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Electronique Analogique I

Chapitre I
Le transistor bipolaire
BJT

1 Pr.A. khoukh
Electronique Analogique I

Histoire

 Le transistor bipolaire (BJT pour Bipolar Junction Transistor)


 1947 : Bardeen, Brattain et Schockley à Bell Lab’s
 Première commercialisation : fin des années 50
 Premiers CI (portes logiques RTL, AO) : années 60

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Structure physique

N P

P N

N P

 Succession de trois régions de dopage différents NPN ou PNP ;


 Trois bornes : Emetteur, Base et collecteur ;
 Deux jonctions : jonction base émetteur et jonction base collecteur;
 Base étroite et faiblement dopé ;
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Symbole et convention

 Emetteur : source des porteurs majoritaires


 Base : séparation E/C et dopage inverse
 Collecteur : récupération des porteurs non recombinés

 La flèche sur l’émetteur indique le sens passant de la JBE,

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Fonctionnement du transistor NPN : effet transistor

 En fonctionnement normal, la JBE est polarisée en direct et JBC en inverse.

5 Pr.A. khoukh
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Fonctionnement du transistor NPN : effet transistor


 Processus les plus importants

 La jonction BE est polarisée en direct :


1. Injection d’électrons de l’´emetteur vers la base.
 Les électrons injectés diffusent dans la base, o`u ils sont des porteurs
minoritaires.
2. Recombinaisons d’un faible pourcentage des é injectés

 Par construction, la base est courte et peu dopée :


3. Un pourcentage important des électrons injectés parviennent au
collecteur sans avoir subi de recombinaison.
 La jonction BC est polarisée en inverse :
4. Le champ électrique propulse les électrons vers le collecteur
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Fonctionnement du transistor NPN : effet transistor

 Processus secondaires

 La jonction BE étant polarisée en direct, des trous sont injectés


de la base vers l’´emetteur.

 La jonction CB étant polarisée en inverse, il y a un courant de


saturation inverse associé au transport des minoritaires :
5. Des électrons, générés thermiquement dans la JBC, sont
entraînés vers le collecteur,

6.Des trous, générés thermiquement dans la JBC, sont


entraînés vers la base.

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Courant d’´emetteur
On a :
Injection d’´electrons dans la base (1.) : IEn
Injection de trous dans l’´emetteur (4.) : IEp

En négligeant le courant de saturation inverse de la jonction BE.


 Jonction BE polarisée en direct : iE est de la forme
VBE
I E  I SBE exp( )
VT
 Efficacité d’injection de l’émetteur :

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Courant de collecteur
 Les électrons en provenance de l’émetteur via la base (conduction) :
 T I nE
T : , facteur de transport dans la base = fraction des électrons diffusés
dans la base et qui arrivent au collecteur sans recombinaison;
 le courant de saturation inverse de la jonction base collecteur ICBO

 le courant total du collecteur est :


 Approximation au premier ordre :
et

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Courant de base et gains en courant

 Courant de Base : transistor NPN et loi des nœuds :

 Gain en courant alpha :

 Gain en courant bêta :

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Caractéristiques statiques

 les différents types de montages :


Il est souvent commode de transformer le transistor en un quadripôle par
la mise en commun de l’une de ses bornes entre l’entrée et la sortie du
quadripôle. On peut ainsi obtenir trois types de montages :
IE IC
IC IE
C
IB B E
VCE VEC VEB VCB
VBE E IE IB B IB
IC
VBC C

Transistor en émetteur Transistor en collecteur Transistor en Base


Commun Commun Commun

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Caractéristiques statiques
 La polarisation :
Pour chaque type de transistors, les deux jonctions sont polarisées
par des sources de tension.

JBC polarisée JBC polarisée


en inverse en inverse

JBE polarisée JBE polarisée


en direct en direct
NPN PNP

Remarque : On passe de NPN au PNP par inversion de signes des courants et des
tensions.
12 Pr.A. khoukh
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Caractéristiques statiques

 Caractéristiques :

Avec le montage adapté


(généralement l’émetteur
commun, on relève les
caractéristiques du
transistor NPN. Aux
signes près, les résultats
sont similaires pour le
transistor PNP

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Modes de fonctionnement du transistor

 Jonction PN : 2 modes de fonctionnement passant ou bloqué

 Transistor bipolaire = 2 jonctions, 4 modes de fonctionnement:

Zone active directe Zone de saturation


BE polarisée en direct BE polarisée en direct
BC polarisée en inverse BC polarisée en direct

Zone de blocage Zone active inverse


BE polarisée en inverse BE polarisée en inverse
BC polarisée en inverse BC polarisée en direct

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Caractéristique de transfert en courant

Le courant IC croît d’abord proportionnellement à IB, puis s’infléchit pour


ne plus augmenter : C’est la saturation. On ne peut alors plus caractériser le
fonctionnement par une relation linéaire.

Dans le domaine linéaire, on utilise les


propriétés d’amplification en courant du
transistor. Dans l’autre cas, on ne distingue
plus que deux cas extrêmes traduisant un
fonctionnement en tout ou rien ou en
commutation, particulièrement utilisé dans
les composants logiques.

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Caractéristique de sortie Ic= f(VCE)

IC IB3

IB2

IB1
IB1= 0
IC=ICB00

, indépendant de VCE

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Point de repos et variations

 Pour son utilisation en amplificateur, on recherche les propriétés


linéaires du transistor.
 Nécessité de se placer en un point de la caractéristique autour duquel le
comportement est linéaire.
 C’est le point de repos, il correspond à la composante continue des
grandeurs Ic , IB, VBE et VCE; tandis que la composante alternative rend
compte des variations autour de ce point.
 Point de repos : Ic0 , IB0, VBE0 et VCE0

17 Pr.A. khoukh
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Point de repos et variations


 Les grandeurs électriques sont dissociées en la somme de la composante
continue et de la composante variable :

 Pour l’utilisation comme amplificateur : considérer les petites variations


autour du point de repos ;
 Signaux de formes quelconques décomposables en série de fourrier : il
suffira de considérer les petits signaux alternatifs sinusoïdaux.

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Modèle petits signaux Basses fréquences


 Le schéma équivalent du transistor linéarisé est celui en
paramètres hybrides :

ib h11 ic
ib ic B C
C
B
vbe h12vce h21ib vce
vbe vce
E
E

19 Pr.A. khoukh
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Signification des hij


 d VBE   vbe 
h11     
 d I B V  ib  v ()
CE
 cte ce
0

VBE
I E  I S exp
VT
dVBE VT
 rd 
dI E I E , rd étant la résistance dynamique de la jonction base émetteur.

Sachant que I E  I C  I B
avec I C   .I B

alors h11  ( 1   )rd   .rd


20 Pr.A. khoukh
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 d VBE   vbe 
h12     
d V
 CE  I  cte  ib  i 0
B b

Généralement très faible (10-4 à 10-5), ce terme est du à la variation de la


largeur de la base sous l’effet de l’extension de la ZCE de la jonction
collecteur base, polarisée en inverse, lorsque VCE varie.

 dI C   ic 
h21     
dI
 B V  ib  v (Sans unité, gain en courant  du transistor)
CE  cte ce  0

 d IC   ic  1
(-1) 10k  h  100k
h22    
d V
 CE  I  cte  vce  i 0 22
B

21 Pr.A. khoukh
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Schéma hybride simplifié


En général :
 h21 est négligeable ;
1
 rce   0
h22
On utilise le schéma équivalent simplifié suivant :
B C
ib ic

vbe h11 vce


h21ib

E E

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Transconductance du transistor

 Par définition :

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Schéma équivalent petits signaux BF

dI c (t ) dI c (t ) dI b (t ) 
gm  repos  
dVbe (t ) dI b (t ) dVbe (t ) h11

1
En posant h11=rbe et  rce
h22

24 Pr.A. khoukh
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Schéma équivalent petits signaux HF


Modèle de GIACOLETTO

vbe vce

Remarque :
La présence des capacités fait apparaître des fréquences de coupures qui
correspondent aux limites d'utilisation en fréquence du transistor considéré.

25 Pr.A. khoukh
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Polarisation Du transistor NPN : Les montages classiques

 DROITE DE CHARGE ET POINT DE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR :


Le point de fonctionnement ou de repos du transistor se
trouve sur la droite de charge statique du transistor.
Celle-ci représente la relation entre VCE et IC pour le
circuit extérieur au transistor :

La droite de charge est tracée dans le réseau de


sortie, compte-tenu des points remarquables :

Pour VCE = 0 V,

Pour IC = 0 mA, VCE=VCC=15V

26 Pr.A. khoukh
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POLARISATIONS CLASSIQUES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN
 Polarisation en courant :

Pour fixer la valeur du courant IB, on branche une résistance


de valeur convenable entre VCC et la base du transistor (K en
2). Cette procédure est équivalente à un générateur de
courant placé à entre la masse et la base et dont le courant I0
= IB (K en 1).

La valeur de la résistance RB doit être assez élevée pour


permettre un courant de base très petit.

27 Pr.A. khoukh
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POLARISATIONS CLASSIQUES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN
 Polarisation en tension:
Dans cette technique, un diviseur de
tension (R1, R2) permet d’appliquer une
R1 tension VBM à l’entrée du transistor entre la
base et la masse. La procédure consiste à
prélever la tension aux bornes de R2 (K en
2). Ce qui revient à placer un générateur
R2 de tension de f.é.m = VBM (K en 1) à
l’entrée du transistor

28 Pr.A. khoukh
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Analyse du circuit de polarisation par diviseur de tension

Théorème de thevenin :
R1 R1R2
E0  VCC R0 
R1  R2 R1  R2

29 Pr.A. khoukh
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Analyse du circuit de polarisation par diviseur de tension

Le calcul des résistances de polarisation R1 et R2 est obtenu par le choix d'un


courant de pont IP tel que :

10 IB repos ≤ IP ≤ 20 IB repos

Pour l’exemple du circuit précédent :

30 Pr.A. khoukh
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REMARQUE IMPORTANTE

 En pratique, pour polariser le transistor, la connaissance des réseaux de


caractéristiques du transistor n’est pas nécessaire.
 En effet, il faut donner aux résistances de polarisation, une valeur normalisée
voisine de la valeur calculée, ce qui rend inutile une valeur précise de la tension
VBE.

Aussi, pour déterminer une polarisation, il suffit de connaître :


 La valeur du gain en courant β du transistor bipolaire pour avoir

 Prendre systématiquement VBE = 0.6V afin de calculer la tension VBM.

31 Pr.A. khoukh
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Polarisation et stabilité du point de fonctionnement


 Le circuit de polarisation fixe le point de repos (point de fonctionnement
statique) du transistor

 Le choix du point de repos dépend de l’application du circuit


 Les principales caractéristiques d’un circuit de polarisation sont :
 Sensibilité par rapport à la dispersion de fabrication du transistor en raison de la
variabilité des paramètres (, ICBO et VBE) des transistors de la même famille,
 Stabilité thermique, en raison des dérives (thermiques) des paramètres des
transistors. On retiendra que les dérives ont les ordres de grandeur suivants ;
≅ −2 /° ,

≅ +2%/°

≅ 0,1 /° ⬚

32 Pr.A. khoukh
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Polarisation et stabilité du point de fonctionnement


Le souci des concepteurs est de produire un montage qui continue à fonctionner
correctement :

 Après un échange standard d’un ou plusieurs composants (la variabilité des


paramètres entre les composants de même référence doit être sans effet sur le
fonctionnement du montage),
 lorsque la température ambiante varie, même dans de larges proportions,
typiquement 0oC à 50oC (la dérive des paramètres des composants doit être sans
effet sur le fonctionnement du montage),
 avec une variation même importante de la tension d’alimentation.

Le point de polarisation d’un montage devra par conséquent être aussi indépendant
que possible des facteurs évoqués ci-dessus.

33 Pr.A. khoukh
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Exemple : variation du gain en courant  :

Le gain en courant : = =
Varie considérablement pour des transistors d’un même type. En effet, le paramètre physique (que
contrôle le constructeur) est le gain α, qui est inférieur et très proche de 1.
Calculons la différentielle dβ:

( − )+
= = =( + )
( − ) ( − )

Il s’en suit : = + = Car  >> 1


C’est-à-dire que l’erreur relative sur β est β fois plus grande que l’erreur sur α. D’un point de
vue numérique, pour α = 0.99, on a β = 100, et par conséquent une erreur de 0.5% sur α
entraîne une erreur relative de 50% sur 

34 Pr.A. khoukh
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Stabilité du point de repos : Optimisation


Examinons la question de stabilité du point de repos dans le montage de
polarisation à pont diviseur, donné ci-dessous, et en utilisant le schéma équivalent
de thevenin :

R2

R1 R1R2
E0  VCC R0 
R1  R2 R1  R2
35 Pr.A. khoukh
Electronique Analogique I

Stabilité du point de repos : Optimisation


Equation générale de la polarisation :

 = + (1 + )
 é : = + + ( + )

Sachant que β>>1, on obtient :


+
= − +
+ + +

Cette équation montre que le courant de polarisation IC est une fonction des
trois paramètres du transistor, VBE, β et ICB0, notée :

IC = F(VBE, β, ICB0).
36 Pr.A. khoukh
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Stabilité du point de repos : coefficients de stabilité


Le concepteur peut ajuster ce courant en jouant simplement sur les résistances R0,

RC et RE et sur la tension EO. Dans ce paragraphe, nous allons étudier comment le

rendre le moins dépendant possible de ces trois paramètres. La variation de


courant ΔIC, qui dépend à la fois de ΔVBE et Δß et de ICBO, est obtenue en écrivant
une différentielle totale :

Avec:

37 Pr.A. khoukh
Electronique Analogique I

Stabilité du point de repos : coefficients de stabilité


On définit un coefficient de stabilité (S) par rapport à un paramètre p de la façon suivante :


=
è
Ce coefficient mesure l'augmentation relative du courant de collecteur
IC par rapport à l'augmentation soit du courant ICBO, soit de la tension
VBE soit du gain en courant 
La valeur de S est inversement proportionnelle à la stabilité thermique

38 Pr.A. khoukh
Electronique Analogique I

Stabilité du point de repos : coefficients de stabilité



Ainsi : =

: Coefficient de stabilité pour les variations de VBE


 = : Coefficient de stabilité pour les variations de 



= : Coefficient de stabilité pour les variations de ICBO

Dans le cas de l’exemple en question, on obtient

=− , = et = ( )

39 Pr.A. khoukh
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Stabilité du point de repos : Influence de VBE

40 Pr.A. khoukh
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Stabilité du point de repos : Influence de VBE


Considérons maintenant l’erreur liée aux variations de ICB0. La variation (au premier
ordre) de IC est proportionnelle à :

+
=
+

On remarque aisément que ce coefficient est supérieur strictement à 1. En calculant


les dérivées partielles par rapport à R0 et RE, on montre facilement que :

>0 et que <0


L’effet de RE est donc intéressant, et on montre facilement que si RE = 0, ∂F/∂ICB0 = βN et
pour RE → ∞, ∂F/∂ICB0 → 0. Placer une résistance d’émetteur de valeur non nulle permet aussi
de réduire l’influence de ICB0.
41 Pr.A. khoukh
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Stabilité du point de repos : Influence de β

Considérons enfin l’erreur liée aux variations de βN, dont nous savons qu’elles sont
très importantes d’un composant à un autre. La variation (au premier ordre) de IC
est proportionnelle à :

=
( + )
En ne considérant que les variations de Ic avec β, on peut écrire :

=
( + )
Là aussi une valeur non nulle de RE permet de réduire les
variations de Ic par rapport à β
42 Pr.A. khoukh
Electronique Analogique I

Effets de la température: dérives des paramètres


Dans la conception d’un système électronique, il est essentiel de considérer la gamme de
température dans la quelle doit fonctionner le système.

On distingue en général trois gammes :

 De 0°C à 50°C produits grands publiques,


 De -25 °C à 75°C produits industriels,
 De -50°C à 175°C utilisations militaires
Les caractéristiques d’un transistor sont sensibles à la température qui modifie :

 La caractéristique d’entrée IB=f(VBE) et donc la tension de mise en conduction de la jonction


base émetteur, celle-ci diminue lorsque T augmente ;

 Le gain en courant  du transistor, qui augmente quand T augmente ;

 Le courant de saturation inverse de la jonction base collecteur ICBO qui augmente avec T
43 Pr.A. khoukh
Electronique Analogique I

EFFETS DE LA TEMPERATURE : dérives des paramètres

Conséquence : Les modifications de VBE,  et ICBO avec la


température provoquent un déplacement important et néfaste du
point de repos, elles se traduisent par une Augmentation du
courant IC (en effet IC= (1+ )IB +ICBO) avec la température

L’augmentation du courant IC entraîne une augmentation de la puissance


dissipée par le transistor. Cela a pour effet d'augmenter la température du
transistor, d'où l'augmentation du courant IC et de la puissance dissipée et
ainsi de suite. Ce phénomène est l'emballement thermique et peut
conduire à la destruction du transistor.

44 Pr.A. khoukh
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STABILISATION THERMIQUE

Il est nécessaire de limiter les effets de la température. Pour cela, il y


a deux solutions : soit empêcher l'augmentation de la température
soit utiliser un montage qui neutralise les effets de la température.

Coefficient de stabilité thermique


La variation de courant ΔIC, qui dépend à la fois de ΔVBE et Δß et de ICBO, est
obtenue, comme on l’a fait précédemment , en écrivant une différentielle totale :

= + +

Connaissant les variations de VBE , ICBO et β, on peut calculer les coefficients de stabilité et juger la
stabilité thermique du montage.

45 Pr.A. khoukh
Electronique Analogique I

Stabilité Thermique : montage de stabilisation

STABILISATION PAR CONTRE-RÉACTION DU COLLECTEUR


Ce montage simple est représenté ci-dessous :

La résistance RB n'est plus reliée à la tension + VCC, mais au collecteur du transistor.


Si le transistor s'échauffe, le courant IC tend à augmenter, la tension aux bornes de RC tend
à augmenter et VCE tend à diminuer. Or, IB VCE / RB donc IB tend à diminuer également. Il en
résulte que IC tend à diminuer.

46 Pr.A. khoukh
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STABILISATION PAR CONTRE-RÉACTION DE


L'ÉMETTEUR.
Le circuit ci dessous permet aussi d'avoir un courant IC constant.
Le principe est le suivant. Lorsque IC tend à augmenter, IE tend également à augmenter et
par conséquent, VE et VB aussi. Donc, la tension aux bornes de RB tend à diminuer ainsi que

Dès lors, IC tend à diminuer.


Il y a donc une réaction de la
tension d'émetteur VE sur le
courant d'entrée IB. La
résistance RE doit être assez
élevée afin que les
variations de IC induisent des
IB . variations suffisantes de VE.

47 Pr.A. khoukh
Electronique Analogique I

STABILISATION PAR THERMISTANCES

La thermistance RT est une résistance dont la valeur est fonction de la


température. Elle est constituée par des éléments semi-conducteurs.

Ces thermistances sont de deux types. Dans un premier cas, la valeur de la


thermistance augmente avec la température ; on l'appelle une
thermistance CTP ou thermistance à Coefficient de Température Positif.

Inversement, la valeur de la thermistance peut diminuer lorsque la


température augmente ; il s'agit d'une thermistance CTN à Coefficient de
Température Négatif. Ce deuxième type est plus utilisé.

48 Pr.A. khoukh
Electronique Analogique I

STABILISATION PAR THERMISTANCES


Le montage est représenté à la figure ci-dessous.

Le fonctionnement de ce montage est le suivant.

La tension aux bornes de RB est pratiquement constante car elle est


égale à VCC - VBE. Par conséquent, le courant du pont de base IP est
constant.

Or IP = IB + IT, donc lorsque la température augmente, RT diminue, IT


augmente et par conséquent IB diminue. Ceci a pour effet de
diminuer le courant IC, donc de s'opposer à l'élévation de ce courant
sous l'effet de la température.

La thermistance doit être située à proximité du transistor afin de


capter les variations de température.

49 Pr.A. khoukh
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STABILISATION PAR DIODE


Il suffit de remplacer la thermistance CTN du montage précédent par une diode

Le principe de fonctionnement est identique à celui du montage avec thermistance.

Dans le cas présent, IP = IDi + IB.

Lorsque la température s'élève, le courant inverse IDi augmente.

La diode D doit être située à proximité du transistor.

50 Pr.A. khoukh
Electronique Analogique I

Pour limiter les effets de la température, il est nécessaire d'évacuer la chaleur


produite par un transistor.

Cela est d'autant plus nécessaire que la puissance dissipée est élevée (cas des
transistors de puissance). Ces transistors sont donc fixés sur des radiateurs.

Les radiateurs sont des pièces métalliques dans lesquelles la chaleur produite par
les transistors se transmet grâce au phénomène de conduction. Ainsi, l'élévation de
température de la jonction est limitée.

En fonctionnement normal, la température de la jonction s'élève jusqu'à une


certaine valeur d'équilibre. Quand le transistor atteint cet équilibre, la quantité de
chaleur produite par la jonction est égale à la chaleur dissipée dans l'environnement
(boîtier du transistor, radiateur et air ambiant).

51 Pr.A. khoukh
Electronique Analogique I

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