consiguiente, el tiempo que tarda en responder
el fotodiodo al cambio de iluminación se puede estimar como X/vs que está en el
rango de 10−10 − 10−11 s (el fotodiodo es capaz de reaccionar en 10−4 millonésimas de
segundo). Esto hace posible usarlos en sistemas de comunicación por fibra óptica, ya
que sirven como receptores de las señales moduladas que viajan por ellas y permiten
transmitir directamente transmitir los datos recibidos a un procesador haciendo por
ejemplo que un robot “vea”.
Célula solar
En cierta manera, una célula solar no es más que un fotodiodo sin potencial externo
aplicado. Incluso sin polarización, debido al potencial de barrera existe un campo, con
lo cual cualquier par creado en la célula por la acción de la luz incidente generará una
corriente dirigida por el campo. Si unimos mediante una resistencia la región p con
la n, circulará una corriente y habremos transformado la energı́a luminosa en energı́a
eléctrica.
El problema de estos dispositivos es el de la eficiencia. Si cada fotón que incide en
la célula solar fuera capaz de crear un par electrón-hueco, entonces la eficiencia serı́a
del 100 %. Sin embargo, la eficiencia de las células está bastante lejos de este lı́mite.
La principal dificultad para aumentar la eficiencia de la célula reside en el hecho de
que la luz solar consiste en una mezcla de fotones de varias energı́as, algunos en el
ultravioleta Ef ≥ 3 eV , y otros en la región visible e infrarroja Ef ≤ 1,5 eV. La célula
solar no es capaz por separado fotones con distintas energı́as de manera eficiente.
Condensadores variables
Cuando cambiamos el potencial externo, la capacidad de la unión p-n polarizada in-
versamente varı́a: a mayor potencial menor capacidad. Cambiar la capacidad de un
Aplicaciones de los diodos 249
condensador resulta extremadamente útil (para sintonizar un receptor de radio por

ejemplo). Además el hecho de que la capacidad pueda cambiarse muy rápidamente
por medio de un potencial externo hace posible la construcción de transformadores su-
persensibles de corriente continua en alterna, la generación de señales con frecuencias
de cientos de millones de Hertz y la amplificación de señales muy débiles .
Uno de los parámetros más importantes de un condensador variable es su coefi-
ciente de cambio, definido como la razón Kc = Cmax /Cmin entre la capacidad máxima
y mı́nima que puede alcanzar. La máxima capacidad se consigue cuando el potencial
externo U0 se hace cero. Entonces, la caı́da de potencial en la unión es mı́nima e igual
a Upn . De acuerdo con las expresiones (19.13) y (19.10) resulta
1/2
qεr ε0 Nd
Cmax = A . (19.16)
2Upn
Por el contrario, la capacidad mı́nima se consigue cuando el potencial externo es
máximo, y según veı́amos está limitado por el voltaje de rotura Ui del dispositivo,
con lo que
1/2
qεr ε0 Nd qNd
Cmin = A =A . (19.17)
2Ui Ei
Por tanto el coeficiente de cambio vale
1/2
εr ε0 Ei2
Kc = . (19.18)
2qUpn Nd
Vemos que mientras menor es el valor de la concentración de impurezas en la región
menos dopada, mayor es el coeficiente de cambio. En dispositivos reales el valor de
Kc varı́a en el rango de 2 a 15.
Diodos emisores de luz

Los anteriores ejemplos eran aplicaciones de diodos en polarización inversa. Un ejem-
plo muy importante de polarización directa es el de los diodos emisores de luz (LED
son sus iniciales en inglés). Se puede decir que, en principio, cualquier diodo pola-
rizado directamente es un emisor de luz. Cuando los portadores pasan de la región
emisora a la base, se recombinan y en ese proceso se emite un fotón. Una parte de

estos fotones se absorbe dentro del diodo, pero el resto consigue escapar. Ésta es la
luz que emite el diodo.
Para diseñar de forma óptima un diodo emisor de luz, necesitamos que la gran
mayorı́a de portadores se recombinen en la base y que tengan una gran probabilidad
de emitir un fotón en este proceso. Ge y Si por ejemplo no son buenos materiales para
esto, ya que la mayorı́a de electrones y huecos se recombinan sin emitir fotones. GaAs
y otros compuestos ternarios sı́, con probabilidad cercana a la unidad.
La longitud de onda de la luz radiada (el color) viene definida por la energı́a del
fotón emitido. Un fotón posee una energı́a
Ef = hν = hc/λ, (19.19)
donde h = 6,63 × 10−34 J · s es la constante de Planck ν es la frecuencia, c la velocidad

de la luz, y λ la longitud de onda. En la mayorı́a de los casos, la energı́a del fotón es
cercana a la diferencia de energı́as del electrón que pasa de la banda de conducción en

el emisor a la de valencia en la base, y por tanto cercana a Eg . En el caso del GaAs,
en la tabla 18.1 podemos ver que Eg = 1,4 eV, y por consiguiente, la longitud de onda
asociada con esta energı́a es invisible para el ojo humano. Para cambiar el color de
la luz, se introducen en la red de GaAs átomos de fósforo (P) o aluminio (Al), que
llevan a un incremento de Eg , y ası́ se obtienen diodos que emiten luz roja.
Estos dispositivos se usan normalmente como indicadores. El exceso de informa-
ción de nuestros dı́as hace que sean imprescindibles para resolver muchos problemas.
Ası́ nos informan si la televisión está encendida o apagada, si las puertas del coche
están cerradas, si el recibidor de ondas está sintonizado, etc.
Diodos rectificadores
Prácticamente toda la energı́a eléctrica consumida en el mundo se genera en turbinas

de centrales en forma de corriente alterna, a las llamadas frecuencias industriales de
50 o 60 Hz. Pero en muchos casos es imposible usar esa energı́a en forma alterna y
mucho instrumentos necesitan de corriente continua. Es necesario rectificar corrientes
y voltajes.
En el capı́tulo dedicado a circuitos con diodos explicaremos cómo se rectifica la
corriente de manera detallada, pero la idea es fácil de entender: el voltaje aplicado al
diodo es alterno, cambiando su polaridad en el tiempo. Cuando el voltaje es tal que
polariza al diodo directamente, podrá circular corriente por el circuito en un sentido.
Pero al cambiar el voltaje de signo, polariza al diodo inversamente. La resistencia
aumenta mucho y prácticamente no deja circular ninguna corriente por el circuito. La
corriente sólo circula entonces en un sentido: se ha rectificado.
Como anécdota, durante la II Guerra Mundial, los aliados desarrollaron la tec-
nologı́a del RADAR. Funcionaba con un diodo rectificador: el trabajo del rectificador
consistı́a en traducir la señal alterna en la señal continua necesaria para su visualiza-
ción en una pantalla. Los cristales semiconductores a menudo ardı́an al no ser capaces
de seguir el cambio de la señal a altas frecuencias. Seymour Benzer descubrió que el
Germanio (Ge) podı́a soportar mayores frecuencias y voltajes que ningún otro ma-
terial. Fue el Ge y toda la tecnologı́a desarrollada para construir mejores cristales la
que llevó a la invención del transistor.
19.7. Ejercicios
1. Demuestrar las expresiones (19.2) y (19.3). Ayuda: pensar en el campo que pro-
duce un condensador.
2. Obtener las expresiones (19.6) y (19.7). Para ello, tener presente que si llamamos a
la pendiente tan α = dE/dx, entonces X = Em / tan α (considerar la figura 19.3).
3. Para rectificar alto voltaje se emplea una unión p-n en Si, cuya concentración
de impurezas en la parte p es Na = 1018 cm−3 , mientras que en la parte n es
de Nd = 1013 cm−3 . El valor de la permitividad relativa del semiconductor es
εr = 12,5 y el potencial de barrera Vpn = 1,1 V. ¿Cual será la anchura de la
barrera? Comprobar que se trata de una unión bastante asimétrica.
Solución: X ≈ Xn ≈ 12μm.
Ejercicios 251
4. Considerar de nuevo el problema anterior. Suponer que se aplica ahora un vol-

taje de polarización inversa de 1000 V. Calcula el valor máximo del campo que
atraviesa la unión y la anchura de la barrera.
Solución: Em = 54 kV/cm, X = 370 μm.
5. En un semiconductor de permitividad relativa εr = 11 determinar el voltaje de
ruptura en los casos en que Nd = 1017 cm−3 y Nd = 1014 cm−3 .
Solución: Ui = 2,7 V y Ui = 2700 V respectivamente.
6. ¿Cuál es la longitud de onda que el ojo no puede ver en el caso del GaAs? El ojo
humano normalmente ve entre 8 × 10−7 m (rojo) y 4 × 10−7 m (violeta). Para el
GaAs, sabemos que Eg = 1,4 eV.
Solución: λ = 8 × 10−7 m (infrarrojo).
Capı́tulo 20
Transistores bipolares
20.1. Un poco de historia

Los laboratorios Bell, uno de los laboratorios industriales más grandes del mundo,
pertenecı́an a la compañı́a American Telephone and Telegraph (AT&T). En 1907,
AT&T se enfrentaba con la expiración de la patente del teléfono que habı́a inventado
su fundador Alexander Graham Bell. Para luchar contra la competencia que preveı́a,
contrató de nuevo al anterior presidente, Theodore Vail, ya retirado. La solución de
Vail para asegurar el negocio de la compañı́a fue desarrollar servicios de teléfono
transcontinentales. AT&T compró la patente del invento que en 1906 habı́a desarro-
llado Lee De Forest: el triodo de tubo de vacı́o. Este dispositivo mejorado permitı́a
amplificar la señal regularmente a lo largo de la lı́nea telefónica, con lo cual la con-
versación podı́a realizarse a cualquier distancia. Pero estos tubos fallaban demasiado
y consumı́an demasiada potencia, perdiéndose mucha en forma de calor.
En 1930, el director de investigación de los Laboratorios Bell, Mervin Kelly, re-
conociendo la necesidad de crear un dispositivo mejor para que el negocio del teléfono
siguiera creciendo, puso a un equipo a trabajar en el desarrollo de semiconductores.
Después de la segunda guerra mundial el fı́sico Bill Shockley fue asignado por Kelly
como director del proyecto. Shockley contrató Walter Brattain y a John Bardeen.
Los tres ganarı́an el premio en 1965 por la invención del transistor bipolar (Bardeen
ganarı́a ma’s tarde otro Nobel por explicar el mecanismo de la superconductividad).
Todos eran cientı́ficos de primera clase trabajando en el mismo laboratorio y su crea-
ción en 1948 fue de las más importantes que ha dado la humanidad desde la invención
de la rueda. En 1952 Shockley inventó el transistor de efecto campo basado en otro
principio muy diferente. Además fundó una compañia en un lugar que luego serı́a
conocido como Silicon Valley.
20.2. Transistores bipolares

La disposición de un transistor bipolar es bastante simple y puede verse en la figu-
ra 20.1. Entre dos regiones p, se construye una región n más estrecha. Los nombres de
la primera región p y de la región n ya los conocemos del capı́tulo de diodos: emisor
y base. La tercera región p recibe el nombre de colector.
253

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Uniones p-n 239

ﬁgura 19.3 es constante. Si el campo tiene un valor máximo Em en la superﬁcie y

ası́ como el valor máximo del campo eléctrico,

En resumen, la anchura de la barrera de potencial en un semiconductor está deter-

semiconductores débilmente dopados esta anchura puede tener el tamaño de miles de

19.2. Uniones p-n

queremos es la siguiente: se toma un cristal tipo n o p y se introducen impurezas

Como consecuencia de la diferencia entre el tipo de impurezas en las dos regiones de la

unión p-n, aparece una barrera de energı́a. En condiciones normales, el semiconductor

Puede entenderse esta aproximación de la siguiente manera. Un electrón en un semi-

19.4. Polarización inversa de un diodo

Podemos además calcular la anchura de la barrera y el campo máximo en ella. Si

un tipo dado de semiconductor, el valor de lo que se denomina voltaje de ruptura Ui

19.5. Polarización directa

Figura 19.9. Curva caracterı́stica de corriente-voltaje de un diodo directamente polarizado.

a través de un diodo polarizado directamente.

jn ≈ n1 − ns = N0 exp[−(ϕpn − eU0 )/kB T ] − N0 exp(−ϕpn /kB T ), (19.14)

siendo N0 una constante que depende de la concentración de impurezas. Los huecos

j = jp + jn = js [exp(eU0 /kB T ) − 1], (19.15)

donde js es una constante que depende de Np , Ne y ϕpn . En la ﬁgura 19.9 podemos

el voltaje cambia de signo y la corriente se satura a j = −js para valores de U0 igual

El valor mı́nimo de la barrera

directamente el diodo, con el aumento del valor de U0 la resistencia de la unión llega

19.6. Aplicaciones de los diodos

pueden generarse electrones y huecos. Cuando se ilumina la unión con fotones de

Figura 19.10. Diodo con unión p-n polarizada inversamente.

condensador resulta extremadamente útil (para sintonizar un receptor de radio por

Diodos emisores de luz

emisora a la base, se recombinan y en ese proceso se emite un fotón. Una parte de

donde h = 6,63 × 10−34 J · s es la constante de Planck ν es la frecuencia, c la velocidad

cercana a la diferencia de energı́as del electrón que pasa de la banda de conducción en

Prácticamente toda la energı́a eléctrica consumida en el mundo se genera en turbinas

que llevó a la invención del transistor.

4. Considerar de nuevo el problema anterior. Suponer que se aplica ahora un vol-

20.1. Un poco de historia

20.2. Transistores bipolares

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