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LABORATORIO DE SISTEMAS DIGITALES EXPERIENCIA N°8

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN


MARCOS
(Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA)

LABORATORIO DE SISTEMAS DIGITALES


“MEMORIAS RAM Y ROM”

Turno:
Miércoles 12:00 – 14:00

Profesor:
Ing. Oscar Casimiro Pariasca
Alumno:
Chafloque Tasayco, Jesus – 17190168
Huaroto Gabino, Hugo – 17190157
Lacho Valera, Karen – 17190017
Bueno Matinez, Bryan – 17190103

2019 - II
LABORATORIO DE SISTEMAS DIGITALES EXPERIENCIA N°8

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS


FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA

EXPERIENCIA N°8
MEMORIAS RAM Y ROM
I. OBJETIVO:
1. Analizar el comportamiento de una unidad de memoria RAM y ROM
2. Utilizar los terminales de dirección, control y datos de la memoria para escribir
y leer datos.
3. Implementar memorias RAM y ROM usando puertas lógicas convencionales.
II. INFORME FINAL
1. Analice y explique el funcionamiento de los circuitos de la parte
experimental.
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La memoria RAM 6116:


Las memorias su principal función es la de mantener la información guardada ya
sea por un momento o por un largo periodo de tiempo. En las ocasiones que solo
se necesita guardar información por un corto periodo por ejemplo para guardar
la información de variables que cambian durante la ejecución de un programa es
necesario tener donde guardar esa información por ese corto periodo.
LABORATORIO DE SISTEMAS DIGITALES EXPERIENCIA N°8

Para esta aplicación emplearemos una memoria RAM 6116 que mantendrá
nuestra información por un periodo y después al necesitar renovar de nuevo esa
información la podremos "refrescar".
LA MEMORIA RAM 6116 El dispositivo 6116 es una memoria de acceso
aleatorio, Random Access Memory (RAM), cuenta con una capacidad de 2048
palabras de 8 bits cada una, es una memoria estática de alta velocidad, está
fabricada con la tecnología CMOS, opera con una fuente de alimentación de +5.0
Volts y está dispuesta en una pastilla de 24 terminales.
CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA RAM 6116
• Organización de la memoria: 2048 X 8
• Alta velocidad: tiempo de acceso 150 ns.
• Baja potencia en estado inactivo: 10 uW
• Baja potencia en estado activo: 160 mW
• RAM completamente estática: No requiere reloj para su funcionamiento
• Temperatura de operación: 0.75 grados centígrados
• Temperatura de almacenamiento: De -55 a +125 grados centígrados.
• Potencia de disipación: 1 Watts
• Todas sus entradas y salidas son compatibles directamente con la tecnología
TTL.
DESCRIPCIÓN DE LAS TERMINALES
• A0-A10: Líneas de direcciones
• E/S0-E/S7: Entrada y Salida de datos
• CS Habilitador de la pastilla
• OE Habilitador de salidas
• WE Habilitador para la escritura
• Vcc Voltaje de alimentación +5.0 Volts
• GND Terminal de tierra 0.0 Volts
OPERACIÓN DE LECTURA
Un dato será leído del dispositivo de almacenamiento RAM 6116, mediante la
aplicación de un nivel alto en la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y estando
en nivel bajo la terminal (OE)', con estas conexiones se dispone que se pueda
leer la memoria RAM 6116, si se coloca un nivel alto en la terminales (OE)'. y/o
(CS)' las líneas de E/S y/o la pastilla 6116 se ponen en estado de alta
impedancia, respectivamente.
(CS)' posee la función de controlar la activación de la pastilla, la cual puede ser
usada por un sistema con microprocesadores para la selección del dispositivo.
La terminal (OE)' habilita las salidas, o las pone en estado de alta impedancia, la
cual puede ser habilitada cada vez que el microprocesador requiera leer la
memoria.
OPERACIÓN DE ESCRITURA
Un dato es escrito en el dispositivo RAM 6116 mediante la aplicación de un nivel
bajo en la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y un nivel alto o bajo en la
terminal (OE)'.
La terminal (WE)' al ser activa provoca que las terminales E/S de la memoria
RAM 6116 se habiliten para aceptar la información, en estas condiciones la
terminal (OE)' posee la opción de ser colocada en estado de alto bajo, para
realizar así la operación de escritura.
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2. Una ROM de 32 x 6 con una línea 20, convierten un número binario de


seis bits en el número BCD de dos dígitos correspondiente. Por ejemplo, el
número binario 100001 se convierte en el número BCD 011 0011 (decimal
33). Especifique la tabla de verdad de la ROM.
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3. Presentar los resultados obtenidos.


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La memoria RAM (memoria de acceso aleatorio por sus siglas en inglés) es la


que utilizan los programas para guardar temporalmente los resultados de sus
procesos. Existen algunos tipos de memoria RAM, entre los que se encuentran
SDR, DDR, DDR2, DDR3 y RDRam.
Mientras que la memoria ROM (memoria de solo lectura por sus siglas en inglés)
es la memoria que no se puede modificar en un ordenador de una manera tan
sencilla (como es el caso de la RAM) y aquí se guarda (por lo regular) el firmware
de los dispositivos que conforman el ordenador. Un dato interesante son algunas
de las consolas de videojuegos que utilizan este tipo de memoria, entre los que
se encuentran el SuperNintendo, Nintendo64, entre otros.

IV. CONCLUSIONES:

En la actualidad es bastante común encontrar ordenadores a la venta (a un


precio cómodo (entre 500 y 900 dólares)) con memoria RAM que oscila entre los
2 y 4 gb (y va aumentando cada día), esta es una de las ventajas de la tecnología,
que su expansión se incrementa exponencialmente día con día.
El motivo principal por el cual los sistemas utilizan la memoria RAM para acceder
a los resultados de los procesos es que, ésta actúa de manera más rápida que
los otros tipos de memoria (ROM, Cache, etc.) y hace que los resultados del
trabajo sean representados de una manera mucho más rápida.

IV. BIBLIOGRAFÍA:
- https://es.wikipedia.org/wiki/Circuito_integrado_555
- https://es.slideshare.net/MIGUELBERNAL1998/monoestable
- https://www.uv.es/marinjl/electro/555.htm
- https://www.areatecnologia.com/electronica/circuito-integrado-555.html