DEPARTAMENTO DE ELECTRICA Y ELECTRONICA

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UNIDAD N° 2

TRABAJO PREPARATORIO
LABORATORIO No. 2.3

Tema: AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN.

Realizado por: Carlos Lucio, Paul Romero

1. Consultar sobre:

3.1 Como identificar los terminales del transistor BJT con un multímetro.

Colocamos en la función para probar diodos

Colocamos una punta del multímetro en uno de los tres terminales del diodo la
restante en otro terminal del diodo

3.2 Recta de carga estática de un transistor BJT.

3.3 Curva de disipación máxima de un transistor BJT.

3.4 Regiones de operación de un Transistor BJT.

Fig. 1. Regiones de operación en configuración emisor común.

La región activa para la configuración en emisor común es esa parte del cuadrante superior
derecho de mayor linealidad, es decir, la región de las curvas de 𝐼𝐵 son casi rectas y
equidistantes. Como se muestra en la figura, esta región existe a la derecha de las líneas de
rayas vertical en 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 y arriba de la curva de 𝐼𝐵 igual a cero. La región a la izquierda de
𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 se llama región de saturación.
En la región activa de un amplificador emisor común, la unión base-emisor se polariza en
directa en tanto que la unión colector-base está en inversa.

 La región activa de la configuración en emisor común se emplea para amplificar

voltaje, corriente o potencia.
 La región de corte para la configuración en emisor común no esta tan bien definida
como para la configuración en base común. Se puede observar en la figura en las
características del colector que 𝐼𝐶 no es igual a cero cuando 𝐼𝐵 es cero.

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 La región de saturación implica polarización directa de ambas uniones. La operación

en esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en eel modo encendido. El
transistor actúa como interruptor cerrado 𝑉𝐶𝐸 = 0 [1]

3.5 Principales características de un amplificador Emisor Común.

3.6 A qué se debe el desfase entre la señal de voltaje de entrada y la señal del voltaje
de salida en la Configuración Emisor Común.

Es el resultado de que ßIb establezca una corriente a través de 𝑅𝐶 la cual producirá un voltaje
a través de 𝑅𝐶 , lo opuesto al definido por 𝑉𝑜 .

Fig. 2. Forma de Vin y Vo

El desfase se debe a que, cuando 𝑉𝑖𝑛 aumenta en el semiciclo positivo provoca un
desplazamiento del punto hacia la región de saturación, lo cual causa una disminución del
𝑉𝐶𝐸 , llevándolo a su menor valor cuando 𝑉𝑖𝑛 tiene el máximo valor mientras que si 𝑉𝑖𝑛
disminuye hasta alcanzar su valor más alto en el pico negativo, 𝑉𝐶𝐸 alcanza su valor más
alto lo cual produce el desfase en 180° entre 𝑉𝑜 y 𝑉𝑖𝑛 . [1]

3.7 Curva Características de entrada y Curva característica de salida de la

configuración Emisor común.
Las características para describir en forma completa el comportamiento de la configuración
de emisor común: una para la entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del
colector.

 Características Input
Se relaciona la corriente de entrada (𝐼𝐵 ) con el voltaje de entrada (𝑉𝐵𝐸 ) para varios niveles de
voltaje de salida (𝑉𝐶𝐸 ).

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Fig. 3. Limitador en serie con una fuente DC

𝑉𝐵𝐸 = 0.7[𝑉]

 Características Output
La corriente de salida (𝐼𝐶 ) con el voltaje de salida (𝑉𝐶𝐸 ) para varios niveles de corriente de
entrada (𝐼𝐵 ).

Fig. 4. Curva de salida características.

Baja impedancia de entradas, entre 700 ohm y 1000 ohm. Un poco menos que la base
común.

Alta impedancia de salida, entre 50kohm. Más baja que la base común. [2]

Fig. 5. Curva de salida característica y sus partes.

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2. Procedimiento

2.1 Para un amplificador en la configuración Emisor Común, realice las siguientes

actividades:

2.1.1 Calcule el punto de operación del transistor.

2.1.2 Verifique el punto de operación del transistor.
2.1.3 Calcule Zin, Zo, Av, AI.
2.1.4 Aplique al amplificador una señal de entrada sinusoidal y grafique en voltaje en
los terminales de Emisor, Base y Colector.
2.1.5 Verifique la ganancia de voltaje.
2.1.6 Verifique la ganancia de corriente.
2.1.7 Verifique la Impedancia de entrada.
2.1.8 Verifique la impedancia de salida.
2.1.9 Realizar el cuadro con los resultados obtenidos.

3. Preguntas:

3.1 Grafique la recta de carga estática y la curva de potencia máxima del transistor
utilizado.
3.2 ¿En qué región de operación está trabajando el Transistor?
3.3 ¿Qué características tiene el amplificador implementado?
3.4 ¿Con que valor de β está trabajando el transistor?

Bibliografía

[1] R. L. y. N. L. Boylestad, Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos, México:

Pearson Educación, 2010.

[2] A. Huerta, «Slideplayer,» 2014. [En línea]. Available: http://slideplayer.es/slide/1662893/.