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Micro

Électronique 00 7
- 2
a c Chapitre
.f r 2

i h
n Rappels o gne

e G o u rg :

i q u @
u-b De la physique

n .ginh au transistor MOS


c du semi-conducteur
i
m que
a

Do ni
) i
(C o m
d
Dominique GINHAC
dginhac@u-bourgogne.fr
Plan du cours

0 7
0
1- Introduction sur la microélectronique numérique

2- Physique des semi conducteurs - 2


9 Structure électronique,
ac f r
9 Notions d’énergie,
Notions de dopage,
i n h gne .
o
G
9
g
Principes de la jonction PN, ur
e
9
o
u b
Principes des transistors
u-
9

n i q c@

m i
3- Bases de la technologie
g i h
CMOS
n
a

D o
4- Design de portes q
i ue.
élémentaires

C ) m i n
(
5-Technologied o
des composants

© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 2
Physique : Structure électronique

0 7
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g

i q u @
u-
b

i nn ha
c

o m ue. g i

) D i n i q

(C o m
d
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Structure électronique

Modèle de l’atome :
0 7
0
Neutrons

- 2 Noyau
Protons (+)

ac f r
i n h gne .
o
Électrons (-)
e G o ur
g
gravitant
des
sur
couches
i q u @
u-
b
électroniques
i n n ha
c

o m ue. g i

) D i n i q

(C Nb dedprotons = Nb d ’électrons
Neutralité o m :
de l’atome

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Structure électronique (2)

Nuage électronique des atomes caractérisé par 4


0 7
nombres quantiques :
2 0
9nombre quantique principal (numéro d’orbite) : n = 1, 2, 3, …
c -
a
9nombre quantique azimutal : l = 0, 1, 2, …, n-1r
.f+-2, …, +-l
9nombre quantique magnétique : ml = 0, +-1,
9spin : s = +-1/2 o gne
i n h
e G o u rg

q u u-
b

ni ha
@
Principe cd’exclusion de Pauli :

m i g i n Deux électrons dans un même système ne peuvent

Do i q
e. même état caractérisé
u 4 nombres quantiquesse trouver dans le par

) n les .
i
(C o m
d
W. Pauli, prix Nobel de
Physique en 1955

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Structure électronique (3)

Couches électroniques :
0 7
Les électrons sont répartis sur différentes couches
par des lettres (K, L, M,…, Q) correspondant2 0nombre quantique
symbolisées

-
au

c
principal n = 1, 2, 3, 4
Le nombre maximal d’électrons par couche
a r
est égal à 2n 2
f
i h
n rgo ⇒ gne .

G
Couche K :
u
e
n=1 2 électrons max
o
i q u @
u-b

i n n h ac Couche L :

o m que . g i ⇒ n=2 8 électrons max

) D i ni
(C o m Couche M :
d ⇒ n=3 18 électrons max

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Structure électronique (4)

Sous couches électroniques :


0 7
l0
Chaque couche est divisée en sous-couches s, p, d, f
correspondant au nombre quantique azimutal2
-
= 0, 1, 2, 3

a c f r
i n h o gne . Couche K : n=1, l=0, ml=0
Sous couche s : 2 électrons

e G o u rg

i q u @
u-b Couche L : n=2; l=0,1; ml=0,+-1
Sous couche s : 2 électrons

i n n h ac Sous couche p : 6 électrons

o m ue . g i

) D i n i q Couche M : n=3; l=0,1,2; ml=0,+-1,+-2


Sous couche s : 2 électrons

(C o m Sous couche p : 6 électrons


d Sous couche d : 10 électrons

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Structure électronique (5)

Cas du Silicium : N = 14 électrons


Le Silicium possède 14 électrons : 1s2 2s2 2p6 3s0
7
2 0 2 3p2

-
Il lui manque 4 électrons pour remplir la sous couche 3p

a c f r
i n h o gne.

Couche K : n=1, l=0, ml=0
Sous couche s : 2 e- 1s2

e G o u rg

i q u @
u-b Couche L : n=2; l=0,1; ml=0,+-1
e- ⇒ 2s2
Sous couche s : 2

i n n h ac e- ⇒ 2p6
Sous couche p : 6

o m ue . g i

) D i n i q Couche M : n=3; l=0,1,2; ml=0,+-1,+-2


e- ⇒ 3s2
Sous couche s : 2

( C d o m e- ⇒ 3p2
Sous couche p : 2

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Structure électronique (6)

Répartitions des électrons en 2 classes principales :


0 7
Le silicium possède 4 électrons de valence sur0

- 2 la sous couche 3p

a c f r
i n h ne.
Électrons
o g
de cœur

e G o u rg
Fortement liés au noyau

i q u @
u-b

i n n h ac

o m que . g i Électrons de valence

) D i ni
Rôle essentiel dans
- l’association des atomes,

(C o m - les réactions chimiques,


d - la conduction électrique.

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Structure électronique (7)

Liaison chimiques :
0 7
Les atomes de silicium recherchent la stabilité en tentant de saturer
2 0
la dernière sous-couche d’électrons.
Ils mettent en commun plusieurs électrons de la sous couche de
c -
e.f a
valence 3p avec d’autres atomes de silicium sous la rforme de liaisons
h gn
n
covalentes

G i u
Liaison covalente g
r:
o
e
O
H
o
i q u
Mise en commun de
u
b
- deux électrons
@ former un doublet
n
de valence pour
c
i aélectronique
H
Eau
n h
o m H

ue. g i
D q
H
i
) i n
C

(C Méthane o m
H d H Silicium

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Physique : Notion d’énergie

0 7
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g

i q u @
u-
b

i nn ha
c

o m ue. g i

) D i n i q

(C o m
d
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Notion d’énergie

Modèle de Bohr :
0 7
9 Un électron situé sur la couche orbitale n a une énergie fixe
2 0
-
négative égale à -13.6 eV / n² (cf. remarque)
9 Un électron commence toujours par remplir les couches
r
énergétiques les plus basses (c’est-à-dire les plus négatives)
a
9 Un électron qui se maintient sur son orbite ne.freçoit, ni ne perd
c
e
n h
d ’énergie. Il y a échange d’énergie uniquementgsn’il change d’orbite
i o
e G o ur
g

i q u @
u-
b Apport d’énergie : E=hν

n
Electrique,Thermique, ...
c
m i g i n ha 9 Changement d’orbite

Do i que.
9 Ou libération de l’e-

) i n
(C o m Rq : Un électron avec une énergie
d nulle est libre car il est situé à
l’infini par rapport au noyau.

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Notion d’énergie (2)

Diagramme d’énergie d’un atome de silicium


0 7
Le diagramme d'énergie est la représentation des différents états
2 0
-
énergétiques d’un atome

ac f r Energie

i n h gne . 0
o
e G o ur
g
Couche M : - 1.51 eV

i q u @
u-
b

i nn ha
c
m
Couche L : - 3.39 eV
g i
Do i que.

) i n
(C
Couche K : - 13.6 ev
o m
d
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Notion d’énergie (3)

Diagramme d’énergie de N atomes de silicium


0 7
Selon le principe d’exclusion de Pauli, 2 atomes d’un même système ne
2 0
-
peuvent se trouver dans le même état énergétique.

Energie
ac f r
h gne .
Cela entraîne une véritable

n
0

i
multiplication des niveaux énergétiques
o Bande de conduction
g
G
très proches formant des bandes
u r Bande interdite Couche M
o
e
d’énergie séparées par des bandes
interdites

i q
-b
u @
u Bande de valence

i n .g in ha
c
m que
Couche L

Do ni
) i
(C
Couche K
o m
d
N niveaux
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Notion d’énergie (3)

Diagramme d’énergie de N atomes de silicium


0 7
Selon le principe d’exclusion de Pauli, 2 atomes d’un même système ne
2 0
-
peuvent se trouver dans le même état énergétique.

ac f r Energie
h gne
Quelques Définitions :
.
n
0
Bande de Valence : Dernière bande de
basse énergie contenant des électrons
G i g o Bande de conduction
ur Bande interdite Couche M
bo
Bande de Conduction : Première bande -de
u e
i q
haute énergie vide d’électrons

n
u
c@ Bande de valence

mi
Bande interdite : Bande d’énergie
g i n h a dans Couche L

o .
lequel un électron ne peut se trouver
e
uBC qui détermine
) D
les propriétés ide
q
Gap : Ecart entre BV iet
n conduction des
(C
Couche K
o m
matériaux. d
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Notion d’énergie (4)

Types de matériaux :
0 7
En fonction des positions de la Bande de Valence et de la Bande de
2 0
-
Conduction, on distingue 3 types de matériaux :
9 Les matériaux conducteurs,
9 Les matériaux isolants,
.f r ac
9 Les matériaux semi-conducteurs.

i n h gne o
G g
1018
ur
Quartz
Isolants
1013
u e
Paraffine/Caoutchouc-b
o

n i q c @
u
Porcelaine
Résistivité

108

i a
en Ω.cm

h
nlénium
m i
103
g
o .S Semi
Silicium

ue é

D
1
i q i um
conducteurs
) n n
i Ger
m a

(C om
10-2
d 10-6 Fer
Argent Conducteurs
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Notion d’énergie (5)

Cas des matériaux conducteurs (métaux) :


0 7
D'un point de vue microscopique :
2 0
-
9 Les atomes métalliques forment des structures très serrées dans
lesquelles les électrons peuvent se déplacer librement.

ac f r
h gne
D’un point de vue macroscopique :
.
i n
9 La bande de valence et la bande de conduction se chevauchent.
o
e G o ur
g

u b Energie
R
u- 0
a
n i q c@

m i g i n ha Bande de conduction

Do i que.

) i n
(C o m Bande de valence
d
Distance a < 2R

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Notion d’énergie (6)

Cas des matériaux isolants :


0 7
D'un point de vue microscopique :
2 0
-
9 Les atomes forment des structures très espacées dans lesquelles
les transferts d’électrons sont quasi impossibles.

ac f r
h gne
D’un point de vue macroscopique :
.
i n
9 Le GAP entre BV et BC est trop important (> 5eV) pour que les
électrons puissent passer dans la bande de o
G
conduction
rg
u
u e b
u- 0
o Energie

n i q c@
i
R
n ha Bande de conduction

m
a i
g
Do i que. GAP

) i n
(C o m
d Bande de valence
Distance a >> 2R

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Notion d’énergie (7)

Cas des matériaux semi-conducteurs :


0 7
D'un point de vue microscopique :
2 0
-
9 Les atomes forment des structures suffisamment proches pour que
le transfert d’électrons soit possible.

ac f r
h gne
D’un point de vue macroscopique :
.
i n
9 Le GAP entre BV et BC est assez faible (1.12 eV pour le silicium)
pour que les électrons puissent passer dansola bande de conduction

e G o u rg

u b Energie
u- 0
n i q c@
i ha
R Bande de conduction
a n
o m ue. g i Gap

) D i n i q Bande de valence

(C o m
d
Distance a ~ 2R
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Physique : Notion de dopage

0 7
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g

i q u @
u-
b

i nn ha
c

o m ue. g i

) D i n i q

(C o m
d
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Notions de dopage

Cas d’un cristal de Silicium intrinsèque pur (99,99999%) :


0 7
Autant d’électrons que de trous dans le cristal.
2 0
-
Très peu de porteurs libres donc très mauvaise conduction

c
Le silicium se comporte à peu près comme un isolant !

h a e. f r
i n o
n
gporteurs libres
G g
Les quelques
u r
e o
sont uniquement dus :

i q u @
u-b

n
Impuretés
c
m i g i n h a

D o i que . Agitation thermique

) i n
(C o m
d
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Notions de dopage (2)

Cas d’un cristal de Silicium intrinsèque pur (99,99999%) :


0 7
Le dopage sert à donc modifier cet équilibre entre les électrons et les
2 0
-
trous afin de favoriser la conduction électrique.

c
Le principe est d’introduire des impuretés dont la taille atomique est
r
proche de celle du Silicium et ayant plus ou moins d’électrons
a
de valence
h gn e.f
i n o
Deux cas se présentent :

e G
o 5 électrons sur la couche de ur
g

i q
valence (Arsenic, Phosphore, …) u-b
9 Ajout d’éléments pentavalents ayant
@ u
i n
9 Ajout d’éléments trivalents
…)in
h
c
a ayant 3 électrons sur la couche de

o m
valence (Bore, Gallium,.g
ue
) D n i q
ip+) : 1 atome de dopant pour 104 de Si (1022 at./cm3)
(C
m
Dopage fort (n+ ou
o
d
Dopage normal (n ou p) : 1 atome de dopant pour 107 de Si

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Notions de dopage (3)

Dopage de type N par ajout d’atomes pentavalents :


0 7
Objectif : Produire un excès d’électrons chargés Négativement
2 0
c -
Electron supplémentaire
h a e. f r
i n o gn

e G o u rg

i q u @
u-b Dopants N tels que Arsenic, Phosphore, ...

i n n h ac
m
Dopage par un matériau N :
g i
D o i que . ⇒ Electrons majoritaires

) i n ⇒ Les dopants sont dits « donneurs

(C o m d’électrons »
d
Dopage du Silicium par du Phosphore

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Notions de dopage (4)

Dopage de type P par ajout d’atomes trivalents :


0 7
Objectif : Produire un déficit d’électrons et donc
2 0 un excès de

-
trous chargés Positivement

Déficit d’électron
a c f r
i n h o gne.

e G o u rg

i q u @
u-b Dopants P tels que Bore, Galium, ...

i n n h ac
m
Dopage par un matériau P :
g i
D o i que . ⇒ Trous majoritaires

) i n ⇒ Les dopants sont dits « accepteurs

(C o m d’électrons »
d
Dopage du Silicium par du Bore

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Notions de dopage (5)

Amélioration de la conductivité :
Le dopage permet donc d’injecter artificiellement0et de manière
7
contrôlée des charges libres (e- ou trous)2afin 0 d’améliorer la
conductivité du matériau.
c -
La conductivité du matériau est améliorée
h a en . f r apparaître de
faisant
e
nouvelles bandes d’énergie au dessous
i n de lagnbande de conduction
o (Dopage P)
(Dopage N) ou au dessus de la bande
e G rg
de valence
o u

i q u @
u-b

i n n h ac

o m ue . g i

) D i n i q

(C o m
dDopage N Dopage P

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Physique : La jonction PN

0 7
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g

i q u @
u-
b

i nn ha
c

o m ue. g i

) D i n i q

(C o m
d
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La jonction PN

Création d’une Jonction PN :


0 7
2 0
Que se passe t-il si l’on met en contact du Silicium dopé N et
du Silicium dopé P ?
c -
h a e. f r
i n o gn
Matériau N
e G o u rg Matériau P

+ + + iq
u @
u-b

i n .g in h ac - - -
+ +m + e
D o i qu
- - -

) i n
(CCréationdd’une jonction PN à la frontière des 2 matériaux
o m

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La jonction PN au niveau atomique

QU
I ZZ Que se passe t'il au niveau de la jonction ?
0 7
2 0
-
Un échange de trous et d’électrons se
produit de chaque côté de la jonction P-N.
+ + - -
ac f r
+ + - - h gne .
9 Les électrons (-) qui transitent du côté

i n
N vers le côté P, produisent des ions
go positive du côté N
+ + - -
e G Donneurs de charge
o u r

i q u b (+) qui transitent du côté P


9 Les -trous
vers ule côté N, produisent des ions
@
n .g in h
+ + - - c
i a
Accepteurs de charge négative du côté P

o m ue: DIFFUSION
) D
Ce phénomène se nomme
i n i q

(C PN d: c’est la Zone de Charge d’Espace


Une zone m
d’appauvrissement
o en porteurs mobiles se forme autour de
la jonction

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La jonction PN au niveau atomique (2)

UI
ZZ
2 La ZCE grandit elle sur toute la jonction ?
0 7
0
Q

- 2
Les ions Accepteurs et Donneurs de
+ + - -
ac
chaque côté de la jonction forment :
f r
+ + - -
i n h gne .
9 un champ électrique E
oune barrière de potentiel
F=-qE
+ + E - -
F=qE

e G 9 et donc
o u
définie
g
rpar la relation E=-dV/dx.

i q u Ce
@
- b
u champ
électrique s’oppose au

n .g i
+ + V - - c
i aphénomène de diffusion et permet
nh d’arriver à un équilibre.
o m que
) D
La taille de lain
i
Zone de Charge d’Espace devient stable

(C o m
d
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La jonction PN au niveau atomique (3)

Fonctionnement électrique de la Jonction PN :


0 7
0
On polarise la jonction en direct et on fait2varier la tension

c -
h a e. f r
n
Pour une tension faible
n
+ + - -
i o g (< 0.5 V), rien ne se

-G
rg passe
u
+ + -
u e -b o
+ + iq-
u
- ac@
+ m
i n i
- .g -
n h Pour Vpol > 0.7v, il y a
conduction

D o +
i qu e Pourquoi ?

C) -do m i n
+
( 0 V – 0.5 V
Polarisation
directe

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La jonction PN au niveau atomique (4)

Fonctionnement électrique de la Jonction PN :


0 7
2 0
Pour une tension de polarisation inférieure

c - à 0.7 V

h a e. f r
n
La barrière de potentiel
n
+ + - -
i o g ( V + ddp ) diminue sous

-G
rg l’action de la
u
+ + -
u e -b o polarisation directe.

+ +
n i q - - c@
u

+ m
i V+ddp
g i n h a

o . -
+ - Cette ddp s’annule
u e
D
uniquement lorsque V >
i q
) i n 0.7 Volts,

( C -dom
0 V – 0.5 V
+ Polarisation
directe
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La jonction PN au niveau atomique (5)

Fonctionnement électrique de la Jonction PN :


0 7
2 0
Pour une tension de polarisation supérieure

c - à 0.7 V

h a e. f r
n
La barrière de
n
+ + - -
i o g potentiel est vaincue.

-G
rg
u
e o Il y a redémarrage de

u b
+ + -
- la diffusion et donc de

+ + iq-
u
- ac@
la conduction

+ m
i n i
- .g -
n h

D o +
i qu e

C ) -do m i n
+
( > = 0.6 V
Polarisation
directe

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La jonction PN au niveau atomique (6)

Fonctionnement électrique de la Jonction PN :


0 7
2 0
On polarise la jonction en inverse

c -
a e. f r
h gnpotentielbarrière de

in
La
+ + - - o augmente

e G o ur
g

u b
+ + - -
u-
+
i n +
n
V+ddph iq- - ac@ Elargissement de la
Zone de Charge
+ m i
-e.g -
o + d’Espace
u
) D i n i q

( C -d o m + Polarisation
inverse
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La jonction PN au niveau atomique (7)

Fonctionnement électrique de la Jonction PN :


0 7
2 0
On augmente encore la tension de polarisation

c - inverse

h a e. f r 1 - Libération des
+ + - -
i n o gn porteurs minoritaires :

-G
rg effet zener
u
+ + -
u e -b o 2 - Les porteurs
+ +
n i q - - c@
u libèrent par choc

+ m
i g i n h a
effet d’avalanche
d’autres porteurs :

D o +
i qu
-
e. -
Rupture 3 - des
) i n
(C
+ o m - liaisons covalentes
d Polarisation
inverse
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Caractéristiques de la jonction PN

0 7
0
I

- 2
ac r
Conduction
f
i n h gne .
o
e G o ur
g

i q u
Bloquée
@
u-
b
V

i nn ha
c

o m ue. g i
D
Claquage: Seuil 0,7 v
i q
) i n avalanche
Zéner,

(C o m
d
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Physique : Le transistor

0 7
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g

i q u @
u-
b

i nn ha
c

o m ue. g i

) D i n i q

(C o m
d
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Généralités sur les Transistors

Transistor : élément clé de l’électronique


0 7
Il peut :
2 0
9 amplifier un signal (amplificateur de tension, de courant, de
c -
a
puissance,...)
f r
9 être utilisé comme une source de courant
o i n h gne .

l’électronique numérique) o u rg
9 agir comme un interrupteur commandé

e G (essentiel pour

i q u @
u-b

i
On distingue :
n ha
c
gin (source de courant commandé par un
o m .
9 Transistor bipolaire
ue
D
courant)
i q
) i n
(C
9 Transistor à effet de champ (source de courant commandé par
o m
d
une tension)

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Transistor bipolaire

Structure simplifiée :
0 7
Un transistor bipolaire comporte 3 couches de 0
sandwich dans l’ordre PNP ou NPN :
- 2 silicium disposées en

a c f r
h
9 Symétrie NPN/PNP
e.
i n gn
9 Les 2 « jonctions PN » couplées vont permettre «l’effet transistor»
o
e G o u rg

u b
diode « EB » E E diode « EB »
-
n i q c@
u
i
émetteur
P+
h a N+
n
m i
B B
g
o . N base P
ue
) D i n i q P N

(C o m collecteur
diode « BC »
d C C
diode « BC »

Transistor PNP Transistor NPN


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Transistor bipolaire (2)

Caractéristiques principales :
0 7
Les transistors sont bipolaires parce qu’ils utilisent à la fois les porteurs
2 0
majoritaires et les porteurs minoritaires (électrons et trous).

c -
E B a
h gne . fC
r
i n o
G rg
Dopage
élevé faible moyen
u
e o
(rapport 10:1)
Largeur
i q large u mince@
-b
u +large
n .g in h c
(rapport 150:1)
i
m que
a

o
Ces rapports importants contribuent :

D
9 à rendre la base plus résistive
ni
) i
9 à diminuer les recombinaisons

(C : Produire
o m
Objectif d une meilleure amplification

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Polarisation du Transistor bipolaire

Fonctionnement :
0 7
En l’absence de toute polarisation, il y a création de 2 zones de
2 0
-
charge d’espace

r
Si on polarise la jonction BE en direct et BC en inverse :
9 Suppression de la ZCE sur la jonction BEe.f ac
9 Augmentation de la ZCE sur la jonction gnBC
i n h o
Emetteur
e G Base
o ur
g Collecteur

+
i q +
@
+ u - -
b
u-- - + + +
+ +in + - inha- -
c
- + + +
o m e.g
u - - -
) D+ + +
i n i q - + + +

(C o m Plusieurs
d ≈ 0,6v volts

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Effet transistor

Fonctionnement :
0 7
9 La jonction EB est passante et dissymétrique (dopage plus élevé du côté E)
2 0
-
9 Le courant dans EB est constitué essentiellement d’électrons

c
9 La jonction BC est bloquée => champ électrique E intense à l’interface
BC
. f r
h a
9 Les électrons injectés par l’émetteur dans lae base sont collectés par
le champ électrique et traversent la jonctiongBC
i n
n (Ic ~ Ie)
o
Emetteur
e G Base
o ur
g Collecteur

+
i q +
@
+ u - -
b
u-- - + + +
+ +in + - nha- -
c
- E+ + +
o m u
. g i
e- - -
)
Ie
D+ +
i n
+
i q - + + + Ic

( C d o m

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Au niveau de la base

Fonctionnement :
0 7
9 Le courant dans EB est constitué essentiellement d’électrons
2 0
-
9 Ce courant contient également une faible quantité de trous qui vont de la

c
base vers l’émetteur du fait du dopage même faible de la base

a
h gne . f r
i n o
Emetteur
e G Base
o ur
g Collecteur

+
i q +
@
+ u - -
b
u-- - + + +
+ +in + - nha- -
c
- + + +
o m+ +que - - -
. g i

) D+
i ni
- + + +

(C o m Ib
d
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Au niveau de la base (2)

Fonctionnement :
0 7
9 Certains électrons injectés par l’émetteur se recombinent dans la base
2 0
-
avec des trous

c
9 Cela entraîne la création d’un courant de trous « recombinants »

a
h gne . f r
i n o
Emetteur
e G Base
o ur
g Collecteur

+
i q +
@
+ u - -
b
u-- - + + +
+ +in + - nha- -
c
- + + +
o m+ +que - - -
. g i

) D+
i ni
- + + +

(C o m Ib
d
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En résumé

0 7
2 0
c -
e- injectés e- diffusants
h a e- collectésr
e.f
i n o gn

e G
e- se recombinant
o u rg

i q u
dans la base
@
u-b

Collecteur
Émetteur

n
trous iinjectés.gin
h ac

o m que
) D i ni
(C o m Base
d
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Caractéristiques

7
Caractéristique de sortie

0
Ic (mA) Ic = f(Vce)
Caractéristique de sortie

2 0 Ic dépend peu de Vce

-
Ic = f(Ib) = B.Ib (générateur de courant)

c
Vcb constant Ib constant

a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g
Ib (µA)
i q u @
u-
b

n c Vce (V)

m i n
Vce constant
g i ha Ib constant

Do i que.

) n
Caractéristique d’entrée
i Caractéristique d’entrée

(C
m
Ib = f(Vbe)
o
d
Vbe = f(Vce)
Ressemble à une diode
Vbe (V) Vbe peu sensible aux
variations de Vce

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Le transistor à effet de champ

Structure simplifiée :
0 7
Le transistor à effet de champ (Junction Field Effect
2 0 Transistor)

-
est un composant unipolaire constitué d’un canal à semi-conducteur

c
dopé dont la conduction est commandée par une tension.

Il existeh2atypes nde
. f r
e transistors à effet
i n o g
G
de champ.
rg
u
u e -b o Modifier la section: JFET

n i q c@
u

m i g i n h a 1
G = = q.n µ
S
o e . d e
u R L
) D i n i q

( C d o m Modifier la densité
de porteurs: MOSFET

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Le transistor à effet de champ

Structure simplifiée :
0 7
Composant à 4 bornes :
2 0
-
9 Source : Injecte les porteurs (e- pour canal N, trous pour canal P)

c
9 Drain : Collecte les porteurs

9 Substrat : relié à l’alimentation (Vdd ou Gnd) e.


f a
9 Grille : Contrôle le flux de porteurs passant de larSource à la Grille

h gn
i n o
e G
Grille
o ur
g

u b
Électrode de commande
u-
q
du courant Id

i n n i ha
c@

m i Drain
g
o . P
Source
ue
D
Électrode par laquelle
i q
) n
les porteurs majoritaires
i
Électrode par laquelle

(C
N
m P quittent le canal

d o
les porteurs majoritaires
entrent dans le canal
Jfet à Canal N
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Le transistor à effet de champ

Principales différences avec le transistor bipolaire :


0 7
9 Source de courant contrôlée par la tension de Grille
2 0
-
9 Composant unipolaire utilisant uniquement les porteurs
majoritaires (électrons ou trous)
c
a gne influençant la
f rsource et le drain
9 Composant fonctionnant avec unhchamp électrique
9 Porteurs ne traversant aucune jonction entre .la

i n rgo
section du canal

e G o u Grille

i q u @
u- b

i n n h ac Drain

o m
Source
ue . g i N

) D i n i q P N

(C o m
d P
Jfet à Canal

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Fonctionnement

Conditions normales de fonctionnement : Vgs < 0 et Vds > 0


0 7
Sous ses conditions, un courant Id peut circuler de la source S au drain D
2 0
-
via le « canal » situé de part et d’autre de la grille

c
Pour une tension Vds donnée, le courant Id est commandé par la tension Vgs

a
h gne . f r
i n o
G
Drain
g
ur
e
P
Source o
i q N u @
u-P
b
N

i n Grilleha
n
c

o m ue. g i

) D i n i q

( C d o m Vgs < 0

Vds > 0
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Fonctionnement (2)

Cas n°0 : Vgs = 0 et Vds = 0


0 7
En l’absence de polarisation, création des 2 ZCE
2 0 au niveau des
jonctions PN (Grille – Canal)

c -
h a e. f r
n
Pour injecter des
n
i
Grille
o g électrons à partir de

Vgs = 0
P

e G o u rg la source, faisons

u b Vds varier
-
q u
Zce

Source
i n i n h ac@ Drain

o m ue . g i

) D
Vds = 0
i n i qZce

(C o m
d N P

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Fonctionnement (4)

Cas n°1 : Vgs = 0 et Vds > 0


7
0 plus forte
La tension Vds > 0 entraîne une polarisation 0
2
inverse
des jonctions PN au niveau du drain

c -
h a e. f r
n
La tension Vds se
n
i
Grille
o g répartit sous forme de

Vgs = 0
P

e G o u rg gradient entre la source

u b et le drain (Ex : Vds = 2V)


-
q u
Zce et contribue à augmenter
Source
i n i n h ac@ Drain
le champ électrique

m i
0 V 0.5 V 1 V 1.5 V 2 V
g
o . On assiste à un
ue
D
élargissement de la ZCE
i q
Zce

) n
Vds > 0
i du côté du drain et donc

(C o m à un rétrécissement du
d N P
canal

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Fonctionnement (5)

Cas n°1 : Vgs = 0 et Vds > 0


7
0 plus forte
La tension Vds > 0 entraîne une polarisation 0
2
inverse
des jonctions PN au niveau du drain

c -
h a e. f r Un courant Id circule

i n n
Grille entre la source et le drain
o g
Vgs = 0
P

e G o u rg

u b Il est proportionnel à la
-
q u
Zce tension Vds
Source
i n i n h ac@ Drain

m i Le transistor est en
g
D o i que
Zce
. régime linéaire et se
comporte comme une
) n
Vds > 0
i
(C o m résistance
d N P
Id Id = f(Vds)

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Fonctionnement (6)

Cas n°1 : Vgs = 0 et Vds > 0


0 7
Fonctionnement en régime linéaire
2 0
-
La penteadecla courbe f rdépend :
9h
.
e semi-conducteur,
Id (mA)
i nde la rlongueur
du dopagegndu
go
Vgs = 0
e G 9 de lausection du canal.
9
o
du canal,

i q u @
u-
b

i nn ha
c

o m ue. g i
D
Que se passe t’il si on
i q ZZ

) n
I
QU
i augmente Vds ?

(C o m Vds (V)
d
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Fonctionnement (7)

Cas n°2 : Vgs = 0 et Vds = Vp


0 7
étranglement du canal lorsque les ZCE se 2
Si Vds augmente suffisamment (jusqu’à Vp), 0 il se produit un

c - rejoignent.

h a e. f r
i n n
Grille
o g Vp : tension d’étranglement

Vgs = 0
e
P
G o u rg (ou Pinch-Off)

i q u Zce
@
u-b

n c La valeur de Vp dépend de
Source

m i g i n h a Drain la géométrie du transistor

D o i que .
Zce

) n
Vds = Vp Le courant Id tend à se
i
(C o m stabiliser
d N P
Id

Pincement du canal au niveau du drain


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Fonctionnement (8)

Cas n°2 : Vgs = 0 et Vds = Vp


0 7
Fonctionnement en zone de pincement
2 0
-
Id tend :ac f r
9h
.
ecar Vds est grand,
Id (mA)
i n à augmenter
o gn

e G l’étranglement

o u rg
diminuer à cause de
qui freine le

i q
Vgs = 0 u @
u-
b
passage des électrons.

i n .g in ha
c

o m que
) D i ni UI
ZZ Que se passe t’il si on
augmente encore Vds ?

(C
Q
o m Vds (V)
d
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Fonctionnement (9)

Cas n°3 : Vgs = 0 et Vds > Vp


0 7
Si Vds augmente encore (au-delà de Vp), 0
2
l’étranglement du
canal se déplace vers la source

c -
h a e. f r Fonctionnement en Zone

i n n
Grille de saturation
o g
Vgs = 0
P

e G o u rg

i q
Zce
u @
u-b Le courant Id devient
constant (courant de
Source
i n n h ac Drain saturation)

o m ue . g i

) D
Vds > Vp
i n i q
Zce Le transistor se comporte

(C o m en source de courant
d N P
Id

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Fonctionnement (10)

Cas n°3 : Vgs = 0 et Vds > Vp


0 7
Fonctionnement en zone de saturation
2 0
c -
h a . f r
e (indépendant de la
Id (mA)
i n
Id est constant
o
n
gcar il existe un canal
G g
tension Vds)
u r
e
minimalolaissant passer les porteurs

Vgs = 0
iq u -b u
@transistor fonctionne en source de
n .g in
Le
c
i
m que
hacourant égale au courant de saturation

Do ni
) i Que se passe t’il si on

(C
ZZ
o m Vds (V) QU
I
augmente la tension Vgs ?
d
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Fonctionnement (11)

Cas n°4 : Vgs < 0 et Vds >= 0


0 7
Vds) la taille du canal en augmentant la 2
La tension Vgs < 0 influence directement (indépendamment 0 de

des jonctions PN
c - polarisation inverse

h a e. f r
i n n
Grille
o g
G
Vgs = 0 V
P rg
u
Vgs < 0
u e -b o
q u
Zce

Source
i n i n h ac@ Drain
Vgs = -0.5 V

o m ue . g i

) D
Vds > 0
i n i qZce

(C o m
d N P

© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 58
Fonctionnement (12)

Cas n°4 : Vgs < 0 et Vds >= 0


0 7
Vds) la taille du canal en augmentant la 2
La tension Vgs < 0 influence directement (indépendamment 0 de

des jonctions PN
c - polarisation inverse

h a e. f r
i n n
Grille
o g
G
Vgs = 0 V
P rg
u
Vgs < 0
u e -b o
q u
Zce

Source
i n i n h ac@ Drain
Vgs = -0.5 V

o m ue . g i

) D
Vds > 0
i n i qZce Vgs = -1 V

(C o m
d N P

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Fonctionnement (13)

Cas n°4 : Vgs < 0 et Vds > 0


0 7
Apparition du phénomène de pincement plus 0
- 2 rapide

a c f r
Id (mA)
i n h o gne.

G
Vgs = 0 V

e o u rg

i q u -b
La uvaleur de Vgs < 0 influence
Vgs = -0.5 V
@
i n .ginh le phénomène de saturation de Id
acdirectement le pincement du canal et

m que
Vgs = -1 V

D o ni
) i
(C o m Vds (V)
d
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Fonctionnement (14)

En résumé :
0 7
ID ~ Résistance
2 0
-
modulée par VGS

Régime
ac f r VGS = cst

h gne . Mode actif

n
linéaire

G i ur
g o

u e u-
b o

n i q c @

m i g i n h~a Source de courant


o . commandée par VGS
ue
) D i n i q

(C o m
d
limite de zones VDS
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Le Transistor MOS

Principales caractéristiques de la structure MOS


0 7
9 Le Transistor MOS (Metal Oxyde Semiconductor) est un transistor à
2 0
-
effet de Champ

c
9 A l’origine, la grille était en Aluminium d'où le nom MOS. Aujourd’hui,
elle est en polysilicium r
a
9 La grille et le canal forment un condensateureà.f« plaques parallèles »,
h
l’isolant étant l’oxyde du silicium. gn
i n
o canal n’existe entre la
9A l’origine, le transistor est bloqué car

eo u rg
G
aucun

u
source et le drain
Grille -b
Source
i q
n .g in h c
u
@ Drain
i
m que
a Isolant

Do ni
) i
(C o m
d
Isolant (oxyde de grille)
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Le Transistor MOS

Principales caractéristiques d’un transistor NMOS


0 7
9 Substrat en Silicium dopé P (Bore) d’épaisseur ≈ 500µm NDOP= 1015 at./cm3
2 0
9 Oxyde de grille en SiO2 (qq 10nm) et Polysilicium de grille (≈ 0.4 µm)

c -
9 Diffusion n+ (ou p+) : ≈ 0.4µm NDOP=
a
1019

h gne .
à
f r1020 at./cm3

i n
9 Connexion du substrat à la masse pour bloquer les jonctions PN SB et DB
o
polysilicium
S e
G o
g
G ur SiO 2

B
i q u @
u-b D

i n n h ac

o m
p+
ue
n+. g i
n+

) D i n i q
C m Substrat (Bulk) p-

( d o

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Le Transistor MOS

Principales caractéristiques d’un transistor PMOS


0 7
9 Caractéristiques identiques à celles d’un NMOS
2 0
-
9 Transistor réalisé sur le même substrat de type P avec l’utilisation d’un

c
a
Puits (Caisson) de type N (N-Well) de faible dopage (1016 At/cm3)
f r
nG h gne
9 Caisson relié à l’alimentation Vdd pour bloquer les diodes SB et SD

i
.
o
e G o ur
g
B
i q
S
u @
u-
b D

i n n ha
c

o m n+
ue.
p+
g i
p+

) D i n i q Puits n-

(C o m
d Substrat p-

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Fonctionnement d’un NMOS

Conditions normales de fonctionnement : Vgs > 0 et Vds > 0


0 7
Sous ses conditions, un courant Id peut circuler de la source S au drain D
2 0
-
via le « canal » qui va se créer sous l’oxyde de grille

c
La variation du courant Id s’effectue en faisant varier la densité des
porteurs dans le canal et non la surface r
a
h gn e.f
i n o
e G o ur
g
Vgs > 0

i q u Grille u-
@
b
Drain
Vds > 0
Source
i n n h ac
m i
Isolant
g
Do i que .

C) N+ m i n N+
( P d o

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Fonctionnement d’un NMOS (2)

Conditions normales de fonctionnement : Vgs > 0


0 7
La tension Vgs positive va permettre l’accumulation de charges positives sur
2 0
-
la grille du transistor MOS

c
Cette accumulation est possible à cause de la capacité MOS constituée de la
r
Grille (armature 1) , de l’oxyde de grille (isolant) et du substrat
a
(armature 2)

h gn e.f
i n o
e G o ur
g
Vgs > 0

i q u Grille u-
@
b
Drain
Vds > 0
Source
i n n h ac
m i
Isolant
g
Do i que .

C) N+ m i n N+
( P d o

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Fonctionnement d’un NMOS (3)

Conditions normales de fonctionnement : Vgs > 0


0 7
La différence de potentiel entre Grille et Substrat entraîne la création d’un
2 0
-
champ électrique E aux bornes de la capacité MOS :

c
9 qui repousse les porteurs majoritaires (trous) loin de la grille

a
r près de la grille
9 qui attire les porteurs minoritaires (e-) du substrat

h gn e.f
i n o
e G o ur
g
Vgs > 0

i q u Grille u-
@
b
Drain
Vds > 0
Source
i n n h ac
m i
Isolant
g
Do i que .
E

C) N+ m i n N+
( P d o

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Fonctionnement d’un NMOS (4)

Conditions normales de fonctionnement : Vgs > 0


0 7
La différence de potentiel entre Grille et Substrat entraîne la création d’un
2 0
-
champ électrique E aux bornes de la capacité MOS :

c
9 qui repousse les porteurs majoritaires (trous) loin de la grille

a
r près de la grille
9 qui attire les porteurs minoritaires (e-) du substrat

h gn e.f
i n o
e G o ur
g
Vgs > 0
i q u Grille u-
@
b
Drain
Vds > 0
Source
i n n h ac
m i
Isolant
g
Do i que .
E

C) N+ m i n
N+
( P d o

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Fonctionnement d’un NMOS (5)

Conditions normales de fonctionnement : Vgs > 0 et Vds > 0


0 7
Une couche d’inversion (canal) se crée sous la grille permettant de relier la
2 0
-
source au drain.

c
L’application d’une tension Vds > 0 permet au courant Id de circuler

a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g
Vgs > 0

i q u Grille u-
@
b
Drain
Vds > 0
Source
i n n h ac
m i
Isolant Id
g
Do i que .
E

C) N+ m i n N+
( P d o

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Caractéristiques

Caractéristiques similaires à celles d’un transistor JFET


0 7
2 0
-
Cas 1 : Transistor bloqué
c
a
Pour Vgs très faible (Vgs < Vth) il n’existe
f r de courant Id
Id (mA)
Vgs = 8 V
i n h
pas de canal et donc
o gne .
pas

e G
Cas 2 : Régime rg
linéaire
u
Pour Vgs b>oVth et Vds faible, le courant
u
Vgs = 6 V
-
iq c
Id est u
modulé par la tension de grille
@
i n
Vgs = 2 V
h a
Casin3 : Régime saturé
o m ue .g Pour Vgs > Vth et Vds important, le

) D i n i qVds (V)courant Id devient constant

(C o m indépendamment de Vds
d
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Caractéristiques

Pour mieux comprendre le fonctionnement :


0 7
Comparaison à un robinet d'eau :
2 0
La grille est la commande analogue au pas de vis du robinet
c -
qui contrôle le débit d'eau (courant) :
9 Au début, rien ne se passe (transistor bloqué)e . f r
h a
9 Après un quart de tour, un faible filetod'eau
i n
gn coule.
Puis, le courant augmente rapidement dès
e
un peu le robinet. (régime linéaire) bo
u r G
g qu’on tourne

q
9 Enfin, malgré des tours dans u
i c@
u
le- vide, le débit d’eau

i n a
n'augmente plus… (régime de saturation)
n h
o m ue. g i
Si on veut augmenter le débit du robinet, il faut augmenter

) D i n i q
le diamètre du tuyau (c’est-à-dire augmenter la tension Vgs).

(C o m
d
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Modélisation du transistor MOS

0 7
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g

i q u @
u-
b

i nn ha
c

o m ue. g i

) D i n i q

(C o m
d
© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 72
Modélisation du transistor MOS

Qu ’est ce qu’un modèle de transistor MOS ?


0 7
et prédire le comportement d’un transistor. 2
Ensemble d’équations qui lient tensions et courants,
0 afin de simuler

c -
a
Objectif : calculer le courant I entre le drainr et la source en
.f
h
DS
fonction des tensions Vb, Vg, Vs et Vd. e
i n rgo gn

e G o u

i q u @
u-b

i n n h ac

o m ue . g i

) D i n i q
C m
Plusieurs caractéristiques sont utilisées : I (V ) et I (V )
( dépendent de paramètres liés à la technologie utilisée
o DS DS DS GS

Elles d
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Modélisation du transistor MOS

3 régimes de fonctionnement à étudier


0 7
Cas 1 : Transistor bloqué
2 0
Cas 2 : Régime linéaire
c -
Cas 3 : Régime saturé
a
h gne . f r Grille G

n
Drain D

i
Source S
o
G g W
ur Isolant

u e u-
b o

n i q c@

m i g i n ha L

D o
2 paramètres que.
très importants
i : Susbstrat B

9)Largeur Lmdu transistor


i n
C
( 9 Profondeur W du transistor
d o

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Fonctionnement en zone ohmique

En zone ohmique, Id est fonction du carré de Vds


) V –V 0
7
ID = ( μn C0X / 2 ) . ( W / L ) . [ 2 (VGS – VT0
2 0 ²]
DS DS

avec VGS > VT0 et VDS < VGS – VT0


c -
h a e. f r
i n og
n

e G o u rg

i q u @
u-
b

i n n ha
c

o m ue. g i

) D i n i q

(C o m
d
© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 75
Fonctionnement en zone ohmique

En zone ohmique, Id est fonction du carré de Vds


Si on se place à Vds très faible, on peut écrire : 0
7
2 0
I = ( μ C / 2 ) . ( W / L ) . [ 2 (V – V )-
D n 0X
a c V –V ²]
f r GS T0 DS DS

I ~= ( μn C / 2 ) . ( W / L ) . [in
h
2 (V – V og
ne.

G
)V ] car V ²~ 0
D OX
rg GS T0 DS DS
u
L )e
o
I ~= ( μn C ) . ( W / u
b
. [(V –uV- ) V ]
D OX

n i q c@ GS T0 DS

m i g i n h a

résistance o
Dans ces conditions, e .le transistor peut être vu comme une
u par V
D commandée
C’est)pour celaoqu’on
i n i q GS

(C
m parle de fonctionnement ohmique !
d
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Fonctionnement en zone ohmique

En zone ohmique, Id est fonction du carré de Vds


) V –V 0
7
ID = ( μn C0X / 2 ) . ( W / L ) . [ 2 (VGS – VT0
2 0 ²]
DS DS

avec VGS > VT0 et VDS < VGS – VT0


c -
Id est fonction de : e.f
h a r
9 Profondeur W du transistor o gn
i n
9 Largeur L du transistor c’est-à-dire
o u
e
gla
G
r distance séparant la
b
u
source du drain
u-
i q
9 Tensions Vgs et Vds du transistor

n c@
i
9 Tension de seuil Vto duatransistor
n h
o m q e
9 Capacité de grille
u
i
9 Mobilité µn des électrons
g par unité de surface
.Cox

) D i ni
(C o m
d
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Caractéristique Id = f(Vds)

En zone ohmique, Id est fonction du carré de Vds


0 7
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g

i q u @
u-
b

i nn ha
c

o m ue. g i

) D i n i q

(C o m
d
© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 78
Fonctionnement au pincement

Au pincement, Id ne dépend plus de Vds


0 7
IDsat = ( μn C0X / 2 ) . ( W / L ) . (VGS – VT0)²
2 0
avec VDS = VDSat = VGS - VT0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g

i q u @
u-
b

i n n ha
c

o m ue. g i

) D i n i q

(C o m
d
© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 79
Fonctionnement en saturation

Au-delà du pincement, Id devient stable


0 7
IDsat = ( μn C0X / 2 ) . ( W / L ) . (VGS – VT0)²
2 0
avec VDS > VDSat
c -
Il y a déplacement du point de pincement
h a e
r
vers la.fsource

i n o gn

e G o u rg

i q u @
u-b

i n n h ac

o m ue . g i

) D i n i q

(C o m
d
© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 80
Caractéristique Id = f(Vds)

En zone de saturation, Id devient stable


0 7
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g

i q u @
u-
b

i nn ha
c

o m ue. g i

) D i n i q

(C o m
d
© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 81
Modulation de la longueur du canal

En zone de saturation :
0 7
La largeur réelle du canal est plus courte que
2 0 la largeur

IDsat = ( μn C / 2 ) . ( W / L’ ) . (V – V -)² plus grand


théorique : L’ = L - ∆L
OX

a c f r
GS TO

i n h o gne.

e G o u rg

i q u @
u-b

i n n h ac

o m ue . g i

) D i n i q

(C o m
d
© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 82
Modulation de la longueur du canal

En zone de saturation :
0 7
IDsat = ( μn C / 2 ) . ( W / L’ ) . (V – V )²
OX
2 0 GS TO

L’ = L - ∆L = L . ( 1 – ∆L / L)
En posant 1 – ∆L / L = 1 - λ V avec λ Vc <<1
-
= ( μn C / 2 ) . ( W / L )h
a DS
. f r
. (V – Vgne)². (1 + λ V
DS

On a I
i n rgo )

G
Dsat OX GS TO DS

u
u e - b o

n i q c@
u

m i g i n h a

D o i que .

) i n
(C o m
d
© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 83
En résumé pour le transistor NMOS

3 zones de fonctionnement :
0 7
Cas01 : V < V
- 2 GS T0

ac f r
ID = 0

i n h gne .
o
e G 2:V
o T0
Cas
g
u>rV et V <V –V
u - bGS DS GS T0

i q
IDlin = ( μn C0X / 2 ) . ( W /@
n c
u
L ) . [ 2 (VGS – VT0) VDS –VDS²]

mi .g i n h a

Do i que
) n
i Cas 3 : VGS > VT0 et VDS > VGS – VT0

(C o m
IDsat =d( μn C0X / 2 ) . ( W / L ) . (VGS – VT0)². (1 + λ VDS )

© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 84
En résumé pour le transistor PMOS

3 zones de fonctionnement :
0 7
Cas01 : V > V
- 2 GS T0

ac f r
ID = 0

i n h gne .
o
e G 2:V
o T0
Cas
g
u<rV et V >V –V
u - bGS DS GS T0

i q
IDlin = ( μn C0X / 2 ) . ( W /@
n c
u
L ) . [ 2 (VGS – VT0) VDS –VDS²]

mi .g i n h a

Do i que
) n
i Cas 3 : VGS < VT0 et VDS < VGS – VT0

(C o m
IDsat =d( μn C0X / 2 ) . ( W / L ) . (VGS – VT0)². (1 + λ VDS )

© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 85
Modélisation des capacités parasites

Grand nombre de capacités parasites :


0 7
2 0
Pour chaque transistor MOS, il existe 5 capacités parasites :

Capacités -
l’oxydec
d’oxyde à l’interface de

h a de grille r
e .f
i n rgo g n 9 Cgb : Capacité Grille - Substrat

e G o u 9 Cgd : Capacité Grille - Drain

i q u @
u-b 9 Cgs : Capacité Grille - Source

i n .ginh « sous » la source et le drain


ac Capacités de jonctions situés

o m que
D
9 Cdb : Capacité Drain- Substrat
ni
) i
(C le régime o m 9 Csb : Capacité Source - Substrat

Selon
d de fonctionnement, leurs valeurs changent.
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Capacités d’oxyde

Considérations technologiques de fabrication :


0 7
En raison des
2 0 imprécisions

c -
technologiques de fabrication en

a
fonderie, la largeur effective Leff de
f r est différente de
i n h g ne
la largeur dessinée
o
.
la grille du transistor
LM

e G o u
Il existe
g
r donc un recouvrement ou

i q u -b
débordement
u du côté Source/Grille et
@du côté Drain/Grille de l’ordre de
i n .g in c
ha quelques dizaines de nanomètres.
o m que On peut
supposer que ces

) D i ni
recouvrements sont de taille LD

(C
m équivalente des deux côtés
d o
LM = Leff + 2 . LD

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Capacités d’oxyde

Considérations technologiques de fabrication :


0 7
Quel que soit le régime, il existera toujours une
2 0 capacité de

-
recouvrement grille/source et une capacité de recouvrement
grille/drain :
9 Grille / source : C = C . W . a
c avec f r
9 Grille / drain : C = C i. n
h
gs0L
W . L go
gne.
ox C =ε / t D ox ox ox

e G gd0
o u r ox D

i q u @
u-b

i n n h ac

o m ue . g i

) D i n i q

(C o m
d
© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 88
Capacités d’oxyde en régime bloqué

Régime bloqué : pas de canal conducteur entre S et D


La capacité se retrouve intégralement entre grille 0
7
2 0 et substrat
9C = 0 + C
gs = C .W.L
= C .W.L c
gs0
-
ox D

9C = 0 + C
gd gd0
h a ox
e. f r D

9C = C . W . L
i n o gn
G g
gb ox

u r
u e -b o

n i q c@
u

m i g i n h a

D o i que .

) i n
(C o m
d
© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 89
Capacités d’oxyde en régime ohmique

Régime ohmique : Existence d’un canal conducteur


La capacité se répartit équitablement entre source0
7
2 0 et drain :
9 C ≈ ½ C .W . L + C
gs ox = ½ C .W
- . L + C .W.L
= ½cC .W ..fLr + C . W . L
gs0 ox ox D

9C ≈ ½C .W.L + C
gd ox
h a e
gd0 ox ox D

9C = 0
i n o gn
G g
gb

u r
u e - b o

n i q c@
u

m i g i n h a

D o i que .

) i n
(C o m
d
© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 90
Capacités d’oxyde en zone saturée

Régime ohmique : Existence d’un pincement du canal


La capacité se retrouve majoritairement du côté de0la source :
7
0
= 2/3 C 2
9 C ≈ 2/3 C . W . L + C
gs

= C .W.L c
ox
- .W . L + C . W . L
gs0 ox ox D

9C =gd 0 + C gd0
h a ox
e . f r D

9C = 0
i n o gn
G g
gb

u r
u e -b o

n i q c@
u

m i g i n h a

D o i que .

) i n
(C o m
d
© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 91
Capacités d’oxyde : Bilan

Capacité Bloqué Ohmique


0 7 Saturé

Cgb (total) Cox.W.L 0


2 0 0

Cgd (total) Cox.W.LD ½ Cox.W.L.+ Cox.W.LD


c - Cox.W.LD

a
h gne . f r
Cgs (total) Cox.W.LD
i n
½ Cox.W.L.+ Cox.W.LD
o
2/3 Cox.W.L.+ Cox.W.LD

e G o ur
g

i q u @
u-
b

i nn ha
c

o m ue. g i

) D i n i q

(C o m
d
© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 92
Capacités parasites de jonctions

Capacités de jonctions : Csb et Cdb


0 7
Elles s’établissent au niveau des jonctions entre
2 0 les zones de

-
diffusions et le substrat

a c f r !!!!!
h
Leurs valeurs sont relativement complexes à calculer
.
e
i n o gn

e G o u rg

i q u @
u-b

i n n h ac

o m ue . g i

) D i n i q

(C Capacitéd Co m
sb Capacité C db

© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 93
Capacités parasites de jonctions

Capacités de jonctions : Csb et Cdb très compliquées à évaluer


0 7
Elles s’établissent au niveau des jonctions entre
2 0 les zones de

-
diffusions et le substrat

a c f r
h . Cdiff = Cbottom + Csw
e
i n o gn = Cj . AREA + Cjsw . PERIMETER

e G o u rg
= Cj . Ls .W + Cjsw . (2Ls + W)

i q u @
u-b

i n n h ac

o m ue . g i

) D i n i q Il ne reste plus

(C o m qu’à évaluer tous


d ces paramètres !!!

© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 94
Capacités parasites de jonctions

Capacités de jonctions : Csb et Cdb très compliquées à évaluer


0 7
Elles s’établissent au niveau des jonctions entre
2 0 les zones de

-
diffusions et le substrat

a c f r
i n h Side wall

o gne.

G g
Source
r
W
u
e
ND
o
i q u Bottom
@
u-b

i n n h ac
m i
xj
g
Side wall

D o i que .
LS
Channel

C )
n
Substrate N A
i
(C C = C . L d.W + C . (2L + W)
diff=C +oCm = C . AREA + C . PERIMETER
bottom sw j jsw

diff j s jsw s

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Capacités parasites de jonctions

Capacités de jonctions : Csb et Cdb très compliquées à évaluer


0 7
Valeurs non linéaires en fonction de VD
2 0
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g

i q u @
u-
b

i nn ha
c

o m ue. g i

) D i n i q

(C o m
d
© D. Ginhac – LE2I – ESIREM - Université de Bourgogne - Aile Sciences de l’Ingénieur - BP 47870 – 21078 Dijon Cedex 96
Modélisation et Simulation SPICE

Pourquoi simuler ?
L'explosion du marché électronique a engendré0une complexité
7
2 0
-
croissante des circuits intégrés

a c
Dimensionner une dizaine de composants « manuellement
.f r » est
relativement aisé (quoique ...).

i h
n et agencero gne
Comment imaginer pouvoir dessiner

e
plusieurs millions de transistors G ? o u rg « à la main » un ou

i q u @
u-b

i n .g in h
Apparition des premiers c
simulateurs
a dans les années 70
La simulationm

D
Berkeley quio a pris son
i
a développéq
e essor sous l'impulsion de l’Université de
u un algorithme de simulation appelé SPICE
) i nsimulateur analogique de CI
(C : Simulation
qui fut le premier
o m
SPICE
d Program with Integrated Circuits Emphasis
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Modélisation et Simulation SPICE

SPICE : Un simulateur à plusieurs niveaux


0 7
SPICE utilise des modèles paramétrés (ou levels)
2 0 fournis par les

-
fondeurs pour représenter le comportement des composants.

a c f rou moins précis et


Il existe différents niveaux de description
performants :
i n h o gn
.
plus
e

e G
9 Level 1 - Shichman-Hodges model (MOS1)
o u rg Model L min
(μm)
Tox
min(nm)

q u u-b
9 Level 2 - Geometry based - analytic model (MOS2)

i @
Spice 1 5 50

i n c
9 Level 3 - Semi-empirical, short channel model (MOS3)
h a
n
m
Spice 2 2 25
9 Level 4 - BSIM model
g i
o . Spice 3 1 20
ue
D
9 Level 5 - EKV model (version 2.6)
i q Bsim 1 0,8 15

) i n
9 Level 6 - BSIM3 model (version 2) Bsim 2 0,35 7,5

(C o m Bsim3v2 0,25 5
d
9 Level 7 - BSIM3 model (version 3.1)
Bsim3v3 0,15 4

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Level 1 : Shichman-Hodges model (MOS1) = premier modèle


Ce modèle utilise les équations des transistors dits0
7
2 0 « à canal long »

-
présentées précédemment.

a c f r ( λ )
W ⎛ VDS ⎞

h
Région ohmique : Ι DS = KP
. −
⎜ gs t
V V − ⎟VDS 1 + VDS
e
n
L − 2 X jl
n ⎝ 2 ⎠

Saturation :
G i u(r
o g
g ) ( W
)
2

e
ΙDS = KP Vgs − Vt VDS 1 + λVDS
o
u b L − 2X jl
-
n i q c@
u

m i
Les principaux paramètres
g i n h a

D o
sont KP (k’), VT0 (Vto),e.
i qu et
)
GAMMA (γ), PHI (2φF)
n
i
( C
LAMBDA (λ) m
d o

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Level 1 : Shichman-Hodges model (MOS1)


0 7
Ce modèle n’est pas du tout adapté à des simulations
2 0 très précises

c -
W=10µm, L=10µm, technologie 0.12µm

h a e. f r
i n o gn

e G o u rg

i q u @
u-b

i n n h ac

o m ue . g i

) D i i q
n mesure et la simulation
(C non acceptable
Désaccord entre
o m la
Modèle
d pour des technologies récentes (< 0.12µm)
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Level 2 : Geometry based - analytic model (MOS2)


Ce modèle plus lent mais plus précis est dérivé0du précédent à
7
2 0
-
partir d’un modèle physique plus précis (40 paramètres environ) en
tenant compte de :
a c f r
9 La saturation de vitesse limitant
9 La variation de la tension ide
h VDsat
n seuil Vth o gne.

e G o u rg

i q u @
u-b

i n n h ac

o m ue . g i

) D i n i q

(C o m
d
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Level 3 : Semi-empirical, short channel model (MOS3)


Ce modèle est un modèle semi empirique dont les0
7
ajustés afin de « coller » aux caractéristiques2
0 paramètres sont

-
mesurées :
9 40 % plus rapide que le niveau 2
a c f r
9 Paramètres identiques au niveau 2
i n h o gne .

G
Modèle pas encore adapté aux technologies

e o u rg modernes

i q u @
u-b

i n n h ac

o m ue . g i

) D i n i q

(C o m
d
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Comparaison Level1 et Level3


0 7
Prise en compte de la saturation Vd sat.
2 0
Influence sur les transistors à canal court.
c -
a
h gne . f r
i n o
e G o ur
g

i q u @
b
u- Vd sat
i nn ha
c

o m ue. g i

) D i n i q

(C o m MOS Level 3
d MOS Level 1

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Level > 3 : Berkeley Short channel Igfet Model (BSIM)


0 7
Modèles développés à l’Université de Berkeley
2 0 adaptés aux

-
technologies modernes

a
La version actuelle BSIM4 contient 300 paramètres
c r et décrit 3
.f entre chacune.
zones de fonctionnement avec une bonne

i h
n rgo g ne
continuité

e G o u Impact

u b
Linéaire Saturé
- ionization

n i q c@
u
i a
(Channel Length

n h
m i
Modulation)
g
D o i que .

) i n
(C o m
d
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Quel modèle choisir ?


0 7
2
Plus le modèle est complexe, plus les effets parasites
0 liés à la

-
réduction des tailles sont pris en compte.

a c
BSIM4 est adapté aux circuits analogiquesr et digitaux en
.f précision.
i h
technologie submicronique qui nécessitent une e
ndes paramètres.
o gn
grande
La tendance est à l’augmentation

e G o u rg

i q u @
u-b

i n .g in h ac Sous Mentor et AMS 0.35 µm

o m ue 9 Modèle BSIM3V3 (level=53)

) D i n i q 9 Fichier de description du

(C o m modèle de 1500 lignes environ


d
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0 7
2 0
c -
h a e. f r
i n
A suivre…
o gn

e G o u rg

i q u @
u-b

i n n
c
h a

o m ue. g i

) D i n i q

(C o m
d