SCR Triac Diac

SESIÓN 1: Jueves 17 Noviembre: (10:45 hasta 12:45)
2 horas CE = Clase Expositiva
Componentes electrónicos
Diodos, transistores y tiristores
UNIVERSIDAD DE OVIEDO Manuel Rico-Secades

COMPONENTES ELECTRICOS Y ELECTRÓNICOS
Breve sumario
Componentes básicos: pasivos y fuentes

Resistencias
Condensadores
Inductancias o bobinas
Transformadores
Fuentes de alimentación (Tensión y corriente)
V A

ELEMENTOS AUXILIARES DE INTERÉS: RESISTENCIAS

ELEMENTOS AUXILIARES DE INTERÉS: RESISTENCIAS

ELEMENTOS AUXILIARES DE INTERÉS: CONDENSADORES
Un condensador está formado por un aislante (dieléctrico) colocado entre dos

conductores (p.e. condensador de placas planas).
Los condensadores tienen capacidad de almacenar energía en
campo electrostático.
Símbolo
El parámetro C indica la capacidad de un elemento de
Placas almacenar energía.
Dieléctrico
Se define como la carga necesaria para provocar una
variación de una unidad de tensión.
dQ(t )
La capacidad C depende de la C
geometría del condensador y dV (t )
de la permitividad () del De donde se obtiene la conocida relación
aislante. diferencial entre la tensión y la corriente de un
condensador. Los condensadores se oponen a las
p.e. para un condensador de variaciones bruscas de tensión.
placas planas
dV (t )
C  
S dI (t )  C 
d dt

ELEMENTOS AUXILIARES DE INTERÉS: CONDENSADORES
En función del material dieléctrico podemos tener:

O = 0.0885 x 10-10 F/m
•Condensadores de aire (Air dielectric capacitors)
•Condensadores de Mica (Silver mica capacitors)
•Condensadores cerámicos (Ceramic capacitors)
•Condensadores de papel (Paper capacitors)
•Condensadores plásticos (Plastic film capacitors)
•Condensadores electrolíticos (Electrolytic capacitors) S

C  O   R 
d

ELEMENTOS AUXILIARES DE INTERÉS: BOBINAS
dI L (t )
U L (t )  L 
dt

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

Semiconductores elementales:
Germanio (Ge) y Silicio (Si)
Compuestos IV:
Si C y Si Ge
Compuestos III-V:
Binarios: Ga As, Ga P, Ga Sb, Al As, Al P, Al Sb, In As, In P y In Sb
Ternarios: Ga As P, Al Ga As
Cuaternarios: In Ga As P
Compuestos II-VI:
Zn S, Zn Se, Zn Te, Cd S, Cd Se y Cd Te

SEMICONDUCTORES TIPO N: Dopantes grupo V (p.e. Sb)
Cada átomo dopante aporta al cristal un electrón libre.
Cada átomo dopante aporta un ión positivo fijo (no se

puede mover).
Al igual que en un semiconductor intrínseco habrá pares

electrón hueco generados a la forma convencional.
Ge
No obstante, el número de huecos disminuirá bastante, al
tener un gran número de electrones libres "pululando" por
- el cristal.
+
Ge Sb Ge
El Sb tiene 5 electrones en la última capa.
- El Sb sustituye al Ge en la estructura cristalina.
+ Le queda un electrón ligeramente unido al átomo del

dopante.
Con muy poca energía (0.01 eV - 0.05 eV puede

Ge liberarse.
A temperatura ambiente todos los átomos de Sb han

perdido su electrón.
El átomo de Sb está fijo en la estructura cristalina y no

se puede mover (no es un hueco)

SEMICONDUCTORES TIPO N: Dopantes grupo V (p.e. Sb)
Muchos electrones libres
+ Tipo N
+ +
Iones positivos
Muy pocos Huecos Fijos en el cristal
No se pueden Mover
COMENTARIO: Darse cuenta que un trozo de Semiconductor N por si solo tiene

poca utilidad. Simplemente es un regular conductor (una determinada resistencia)

SEMICONDUCTORES TIPO P: Dopantes grupo III (p.e. In)
Cada átomo dopante aporta al cristal un hueco.
Cada átomo dopante aporta un ión negativo fijo

(no se puede mover).
Al igual que en un semiconductor intrínseco

habrá pares electrón hueco generados a la forma
Ge convencional.
No obstante, el número de electrones disminuirá

bastante, al tener un gran número de huecos el
cristal.
- +
Ge In Ge
El In tiene 3 electrones en la última capa.
- El In sustituye al Ge en la estructura cristalina.
+ Le queda un enlace covalente "huerfano" de

electrón.
Con muy poca energía (0.01 eV - 0.05 eV puede

Ge "robar" un electrón a un enlace covalente vecino.
A temperatura ambiente todos los átomos de In han

"robado" un electrón.
El átomo de In está fijo en la estructura cristalina y

no se puede mover (no es un electrón/carga libre)

SEMICONDUCTORES TIPO III: Dopantes grupo III (p.e. In)
Muchos huecos
- Tipo P
- -
Iones negativos
Muy pocos electrones Fijos en el cristal
No se pueden Mover
COMENTARIO: Darse cuenta que un trozo de Semiconductor P por si solo

también tiene poca utilidad. Simplemente es un regular conductor (una
determinada resistencia)

LOS DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS SURGEN DE UNIR
TROZOS DE SEMICONDUCTOR P Y N.
LOS FENÓMENOS "ESPECIALES" QUE SURGEN SE

APROVECHAN PARA MUY DIVERSAS APLICACIONES Y
HAN DADO LUGAR AL FRUCTÍFERO MUNDO DE LA
ELECTRÓNICA.
COMUNICACIONES
ORDENADORES
MÚSICA
TELEVISIÓN
ELECTROMEDICINA
SENSORES
ETC

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (PANORÁMICA)
Diodo Zener, Diodo LED, Diodo

Schottky, diodo Tunel (Gunn), 1 unión PN
diodo Varicap
DIODOS
Bipolares, SCR, TRIAc, DIAC, GTO

Fototransistores,
Transistores
multiemisor, JFET y TIRISTORES
MOSFET
TRANSISTORES varias uniones PN
2 uniones PN
ASOCIACIÓN DE DISPOSITIVOS
IGBT, optoacoplador, Display, puentes rectificadores, Darlington

CIRCUITOS INTEGRADOS

DIODO
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o
no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)
I
I
+
P
V
N
- V
ANÉCDOTA
Un símil hidráulico podría ser una válvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un único sentido.

DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener (Zener diode)

La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).
En la zona Zener se comporta

Tensión I como una fuente de tensión
Zener (Tensión Zener).
(VZ)
Necesitamos, un límite de corriente
inversa.
V Podemos añadir al modelo lineal la

resistencia Zener.
Aplicaciones en pequeñas fuentes

Límite máximo
de tensión y referencias.
Normalmente, límite de
potencia máxima

DIODOS ESPECIALES
Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode
El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unión PN

polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de
onda. (p.e. Luz roja)
A K

DIODOS ESPECIALES
Los diodos basados en compuestos III-V, presentan una
Fotodiodos (Photodiode) corriente de fugas proporcional a la luz incidente (siendo
sensibles a una determinada longitud de onda).
Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante. Siendo

i su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotómetros)
V Comunicaciones
0
iopt COMENTARIO
Los diodos normales presentan variaciones en la corriente de
fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser usados
como sensores térmicos
i
El modelo puede ser una fuente de
V
corriente dependiente de la luz o de la I = f(T)
temperatura según el caso T1 0
T2>T1

DIODOS ESPECIALES
Cuando incide luz en una unión PN, la característica
del diodo se desplaza hacia el 4º cuadrante.
Células solares (Solar Cell)
En este caso, el dispositivo puede usarse como
i
generador.
VCA V
Zona
uso
iCC
Paneles de células
solares

DIODOS ESPECIALES
Diodo Varicap La unión PN polarizada inversamente puede

(Varicap , Varactor or Tuning diode) asimilarse a un condensador de placas planas
(zona de transición).
Esta capacidad se llama Capacidad de Transición

P
-
N
(CT).
-
-
-
-
+
+
+
+
+ Notar, que al aumentar la tensión inversa aumenta
- - + +
- - + + la zona de transición. Un efecto parecido al de

separar las placas de un condensador (C T
disminuye).
Dieléctrico
Tenemos pues una capacidad dependiente de la
tensión inversa.
Un diodo Varicap tiene calibrada y caracterizada

esta capacidad.
CT
30 pF Uso en equipos de comunicaciones (p.e. Control
automático de frecuencia en sintonizadores)
d
VI
10 V

DIODOS ESPECIALES
Diodo Schottky (Schottky diode)
Unión Metal-semiconductor N. Produciéndose el llamado efecto

schottky.
La zona N debe estar poco dopada.
Dispositivos muy rápidos (capacidades asociadas muy bajas).
Corriente de fugas significativamente mayor.
Menores tensiones de ruptura.
Caídas directas mas bajas (tensión de codo  0.2 V).
Aplicaciones en Electrónica Digital y en Electrónica de Potencia
El efecto Schottky fue predicho teóricamente en

1938 por Walter H. Schottky

DIODOS ESPECIALES
Diodo tunel y diodo GUNN (Gunn diode and Tunnel diode)
Tienen dopadas mucho las dos zonas del diodo (10 5 veces
mayor).
Zona de resistencia Aparece un efecto nuevo conocido como efecto túnel.

ID negativa. (Descubierto por Leo Esaki en 1958).
Efecto Túnel
Un efecto parecido (GUNN) se produce en una cavidad tipo N de
Ga As.
El diodo GUNN fue descubierto por Ian Gunn en 1962.
Los efectos se traducen en una zona de resistencia negativa en

VD la característica directa del diodo.
Esta zona se aprovecha para hacer osciladores de microondas.

Diodo GUNN
(El diodo GUNN aparece en el oscilador local del receptor del
radar. Está presente en todos los radares marinos actuales).

ASOCIACIÓN DE DIODOS
Puente rectificador
Diodo de alta tensión Monofásico

+
(Diodos en serie)
-
Trifásico
+
DISPLAY
-

APLICACIONES DE DIODOS
Detectores reflexión de objeto
Detectores de barrera
Detectores reflexión de espejo

APLICACIONES DE DIODOS
Sensores de luz: Fotómetros

Sensor de lluvia en vehículos
Detectores de humo
Turbidímetros
Sensor de Color
LED
Objetivo Fotodetector
LED azul
LED verde LED

LED rojo Fotodiodo

TRANSISTORES (Panorámica)
NPN
BIPOLARES
PNP
TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

UNIÓN
CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDO- CANAL N (MOSFET-N)

SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)
* FET : Field Effect Transistor

TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)
Base
(B)
Emisor
Colector (E) Descubiertos por
(C) N P N Shockley, Brattain
y Barden en 1947
(Laboratorios Bell)
C E
SÍMBOLO
B
COMENTARIO: BASE
Un símil podría ser un grifo de agua. La corriente de base

hace el papel del mando de grifo (aumentar la máxima
capacidad de agua - corriente- del grifo).

CARACTERÍSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN
C
IC [mA]
B
IB [mA] =
E 30
3000
ZONA DE SATURACIÓN:  = 100 ZONA ACTIVA:

Comportamiento como interruptor 20 Comportamiento como
cerrado. 2000 Fuente de Corriente.
1000 10
0
VCE
ZONA DE CORTE:
Comportamiento como
ZONA DE TRANSISTOR INVERSO: interruptor abierto.
Emisor y colector intercambias papeles.
Podemos tener una INVERSA, que en el
dispositivo ideal consideraremos cero

TRANSISTOR BIPOLAR PNP (PNP bipolar transistor)
Base IC [mA]
(B) IB [mA] =
Emisor
Colector (E) 30
(C) P N P 3000
 = 100
C E 2000 20
SÍMBOLO
B 1000 10
0
VEC
BASE
COMENTARIO:
Un símil podría ser un grifo de agua. La corriente de base

hace el papel del mando de grifo (aumentar la máxima
capacidad de agua - corriente- del grifo).

FOTOTRANSISTOR (Phototransistor)
La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base

desempeñan el papel de corriente de base
C El terminal de Base, puede estar presente o no.
No confundir con un fotodiodo.

E

ASOCIACIÓN DE TRANSISTORES
OPTOACOPLADOR
Conjunto fotodiodo + fototransistor
OBJETIVO:
Proporcionar aislamiento galvánico y

protección eléctrica.
Detección de obstáculos.

APLICACIÓN TÍPICA DE LOS OPTOACOPLADORES:
"Encoder" óptico para medida de velocidad y posicionado

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET - Field Effect Transistor)
CANAL N (JFET-N)
UNIÓN
CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDO- CANAL N (MOSFET-N)

SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)
Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patentó el concepto de "Field Effect Transistor".
20 años antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.

JFET DE CANAL N (Característica real de salida)
ZONA COMPORTAMIENTO
D FUENTE DE CORRIENTE
G ID
UGS[V]
≥0
S
-10
-20
-30
VDS
ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO
SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIÓN DE PUERTA

(UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE.
PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIÓN.

JFET DE CANAL P (Característica real de salida)
ZONA COMPORTAMIENTO
S FUENTE DE CORRIENTE
G ID
USG[V]
≥0
D
-10
-20
-30
VSD
ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO
SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIÓN DE PUERTA

(USG) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE.
PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIÓN.

MOSFET DE CANAL N
COMENTARIO:
D D
Aunque a veces se dibuje el símbolo con
un diodo, tener en cuenta que NO ES UN
COMPONENTE APARTE.
ID UGS[V]
G G
=+15 V
S =+10 V
S
=+5 V
=0V
Diodo parásito
VDS
(Substrato - Drenador)

MOSFET DE CANAL P
COMENTARIO:
S S
Aunque a veces se dibuje el símbolo con
un diodo, tener en cuenta que NO ES UN
COMPONENTE APARTE.
ID USG[V]
G G
=+15 V
D =+10 V
D
=+5 V
=0V
Diodo parásito
VSD
(Substrato - Drenador)

MOSFET (precauciones con la puerta)
La puerta (G) es muy sensible.

D
Puede perforarse con tensiones

bastante pequeñas (valores típicos de ID
30 V).
No debe dejarse nunca al aire y debe

protegerse adecuadamente. - 30 V + 30 V VGS
G
CAUTION, ELECTROSTATIC SENSITIVE !!!

TIRISTORES
(Thyristor)
Los tiristores son dispositivos especialmente populares en Electrónica de Potencia.
Son sin duda los dispositivos electrónicos que permiten alcanzar potencias mas altas, son
dispositivos realmente robustos.
En 1956 se desarrollo el primer Tiristor Bell Telephoned Laboratory.
Inicialmente fue llamado Transistor PNPN (hoy conocido como SCR)

Definición y tipos
- Dispositivo de 4 capas con estados estables de conducción y bloqueo
- Interruptor de potencia muy alta
- Potencias y tensión muy altas
- Frecuencias de conmutación no superiores a 2kHz
SCR (Silicon Controlled Rectifier).

Interruptor unidireccional
GTO (Gate Turn-off)

Interruptor unidireccional. Apagado por puerta
TRIAC (Triode AC)

Interruptor bidireccional
DIAC. (Diode AC)

Interruptor bidireccional ( Control de tiristores)

SCR: Un modelo ideal sencillo
Podemos decir que es un interruptor unidireccional que se cierra con un pulso de corriente
de puerta (disparo) y se abre cuando la corriente pasa por cero
A A
A
G
G
C
C
MODELO IDEAL DE UN SCR
NOTA:
G
El disparo por tensión directa (VB) se considera indeseable
y, como norma general, debe seleccionarse el SCR para
que esto no ocurra
C

SCR: Algunos ejemplos
TO 209 AD TO 200 AF TO 208 Ac

B7 B 20 B2
500 V 1300 V 500 V

100A 1800A 24A

EL SCR es el dispositivo electrónico mas
robusto que existe.
Puede manejar tensiones y corrientes

realmente impresionantes.
Algunos ejemplos son realmente

espectaculares.
Unos de los 12 SCR para un “pequeño”

rectificador trifásico de 500 MW y 500 KV
(Inga-Shaba, ZAIRE)

TRIAC: Un modelo ideal sencillo
Podemos decir que es un interruptor bidireccional que se cierra con un pulso de corriente
de puerta (disparo) y se abre cuando la corriente pasa por cero. La puerta es ahora
bidireccional (2 diodos en anti-serie)
T2
T2
G
G
T1
T1
MODELO IDEAL DE UN TRIAC

DIAC: Diode AC
 Dispositivo auxiliar (p.e. disparo de tiristores)

 Soporta picos de corrientes elevados
 Se debe conocer la Tensión de cebado (p.e. 33V en el DB3)
 DB3: Diac comercial muy popular
IT
A1 A2
-VB +VB VT
Característica

DIAC: Algunos elementos similares
Recinto de descarga
Gránulos de óxidos
metálicos sinterizadas
(Óxido de cinc, etc)
DESCARGADOR DE GAS
VARISTOR

DIAC: Uso como elemento de protección
Sobretensión
I F
Ve Equipo a proteger
TRIAC,
VARISTOR,
DESCARGADOR,...
NOTA:
Seguramente el VARISTOR es el elemento mas popular para esta aplicación

GTO: (Gate Turn-off)
A C
G
La especial estructura del dispositivo
permite el apagado por puerta (con un
pulso negativo).
Por lo demás es similar al SCR.
Vista desde abajo
C G
Estructura de un GTO simétrico

LASCR, Tiristor controlado por luz.
 Son Tiristores activados por luz

 Utilizados en Alta tensión G
 Frecuencias de conmutación de hasta 2KHz A K
 Tensiones elevadas 6000V y 1500A
NOTA:
Normalmente disponen de conexiones especiales para ser disparados
con fibra óptica. Son interesantes en entornos de corrientes y tensiones
elevadas, permitiendo un elevado aislamiento entre el circuito de
potencia y el de gobierno.

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS:
PEQUEÑOS Y GRANDES SEGÚN LA APLICACIÓN
EL MAS PEQUEÑO
UNO GRANDE
Unos de los 12 SCR para un “pequeño”
rectificador trifásico de 500 MW y 500 KV
(Inga-Shaba, ZAIRE)

Circuitos Integrados (Integrated Circuits - IC)
En un IC se implementa un circuito electrónico

completo (Resistencias, condensadores,
diodos, transistores, etc) realizado sobre el
mismo circuito semiconductor (Substrato).

Transistor 2 Transistores 2.300 Transistores 42 millones de transistores
1945 1948 1958 1960 1971 2001

ENIAC Transistor Primer IC MOSFET Primer P Pentium IV
1er Computador Lab. Bell Kilby 4004 INTEL
válvulas Schokley, INTEL
Brattain,
Bardeen
La evolución del tamaño de los circuitos integrados ha sido

espectacular.
Teniendo sus máximos de capacidad de integración, en el mundo

de la Electrónica Digital (Microprocesadores)

LOS CIRCUITOS INTEGRADOS PUEDEN LLEGAR A TENER
MUCHÍSIMOS COMPONENTES REALIZADOS SOBRE EL
MISMO CIRCUITO INTEGRADO
Buscando errores
sobre un esquema de
un Circuito Integrado

EJEMPLO TÍPICO DE CIRCUITO INTEGRADO DE PROPÓSITO GENERAL:
DIP-8

DATOS EN EL ENCAPSULADO DE UN CIRCUITO INTEGRADO
ENCAPSULADO
D,P: Plástico
J, N: Cerámico
FABRICANTE M: Metálico
AD Analog Devices
A Fairchild
CR RCA
LM National Semiconductor RANGO TEMPERATURA
MC Motorola
NE/SE Signetics C: Comercial 0ºC hasta 70ºC
OP Precision Monolithics
RC/RH Raytheon I: Industrial -40ºC hasta 85 ºC
SG Silicon General
TL Texas Instrument M: Militar -55ºC hasta 125 ºC
DESIGNADOR
Nombre/función del dispositivo
741 Amplificador de propósito general

081 Amplificador entrada FET
311 Comparador rápido

DATOS EN EL ENCAPSULADO DE UN CIRCUITO INTEGRADO
Pin número 5
1 1 4 Orden
2 para
3 numerar
los pines
Encapsulado típico
DIL - 6
DIL = Dual In Line

SIL = Serial In Line

USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor
12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V 12 V
I  = 100
40 mA
IC
Sustituimos el interruptor principal por un
transistor.
4A IB = 40 mA
La corriente de base debe ser suficiente
para asegurar la zona de saturación. PF (ON) 3 A ON
Ventajas: OFF
No desgaste, sin chispas, rapidez, permite
control desde sistema lógico.
12 V VCE
Electrónica de Potencia y Electrónica PF (OFF)
digital

USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como fuente de corriente (amplificador)
+
RB UC RC
-
12 V
IC PF ELECTRÓNICA
UE ANALÓGICA
 = 100
IB
UC UBIAS
UE 12
UBIAS En RC (p.e. altavoz) obtenemos una copia de U E (p.e.
música).
El punto de funcionamiento cambia "al ritmo de la

música".
Podremos aplicar el principio de Notar la presencia de un indeseable nivel de continua.

superposición y linealizar el transistor
entorno a su punto de funcionamiento. Necesitamos polarizar el transistor para que siempre se
comporte como una fuente de corriente dependiente: I C =
Hablaremos de circuito de continua f(IB)
(polarización) y de circuito de alterna.

USOS DEL TRANSISTOR NPN: Saturación como amplificador
+
RB UC RC
-
12 V
IC PF
UE
 = 100
IB
UBIAS
UC El transistor se sale de la zona de fuente de

UE 12 corriente. Las tensiones del circuito no pueden
sobrepasar las de alimentación.
UBIAS
Decimos que el amplificador se satura (y
distorsiona).

USOS DEL MOSFET - Canal N: Como interruptor
12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V
12 V
I
La puerta no puede
quedar al aire
(debe protegerse)
ID
4A UGS= 12 V
Sustituimos el interruptor principal por un
transistor. PF (ON) 3 A ON
¡¡¡ LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA OFF

(MUY PEQUEÑA) !!!
12 V VDS
PF (OFF)

SCR Triac Diac

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UNIVERSIDAD DE OVIEDO Manuel Rico-Secades

Componentes básicos: pasivos y fuentes

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Un condensador está formado por un aislante (dieléctrico) colocado entre dos

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En función del material dieléctrico podemos tener:

•Condensadores de Mica (Silver mica capacitors)

•Condensadores cerámicos (Ceramic capacitors)

•Condensadores de papel (Paper capacitors)

•Condensadores plásticos (Plastic film capacitors)

•Condensadores electrolíticos (Electrolytic capacitors) S

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Cada átomo dopante aporta un ión positivo fijo (no se

Al igual que en un semiconductor intrínseco habrá pares

- El Sb sustituye al Ge en la estructura cristalina.

+ Le queda un electrón ligeramente unido al átomo del

Con muy poca energía (0.01 eV - 0.05 eV puede

A temperatura ambiente todos los átomos de Sb han

El átomo de Sb está fijo en la estructura cristalina y no

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Muchos electrones libres

COMENTARIO: Darse cuenta que un trozo de Semiconductor N por si solo tiene

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Cada átomo dopante aporta un ión negativo fijo

Al igual que en un semiconductor intrínseco

No obstante, el número de electrones disminuirá

- El In sustituye al Ge en la estructura cristalina.

+ Le queda un enlace covalente "huerfano" de

Con muy poca energía (0.01 eV - 0.05 eV puede

A temperatura ambiente todos los átomos de In han

El átomo de In está fijo en la estructura cristalina y

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LOS FENÓMENOS "ESPECIALES" QUE SURGEN SE

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Diodo Zener, Diodo LED, Diodo

Bipolares, SCR, TRIAc, DIAC, GTO

IGBT, optoacoplador, Display, puentes rectificadores, Darlington

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Diodo Zener (Zener diode)

En la zona Zener se comporta

V Podemos añadir al modelo lineal la

Aplicaciones en pequeñas fuentes

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El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unión PN

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Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante. Siendo

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Diodo Varicap La unión PN polarizada inversamente puede

Esta capacidad se llama Capacidad de Transición

- - + + la zona de transición. Un efecto parecido al de

Un diodo Varicap tiene calibrada y caracterizada

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